CN112732498B - 模拟设备单点上下电的测试方法、装置、设备及存储介质 - Google Patents

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CN112732498B CN202011601022.5A CN202011601022A CN112732498B CN 112732498 B CN112732498 B CN 112732498B CN 202011601022 A CN202011601022 A CN 202011601022A CN 112732498 B CN112732498 B CN 112732498B
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Abstract

本发明公开了一种模拟设备单点上下电的测试方法、装置、设备及存储介质,通过将包括输入输出扩展器和升降压转换器的测试治具连接于测试主机与被测存储设备之间,测试主机向该输入输出扩展器发送热插拔控制命令(上电命令或下电命令)以通过升降压转换器调节对被测存储设备的输出电压,进而根据被测存储设备的设备状态(上电状态还是下电状态)确定被测存储设备是否成功执行热插拔控制命令。这种测试治具相较于Quarch设备价格低廉,且不存在一台测试主机搭载多个测试治具进行多个被测存储设备的单点上下电测试时出现各被测存储设备互相影响的情况,提高了存储设备单点上下电测试的成功性,降低了存储设备单点上下电测试的成本。

Description

模拟设备单点上下电的测试方法、装置、设备及存储介质
技术领域
本发明涉及存储技术领域,特别是涉及一种模拟设备单点上下电的测试方法、装置、设备及存储介质。
背景技术
在对存储设备性能进行测试时,常需要对被测存储设备执行单点上下电的操作,如采用人工热插拔的方式,则耗费大量人力。因此,现有技术中通常采用进口的热插拔测试系统——Quarch设备模拟单点热拔插。由于进行存储设备单点上下电测试时,往往需要对多个被测存储设备执行模拟热插拔工作,因此需要搭载多个Quarch设备分别执行不同被测存储设备的模拟热插拔控制。但Quarch设备价格昂贵,且维护起来较为复杂,如设备异常需返回美国进行维修,且维修费用非常昂贵。另外Quarch设备具有一个明显的缺陷,如果在一台测试主机上搭载多个Quarch设备对不同的被测存储设备进行上下电控制,各被测存储设备之间会相互影响,即在模拟热插拔过程中,部分被测存储设备的上下电模拟测试会停止。
提供一种优化的存储设备单点上下电测试方案,是本领域技术人员需要解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种模拟设备单点上下电的测试方法、装置、设备及存储介质,用于提高存储设备单点上下电测试的成功性,降低存储设备单点上下电测试的成本。
为解决上述技术问题,本发明提供一种模拟设备单点上下电的测试方法,基于通过测试治具与被测存储设备连接的测试主机,所述测试治具包括输入输出扩展器和升降压转换器,所述输入输出扩展器的输入端与所述测试主机的第一数据输出端连接,所述输入输出扩展器的输出端与所述升降压转换器的控制端连接,所述升降压转换器的电源输入端与所述测试主机的电源输出端连接,所述升降压转换器的电源输出端与所述被测存储设备的电源输入端连接,所述测试方法包括:
向所述输入输出扩展器发送热插拔控制命令,以使所述升降压转换器对所述被测存储设备输出与所述热插拔控制命令对应的输出电压;
获取所述被测存储设备的设备状态;
根据所述被测存储设备的设备状态确定所述被测存储设备的热插拔结果;
若所述被测存储设备的设备状态为与所述热插拔控制命令对应的设备状态,则确定对所述被测存储设备控制成功;
其中,所述测试治具与所述被测存储设备一一对应,所述热插拔控制命令具体为上电命令或下电命令,所述设备状态具体为上电状态或下电状态。
可选的,所述测试主机的第一数据输出端具体为集成电路总线信号接口;
相应的,所述热插拔控制命令具体为智能平台管理接口命令。
可选的,所述输入输出扩展器具体为PCA9555,所述升降压转换器具体为SY9329C。
可选的,所述测试主机的第二数据输出端与所述被测存储设备的输出输入端连接;
在所述向所述输入输出扩展器发送热插拔控制命令之前,所述测试方法还包括:
向所述被测存储设备发送负载命令,以使所述被测存储设备运行于工作状态;
其中,所述负载命令包括负载任务项、所述负载任务项的执行顺序和所述负载任务项的执行次数,所述负载任务项包括读写操作任务、格式化任务、低级格式化任务、高级格式化任务、创建删除名称空间任务、不间断业务的固件升降级任务、设备重置任务和读写校验操作任务。
