CN115295737A - 显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种显示面板及显示装置，属于显示技术领域。该显示面板包括第一发光器件，包括第一发光层，所述第一发光层包括第一激基复合物；第二发光器件，包括第二发光层，所述第二发光层包括第二激基复合物；所述第一激基复合物和所述第二激基复合物满足：0＜ΔE_HL(GH)‑ΔE_HL(RH)＜0.5eV；其中，ΔE_HL(GH)为所述第一激基复合物的最高占据分子轨道HOMO能级和最低未占据分子轨道LUMO能级之间的能级差；ΔE_HL(RH)为所述第二激基复合物的最高占据分子轨道HOMO能级和最低未占据分子轨道LUMO能级之间的能级差。该显示面板有助于降低第一发光器件和第二发光器件两者间开启电压的差值，改善显示面板的串扰现象。

Description

显示面板及显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

有机电致发光器件(Organic Light Emitting Device，简称OLED)为主动发光器件，具有发光、超薄、广视角、高亮度、高对比度、较低耗电、极高反应速度等优点，已逐渐成为极具发展前景的下一代显示技术。一种OLED包括阳极、阴极以及设置在阳极和阴极之间的有机发光层，其发光原理是将空穴、电子分别由阳极、阴极注入至发光层，当电子和空穴在发光层中相遇时，电子和空穴在发光层复合从而产生激子(exciton)，在从激发态转变为基态的同时，这些激子发光。

目前OLED绿光器件和红光器件均为磷光器件，两者的开启电压差值较大，OLED屏幕容易出现串扰现象。

所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种显示面板及显示装置，以改善显示面板的串扰现象。

为实现上述发明目的，本公开采用如下技术方案：

根据本公开的第一个方面，提供一种显示面板，包括：

第一发光器件，包括第一发光层，所述第一发光层包括第一激基复合物；

第二发光器件，包括第二发光层，所述第二发光层包括第二激基复合物；

所述第一激基复合物和所述第二激基复合物满足：

0＜ΔE_HL(GH)-ΔE_HL(RH)＜0.5eV；

其中，ΔE_HL(GH)为所述第一激基复合物的最高占据分子轨道HOMO能级和最低未占据分子轨道LUMO能级之间的能级差；

ΔE_HL(RH)为所述第二激基复合物的最高占据分子轨道HOMO能级和最低未占据分子轨道LUMO能级之间的能级差。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一发光层包括第一P型材料和第一N型材料，所述第一P型材料和所述第一N型材料在电或光的作用下形成所述第一激基复合物；

所述第二发光层包括第二P型材料和第二N型材料，所述第二P型材料和所述第二N型材料在电或光的作用下形成所述第二激基复合物；

所述第一P型材料和所述第二P型材料满足：

|HOMO(GH-P)-HOMO(RH-P)|≤0.36eV；

|HOMO(GH-P)|＞|HOMO(RH-P)|；

其中，HOMO(GH-P)为所述第一P型材料的最高占据分子轨道HOMO能级，HOMO(RH-P)为所述第二P型材料的最高占据分子轨道HOMO能级。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一N型材料和所述第二N型材料满足：

|LUMO(RH-N)-LUMO(GH-N)|≤0.32eV；

|LUMO(RH-N)|＞|LUMO(GH-N)|；

其中，LUMO(RH-N)为所述第二N型材料的最低未占据分子轨道LUMO能级，LUMO(GH-N)为所述第一N型材料的最低未占据分子轨道LUMO能级。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一P型材料和所述第二P型材料满足：

1/100≤μh(RH-P)/μh(GH-P)≤100；

其中，μh(RH-P)为所述第二P型材料的空穴迁移率，μh(GH-P)为所述第一p型材料的空穴迁移率。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一N型材料和所述第二N型材料满足：

1/100≤μe(RH-N)/μe(GH-N)≤100；

其中，μe(RH-N)为所述第二N型材料的电子迁移率，μe(GH-N)为所述第一N型材料的电子迁移率。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一激基复合物和所述第二激基复合物满足：

5nm≤Lpeak(RH)-Lpeak(GH)≤30nm；

其中，Lpeak(RH)为第二激基复合物的发射光谱的波长，Lpeak(GH)为第一激基复合物的发射光谱的波长。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一激基复合物和所述第二激基复合物满足：

