CN115280484A - 用于射频环境的冷却的基板支撑组件 - Google Patents

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Abstract

本文描述了一种基板支撑组件，包括：设施板；接地板，所述接地板耦合至所述设施板；流体导管，所述流体导管设置在所述基板支撑组件内并设置穿过所述设施板和所述接地板；以及连接器，所述连接器耦合至所述接地板，所述接地板容纳所述流体导管的一部分。所述连接器包括偏置组件和紧固件，所述紧固件设置在形成在所述接地板中的袋部中。

Description

用于射频环境的冷却的基板支撑组件
背景
技术领域
本公开的实施例大体上涉及半导体腔室部件，并且更具体地涉及在高频电场中使用的冷却的基板支撑组件。
相关技术说明
对于半导体器件的下一代超大规模集成电路(VLSI)和极大规模集成电路(ULSI)，可靠地生产纳米和更小的特征是关键的技术挑战之一。然而，随着电路技术极限的不断推进，VLSI和ULSI互连技术的尺寸不断缩小，对处理能力提出了更高的要求。在基板上可靠地形成栅极结构对于VLSI和ULSI的成功和对于增加电路密度和各个基板和管芯的质量的持续努力很重要。
为了降低制造成本，集成芯片(IC)制造商要求处理的每个硅基板都具有更高的产量和更好的器件良率和效能。当前开发中正在探索的用于下一代器件的一些制造技术需要在低温下进行处理。干式反应离子蚀刻均匀维持在低温下的基板，使离子能够以减少的自发蚀刻轰击设置在基板上的材料的面朝上的表面，从而形成具有平滑、垂直侧壁的沟槽。另外，可在低温下改善蚀刻一种材料对另一种材料的选择性。例如，随着温度降低，硅(Si)和二氧化硅(SiO2)之间的选择性呈指数增加。
操作基板支撑组件以使得低温处理通常依赖于使用循环穿过基板支撑组件的冷却剂。由于被用于布线基板支撑组件的冷却剂跨接部分的导管同时接地和通电，冷却剂和导管必须具有足够的电绝缘性以防止短路。然而，绝缘性导管内的冷却剂流可使电荷随时间在管道上积聚，所述电荷足以在导管与基板支撑组件的接地部分之间造成电弧。此外，基板支撑组件的冷却和加热造成膨胀和收缩，这可能造成导管处的泄漏。电弧和/或冷却剂泄漏可能造成或导致许多问题。
因此，需要改善的基板支撑组件。
发明内容
本文描述了基板支撑组件，包括一个或更多个用于在低温下载送流体的流体导管。流体导管被配置成减低电弧。
在一个实施例中，本文描述了一种基板支撑组件，包括：设施板；接地板，所述接地板耦合至所述设施板；流体导管，所述流体导管设置在所述基板支撑组件内并设置穿过所述设施板和所述接地板；以及连接器，所述连接器耦合至所述接地板，所述接地板容纳所述流体导管的一部分。所述连接器包括偏置组件和紧固件，所述紧固件设置在形成在所述接地板中的袋部中。
在另一实施例中，描述了一种基板支撑组件，包括：基底组件，所述基底组件用于支撑静电吸盘；设施板，所述设施板耦合至所述基底组件；介电板，所述介电板耦合至所述设施板；接地板，所述接地板耦合至所述设施板；流体导管，所述流体导管设置于所述基板支撑组件内并设置穿过所述设施板和所述接地板；以及连接器，所述连接器耦合至所述接地板，所述接地板容纳所述流体导管的一部分。所述连接器包括偏置组件和紧固件，所述紧固件设置在形成在所述接地板中的袋部中。滑动密封件环绕所述连接器的主体。
在另一实施例中，本文描述了一种基板支撑组件，包括：静电吸盘；基底组件，所述基底组件耦合至所述静电吸盘；设施板，所述设施板耦合至所述基底组件；介电板，所述介电板耦合至所述设施板；接地板，所述接地板耦合至所述设施板；流体导管，所述流体导管设置在所述基板支撑组件内并设置穿过所述设施板和所述接地板；以及连接器，所述连接器耦合至所述接地板，所述接地板容纳所述流体导管的一部分。所述连接器包括偏置组件和紧固件，所述紧固件设置在形成在所述接地板中的袋部中。滑动密封件环绕所述连接器的主体。
附图说明