可选的,在所述向所述输入输出扩展器发送热插拔控制命令之前,还包括:
向所述输入输出扩展器发送电压控制命令,以使所述升降压转换器对所述被测存储设备输出与所述电压控制命令对应的非正常输出电压。
可选的,所述获取所述被测存储设备的设备状态具体为:
基于所述测试主机与所述被测存储设备之间的PCIE总线,利用NVMe命令获取所述被测存储设备的设备状态。
可选的,所述获取所述被测存储设备的设备状态具体为:
向所述输入输出扩展器发送设备状态查询命令以获取所述被测存储设备的设备状态。
为解决上述技术问题,本发明还提供一种模拟设备单点上下电的测试装置,包括:
发送单元,用于向测试治具的输入输出扩展器发送热插拔控制命令,以使所述测试治具的升降压转换器对被测存储设备输出与所述热插拔控制命令对应的输出电压;
获取单元,用于获取所述被测存储设备的设备状态;
确定单元,用于根据所述被测存储设备的设备状态确定所述被测存储设备的热插拔结果;若所述被测存储设备的设备状态为与所述热插拔控制命令对应的设备状态,则确定对所述被测存储设备控制成功;
其中,所述输入输出扩展器的输入端与所述测试主机的第一数据输出端连接,所述输入输出扩展器的输出端与所述升降压转换器的控制端连接,所述升降压转换器的电源输入端与所述测试主机的电源输出端连接,所述升降压转换器的电源输出端与所述被测存储设备的电源输入端连接;所述测试治具与所述被测存储设备一一对应,所述热插拔控制命令具体为上电命令或下电命令,所述设备状态具体为上电状态或下电状态。
为解决上述技术问题,本发明还提供一种模拟设备单点上下电的测试设备,包括:
存储器,用于存储指令,所述指令包括上述任意一项所述模拟设备单点上下电的测试方法的步骤;
处理器,用于执行所述指令。
为解决上述技术问题,本发明还提供一种存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如上述任意一项所述模拟设备单点上下电的测试方法的步骤。
本发明所提供的模拟设备单点上下电的测试方法,通过将一种包括输入输出扩展器和升降压转换器的测试治具连接于测试主机与被测存储设备之间,测试主机向该测试治具的输入输出扩展器发送热插拔控制命令(上电命令或下电命令)以通过升降压转换器调节对被测存储设备的输出电压,进而根据被测存储设备的设备状态(上电状态还是下电状态)确定被测存储设备是否成功执行热插拔控制命令。这种测试治具相较于Quarch设备价格低廉,且不存在一台测试主机搭载多个测试治具进行多个被测存储设备的单点上下电测试时出现各被测存储设备互相影响的情况,相较于现有技术中的存储设备单点上下电测试方案,提高了存储设备单点上下电测试的成功性,降低了存储设备单点上下电测试的成本。
本发明还提供一种模拟设备单点上下电的测试装置、设备及存储介质,具有上述有益效果,在此不再赘述。
附图说明
为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种测试治具的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的一种模拟设备单点上下电的测试方法的流程图;
图3为本发明实施例提供的一种输入输出扩展器的电路图;
图4为本发明实施例提供的一种测试治具的部分电路图;
图5为本发明实施例提供的一种模拟设备单点上下电的测试装置的结构示意图;
图6为本发明实施例提供的一种模拟设备单点上下电的测试设备的结构示意图。
具体实施方式
本发明的核心是提供一种模拟设备单点上下电的测试方法、装置、设备及存储介质,用于提高存储设备单点上下电测试的成功性,降低存储设备单点上下电测试的成本。
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
图1为本发明实施例提供的一种测试治具的结构示意图;图2为本发明实施例提供的一种模拟设备单点上下电的测试方法的流程图。
本发明实施例提供的一种模拟设备单点上下电的测试方法基于图1所示的测试治具实现,该测试治具设于测试主机和被测存储设备之间,包括输入输出扩展器101和升降压转换器102,输入输出扩展器101的输入端与测试主机的第一数据输出端连接,输入输出扩展器101的输出端与升降压转换器102的控制端连接,升降压转换器102的电源输入端与测试主机的电源输出端连接,升降压转换器102的电源输出端与被测存储设备的电源输入端连接,测试主机每搭载一个测试治具可以连接一个被测存储设备,被测存储设备可以为固态硬盘、SATA硬盘等。