0.05eV≤T1(GH)-T1(RH)≤0.25eV；

其中，T1(GH)为所述第一激基复合物的最低三重态能量，T1(RH)为所述第二激基复合物的最低三重态能量。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一发光器件还包括第一发光辅助层和第一空穴传输层，所述第一发光辅助层设于所述第一发光层和所述第一空穴传输层之间；

沿所述第一空穴传输层至所述第一发光层方向，所述第一发光辅助层依次包括第二子辅助层和第一子辅助层，所述第一子辅助层和所述第二子辅助层满足：

0≤L2/(L1+L2)≤8/9；

其中，L1为所述第一子辅助层的厚度，L2为所述第二子辅助层的厚度。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第二发光器件还包括第二发光辅助层和第二空穴传输层，所述第二发光辅助层设于所述第二发光层和所述第二空穴传输层之间；

沿所述第二空穴传输层至所述第二发光层方向，所述第二发光辅助层依次包括第四子辅助层和第三子辅助层，所述第三子辅助层和所述第四子辅助层满足：

0≤L4/(L3+L4)≤8/9；

其中，L3为所述第三子辅助层的厚度，L4为所述第四子辅助层的厚度。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一子辅助层包括第一辅助材料，所述第二子辅助层包括第二辅助材料，所述第三子辅助层包括第三辅助材料，所述第四子辅助层包括第四辅助材料；

所述第一辅助材料、所述第二辅助材料、所述第三辅助材料和所述第四辅助材料满足：

0＜|HOMO(R prime4)|-|HOMO(R prime3)|≤0.15eV；

0＜|HOMO(G prime1)|-|HOMO(G prime2)|≤0.15eV；

其中，HOMO(R prime4)为所述第三辅助材料的最高占据分子轨道HOMO能级，HOMO(R prime3)为所述第四辅助材料的最高占据分子轨道HOMO能级；

HOMO(G prime1)为所述第一辅助材料的最高占据分子轨道HOMO能级，HOMO(Gprime2)为所述第二辅助材料的最高占据分子轨道HOMO能级。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一辅助材料、所述第二辅助材料、所述第三辅助材料和所述第四辅助材料满足：

1＜μh(R prime3)/μh(R prime4)≤100；

1＜μh(G prime2)/μh(G prime1)≤100；

其中，μh(R prime3)为所述第三辅助材料的空穴迁移率，μh(R prime4)为所述第四辅助材料的空穴迁移率；

μh(G prime2)为所述第二辅助材料的空穴迁移率，μh(G prime1)为所述第一辅助材料的空穴迁移率。

根据本公开的第二个方面，提供一种显示装置，包括如第一方面任一项所述的显示面板。

本公开提供的显示面板，第一发光器件的第一激基复合物的最高占据分子轨道和最低未占据分子轨道的能极差，与第二发光器件的第二激基复合物的最高占据分子轨道和最低占据分子轨道能极差之间的差值小于0.5eV，在该数值范围内，有助于减小第一发光器件和第二发光器件开启电压的差值，改善显示面板的串扰现象。

附图说明

通过参照附图详细描述其示例实施方式，本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。

图1是本公开示例性实施例中发光器件膜层结构示意图；

图2是本公开示例性实施例中显示面板第一发光器件和第二发光器件结构示意图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。

在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。

所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本公开的主要技术创意。

当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。

用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。用语“第一”和“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。

目前OLED绿光器件和红光器件均为磷光器件，各发光器件包括发光层，发光层包括主体材料和客体材料。其中绿光主体材料GH和红光主体材料RH均为混合材料，该混合材料通常包括P型组分和N型组分，P型组分和N型组分在光或电的作用下组合形成激基复合物，通过激基复合物向客体材料进行能量传递。相关技术中，绿光器件的激基复合物的能极差与红光器件的激基复合物的能极差之间的差值较大，通常大于0.5eV.较大的差值会影响两发光器件的开启电压之间的差值，影响显示面板的显示质量。在此需说明的是，激基复合物的能级差是指该激基复合物的最高占据分子轨道HOMO能级和最低未占据分子轨道LUMO能级之间的差值。