为了可详细地理解本公开的上述特征的方式，可通过参考实施例来对本公开进行更具体的描述(如上简要地概述)，其中一些实施例在附图中示出。然而，应注意，附图仅示出了示例性实施例，因此不应视为限制其范围，并且可允许其他等效实施例。
图1是根据实施例的示例性等离子体处理腔室的横截面示意图。
图2是根据实施例的示例性基板支撑组件的示意性截面图。
图3是图2的基板支撑组件的一部分的截面图。
图4是如本文所公开的连接器的等距图。
图5是示出了穿过如本文所述的基板支撑组件的真空路径的一个实施例的示意性截面图。
图6A和图6B分别是可用作具有如图3和图5中所述的管状构件的端引导件的上端引导件和下端引导件的截面图。
图7是弹簧密封件的一个实施例的部分等距图。
为了便于理解，尽可能地使用相同的附图标记来标示附图中共有的相同元件。可构想，一个实施例的元件和特征可有益地并入其他实施例中，而无需进一步叙述。
具体实施方式
本文所述的实施例提供了一种基板支撑组件，使静电吸盘(ESC)能够进行低温操作，使得设置在其上的基板维持在适于处理的低温处理温度，同时将处理腔室的其他表面维持在不同的温度。低温处理温度(即，基板温度)旨在指代基板支撑件处低于-10摄氏度的温度。
尽管基板支撑组件在下文中被描述为在蚀刻处理腔室中，但基板支撑组件可在其他类型的等离子体处理腔室中使用，诸如物理气相沉积腔室、化学气相沉积腔室、离子注入腔室等，以及期望维持在低温处理温度的处理基板的其他系统。然而，应注意，本文所述的基板支撑组件和腔室部件可在其他处理温度下使用。
图1是示例性等离子体处理腔室100的横截面示意图，被示出为被配置为具有基板支撑组件101的蚀刻腔室。如上所述，基板支撑组件101可在其他类型的等离子体处理腔室中使用，例如等离子体处理腔室、退火腔室、物理气相沉积腔室、化学气相沉积腔室、和离子注入腔室等，以及需要均匀地维持工件(例如，基板124)表面在低温处理温度下的能力的其他系统。干式反应离子蚀刻维持在低温处理温度下的基板124使离子能够以减少的自发蚀刻轰击设置在基板124上的材料的面朝上的表面，从而形成具有平滑、垂直侧壁的沟槽。例如，当离子持续轰击低k介电材料的面朝上的表面以形成具有平滑、垂直侧壁的沟槽的时，设置在均匀地维持在低温处理温度下设置在基板124上的低k介电材料的孔隙中的离子扩散减少。另外，在低温处理温度下，可改善蚀刻一种材料对另一种材料的选择性。例如，随着温度降低，硅(Si)与二氧化硅(SiO2)之间的选择性呈指数增加。
等离子体处理腔室100包括腔室主体102，腔室主体102具有侧壁104、底部106和盖108以封闭处理区域110。注射设备112耦合到腔室主体102的侧壁104和/或盖108。气体面板114耦合到注射设备112，以允许待提供的处理气体进入处理区域110。注射设备112可以是一个或多个喷嘴或入口端口，或替代地为喷头。通过在腔室主体102的侧壁104或底部106中形成的排放端口116，将处理气体以及任何处理副产物从处理区域110移除。排放端口116耦合至泵送系统140，泵送系统140包括用以控制处理区域110内的真空水平的节流阀和泵。也使用泵送系统140将处理副产物通过排放端口116移除。
可对处理气体通电以在处理区域110内形成等离子体。可通过将RF功率电容性或电感性耦合到处理气体来对处理气体通电。在可与本文所述的其他实施例组合的一个实施例中，如图1中所描绘的，多个线圈118设置在等离子体处理腔室100的盖108上方，并通过匹配电路120耦合至RF功率源122。
基板支撑组件101设置在注射设备112下方的处理区域110中。基板支撑组件101包括静电吸盘(ESC)103和ESC基底组件105。ESC基底组件105耦合至ESC 103和设施板107。由接地板111支撑的设施板107被配置成便于与基板支撑组件101进行电性、冷却、加热、和气体连接。接地板111由处理腔室的底部106支撑。介电板109将设施板107与接地板111电绝缘。
