CN112834898B - 一种存储设备电源芯片稳定性的测试方法、装置及设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种存储设备电源芯片稳定性的测试方法、装置、设备及计算机可读存储介质，将包括输入输出扩展器和升降压转换器的测试治具连接于测试主机与被测存储设备之间，测试主机向输入输出扩展器发送拉偏电压控制命令使升降压转换器对被测存储设备输出与拉偏电压控制命令对应的非正常输出电压，在被测存储设备的电路参数为与拉偏电压控制命令对应的电路参数后，向被测存储设备发送负载命令，以对被测存储设备在输入电压被拉偏的情况下进行运行测试，从而确定被测存储设备的电源芯片稳定性测试结果。弥补了现有技术中模拟被测存储设备电源芯片输入电压被拉偏场景下测试的空白，得到更符合实际场景的测试结果，有助于提高被测存储设备的可靠性。

Description

一种存储设备电源芯片稳定性的测试方法、装置及设备

技术领域

本发明涉及存储技术领域，特别是涉及一种存储设备电源芯片稳定性的测试方法、装置、设备及计算机可读存储介质。

背景技术

存储设备电源芯片的稳定性决定了存储设备性能的可靠性。在对存储设备电源芯片的稳定性测试进行测试时，需要对存储设备的电源芯片处于实际应用场景中的各种异常情况进行测试，由此才能对电源芯片进行有效地优化改进，提高存储设备投入实际使用后的可靠性。

如何有效地模拟存储设备电源芯片处于实际应用场景中的异常情况，是本领域技术人员需要解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种存储设备电源芯片稳定性的测试方法、装置、设备及计算机可读存储介质，用于通过模拟存储设备电源芯片处于实际应用场景中的异常情况，以提高存储设备电源芯片的稳定性测试结果的准确性。

为解决上述技术问题，本发明提供一种存储设备电源芯片稳定性的测试方法，基于测试主机，包括：

向测试治具的输入输出扩展器发送拉偏电压控制命令，以使所述测试治具的升降压转换器对被测存储设备输出与所述拉偏电压控制命令对应的非正常输出电压；

获取所述被测存储设备的电路参数；

若所述电路参数为与所述拉偏电压控制命令对应的电路参数，则向所述被测存储设备发送负载命令；

若所述被测存储设备在所述非正常输出电压下正常工作于所述负载命令对应的工作状态，则确定所述被测存储设备通过电源芯片稳定性测试；

若所述被测存储设备在所述非正常输出电压下未正常工作于所述负载命令对应的工作状态，则确定所述被测存储设备未通过电源芯片稳定性测试；

其中，所述测试主机的第一数据输出端与所述输入输出扩展器的输入端连接，所述测试主机的第一数据输出端与第二数据输出端与所述被测存储设备的数据输入端连接，所述输入输出扩展器的输出端与所述升降压转换器的控制端连接，所述升降压转换器的电源输入端与所述测试主机的电源输出端连接，所述升降压转换器的电源输出端与所述被测存储设备的电源输入端连接。

可选的，所述负载命令具体包括：负载任务项、所述负载任务项的执行顺序和所述负载任务项的执行次数；

其中，所述负载任务项包括读写操作任务、格式化任务、低级格式化任务、高级格式化任务、创建删除名称空间任务、不间断业务的固件升降级任务、设备重置任务和读写校验操作任务。