如图2所示，本公开实施方式中提供一种显示面板，包括：

第一发光器件，包括第一发光层，所述第一发光层包括第一激基复合物GH；

第二发光器件，包括第二发光层，所述第二发光层包括第二激基复合物RH；

所述第一激基复合物GH和所述第二激基复合物RH满足：

0＜ΔE_HL(GH)-ΔE_HL(RH)＜0.5eV；

其中，ΔE_HL(GH)为所述第一激基复合物GH的最高占据分子轨道HOMO能级和最低未占据分子轨道LUMO能级之间的能级差；

ΔE_HL(RH)为所述第二激基复合物RH的最高占据分子轨道HOMO能级和最低未占据分子轨道LUMO能级之间的能级差。

本公开提供的显示面板，第一发光器件的第一激基复合物GH的最高占据分子轨道和最低未占据分子轨道的能极差，与第二发光器件的第二激基复合物RH的最高占据分子轨道和最低占据分子轨道能极差之间的差值小于0.5eV，在该数值范围内，有助于减小第一发光器件和第二发光器件开启电压的差值，改善显示面板的串扰现象。

下面结合附图对本公开实施方式提供的显示面板的各部分进行详细说明：

本公开提供的显示面板包括驱动北背板和设于驱动背板一侧的多个发光器件，驱动背板包括多个像素电路，各像素电路一一对应地驱动发光器件发光。多个发光器件包括第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件，三种发光器件可分别对应发出不同颜色的光。举例而言，第一发光器件可发出绿色光、第二发光器件可发出红色光，第三发光器件可发出蓝色光。

如图1所示，发光器件可以包括依次层叠设置的阳极100、空穴传输层321、发光辅助层322、发光层330、电子传输层350和阴极200。

可选地，阳极100包括以下阳极材料，其优选地是有助于空穴注入至功能层中的具有大逸出功(功函数，work function)材料。阳极材料具体实例包括：金属如镍、铂、钒、铬、铜、锌和金或它们的合金；金属氧化物如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)；组合的金属和氧化物如ZnO:Al或SnO₂:Sb；或导电聚合物如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧基)噻吩](PEDT)、聚吡咯和聚苯胺，但不限于此。优选包括包含氧化铟锡(铟锡氧化物，indium tin oxide)(ITO)作为阳极的透明电极。

可选地，空穴传输层321可以包括一种或者多种空穴传输材料，空穴传输材料可以选自咔唑多聚体、咔唑连接三芳胺类化合物或者其他类型的化合物，本申请对此不做特殊的限定。

可选地，阴极200包括以下阴极材料，其是有助于电子注入至功能层中的具有小逸出功的材料。阴极材料的具体实例包括：金属如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅或它们的合金；或多层材料如LiF/Al、Liq/Al、LiO₂/Al、LiF/Ca、LiF/Al和BaF₂/Ca，但不限于此。优选包括包含银和镁的金属电极作为阴极。

可选地，如图1所示，在阳极100和空穴传输层321之间还可以设置有空穴注入层310，以增强向空穴传输层321注入空穴的能力。空穴注入层310可以选用联苯胺衍生物、星爆状芳基胺类化合物、酞菁衍生物或者其他材料，本申请对此不做特殊的限制。

可选地，如图1所示，在阴极200和电子传输层350之间还可以设置有电子注入层360，以增强向电子传输层350注入电子的能力。电子注入层360可以包括有碱金属硫化物、碱金属卤化物等无机材料，或者可以包括碱金属与有机物的络合物。例如，电子注入层360可以由Yb组成。

可选地，在有机发光层330和电子传输层350之间还可以设置有空穴阻挡层340。在有机发光层330和空穴传输层321之间还可以设置有发光辅助层322。

空穴阻挡层一般为芳族杂环化合物，例如苯并咪唑衍生物、咪唑并吡啶衍生物、苯并咪唑并菲啶衍生物等咪唑衍生物；嘧啶衍生物、三嗪衍生物等嗪衍生物；喹啉衍生物、异喹啉衍生物、菲咯啉衍生物等包含含氮六元环结构的化合物(也包括在杂环上具有氧化膦系的取代基的化合物。例如：OXD-7、TAZ、p-EtTAZ)、BPhen、BCP、本公开的含氮化合物等。