ESC基底组件105包括流体耦合至低温冷却器117的基底通道115。低温冷却器117向基底通道115提供基底流体(诸如制冷剂)，使得ESC基底组件105以及因此基板124可维持在预定的低温下。类似地，设施板107包括流体耦合至冷却器119的设施通道113(在图2中进一步详细描述)。冷却器119向设施通道113提供设施流体，使得设施板107维持在预定温度下。在一个示例中，基底流体将ESC基底组件105维持在低于设施板107的温度的温度下。
ESC 103具有支撑表面130和与支撑表面130相对的底部表面132。在可与本文描述的其他实施例组合的一个实施例中，ESC 103由陶瓷材料制成，诸如氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)或其他合适的材料。替代地，ESC 103可由聚合物制成，诸如聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚芳基醚酮等。
在ESC 103的底部表面132与ESC基底组件105的顶部表面134之间的接口处提供接合层133。ESC 103和ESC基底组件105选自具有基本相似的热膨胀系数(CTE)的材料。ESC103可由氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)制成。ESC基底组件105可由铝(Al)、钼(Mo)、陶瓷、或上述的组合制成。接合层133的示例材料包括铟(In)、Al、硅酮(包含Si)、全氟聚合物、或上述的组合和合金。在一个应用中，将Mo和Al的合金(约50％至40％的铝)与具有氧化铝ESC的CTE用于ESC基底组件105。由于操作期间从约90摄氏度至约-200摄氏度的温度下ESC 103和ESC基底组件105的CTE中的小差异，接合层133允许应力被吸收。接合层133可与陶瓷粉末混合以改善提供了经由传导从ESC 103和ESC基底组件105的改善的热传递的导热性，从而增强了ESC 103的操作。
ESC 103包括设置在ESC 103中的吸附电极126。吸附电极126可被配置为单极或双极电极，或其他合适的布置。吸附电极126通过RF滤波器和设施板107耦合到吸附功率源135，吸附功率源135提供DC功率以将基板124静电固定到ESC 103的支撑表面130。RF滤波器防止用于在等离子体处理腔室100内形成等离子体(未示出)的RF功率损坏电仪器或在腔室外部产生电危害。
ESC 103包括嵌入ESC 103中的一个或多个电阻加热器128。电阻加热器128用于控制由ESC基底组件105冷却的ESC 103的温度，使得适于处理设置在基板支撑组件101的支撑表面130上的基板124的低温处理温度可被维持。电阻加热器128通过设施板107和RF滤波器耦合到加热器功率源136。RF滤波器防止用于在等离子体处理腔室100内形成等离子体(未示出)的RF功率损坏电仪器或在腔室外部产生电危害。加热器功率源136可向电阻加热器128提供500瓦或更多的功率。加热器功率源136包括控制器(未示出)，所述控制器用于控制加热器功率源136的操作，加热器功率源136通常被设定以将基板124加热至预定的低温。在可与本文描述的其他实施例组合的一个实施例中，电阻加热器128包括多个横向分离的加热区，其中控制器使电阻加热器128的至少一个区能够相对于位于一个或多个其他区中的电阻加热器128优选被加热。例如，电阻加热器128可同心地布置在多个分离的加热区中。电阻加热器128将基板124维持在适于处理的低温处理温度下。在可与本文描述的其他实施例组合的一个实施例中，低温处理温度低于约-10摄氏度。例如，低温处理温度在约-10摄氏度至约-150摄氏度之间，包括低至约-200摄氏度。