可选的，所述被测存储设备的数量具体为多个，且所述被测存储设备与所述测试治具一一对应。

可选的，所述测试主机的第一数据输出端具体为集成电路总线信号接口，所述测试主机的第二数据输出端具体为PEIC接口；

相应的，所述拉偏电压控制命令具体为智能平台管理接口命令。

可选的，所述获取所述被测存储设备的电路参数，具体为：

基于所述测试主机的第二数据端与所述被测存储设备的数据输入端之间的PCIE总线，利用NVMe命令获取所述被测存储设备的电路参数。

可选的，所述获取所述被测存储设备的电路参数，具体为：

向所述输入输出扩展器发送设备状态查询命令以获取所述被测存储设备的设备状态。

可选的，所述输入输出扩展器具体为PCA9555，所述升降压转换器具体为SY9329C。

为解决上述技术问题，本发明还提供一种存储设备电源芯片稳定性的测试装置，包括：

第一发送单元，用于向测试治具的输入输出扩展器发送拉偏电压控制命令，以使所述测试治具的升降压转换器对被测存储设备输出与所述拉偏电压控制命令对应的非正常输出电压；

获取单元，用于获取所述被测存储设备的电路参数；

第二发送单元，用于若所述电路参数为与所述拉偏电压控制命令对应的电路参数，则向所述被测存储设备发送负载命令；

确定单元，用于若所述被测存储设备在所述非正常输出电压下正常工作于所述负载命令对应的工作状态，则确定所述被测存储设备通过电源芯片稳定性测试；若所述被测存储设备在所述非正常输出电压下未正常工作于所述负载命令对应的工作状态，则确定所述被测存储设备未通过电源芯片稳定性测试；

其中，所述测试主机的第一数据输出端与所述输入输出扩展器的输入端连接，所述测试主机的第一数据输出端与第二数据输出端与所述被测存储设备的数据输入端连接，所述输入输出扩展器的输出端与所述升降压转换器的控制端连接，所述升降压转换器的电源输入端与所述测试主机的电源输出端连接，所述升降压转换器的电源输出端与所述被测存储设备的电源输入端连接。

为解决上述技术问题，本发明还提供一种存储设备电源芯片稳定性的测试设备，包括：

存储器，用于存储指令，所述指令包括上述任意一项所述存储设备电源芯片稳定性的测试方法的步骤；

处理器，用于执行所述指令。

为解决上述技术问题，本发明还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述任意一项所述存储设备电源芯片稳定性的测试方法的步骤。

本发明所提供的存储设备电源芯片稳定性的测试方法，通过将一种包括输入输出扩展器和升降压转换器的测试治具连接于测试主机与被测存储设备之间，测试主机向该测试治具的输入输出扩展器发送拉偏电压控制命令以使测试治具的升降压转换器对被测存储设备输出与拉偏电压控制命令对应的非正常输出电压，在被测存储设备的电路参数为与拉偏电压控制命令对应的电路参数后，向被测存储设备发送负载命令，以对被测存储设备在输入电压被拉偏的情况下进行运行测试，从而确定被测存储设备的电源芯片稳定性测试结果。弥补了现有技术中未能模拟被测存储设备的电源芯片输入电压被拉偏场景下测试的空白，得到更符合被测存储设备的电源芯片实际应用场景的测试结果，有助于提高被测存储设备的可靠性。

本发明还提供一种存储设备电源芯片稳定性的测试装置、设备及计算机可读存储介质，具有上述有益效果，在此不再赘述。

附图说明

为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种测试治具的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种存储设备电源芯片稳定性的测试方法的流程图；

图3为本发明实施例提供的一种输入输出扩展器的电路图；

图4为本发明实施例提供的一种测试治具的部分电路图；

图5为本发明实施例提供的一种存储设备电源芯片稳定性的测试装置的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的一种存储设备电源芯片稳定性的测试设备的结构示意图。

具体实施方式

本发明的核心是提供一种存储设备电源芯片稳定性的测试方法、装置、设备及计算机可读存储介质，用于通过模拟存储设备电源芯片处于实际应用场景中的异常情况，以提高存储设备电源芯片的稳定性测试结果的准确性。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1为本发明实施例提供的一种测试治具的结构示意图；图2为本发明实施例提供的一种存储设备电源芯片稳定性的测试方法的流程图。

本发明实施例提供的一种模拟设备单点上下电的测试方法基于图1所示的测试治具实现，该测试治具设于测试主机和被测存储设备之间，包括输入输出扩展器101和升降压转换器102，输入输出扩展器101的输入端与测试主机的第一数据输出端连接，输入输出扩展器101的输出端与升降压转换器102的控制端连接，升降压转换器102的电源输入端与测试主机的电源输出端连接，升降压转换器102的电源输出端与被测存储设备的电源输入端连接，测试主机每搭载一个测试治具可以连接一个被测存储设备，被测存储设备可以为固态硬盘、SATA硬盘等。