有机发光层330可以由单一发光材料组成，也可以包括主体材料和客体材料。可选地，有机发光层330由主体材料和客体材料组成，注入有机发光层330的空穴和注入有机发光层330的电子可以在有机发光层330复合而形成激子，激子将能量传递给主体材料，主体材料将能量传递给客体材料，进而使得客体材料能够发光。

有机发光层330的主体材料可以为金属螯合类化合物、双苯乙烯基衍生物、芳香族胺衍生物、二苯并呋喃衍生物或者其他类型的材料，本申请对此不做特殊的限制。

有机发光层330的客体材料可以为具有缩合芳基环的化合物或其衍生物、具有杂芳基环的化合物或其衍生物、芳香族胺衍生物或者其他材料，本申请对此不做特殊的限制。

本公开中，第三发光器件可发蓝光，蓝色发光器件中发光层主体材料可选自蒽衍生物ADN、MADN等；客体材料可为芘衍生物、、芴衍生物、苝衍生物、苯乙烯基胺衍生物、金属配合物等，如TBPe、BDAVBi、DPAVBi、FIrpic等。

第一发光器件可发绿光，第二发光器件可发红光，两者发光层的材料可依据下述原则进行选择。

如图1和图2所示，第一发光器件，包括第一发光层，所述第一发光层包括第一激基复合物GH；

第二发光器件，包括第二发光层，所述第二发光层包括第二激基复合物RH；

所述第一激基复合物GH和所述第二激基复合物RH满足：

0＜ΔE_HL(GH)-ΔE_HL(RH)＜0.5eV；

其中，ΔE_HL(GH)为所述第一激基复合物GH的最高占据分子轨道HOMO能级和最低未占据分子轨道LUMO能级之间的能级差；

ΔE_HL(RH)为所述第二激基复合物RH的最高占据分子轨道HOMO能级和最低未占据分子轨道LUMO能级之间的能级差。

第一激基复合物GH和第二激基复合物RH两者之间的能极差的差值可影响第一发光器件和第二发光器件两者间开启电压的差值，在一定程度上，第一激基复合物GH和第二激基复合物RH之间的能极差越小，第一发光器件和第二发光器件之间的开启电压的差值越小。在此情况下，可从发光器件的开启阶段改善显示面板的串扰现象，从而提升显示面板的质量。

所述第一激基复合物GH和所述第二激基复合物RH满足：0＜ΔE_HL(GH)-ΔE_HL(RH)＜0.5eV。具体地，ΔE_HL(GH)和ΔE_HL(RH)两者之间的差值可以是0-0.5eV之间的任意数值，如0.1eV、0.15eV、0.2eV、0.25eV、0.3eV、0.35eV、0.4eV、0.45eV、0.46eV、0.47eV、0.48eV、0.49eV、0.5eV，但不限于此。

在本公开中，可通过调节第一激基复合物GH和第二激基复合物RH各自的LUMO能级和HOMO能级，来调节两者之间的能极差的差值。

本公开提供的显示面板，1nit亮度下，可使第一发光器件和第二发光器件的开启电压的差值小于0.12V。

0≤Von(G)-Von(R)≤0.12V；

其中，Von(G)为第一发光器件的开启电压，Von(R)为第二发光器件的开启电压。

在本公开一实施例中，所述第一发光层包括第一P型材料和第一N型材料，所述第一P型材料和所述第一N型材料在电或光的作用下形成所述第一激基复合物GH；

所述第二发光层包括第二P型材料和第二N型材料，所述第二P型材料和所述第二N型材料在电或光的作用下形成所述第二激基复合物RH。

在本公开中，第一激基复合物GH的最高占据分子轨道HOMO能级和最低未占据分子轨道LUMO能级之间的能级差ΔE_HL(GH)为第一P型材料的最高占据分子轨道HOMO能级和第一N型材料的最低未占据分子轨道LUMO能级之间的能极差。同理，第二激基复合物RH的最高占据分子轨道HOMO能级和最低未占据分子轨道LUMO能级之间的能级差ΔE_HL(RH)为第二P型材料的最高占据分子轨道HOMO能级与第二N型材料的最低未占据分子轨道LUMO能级之间的能级差。