低温冷却器117经由连接至基底通道115的入口254(图2)的基底入口导管123和经由连接至基底通道115的出口256(图2)的基底出口导管125与基底通道115流体连通，使得ESC基底组件105维持在预定的低温下。在可与本文描述的其他实施例组合的一个实施例中，低温冷却器117耦合至接口盒以控制基底流体的温度。基底流体包括在操作压力下将液体保持在低于-50摄氏度的低温的成分。基底流体通常是介电性或电绝缘的，使得当循环穿过基板支撑组件101时，不会穿过基底流体形成电路径。合适的基底流体的非限制性示例包括氟化的热传递流体。低温冷却器117提供循环穿过ESC基底组件105的基底通道115的基底流体。穿过基底通道115流动的基底流体使ESC基底组件105能够维持在低温下，这有助于控制ESC 103的横向温度分布，使得设置在ESC 103上的基板124均匀地维持在低温处理温度下。在可与本文所述的其他实施例组合的一个实施例中，低温冷却器117是可操作以维持低温低于约-50摄氏度的单级冷却器。在可与本文描述的其他实施例组合的另一实施例中，低温冷却器117是利用两级冷却器内部的制冷剂使得基底流体维持在低于-50摄氏度的低温下的两级冷却器。
冷却器119经由连接至设施通道113的入口240(图2)的设施入口导管127和经由连接至设施通道113的出口242(图2)的设施出口导管129与设施通道113流体连通，使得设施板107维持在预定的环境温度下。在可与本文描述的其他实施例组合的一个实施例中，冷却器119耦合至接口盒以控制设施流体的温度。设施流体可包括可将环境温度维持在约-10摄氏度至约60摄氏度之间的材料。冷却器119提供循环穿过设施板107的设施通道113的设施流体。设施流体通常是介电性或电绝缘的，使得当循环穿过基板支撑组件101时，不会穿过设施流体形成电路径。合适的设施流体的非限制性示例包括氟化的热传递流体。穿过设施通道113流动的设施流体使设施板107能够维持在预定的环境温度下，这有助于将介电板109维持在预定的环境温度下。
图2是根据实施例的示例性基板支撑组件101的示意性截面图。基板支撑组件101被配置成使ESC 103能够进行低温操作，使得设置在其上的基板124维持在低温处理温度下。ESC 103耦合至ESC基底组件105。吸附电极126经由设置穿过设施板107的下绝缘体212和ESC基底组件105的上绝缘体214中的第一孔208的第一绝缘导线204耦合至吸附功率源135。一个或多个电阻加热器128经由设置穿过设施板107的下绝缘体212和ESC基底组件105的上绝缘体214中的第二孔210的第二绝缘导线206耦合到加热器功率源136。在一些实施例中，ESC基底组件105包括上板215和下板217。在上板215与下板217之间提供隔热件227。上板215可由Mo制成，而下板217由Al制成。在可与本文描述的其他实施例组合的一个实施例中，隔热件227包括含有聚酰胺-酰亚胺(PAI)或聚酰亚胺(PI)的材料。
设施板107包括板部分229和壁部分230。设施板107的板部分229使用一个或多个第一螺钉组件220耦合到ESC基底组件105，使得ESC基底组件105与设施板107之间存在真空区域222。一个或多个第一螺钉组件220中的每一者包括螺栓224，螺栓224经由偏置元件226接触设施板107，并插入ESC基底组件105的螺纹孔228。
偏置元件226被用于在被压缩时产生力。合适的偏置元件226包括线圈弹簧、弹簧形成件、和弹性体。在一个示例中，偏置元件226是多个贝氏(Belleville)垫圈。通过拧紧螺栓224来压缩偏置元件226，使得设施板107被压迫(即，预装载)抵靠ESC基底组件105。
在操作中，通常将ESC基底组件105维持在RF热状态中。设施板107包括壁部分230并且由密封件232耦合至ESC 103。在可与本文所述的其他实施例组合的一个实施例中，设施板107的下绝缘体212经由密封件232维持真空区域222。通过密封件232耦合至ESC 103的壁部分230保护ESC基底组件105的材料免于与处理气体接触而导致的潜在的腐蚀和/或侵蚀。