应用图1所示的测试治具连接测试主机和被测存储设备后，基于测试主机，如图2所示，本发明实施例提供的存储设备电源芯片稳定性的测试方法包括：

S201：向测试治具的输入输出扩展器发送拉偏电压控制命令，以使测试治具的升降压转换器对被测存储设备输出与拉偏电压控制命令对应的非正常输出电压。

S202：获取被测存储设备的电路参数。

S203：若电路参数为与拉偏电压控制命令对应的电路参数，则向被测存储设备发送负载命令。

S204：若被测存储设备在非正常输出电压下正常工作于负载命令对应的工作状态，则确定被测存储设备通过电源芯片稳定性测试。

S205：若被测存储设备在非正常输出电压下未正常工作于负载命令对应的工作状态，则确定被测存储设备未通过电源芯片稳定性测试。

测试主机的第一数据输出端具体可以为集成电路总线信号接口(I2C接口)；测试主机的第二数据输出端具体为PEIC接口；相应的，拉偏电压控制命令具体为智能平台管理接口命令(IPMI命令)。则为实现拉偏电压控制命令的下发，测试主机中应预先安装ipmitool工具(一种可用在linux系统下的命令行方式的IPMI平台管理工具，它支持ipmi1.5规范(最新的规范为ipmi2.0)，通过它可以实现获取传感器的信息、显示系统日志内容、网络远程开关机等功能)。

为提高测试安全性，如图1所示，本发明实施例所采用的测试治具还包括设于测试主机的电源输出端和升降压转换器102的电源输入端之间的电子熔断器103。电子熔断器103响应于工作电流过大而短路。

为实现对被测存储设备的状态监控，如图1所示，本发明实施例所采用的测试治具还包括设于测试主机的数据输入端和升降压转换器102的检测端之间的功耗监测器104。该功耗监测器104用于采集升降压转换器102的工作电流，并进一步测量被测存储设备消耗的功率。

在实际应用中，被测存储设备的数量可以为多个，且被测存储设备与测试治具一一对应。

对于步骤S201来说，基于图1所示的测试治具，测试主机可以控制对被测存储设备的输入电压的大小。拉偏电压控制命令的格式为“ipmitool netfn cmd slot data”。其中，“data”有三种模式，“0”为正常模式，“1”为过压模式，“2”为欠压模式。例如，如需控制连接在测试主机背板槽位slot9的被测存储设备运行在过压模式下，则拉偏电压控制命令为“ipmitool 0x3c 0x71 9 1”；如需控制连接在测试主机背板槽位slot9的被测存储设备运行在欠压模式下，则拉偏电压控制命令为“ipmitool 0x3c 0x71 9 2”；如需控制连接在测试主机背板槽位slot9的被测存储设备运行在正常模式下，则拉偏电压控制命令为“ipmitool 0x3c 0x71 9 0”。

对于步骤S202来说，获取被测存储设备的电路参数的方式可以为：

基于测试主机的第二数据端与被测存储设备的数据输入端之间的PCIE总线，利用NVMe命令获取被测存储设备的电路参数。

或者，获取被测存储设备的电路参数的方式可以为：

向输入输出扩展器发送设备状态查询命令以获取被测存储设备的设备状态。设备状态查询命令具体为“ipmitool 0x3c 0x70”，可以获取所有被测存储设备当前的输入电压和输入电流。

对于步骤S203来说，在被测存储设备的电路参数(输入电压和输入电流)处于与拉偏电压控制命令对应的电路参数时，测试主机确定已经模拟出想要的被测存储设备的工作场景，此时测试主机通过第二数据输出口向被测存储设备发送负载命令。