所述第一P型材料和所述第二P型材料满足：

|HOMO(GH-P)-HOMO(RH-P)|≤0.36eV；

|HOMO(GH-P)|＞|HOMO(RH-P)|；

其中，HOMO(GH-P)为所述第一P型材料的最高占据分子轨道HOMO能级，HOMO(RH-P)为所述第二P型材料的最高占据分子轨道HOMO能级。

所述第一N型材料和所述第二N型材料满足：

|LUMO(RH-N)-LUMO(GH-N)|≤0.32eV；

|LUMO(RH-N)|＞|LUMO(GH-N)|；

其中，LUMO(RH-N)为所述第二N型材料的最低未占据分子轨道LUMO能级，LUMO(GH-N)为所述第一N型材料的最低未占据分子轨道LUMO能级。

在上述实施例中，通过调节第一发光器件的第一P型材料和第一N型材料的能级，以及第二发光器件的第二P型材料和第二N型材料的能级，如此，可改变第一激基复合物GH和第二激基复合物RH两者的能极差之间的差值。在实际应用中，可选用满足上述数值范围内的任意可用于发光层的P型材料和N型材料，对于所具体选择的化合物的种类或结构，本公开不做限定。

可选地，所述第一P型材料和所述第二P型材料满足：

1/100≤μh(RH-P)/μh(GH-P)≤100；

其中，μh(RH-P)为所述第二P型材料的空穴迁移率，μh(GH-P)为所述第一p型材料的空穴迁移率。

所述第一N型材料和所述第二N型材料满足：

1/100≤μe(RH-N)/μe(GH-N)≤100；

其中，μe(RH-N)为所述第二N型材料的电子迁移率，μe(GH-N)为所述第一N型材料的电子迁移率。

在本公开一些实施例中，所述第一激基复合物GH和所述第二激基复合物RH满足：

5nm≤Lpeak(RH)-Lpeak(GH)≤30nm；

其中，Lpeak(RH)为第二激基复合物RH的发射光谱的波长，Lpeak(GH)为第一激基复合物GH的发射光谱的波长。

具体地，Lpeak(RH)-Lpeak(GH)的值可以为5-30的任意数值，如5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm、15nm、16nm、17nm、18nm、19nm、20nm、21nm、22nm、23nm、24nm、25nm、26nm、27nm、28nm、29nm、30nm，但不限于此。

在本公开一些实施例中，所述第一激基复合物GH和所述第二激基复合物RH满足：

0.05eV≤T1(GH)-T1(RH)≤0.25eV；

其中，T1(GH)为所述第一激基复合物GH的最低三重态能量，T1(RH)为所述第二激基复合物RH的最低三重态能量。

具体地，T1(GH)-T1(RH)的值可以为0.05-0.25的任意数值，如0.05eV、0.06eV、0.07eV、0.08eV、0.09eV、0.1eV、0.11eV、0.12eV、0.13eV、0.14eV、0.15eV、0.16eV、0.17eV、0.18eV、0.19eV、0.2eV、0.21eV、0.22eV、0.23eV、0.24eV、0.25eV，但不限于此。

在一些实施例中，第一发光器件的第一P型材料可选自如下结构所组成的组：

第一发光器件的第一N型材料可选自如下结构所组成的组：

第二发光器件的第二P型材料可选自如下结构所组成的组：

第二发光器件的第二N型材料可选自如下结构所组成的组：

此外，还可以通过调节发光辅助层的材料，来进一步减小第一发光器件和第二发光器件的开启电压之间的差值。

在本公开一些实施例中，所述第一发光器件还包括第一发光辅助层G-prime和第一空穴传输层，所述第一发光辅助层G-prime设于所述第一发光层和所述第一空穴传输层之间；

沿所述第一空穴传输层至所述第一发光层方向，所述第一发光辅助层G-prime依次包括第二子辅助层G-prime2和第一子辅助层G-prime1，所述第一子辅助层G-prime1和所述第二子辅助层G-prime2满足：