应用图1所示的测试治具连接测试主机和被测存储设备后,基于测试主机,如图2所示,本发明实施例提供的模拟设备单点上下电的测试方法包括:
S201:向输入输出扩展器发送热插拔控制命令,以使升降压转换器对被测存储设备输出与热插拔控制命令对应的输出电压。
S202:获取被测存储设备的设备状态。
S203:根据被测存储设备的设备状态确定被测存储设备的热插拔结果。
S204:若被测存储设备的设备状态为与热插拔控制命令对应的设备状态,则确定对被测存储设备控制成功。
其中,测试治具与被测存储设备一一对应,热插拔控制命令具体为上电命令或下电命令,设备状态具体为上电状态或下电状态。
在具体实施中,测试主机的第一数据输出端具体可以为集成电路总线信号接口(I2C接口);相应的,热插拔控制命令具体为智能平台管理接口命令(IPMI命令)。则为实现热插拔控制命令的下发,测试主机中应预先安装ipmitool工具(一种可用在linux系统下的命令行方式的IPMI平台管理工具,它支持ipmi 1.5规范(最新的规范为ipmi 2.0),通过它可以实现获取传感器的信息、显示系统日志内容、网络远程开关机等功能)。在此基础上,输入输出扩展器101可以采用PCA9555,升降压转换器102可以采用SY9329C。
为提高测试安全性,如图1所示,本发明实施例所采用的测试治具还包括设于测试主机的电源输出端和升降压转换器102的电源输入端之间的电子熔断器103。电子熔断器103响应于工作电流过大而短路,具体可以采用TPS25926。
为实现对被测存储设备的状态监控,如图1所示,本发明实施例所采用的测试治具还包括设于测试主机的数据输入端和升降压转换器102的检测端之间的功耗监测器104。该功耗监测器104用于采集升降压转换器102的工作电流,并进一步测量被测存储设备消耗的功率。功耗监测器104具体可以采用INA219。
基于上述测试治具,测试主机可以控制对被测存储设备的输入电压的大小,因此可以控制被测存储设备的上下电。
对于步骤S201来说,测试主机通过第一数据输出端向输入输出扩展器101发送热插拔控制命令,命令格式为“ipmitool netfn cmd slot data”。其中“netfn cmd”表示下发哪类功能的命令,“data”为“requestdata”时表示发送命令时的请求数据(例如“reqdata0”为请求数据的第一个字节,以此类推),“data”为“responsedata”时表示基板管理控制器(BMC)对命令的返回(例如“resdata0”为返回数据的第一个字节,另:“resdata0”总为完成码)。热插拔控制命令即为上电命令或下电命令,则“data”有两种模式,“0”为下电,“1”为上电,例如,如需对连接在测试主机背板槽位slot9的被测存储设备进行下电,则热插拔控制命令为“ipmitool 0x3c 0x73 9 0”;如需对连接在测试主机背板槽位slot9的被测存储设备进行上电,则热插拔控制命令为“ipmitool0x3c 0x73 9 1”。
对于步骤S202来说,获取被测存储设备的设备状态的方式可以为:
基于测试主机与被测存储设备之间的PCIE总线,利用NVMe命令获取被测存储设备的设备状态。
或者,获取被测存储设备的设备状态的方式可以为:
向输入输出扩展器发送设备状态查询命令以获取被测存储设备的设备状态。该设备状态查询命令的格式为“ipmitool 0x3c 0x72”,可以获取所有被测存储设备当前的设备状态。
对于步骤S203和步骤S204来说,若热插拔控制命令为上电命令,被测存储设备的设备状态为已上电,则确定对被测存储设备控制成功;若热插拔控制命令为下电命令,被测存储设备的设备状态为已下电,则确定对被测存储设备控制成功。
应用本发明实施例提供的模拟设备单点上下电的测试方法,可以在被测存储设备运行随机工作的过程随机时长后,对被测存储设备进行下电,模拟被测存储设备进行热拔的场景。当向被测存储设备发送下电命令后,根据被测存储设备的序列号检测被测存储设备是否下电成功,若下电成功,等待随机时长后,对被测存储设备重新进行上电,模拟被测存储设备进行热插的场景。
本发明实施例提供的模拟设备单点上下电的测试方法,通过将一种包括输入输出扩展器和升降压转换器的测试治具连接于测试主机与被测存储设备之间,测试主机向该测试治具的输入输出扩展器发送热插拔控制命令(上电命令或下电命令)以通过升降压转换器调节对被测存储设备的输出电压,进而根据被测存储设备的设备状态(上电状态还是下电状态)确定被测存储设备是否成功执行热插拔控制命令。这种测试治具相较于Quarch设备价格低廉,且不存在一台测试主机搭载多个测试治具进行多个被测存储设备的单点上下电测试时出现各被测存储设备互相影响的情况,相较于现有技术中的存储设备单点上下电测试方案,提高了存储设备单点上下电测试的成功性,降低了存储设备单点上下电测试的成本。