负载命令具体可以包括：负载任务项、负载任务项的执行顺序和负载任务项的执行次数；其中，负载任务项包括读写操作任务、格式化任务、低级格式化任务、高级格式化任务、创建删除名称空间任务、不间断业务的固件升降级任务、设备重置任务和读写校验操作任务。通过测试主机先向被测存储设备发送上述负载命令，使被测存储设备按预定顺序执行预定的负载任务项预定次数。

对于步骤S204和步骤S205来说，若被测存储设备在输入电压异常的场景下成功执行步骤S203中下发的负载命令，则确定被测存储设备通过电源芯片稳定性测试，否则确定被测存储设备未通过电源芯片稳定性测试。

本发明实施例提供的存储设备电源芯片稳定性的测试方法，通过将一种包括输入输出扩展器和升降压转换器的测试治具连接于测试主机与被测存储设备之间，测试主机向该测试治具的输入输出扩展器发送拉偏电压控制命令以使测试治具的升降压转换器对被测存储设备输出与拉偏电压控制命令对应的非正常输出电压，在被测存储设备的电路参数为与拉偏电压控制命令对应的电路参数后，向被测存储设备发送负载命令，以对被测存储设备在输入电压被拉偏的情况下进行运行测试，从而确定被测存储设备的电源芯片稳定性测试结果。弥补了现有技术中未能模拟被测存储设备的电源芯片输入电压被拉偏场景下测试的空白，得到更符合被测存储设备的电源芯片实际应用场景的测试结果，有助于提高被测存储设备的可靠性。

图3为本发明实施例提供的一种输入输出扩展器的电路图；图4为本发明实施例提供的一种测试治具的部分电路图。

在上述实施例的基础上，输入输出扩展器101可以采用PCA9555，升降压转换器102可以采用SY9329C，电子熔断器103可以采用TPS25926，功耗监测器104可以采用INA219。本发明实施例提供一种将被测存储设备的输入电压拉偏(欠压或过压)10％的具体实施方式。

如图3所示，PCA9555 U1的数据输入端I2C接口通过I2C信号线(包括SCL信号和SDA信号)与测试主机的第一数据输出端连接；PCA9555 U1的数据输出端GPIO0与SY9329C U2的使能端EN连接，以向SY9329C U2的使能端EN发送P12V_SSD_EN信号以使能SY9329C U2；PCA9555 U1的数据输出端GPIO1与图4中NMOS管Q1的栅极连接，以向NMOS管Q1的栅极输出P10V8_EN信号；PCA9555 U1的数据输出端GPIO2与图4中NMOS管Q2的栅极连接，以向NMOS管Q2的栅极输出P13V2_EN信号。

如图4所示，TPS25926 U3的输入端IN与测试主机的电源输出端连接，接收P12V输入电压，并通过电源输出端OUT将P12V_STBY输入电压输入SY9329C U2的电压输入端IN；SY9329C U2的电压输出端OUT与电阻R1的第一端、电阻R3的第一端、电阻R5的第一端以及INA219 U4的电源正极VIN+连接；SY9329C U2的反馈引脚FB与电阻R4的第二端、电阻R1的第二端、电阻R2的第一端以及NMOS管Q1的源极连接；电阻R4的第一端与NMOS管Q2的漏极连接；NMOS管Q2的源极与电阻R2的第二端接地；NMOS管Q1的漏极与电阻R3的第二端连接；电阻R5的第二端与INA219的电源负极VIN-连接后连接被测存储设备的电源输入端，输出P12V_SSD电压。其中，电阻R1为110kΩ，电阻R2为10kΩ，电阻R3为898kΩ，电阻R4为91.6kΩ。

PCA9555 U1的GPIO可以输出高、低电平，控制NMOS(N沟道场效应管)管的开断，进而控制SY9329C U2的反馈引脚FB分压电阻值的大小，达到控制SY9329C U2的输出电压大小的目的。INA219 U4是监测被测存储设备整体功耗的监测器，测试主机通过集成电路总线可以从INA219 U4直接读取输出到被测存储设备的工作电压P12V_SSD的电压值和电流值。SY9329C U2在其使能端EN为高电平时使能，低电平时禁止；NMOS管Q1、NMOS管Q2在P10V8_EN、P13V2_EN分别为高电平时导通，低电平时断开。