0≤L2/(L1+L2)≤8/9；

其中，L1为所述第一子辅助层G-prime1的厚度，L2为所述第二子辅助层G-prime2的厚度。

在此需说明的是，当L2/(L1+L2)比值为0时，即第二子辅助层G-prime2的厚度为0，及第一发光辅助层G-prime不包含第二子辅助层G-prime2。

所述第二发光器件还包括第二发光辅助层R-prime和第二空穴传输层，所述第二发光辅助层R-prime设于所述第二发光层和所述第二空穴传输层之间；

沿所述第二空穴传输层至所述第二发光层方向，所述第二发光辅助层R-prime依次包括第四子辅助层R-prime4和第三子辅助层R-prime3，所述第三子辅助层R-prime3和所述第四子辅助层R-prime4满足：

0≤L4/(L3+L4)≤8/9；

其中，L3为所述第三子辅助层R-prime3的厚度，L4为所述第四子辅助层R-prime4的厚度。

同上，当L4/(L3+L4)比值为0时，即第四子辅助层R-prime4的厚度为0，及第二发光辅助层R-prime不包含第四子辅助层R-prime4。

在该实施例中，第一发光辅助层G-prime和第二发光辅助层R-prime有助于调节空穴向发光层的传输效率，进一步减小第一发光器件和第二发光器件之间开启电压的差值。

可选地，所述第一子辅助层G-prime1包括第一辅助材料，所述第二子辅助层G-prime2包括第二辅助材料，所述第三子辅助层R-prime3包括第三辅助材料，所述第四子辅助层R-prime4包括第四辅助材料；

所述第一辅助材料、所述第二辅助材料、所述第三辅助材料和所述第四辅助材料满足：

0＜|HOMO(R prime4)|-|HOMO(R prime3)|≤0.15eV；

0＜|HOMO(G prime1)|-|HOMO(G prime2)|≤0.15eV；

其中，HOMO(R prime4)为所述第三辅助材料的最高占据分子轨道HOMO能级，HOMO(R prime3)为所述第四辅助材料的最高占据分子轨道HOMO能级；

HOMO(G prime1)为所述第一辅助材料的最高占据分子轨道HOMO能级，HOMO(Gprime2)为所述第二辅助材料的最高占据分子轨道HOMO能级。

所述第一辅助材料、所述第二辅助材料、所述第三辅助材料和所述第四辅助材料满足：

1＜μh(R prime3)/μh(R prime4)≤100；

1＜μh(G prime2)/μh(G prime1)≤100；

其中，μh(R prime3)为所述第三辅助材料的空穴迁移率，μh(R prime4)为所述第四辅助材料的空穴迁移率；

μh(G prime2)为所述第二辅助材料的空穴迁移率，μh(G prime1)为所述第一辅助材料的空穴迁移率。

在本公开一些实施例中，第一发光器件的第一辅助材料可选自如下结构：

第一发光器件的第二辅助材料可选自如下结构：

第二发光器件的第三辅助材料可选自如下结构：

第二发光器件的第四辅助材料可选自如下结构：

本公开还提供一种显示装置，包括前述的有机发光器件。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪，或任何其它具有显示功能的产品或部件。

下面将结合具体试验数据等，对本公开提供的发光器件进行详细说明。

实施例1

带有ITO的玻璃板在去离子水中超声处理，然后在100℃下烘干；

第二发光器件制备：第二发光器件可以为红光器件，将ITO玻璃置于真空蒸镀设备中，依次蒸镀空穴注入层(HIL)，第二空穴传输层(HTL)，第二发光辅助层R-prime(Rprime)，第二发光层(R-EML)，空穴阻挡层(HBL)，电子传输层(ETL)，电子注入层(EIL)，阴极。其中R prime1蒸镀80nm，R-EML蒸镀40nm。R-EML中，客体材料RD以2％掺杂到主体材料RH(第二激基复合物RH)中，RH中RH-P1和RH-N1组分摩尔比为4:6；

第一发光器件制备：第一发光器件可以为绿光器件，将ITO玻璃置于真空蒸镀设备中，依次蒸镀空穴注入层(HIL)，第一空穴传输层(HTL)，第一发光辅助层G-prime(Gprime)，第一发光层(G-EML)，空穴阻挡层(HBL)，电子传输层(ETL)，电子注入层(EIL)，阴极。其中G prime1蒸镀35nm，G-EML蒸镀35nm。G-EML中，客体材料GD以10％掺杂到主体材料GH(第一激基复合物GH)中，GH中GH-P1和GH-N1组分摩尔比为4:6；