利于上述实施例,可以模拟真实测试场景,简单有效地替代人工热插拔。基于此,可以进一步对存储设备进行复杂场景的上下电测试。
在本发明实施例提供的模拟设备单点上下电的测试方法中,测试主机的第二数据输出端与被测存储设备的输出输入端连接。
在步骤S201中向输入输出扩展器发送热插拔控制命令之前,本发明实施例提供的模拟设备单点上下电的测试方法还包括:
向被测存储设备发送负载命令,以使被测存储设备运行于工作状态。
其中,负载命令包括负载任务项、负载任务项的执行顺序和负载任务项的执行次数,负载任务项包括读写操作任务、格式化任务、低级格式化任务、高级格式化任务、创建删除名称空间任务、不间断业务的固件升降级任务、设备重置任务和读写校验操作任务。
在本发明实施例中,通过测试主机先向被测存储设备发送上述负载命令,具体可以随机运行其中一个或多个负载任务项,并采用随机的执行顺序和执行次数,最终使被测存储设备处于工作状态后,再对被测存储设备进行热插拔测试。
图3为本发明实施例提供的一种输入输出扩展器的电路图;图4为本发明实施例提供的一种测试治具的部分电路图。
利用上述实施例中的测试治具调节输出电压大小的能力,对被测存储设备的输入电压进行拉偏,从而可以在被测存储设备过压或欠压模式下进行各种负载状态的热插拔测试。
则在步骤S201中向输入输出扩展器发送热插拔控制命令之前,本发明实施例提供的模拟设备单点上下电的测试方法还可以包括:
向输入输出扩展器发送电压控制命令,以使升降压转换器对被测存储设备输出与电压控制命令对应的非正常输出电压。
下面结合具体电路对电压拉偏测试进行说明。
在上述实施例提供的测试治具的基础上,基于PCA9555、SY9329C、TPS25926和INA219,本发明实施例采用的测试治具的电路可以如图3和图4所示。
如图3所示,PCA9555U1的数据输入端I2C接口通过I2C信号线(包括SCL信号和SDA信号)与测试主机的第一数据输出端连接;PCA9555U1的数据输出端GPIO0与SY9329C U2的使能端EN连接,以向SY9329C U2的使能端EN发送P12V_SSD_EN信号以使能SY9329C U2;PCA9555U1的数据输出端GPIO1与图4中NMOS管Q1的栅极连接,以向NMOS管Q1的栅极输出P10V8_EN信号;PCA9555U1的数据输出端GPIO2与图4中NMOS管Q2的栅极连接,以向NMOS管Q2的栅极输出P13V2_EN信号。
如图4所示,TPS25926U3的输入端IN与测试主机的电源输出端连接,接收P12V输入电压,并通过电源输出端OUT将P12V_STBY输入电压输入SY9329C U2的电压输入端IN;SY9329C U2的电压输出端OUT与电阻R1的第一端、电阻R3的第一端、电阻R5的第一端以及INA219U4的电源正极VIN+连接;SY9329C U2的反馈引脚FB与电阻R4的第二端、电阻R1的第二端、电阻R2的第一端以及NMOS管Q1的源极连接;电阻R4的第一端与NMOS管Q2的漏极连接;NMOS管Q2的源极与电阻R2的第二端接地;NMOS管Q1的漏极与电阻R3的第二端连接;电阻R5的第二端与INA219的电源负极VIN-连接后连接被测存储设备的电源输入端,输出P12V_SSD电压。其中,电阻R1为110kΩ,电阻R2为10kΩ,电阻R3为898kΩ,电阻R4为91.6kΩ。
PCA9555U1的GPIO可以输出高、低电平,控制NMOS(N沟道场效应管)管的开断,进而控制SY9329C U2的反馈引脚FB分压电阻值的大小,达到控制SY9329C U2的输出电压大小的目的。INA219U4是监测被测存储设备整体功耗的监测器,测试主机通过集成电路总线可以从INA219U4直接读取输出到被测存储设备的工作电压P12V_SSD的电压值和电流值。SY9329CU2在其使能端EN为高电平时使能,低电平时禁止;NMOS管Q1、NMOS管Q2在P10V8_EN、P13V2_EN分别为高电平时导通,低电平时断开。
该测试治具的输出电压在电压上拉信号和电压下拉信号均不生效时为12V,在电压上拉信号生效时为13.2V,在电压下拉信号生效时为10.8V。
测试治具通过如下方式正常输出12V电压到被测存储设备:
(1)SY9329C U2的使能端EN使能,即PCA9555U1的数据输出端GPIO0(P12V_SSD_EN)输出高电平;