真空区域222由ESC 103、ESC基底组件105、设施板107、和密封件232限定。真空区域222防止冷却的ESC 103背侧上的凝结，通过具有独立于处理区域110(图1中所示出)的压力的压力来防止处理气体进入基板支撑组件101，并在ESC基底组件105与设施板107之间提供热隔绝。在可与本文所述的其他实施例组合的一个实施例中，设施板107包括含铝材料。
设施板107的设施通道113在设施板中加工并使用覆盖件238密封。在一个示例中，将覆盖件238焊接到设施板107以密封设施通道113。设施通道113的入口240与设置穿过介电板109和接地板111的入口导管244流体连通。设施通道113的出口242与设置穿过介电板109和接地板111的出口导管246流体连通。入口导管244和出口导管246具有连接到设施入口导管127的连接入口250和连接到设施出口导管129的连接出口252。在操作中，设施板107通常维持在RF热状态中。
ESC基底组件105的基底通道115包括与设置穿过设施板107、介电板109、和接地板111的入口导管258流体连通的入口254。基底通道115的出口256与设置穿过设施板107、介电板109、和接地板111的出口导管260流体连通。入口导管258和出口导管260设置在基板支撑组件101的真空区域222内。入口导管258和出口导管260连接到相应的接口区块270。在可与本文所述的其他实施例组合的一个实施例中，接口区块270由不锈钢制成。入口导管258包括流体入口导管266和真空通道262。带夹套的出口导管260包括流体出口导管268和真空通道264。在图3中更详细地描述接口区块270。
入口导管258和出口导管260包括基底入口272、真空通道276、基底出口274、和真空通道278。基底入口272将流体入口导管266连接至基底入口导管123。基底出口274将流体出口导管268连接至基底出口导管125。真空通道276连接至与真空源284流体连通的真空导管280，并且真空通道278连接至与真空源284流体连通的真空导管282。真空通道276和真空通道278都与真空区域222流体连通。将真空源284耦合到真空区域222使得要维持在真空区域222中的压力能够独立于处理区域110的压力。在可与本文所述的其他实施例组合的一个实施例中，流体入口导管266和流体出口导管268通过密封件232来耦合至ESC基底组件105以维持真空区域222中的压力。
基板支撑组件101还包括用于容纳升降销(未示出)的一个或多个升降销组件286，所述升降销用于将基板124升高到ESC 103的支撑表面130上方，以便于机器人传送进出等离子体处理腔室100。一个或多个升降销组件286中的每一者包括设置穿过ESC 103、ESC基底组件105、设施板107、介电板109和接地板111的升降销引导件288。设置穿过ESC基底组件105的升降销引导件288的部分290被将升降销引导件288保持在位的螺纹衬套292环绕。升降销引导件288通过密封件232耦合至ESC 103，以维持腔室真空和绝缘。在可与本文描述的其他实施例组合的一个实施例中，ESC 103包括一个或多个气体通路(未示出)以用于向基板124和ESC 103的支撑表面130的背侧提供背侧热传递气体(诸如，氦)。
图3是图2的基板支撑组件101的一部分的截面图。接口区块270包括连接器300，连接器300便于将流体出口导管268耦合到基板支撑组件101。具体地，连接器300将流体出口导管268的管状构件305耦合至接地板111。虽然未详细示出或描述，流体入口导管266包括如图3中所述的专用接口连接(即，接口区块270)、连接器(即，连接器300)和管状构件(即，管状构件305)。