实施例2

RH中使用RH-P2和RH-N2，GH中使用GH-P2和GH-N2，其他与实施例1相同。

实施例3

RH中使用RH-P3和RH-N3，GH中使用GH-P3和GH-N3，其他与实施例1相同。

实施例3

R prime由R prime4和R prime3构成，R prime4 70nm，R prime3 10nm；

G prime由G prime2和G prime1构成，G prime2 30nm，G prime1 5nm；其他同实施例1。

对比例

RH中使用RH-P4和RH-N4，GH中使用GH-P3和GH-N4，其他与实施例1相同。

不同实施例中发光器件各膜层材料组成如表1所示：

表1

各实施例、对比例中的P型材料和N型材料的物性数据如表2所示：

表2

各实施例、对比例中的P型材料和N型材料形成的激基复合物的物性数据如表3所示：

表3

	S1/eV	T1/eV	L Peak/nm
				RH-P1：RH-N1	2.43	2.32	521
RH-P2：RH-N2	2.39	2.31	519
				RH-P3：RH-N3	2.40	2.31	518
RH-P4：RH-N4	2.32	2.24	546
				GH-P1：GH-N1	2.58	2.41	502
GH-P2：GH-N2	2.56	2.42	505
				GH-P3：GH-N3	2.59	2.41	504
GH-P4：GH-N4	2.50	2.36	511

各实施例和对比例中第一激基复合物GH和第二激基复合物RH两者物性参数比较如表4所示。

表4

由表4可知，实施例1至实施例4中第一激基复合物GH和所述第二激基复合物RH满足：0＜ΔE_HL(GH)-ΔE_HL(RH)＜0.5eV。而对比例中的则为0.78，超出0.5eV。

各实施例中的发光辅助层的材料的物性数据如表5所示：

表5

	HOMO	LUMO	T1	μh
					R Prime1	5.41	2.31	2.45	3.6x10<sup>-4</sup>
R Prime2	5.52	2.41	2.48	7.2x10<sup>-5</sup>
					G Prime1	5.58	2.41	2.56	6.5x10<sup>-5</sup>
G Prime2	5.48	2.32	2.54	5.4x10<sup>-4</sup>

上述制备形成的发光器件，性能测试结构如表6所示；

表6

由表6可知，实施例1至实施例4中第一发光器件和第二发光器件的开启电压相差不大，两者间的差值均不大于0.05V。对比例中第一发光器件和第二发光器件的开启电压相差较大，两者间的差值为0.13V。此外，实施例1至4中发光器件的寿命均大于对比例1中发光器件的寿命，说明本公开提供的显示面板，不仅有助于降低第一发光器件和第二发光器件两者间开启电压的差值，改善显示面板的串扰现象，还有助于提升发光器件的寿命，提升显示面板的性能。

应可理解的是，本公开不将其应用限制到本说明书提出的部件的详细结构和布置方式。本公开能够具有其他实施方式，并且能够以多种方式实现并且执行。前述变形形式和修改形式落在本公开的范围内。应可理解的是，本说明书公开和限定的本公开延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本公开的多个可替代方面。本说明书的实施方式说明了已知用于实现本公开的最佳方式，并且将使本领域技术人员能够利用本公开。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

第一发光器件，包括第一发光层，所述第一发光层包括第一激基复合物；

第二发光器件，包括第二发光层，所述第二发光层包括第二激基复合物；

所述第一激基复合物和所述第二激基复合物满足：

0＜ΔE_HL(GH)-ΔE_HL(RH)＜0.5eV；

其中，ΔE_HL(GH)为所述第一激基复合物的最高占据分子轨道HOMO能级和最低未占据分子轨道LUMO能级之间的能级差；

ΔE_HL(RH)为所述第二激基复合物的最高占据分子轨道HOMO能级和最低未占据分子轨道LUMO能级之间的能级差。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光层包括第一P型材料和第一N型材料，所述第一P型材料和所述第一N型材料在电或光的作用下形成所述第一激基复合物；