(2)NMOS管Q1和NMOS管Q2处于断开状态,即PCA9555U1的数据输出端GPIO1(P10V8_EN)和数据输出端GPIO2(P13V2_EN)输出低电平。
此时SY9329C U2的输出电压计算公式为:Vout=1V×(R1+R2)/R2=1V×(110+10)/10=12V。
测试治具通过如下方式将输出电压上拉10%:
(1)SY9329C U2的使能端EN使能,即PCA9555U1的数据输出端GPIO0(P12V_SSD_EN)输出高电平;
(2)NMOS管Q1断开,NMOS管Q2导通,即PCA9555U1的数据输出端GPIO1(P10V8_EN)输出低电平,数据输出端GPIO2(P13V2_EN)输出高电平。
此时SY9329C U2的输出电压计算公式为:Vout=1V×(R1+(R2//R4))/(R2//R4)=1V×(R1×(R2+R4)/R2R4+1)=1V×(110*(10+91.6)/(10×91.6))+1=13.2V。
测试治具通过如下方式将输出电压下拉10%:
(1)SY9329C U2的使能端EN使能,即PCA9555U1的数据输出端GPIO0(P12V_SSD_EN)输出高电平;
(2)NMOS管导通,NMOS管Q2断开,即PCA9555U1的数据输出端GPIO1(P10V8_EN)输出高电平,数据输出端GPIO2(P13V2_EN)输出低电平;
此时SY9329C U2的输出电压计算公式为:Vout=1V×((R1//R3)+R2)/R2=1V×(R1×R3/(R2×(R1+R3)+1)=1V×(110×898/(10×(110+898)+1)=10.8V。
在下发控制命令后,测试主机通过集成电路总线实时读取到INA219U4监测到P12V_SSD的电压、电流和功耗,包括上下拉偏后的值也能读取到。继而在模拟被测存储设备实际使用场景下对被测存储设备进行上下电测试。
上文详述了模拟设备单点上下电的测试方法对应的各个实施例,在此基础上,本发明还公开了与上述方法对应的模拟设备单点上下电的测试装置、设备及存储介质。
图5为本发明实施例提供的一种模拟设备单点上下电的测试装置的结构示意图。
如图5所示,本发明实施例提供的模拟设备单点上下电的测试装置包括:
发送单元501,用于向测试治具的输入输出扩展器发送热插拔控制命令,以使测试治具的升降压转换器对被测存储设备输出与热插拔控制命令对应的输出电压;
获取单元502,用于获取被测存储设备的设备状态;
确定单元503,用于根据被测存储设备的设备状态确定被测存储设备的热插拔结果;若被测存储设备的设备状态为与热插拔控制命令对应的设备状态,则确定对被测存储设备控制成功;
其中,输入输出扩展器的输入端与测试主机的第一数据输出端连接,输入输出扩展器的输出端与升降压转换器的控制端连接,升降压转换器的电源输入端与测试主机的电源输出端连接,升降压转换器的电源输出端与被测存储设备的电源输入端连接;测试治具与被测存储设备一一对应,热插拔控制命令具体为上电命令或下电命令,设备状态具体为上电状态或下电状态。
进一步的,测试主机的第二数据输出端与被测存储设备的输出输入端连接。本发明实施例提供的模拟设备单点上下电的测试装置还可以包括:
负载控制单元,用于在发送单元501向输入输出扩展器发送热插拔控制命令之前,向被测存储设备发送负载命令,以使被测存储设备运行于工作状态。
其中,负载命令包括负载任务项、负载任务项的执行顺序和负载任务项的执行次数,负载任务项包括读写操作任务、格式化任务、低级格式化任务、高级格式化任务、创建删除名称空间任务、不间断业务的固件升降级任务、设备重置任务和读写校验操作任务。
进一步的,本发明实施例提供的模拟设备单点上下电的测试装置还可以包括:
电压控制单元,用于在发送单元向输入输出扩展器发送热插拔控制命令之前,向输入输出扩展器发送电压控制命令,以使升降压转换器对被测存储设备输出与电压控制命令对应的非正常输出电压。
由于装置部分的实施例与方法部分的实施例相互对应,因此装置部分的实施例请参见方法部分的实施例的描述,这里暂不赘述。
图6为本发明实施例提供的一种模拟设备单点上下电的测试设备的结构示意图。
如图6所示,本发明实施例提供的模拟设备单点上下电的测试设备包括:
存储器610,用于存储指令,所述指令包括上述任意一项实施例所述的模拟设备单点上下电的测试方法的步骤;
处理器620,用于执行所述指令。