连接器300包括主体302，主体302通过至少一个紧固件310(诸如螺钉或螺栓)耦合到接地板111。在图3的截面图中，仅示出了一个紧固件，但利用多达约三个紧固件将连接器300耦合至接地板111。接地板111的一部分包括在其中形成的袋部315。在图3的截面图中，仅示出了一个袋部，但袋部的数量等于与连接器300一起使用的紧固件的数量。耦合至紧固件310的偏置组件320位于袋部315中。偏置组件320包括彼此偏置的多个弹簧形成件325以及紧固件310和袋部315。弹簧形成件325中的每一者基于基板支撑组件101的温度而压缩和膨胀。例如，当向基板支撑组件101(例如，当基板支撑组件101被冷却时)提供制冷剂时，弹簧形成件325膨胀。当基板支撑组件101未被冷却时，弹簧形式325压缩。因此，偏置组件320(连接器300、弹簧形成件325和袋部315中的一者或组合)在使用期间允许连接器300相对于接地板111至少垂直(Z方向)移动。弹簧形成件325中的每一者可以是盘形弹簧垫圈，例如贝氏垫圈。
连接器300还包括限定动态或滑动密封件335的一部分的环形袋部330。滑动密封件335还包括弹性密封件340，诸如O形环。滑动密封件335在使用期间允许连接器300相对于接地板111垂直移动，并维持从环境或大气压力维持真空或负压。例如，在基板支撑组件101的使用期间，沿着管状构件305的长度在管状构件305的外表面与连接器300、介电板109和接地板111的部分之间形成的间隙345维持在真空压力下。相反，连接器300的外表面350与环境或大气条件流体连通。因此，滑动密封件335包括气密密封件以在连接器300内和没有连接器300时的维持压力。另外，在使用期间，滑动密封件335附近的基板支撑组件101的温度处于或接近室温，这防止了弹性密封件340的劣化。
连接器300还由热垫片360耦合到接地板111的下表面355。热垫片360是垫形式的导热凝胶材料。热垫片360包括硅酮材料。连接器300还包括一个或多个第一或下通道365和一个或多个第二或上通道370。虽然在图3的截面图中仅示出了下通道365中的一者和上通道370中的一者，连接器300可具有三个、四个、或更多个下通道365中的每一者和上通道370的每一者。如下面将更详细地说明的，下通道365和上通道370允许绕着管状构件305进行真空泵送。例如，通过泵送穿过下通道365和上通道370，可通过间隙345提供负压。
管状构件305包括沿着管状构件305的长度而形成以用于使制冷剂流向低温冷却器117的通道375。管状构件305还包括端引导件380以及弹簧密封件385。如下方图5中所示，管状构件305在其两端处包括端引导件380和弹簧密封件385。如将在图6中更详细地示出的，端引导件380将弹簧密封件385保持在位和/或限制弹簧密封件385的压缩。端引导件380的端部也防止了管状构件305由于基板支撑组件101的径向膨胀和收缩而导致的倾斜。例如，端引导件380允许管状构件305在X/Y平面中横向移动(在使用基板支撑组件101期间(例如，径向膨胀和收缩))。端引导件380还允许真空泵送，同时将管状构件305与连接器300和ESC 103的接口处的电弧最小化。
图4是本文所公开的连接器300的等距图。连接器300包括中央开口400，中央开口400的尺寸被设成接收(如图3中所示的)管状构件305。另外，连接器300还包括凸缘405。凸缘405包括多个通孔410，每个通孔410被适配成接收(如图3中所示的)紧固件310。连接器300也包括第一或上肩部415和第二或下肩部420。(如图3中所示的)环形袋部330限定在上肩部415与下肩部420之间。
图5是示出了穿过基板支撑组件101的真空路径500的一个实施例的示意性截面图。真空路径500在图5中以箭头示出。真空路径500是从管状构件305的第一端505至管状构件305的第二端510的导电路径。导电路径包括穿过端引导件380中或周围的空隙空间515到间隙345的流动。在一些实施例中，管状构件305的外表面的一部分包括套管520。套管520包括在套管520的外表面与ESC基底组件105、介电板109、和接地板111之间形成的间隙525。在一些实施例中，间隙345是第一或内通道530，并且间隙525是第二或外通道535。密封件540(诸如O形环)以及滑动密封件335密封穿过管状构件305延伸穿过的各个层的导电路径。