该测试治具的输出电压在电压上拉信号和电压下拉信号均不生效时为12V，在电压上拉信号生效时为13.2V，在电压下拉信号生效时为10.8V。

测试治具通过如下方式正常输出12V电压到被测存储设备：

(1)SY9329C U2的使能端EN使能，即PCA9555 U1的数据输出端GPIO0(P12V_SSD_EN)输出高电平；

(2)NMOS管Q1和NMOS管Q2处于断开状态，即PCA9555 U1的数据输出端GPIO1(P10V8_EN)和数据输出端GPIO2(P13V2_EN)输出低电平。

此时SY9329C U2的输出电压计算公式为：Vout＝1V×(R1+R2)/R2＝1V×(110+10)/10＝12V。

测试治具通过如下方式将输出电压上拉10％：

(1)SY9329C U2的使能端EN使能，即PCA9555 U1的数据输出端GPIO0(P12V_SSD_EN)输出高电平；

(2)NMOS管Q1断开，NMOS管Q2导通，即PCA9555 U1的数据输出端GPIO1(P10V8_EN)输出低电平，数据输出端GPIO2(P13V2_EN)输出高电平。

此时SY9329C U2的输出电压计算公式为：Vout＝1V×(R1+(R2//R4))/(R2//R4)＝1V×(R1×(R2+R4)/R2R4+1)＝1V×(110*(10+91.6)/(10×91.6))+1＝13.2V。

测试治具通过如下方式将输出电压下拉10％：

(1)SY9329C U2的使能端EN使能，即PCA9555 U1的数据输出端GPIO0(P12V_SSD_EN)输出高电平；

(2)NMOS管导通，NMOS管Q2断开，即PCA9555 U1的数据输出端GPIO1(P10V8_EN)输出高电平，数据输出端GPIO2(P13V2_EN)输出低电平；

此时SY9329C U2的输出电压计算公式为：Vout＝1V×((R1//R3)+R2)/R2＝1V×(R1×R3/(R2×(R1+R3)+1)＝1V×(110×898/(10×(110+898)+1)＝10.8V。

在下发拉偏电压控制命令后，测试主机通过集成电路总线实时读取到INA219 U4监测到P12V_SSD的电压、电流和功耗，确定被测存储芯片的执行结果，继而在被测存储设备输入电压处于欠压或过压情况下对被测存储设备的电源芯片的稳定性进行测试。

上文详述了存储设备电源芯片稳定性的测试方法对应的各个实施例，在此基础上，本发明还公开了与上述方法对应的存储设备电源芯片稳定性的测试装置、设备及计算机可读存储介质。

图5为本发明实施例提供的一种存储设备电源芯片稳定性的测试装置的结构示意图。

如图5所示，本发明实施例提供的存储设备电源芯片稳定性的测试装置包括：

第一发送单元501，用于向测试治具的输入输出扩展器发送拉偏电压控制命令，以使测试治具的升降压转换器对被测存储设备输出与拉偏电压控制命令对应的非正常输出电压；

获取单元502，用于获取被测存储设备的电路参数；

第二发送单元503，用于若电路参数为与拉偏电压控制命令对应的电路参数，则向被测存储设备发送负载命令；

确定单元504，用于若被测存储设备在非正常输出电压下正常工作于负载命令对应的工作状态，则确定被测存储设备通过电源芯片稳定性测试；若被测存储设备在非正常输出电压下未正常工作于负载命令对应的工作状态，则确定被测存储设备未通过电源芯片稳定性测试；

其中，测试主机的第一数据输出端与输入输出扩展器的输入端连接，测试主机的第一数据输出端与第二数据输出端与被测存储设备的数据输入端连接，输入输出扩展器的输出端与升降压转换器的控制端连接，升降压转换器的电源输入端与测试主机的电源输出端连接，升降压转换器的电源输出端与被测存储设备的电源输入端连接。