其中,处理器620可以包括一个或多个处理核心,比如3核心处理器、8核心处理器等。处理器620可以采用数字信号处理DSP(Digital SignalProcessing)、现场可编程门阵列FPGA(Field-Programmable Gate Array)、可编程逻辑阵列PLA(Programmable LogicArray)中的至少一种硬件形式来实现。处理器620也可以包括主处理器和协处理器,主处理器是用于对在唤醒状态下的数据进行处理的处理器,也称中央处理器CPU(CentralProcessingUnit);协处理器是用于对在待机状态下的数据进行处理的低功耗处理器。在一些实施例中,处理器620可以集成有图像处理器GPU(Graphics ProcessingUnit),GPU用于负责显示屏所需要显示的内容的渲染和绘制。一些实施例中,处理器620还可以包括人工智能AI(Artificial Intelligence)处理器,该AI处理器用于处理有关机器学习的计算操作。
存储器610可以包括一个或多个存储介质,该存储介质可以是非暂态的。存储器610还可包括高速随机存取存储器,以及非易失性存储器,比如一个或多个磁盘存储设备、闪存存储设备。本实施例中,存储器610至少用于存储以下计算机程序611,其中,该计算机程序611被处理器620加载并执行之后,能够实现前述任一实施例公开的模拟设备单点上下电的测试方法中的相关步骤。另外,存储器610所存储的资源还可以包括操作系统612和数据613等,存储方式可以是短暂存储或者永久存储。其中,操作系统612可以为Windows。数据613可以包括但不限于上述方法所涉及到的数据。
在一些实施例中,模拟设备单点上下电的测试设备还可包括有显示屏630、电源640、通信接口650、输入输出接口660、传感器670以及通信总线680。
本领域技术人员可以理解,图6中示出的结构并不构成对模拟设备单点上下电的测试设备的限定,可以包括比图示更多或更少的组件。
本申请实施例提供的模拟设备单点上下电的测试设备,包括存储器和处理器,处理器在执行存储器存储的程序时,能够实现如上所述的模拟设备单点上下电的测试方法,效果同上。
需要说明的是,以上所描述的装置、设备实施例仅仅是示意性的,例如,模块的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个模块或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口,装置或模块的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的,作为模块显示的部件可以是或者也可以不是物理模块,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络模块上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。
另外,在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一个处理模块中,也可以是各个模块单独物理存在,也可以两个或两个以上模块集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能模块的形式实现。
集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个存储介质中。基于这样的理解,本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。
为此,本发明实施例还提供一种存储介质,该存储介质上存储有计算机程序,计算机程序被处理器执行时实现如模拟设备单点上下电的测试方法的步骤。
该存储介质可以包括:U盘、移动硬盘、只读存储器ROM(Read-OnlyMemory)、随机存取存储器RAM(Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
本实施例中提供的存储介质所包含的计算机程序能够在被处理器执行时实现如上所述的模拟设备单点上下电的测试方法的步骤,效果同上。
以上对本发明所提供的一种模拟设备单点上下电的测试方法、装置、设备及存储介质进行了详细介绍。说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置、设备及存储介质而言,由于其与实施例公开的方法相对应,所以描述的比较简单,相关之处参见方法部分说明即可。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以对本发明进行若干改进和修饰,这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