在一些实施例中，内通道530包括螺旋状或螺旋形通道545，螺旋状或螺旋形通道545包括在管状构件305的外表面和套管520的内表面中形成的一部分。
导电路径也流动穿过在套管520中形成的端口555，端口555与内通道530和/或外通道535流体连通。导电路径还经由多个纵向通道560延伸进入连接器300，所述多个纵向通道560与连接器300的下通道365流体连通。
如图5中所示，第一端505和第二端510均包括弹簧密封件385。弹簧密封件385包括由金属材料(诸如以软塑料包裹的不锈钢)制成的线圈弹簧。在图7中示出了弹簧密封件385的示例。同样如图5所示，管状构件305的第一端505和第二端510均包括端引导件380。
图6A和图6B分别是上端引导件600A和下端引导件600B的截面图。上端引导件600A和下端引导件600B可用作如图3和图5中所述的具有管状构件305的端引导件380。
上端引导件600A和下端引导件600B包括由金属材料(诸如不锈钢)制成的管状主体602。管状主体602包括第一端605和与第一端605相对的第二端610。管状主体602包括内部直径615，内部直径615的尺寸被设成接收管状构件305的第一端505或管状构件305的第二端510(如图5中所示)。管状主体600包括内部壁620和外部壁625。在第二端610与内部壁620之间的接口处展示了锥体630。
上端引导件600A的管状主体602在其第一端605处包括凸缘635。凸缘635从外部壁625径向向外延伸。凸缘635包括第一表面645、侧表面650、和第二表面655。第一表面645大致正交于内部壁620或外部壁625的平面。侧表面650大致平行于内部壁620或外部壁625的平面。第二表面655大致平行于第一表面645。接口660将第二表面655过渡到外部壁625。
上端引导件600A的第一表面645包括接触表面640，接触表面640适于接触(在管状构件305的一端上的)ESC基底组件105和(在管状构件305的另一端处的)连接器300。类似于上端引导件600A，下端引导件600B包括第一表面645。接触表面640包括涂层665。涂层665是聚合材料，例如含氟聚合物，包括但不限于基于全氟烷氧基烷烃(PFA)的材料。
图7是弹簧密封件385的一个实施例的示意性部分等距图。弹簧密封件385包括密封组件700。密封组件700包括聚合物主体705，聚合物主体705具有设置在聚合物主体705的通道715中的弹簧710。尽管图7将密封组件700示出为面密封件，但本文所述的实施例可包括具有聚四氟乙烯(PTFE)作为聚合物主体705的活塞(即，径向)密封或金属密封。本文所述的密封件提供用于在约-260摄氏度至约290摄氏度之间的温度下密封真空区域222。在可与本文描述的其他实施例组合的一个实施例中，弹簧710包括含有不锈钢、镍合金、镍铬合金和钴铬镍钼合金的材料。密封组件700允许在低温下密封ESC 103。密封组件700可在约-260摄氏度至约290摄氏度之间的温度下操作。
如本文所述的端引导件380为如图5中所述的真空路径500提供流动。端引导件380防止弹簧密封件385(在管状构件305的纵向(长度)方向上的)过度压缩，但允许管状构件305的有限的横向移动。然而，由于在使用期间温度改变而导致的基板支撑组件101的径向膨胀和收缩将造成管状构件305倾斜或连结。倾斜或连结可能造成制冷剂流体泄漏。然而，涂层665被用于减小ESC基底组件105与管状构件305的配合表面之间的摩擦，其中端引导件380位于其上。因此，在使用期间，当基板支撑组件101膨胀或收缩时，涂层665允许管状构件305相对于所述配合表面滑动。另外，涂层665是介电性的，这最小化或消除了真空路径500中或沿着真空路径500的电弧。
尽管前述内容针对本公开的示例，在不脱离本公开的基本范围的情况下，可设计本公开的其他和进一步的示例，并且本公开的范围由以下权利要求来确定。

Claims (20)