所述第二发光层包括第二P型材料和第二N型材料，所述第二P型材料和所述第二N型材料在电或光的作用下形成所述第二激基复合物；

所述第一P型材料和所述第二P型材料满足：

|HOMO(GH-P)-HOMO(RH-P)|≤0.36eV；

|HOMO(GH-P)|＞|HOMO(RH-P)|；

其中，HOMO(GH-P)为所述第一P型材料的最高占据分子轨道HOMO能级，HOMO(RH-P)为所述第二P型材料的最高占据分子轨道HOMO能级。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一N型材料和所述第二N型材料满足：

|LUMO(RH-N)-LUMO(GH-N)|≤0.32eV；

|LUMO(RH-N)|＞|LUMO(GH-N)|；

其中，LUMO(RH-N)为所述第二N型材料的最低未占据分子轨道LUMO能级，LUMO(GH-N)为所述第一N型材料的最低未占据分子轨道LUMO能级。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一P型材料和所述第二P型材料满足：

1/100≤μh(RH-P)/μh(GH-P)≤100；

其中，μh(RH-P)为所述第二P型材料的空穴迁移率，μh(GH-P)为所述第一p型材料的空穴迁移率；

所述第一N型材料和所述第二N型材料满足：

1/100≤μe(RH-N)/μe(GH-N)≤100；

其中，μe(RH-N)为所述第二N型材料的电子迁移率，μe(GH-N)为所述第一N型材料的电子迁移率。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一激基复合物和所述第二激基复合物满足：

5nm≤Lpeak(RH)-Lpeak(GH)≤30nm；

其中，Lpeak(RH)为第二激基复合物的发射光谱的波长，Lpeak(GH)为第一激基复合物的发射光谱的波长。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一激基复合物和所述第二激基复合物满足：

0.05eV≤T1(GH)-T1(RH)≤0.25eV；

其中，T1(GH)为所述第一激基复合物的最低三重态能量，T1(RH)为所述第二激基复合物的最低三重态能量。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光器件还包括第一发光辅助层和第一空穴传输层，所述第一发光辅助层设于所述第一发光层和所述第一空穴传输层之间；

沿所述第一空穴传输层至所述第一发光层方向，所述第一发光辅助层依次包括第二子辅助层和第一子辅助层，所述第一子辅助层和所述第二子辅助层满足：

0≤L2/(L1+L2)≤8/9；

其中，L1为所述第一子辅助层的厚度，L2为所述第二子辅助层的厚度。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第二发光器件还包括第二发光辅助层和第二空穴传输层，所述第二发光辅助层设于所述第二发光层和所述第二空穴传输层之间；

沿所述第二空穴传输层至所述第二发光层方向，所述第二发光辅助层依次包括第四子辅助层和第三子辅助层，所述第三子辅助层和所述第四子辅助层满足：

0≤L4/(L3+L4)≤8/9；

其中，L3为所述第三子辅助层的厚度，L4为所述第四子辅助层的厚度。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第一子辅助层包括第一辅助材料，所述第二子辅助层包括第二辅助材料，所述第三子辅助层包括第三辅助材料，所述第四子辅助层包括第四辅助材料；

所述第一辅助材料、所述第二辅助材料、所述第三辅助材料和所述第四辅助材料满足：

0＜|HOMO(R prime4)|-|HOMO(R prime3)|≤0.15eV；

0＜|HOMO(G prime1)|-|HOMO(G prime2)|≤0.15eV；

其中，HOMO(R prime4)为所述第三辅助材料的最高占据分子轨道HOMO能级，HOMO(Rprime3)为所述第四辅助材料的最高占据分子轨道HOMO能级；

HOMO(G prime1)为所述第一辅助材料的最高占据分子轨道HOMO能级，HOMO(G prime2)为所述第二辅助材料的最高占据分子轨道HOMO能级。

10.根据权利要求8所述显示面板，其特征在于，所述第一辅助材料、所述第二辅助材料、所述第三辅助材料和所述第四辅助材料满足：

1＜μh(R prime3)/μh(R prime4)≤100；

1＜μh(G prime2)/μh(G prime1)≤100；

其中，μh(R prime3)为所述第三辅助材料的空穴迁移率，μh(R prime4)为所述第四辅助材料的空穴迁移率；

μh(G prime2)为所述第二辅助材料的空穴迁移率，μh(G prime1)为所述第一辅助材料的空穴迁移率。

Images