还需要说明的是,在本说明书中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

Claims (10)

1.一种模拟设备单点上下电的测试方法,其特征在于,基于通过测试治具与被测存储设备连接的测试主机,所述测试治具包括输入输出扩展器和升降压转换器,所述输入输出扩展器的输入端与所述测试主机的第一数据输出端连接,所述输入输出扩展器的输出端与所述升降压转换器的控制端连接,所述升降压转换器的电源输入端与所述测试主机的电源输出端连接,所述升降压转换器的电源输出端与所述被测存储设备的电源输入端连接,所述测试方法包括:
向所述输入输出扩展器发送热插拔控制命令,以使所述升降压转换器对所述被测存储设备输出与所述热插拔控制命令对应的输出电压;
获取所述被测存储设备的设备状态;
根据所述被测存储设备的设备状态确定所述被测存储设备的热插拔结果;
若所述被测存储设备的设备状态为与所述热插拔控制命令对应的设备状态,则确定对所述被测存储设备控制成功;
其中,所述测试治具与所述被测存储设备一一对应,所述热插拔控制命令具体为上电命令或下电命令,所述设备状态具体为上电状态或下电状态。
2.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述测试主机的第一数据输出端具体为集成电路总线信号接口;
相应的,所述热插拔控制命令具体为智能平台管理接口命令。
3.根据权利要求2所述的测试方法,其特征在于,所述输入输出扩展器具体为PCA9555,所述升降压转换器具体为SY9329C。
4.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述测试主机的第二数据输出端与所述被测存储设备的输出输入端连接;
在所述向所述输入输出扩展器发送热插拔控制命令之前,所述测试方法还包括:
向所述被测存储设备发送负载命令,以使所述被测存储设备运行于工作状态;
其中,所述负载命令包括负载任务项、所述负载任务项的执行顺序和所述负载任务项的执行次数,所述负载任务项包括读写操作任务、格式化任务、低级格式化任务、高级格式化任务、创建删除名称空间任务、不间断业务的固件升降级任务、设备重置任务和读写校验操作任务。
5.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,在所述向所述输入输出扩展器发送热插拔控制命令之前,还包括:
向所述输入输出扩展器发送电压控制命令,以使所述升降压转换器对所述被测存储设备输出与所述电压控制命令对应的非正常输出电压。
6.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述获取所述被测存储设备的设备状态具体为:
基于所述测试主机与所述被测存储设备之间的PCIE总线,利用NVMe命令获取所述被测存储设备的设备状态。
7.根据权利要求1所述的测试方法,其特征在于,所述获取所述被测存储设备的设备状态具体为:
向所述输入输出扩展器发送设备状态查询命令以获取所述被测存储设备的设备状态。
8.一种模拟设备单点上下电的测试装置,其特征在于,包括:
发送单元,用于向测试治具的输入输出扩展器发送热插拔控制命令,以使所述测试治具的升降压转换器对被测存储设备输出与所述热插拔控制命令对应的输出电压;
获取单元,用于获取所述被测存储设备的设备状态;
确定单元,用于根据所述被测存储设备的设备状态确定所述被测存储设备的热插拔结果;若所述被测存储设备的设备状态为与所述热插拔控制命令对应的设备状态,则确定对所述被测存储设备控制成功;
其中,所述输入输出扩展器的输入端与所述测试主机的第一数据输出端连接,所述输入输出扩展器的输出端与所述升降压转换器的控制端连接,所述升降压转换器的电源输入端与所述测试主机的电源输出端连接,所述升降压转换器的电源输出端与所述被测存储设备的电源输入端连接;所述测试治具与所述被测存储设备一一对应,所述热插拔控制命令具体为上电命令或下电命令,所述设备状态具体为上电状态或下电状态。
9.一种模拟设备单点上下电的测试设备,其特征在于,包括:
存储器,用于存储指令,所述指令包括权利要求1至7任意一项所述模拟设备单点上下电的测试方法的步骤;
处理器,用于执行所述指令。
10.一种存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任意一项所述模拟设备单点上下电的测试方法的步骤。
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