1.一种基板支撑组件，包括：
设施板；
接地板，所述接地板耦合至所述设施板；
流体导管，所述流体导管设置在所述基板支撑组件内并设置穿过所述设施板和所述接地板；以及
连接器，所述连接器耦合至所述接地板，所述接地板容纳所述流体导管的一部分，所述连接器包括偏置组件和紧固件，所述紧固件设置在形成在所述接地板中的袋部中。
2.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述偏置组件包括在所述紧固件与所述袋部之间耦合的多个弹簧形成件。
3.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述连接器包括环绕所述连接器的主体的滑动密封件。
4.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述连接器包括在所述连接器中形成的一个或多个真空通道。
5.如权利要求1所述的基板支撑组件，进一步包括静电吸盘和耦合至所述设施板的基底组件。
6.如权利要求5所述的基板支撑组件，进一步包括接合层，所述接合层在所述静电吸盘的底部表面与所述基底组件的顶部表面之间的接口处。
7.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述连接器由热垫片耦合至所述接地板的下表面。
8.如权利要求1所述的基板支撑组件，进一步包括端引导件，所述端引导件设置在所述流体导管的每个端处。
9.如权利要求8所述的基板支撑组件，其中所述端引导件包括设置在所述端引导件上的摩擦降低涂层。
10.一种基板支撑组件，包括：
基底组件，所述基底组件用于支撑静电吸盘；
设施板，所述设施板耦合至所述基底组件；
介电板，所述介电板耦合至所述设施板；
接地板，所述接地板耦合至所述设施板；
流体导管，所述流体导管设置在所述基板支撑组件内并设置穿过所述设施板和所述接地板；以及
连接器，所述连接器耦合至所述接地板，所述接地板容纳所述流体导管的一部分，所述连接器包括偏置组件和紧固件以及滑动密封件，所述紧固件设置在形成在所述接地板中的袋部中，所述滑动密封件环绕所述连接器的主体。
11.如权利要求10所述的基板支撑组件，进一步包括接合层，所述接合层设置在所述基底组件的顶部表面上。
12.如权利要求10所述的基板支撑组件，其中所述连接器由热垫片耦合至所述接地板的下表面。
13.如权利要求10所述的基板支撑组件，进一步包括端引导件，所述端引导件设置在所述流体导管的每个端处。
14.如权利要求13所述的基板支撑组件，其中所述端引导件包括设置在所述端引导件上的摩擦降低涂层。
15.如权利要求10所述的基板支撑组件，进一步包括绕着所述流体导管提供的套管。
16.如权利要求15所述的基板支撑组件，其中所述套管包括在所述套管的外表面与所述基底组件、所述介电板和所述接地板之间形成的间隙。
17.一种基板支撑组件，包括：
静电吸盘；
基底组件，所述基底组件耦合至所述静电吸盘；
设施板，所述设施板耦合至所述基底组件；
介电板，所述介电板耦合至所述设施板；
接地板，所述接地板耦合至所述设施板；
流体导管，所述流体导管设置在所述基板支撑组件内并设置穿过所述设施板和所述接地板；以及
连接器，所述连接器耦合至所述接地板，所述接地板容纳所述流体导管的一部分，所述连接器包括偏置组件和紧固件以及滑动密封件，所述紧固件设置在形成在所述接地板中的袋部中，所述滑动密封件环绕所述连接器的主体。
18.如权利要求17所述的基板支撑组件，进一步包括接合层，所述接合层设置在所述基底组件的顶部表面上。
19.如权利要求17所述的基板支撑组件，其中所述连接器由热垫片耦合至所述接地板的下表面。
20.如权利要求17所述的基板支撑组件，进一步包括端引导件，所述端引导件设置在所述流体导管的每个端处，其中所述端引导件包括设置在所述端引导件上的摩擦降低涂层。
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