由于装置部分的实施例与方法部分的实施例相互对应，因此装置部分的实施例请参见方法部分的实施例的描述，这里暂不赘述。

图6为本发明实施例提供的一种存储设备电源芯片稳定性的测试设备的结构示意图。

如图6所示，本发明实施例提供的存储设备电源芯片稳定性的测试设备包括：

存储器610，用于存储指令，所述指令包括上述任意一项实施例所述的存储设备电源芯片稳定性的测试方法的步骤；

处理器620，用于执行所述指令。

其中，处理器620可以包括一个或多个处理核心，比如3核心处理器、8核心处理器等。处理器620可以采用数字信号处理DSP(Digital Signal Processing)、现场可编程门阵列FPGA(Field－Programmable Gate Array)、可编程逻辑阵列PLA(Programmable LogicArray)中的至少一种硬件形式来实现。处理器620也可以包括主处理器和协处理器，主处理器是用于对在唤醒状态下的数据进行处理的处理器，也称中央处理器CPU(CentralProcessing Unit)；协处理器是用于对在待机状态下的数据进行处理的低功耗处理器。在一些实施例中，处理器620可以集成有图像处理器GPU(Graphics Processing Unit)，GPU用于负责显示屏所需要显示的内容的渲染和绘制。一些实施例中，处理器620还可以包括人工智能AI(Artificial Intelligence)处理器，该AI处理器用于处理有关机器学习的计算操作。

存储器610可以包括一个或多个计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质可以是非暂态的。存储器610还可包括高速随机存取存储器，以及非易失性存储器，比如一个或多个磁盘存储设备、闪存存储设备。本实施例中，存储器610至少用于存储以下计算机程序611，其中，该计算机程序611被处理器620加载并执行之后，能够实现前述任一实施例公开的存储设备电源芯片稳定性的测试方法中的相关步骤。另外，存储器610所存储的资源还可以包括操作系统612和数据613等，存储方式可以是短暂存储或者永久存储。其中，操作系统612可以为Windows。数据613可以包括但不限于上述方法所涉及到的数据。

在一些实施例中，存储设备电源芯片稳定性的测试设备还可包括有显示屏630、电源640、通信接口650、输入输出接口660、传感器670以及通信总线680。

本领域技术人员可以理解，图6中示出的结构并不构成对存储设备电源芯片稳定性的测试设备的限定，可以包括比图示更多或更少的组件。

本申请实施例提供的存储设备电源芯片稳定性的测试设备，包括存储器和处理器，处理器在执行存储器存储的程序时，能够实现如上所述的存储设备电源芯片稳定性的测试方法，效果同上。

需要说明的是，以上所描述的装置、设备实施例仅仅是示意性的，例如，模块的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个模块或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的，作为模块显示的部件可以是或者也可以不是物理模块，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络模块上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。

另外，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一个处理模块中，也可以是各个模块单独物理存在，也可以两个或两个以上模块集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能模块的形式实现。

集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。

为此，本发明实施例还提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现如存储设备电源芯片稳定性的测试方法的步骤。

该计算机可读存储介质可以包括：U盘、移动硬盘、只读存储器ROM(Read-OnlyMemory)、随机存取存储器RAM(Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

本实施例中提供的计算机可读存储介质所包含的计算机程序能够在被处理器执行时实现如上所述的存储设备电源芯片稳定性的测试方法的步骤，效果同上。

以上对本发明所提供的一种存储设备电源芯片稳定性的测试方法、装置、设备及计算机可读存储介质进行了详细介绍。说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置、设备及计算机可读存储介质而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

还需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

Claims (9)

1.一种存储设备电源芯片稳定性的测试方法，其特征在于，基于测试主机，包括：

向测试治具的输入输出扩展器发送拉偏电压控制命令，以使所述测试治具的升降压转换器对被测存储设备输出与所述拉偏电压控制命令对应的非正常输出电压；

获取所述被测存储设备的电路参数；

若所述电路参数为与所述拉偏电压控制命令对应的电路参数，则向所述被测存储设备发送负载命令；

若所述被测存储设备在所述非正常输出电压下正常工作于所述负载命令对应的工作状态，则确定所述被测存储设备通过电源芯片稳定性测试；

若所述被测存储设备在所述非正常输出电压下未正常工作于所述负载命令对应的工作状态，则确定所述被测存储设备未通过电源芯片稳定性测试；

其中，所述测试主机的第一数据输出端与所述输入输出扩展器的输入端连接，所述测试主机的第一数据输出端与第二数据输出端与所述被测存储设备的数据输入端连接，所述输入输出扩展器的输出端与所述升降压转换器的控制端连接，所述升降压转换器的电源输入端与所述测试主机的电源输出端连接，所述升降压转换器的电源输出端与所述被测存储设备的电源输入端连接；

所述负载命令具体包括：负载任务项、所述负载任务项的执行顺序和所述负载任务项的执行次数；

其中，所述负载任务项包括读写操作任务、格式化任务、低级格式化任务、高级格式化任务、创建删除名称空间任务、不间断业务的固件升降级任务、设备重置任务和读写校验操作任务。

2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述被测存储设备的数量具体为多个，且所述被测存储设备与所述测试治具一一对应。

3.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述测试主机的第一数据输出端具体为集成电路总线信号接口，所述测试主机的第二数据输出端具体为PEIC接口；

相应的，所述拉偏电压控制命令具体为智能平台管理接口命令。

4.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于，所述获取所述被测存储设备的电路参数，具体为：

基于所述测试主机的第二数据端与所述被测存储设备的数据输入端之间的PCIE总线，利用NVMe命令获取所述被测存储设备的电路参数。

5.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于，所述获取所述被测存储设备的电路参数，具体为：

向所述输入输出扩展器发送设备状态查询命令以获取所述被测存储设备的设备状态。

6.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于，所述输入输出扩展器具体为PCA9555，所述升降压转换器具体为SY9329C。

7.一种存储设备电源芯片稳定性的测试装置，其特征在于，包括：

第一发送单元，用于向测试治具的输入输出扩展器发送拉偏电压控制命令，以使所述测试治具的升降压转换器对被测存储设备输出与所述拉偏电压控制命令对应的非正常输出电压；

获取单元，用于获取所述被测存储设备的电路参数；

第二发送单元，用于若所述电路参数为与所述拉偏电压控制命令对应的电路参数，则向所述被测存储设备发送负载命令；

确定单元，用于若所述被测存储设备在所述非正常输出电压下正常工作于所述负载命令对应的工作状态，则确定所述被测存储设备通过电源芯片稳定性测试；若所述被测存储设备在所述非正常输出电压下未正常工作于所述负载命令对应的工作状态，则确定所述被测存储设备未通过电源芯片稳定性测试；

其中，测试主机的第一数据输出端与所述输入输出扩展器的输入端连接，所述测试主机的第一数据输出端与第二数据输出端与所述被测存储设备的数据输入端连接，所述输入输出扩展器的输出端与所述升降压转换器的控制端连接，所述升降压转换器的电源输入端与所述测试主机的电源输出端连接，所述升降压转换器的电源输出端与所述被测存储设备的电源输入端连接；

所述负载命令具体包括：负载任务项、所述负载任务项的执行顺序和所述负载任务项的执行次数；

其中，所述负载任务项包括读写操作任务、格式化任务、低级格式化任务、高级格式化任务、创建删除名称空间任务、不间断业务的固件升降级任务、设备重置任务和读写校验操作任务。

8.一种存储设备电源芯片稳定性的测试设备，其特征在于，包括：

存储器，用于存储指令，所述指令包括权利要求1至6任意一项所述存储设备电源芯片稳定性的测试方法的步骤；

处理器，用于执行所述指令。

9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至6任意一项所述存储设备电源芯片稳定性的测试方法的步骤。

Images