KR20230004820A - 라디오 주파수 환경들을 위한 냉각된 기판 지지 조립체 - Google Patents

라디오 주파수 환경들을 위한 냉각된 기판 지지 조립체 Download PDF

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KR20230004820A
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비제이 디. 파르케
안드레아스 슈미드
앤드류 앙투안 누자임
스티븐 도널드 프라우티
알바로 가르시아 데 고로도
마틴 페레즈-구즈만
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

설비 플레이트, 설비 플레이트에 결합된 접지 플레이트, 기판 지지 조립체 내에 배치되며, 설비 플레이트 및 접지 플레이트를 관통하여 배치된 유체 도관, 및 접지 플레이트에 커플링되고, 유체 도관의 일부를 수납하는 커넥터를 포함하는 기판 지지 조립체가 본원에서 설명된다. 커넥터는 접지 플레이트에 형성된 포켓에 배치된 패스너 및 바이어싱 조립체를 포함한다.

Description

라디오 주파수 환경들을 위한 냉각된 기판 지지 조립체
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 반도체 챔버 컴포넌트들에 관한 것으로, 보다 구체적으로 고주파 전기장들에서 사용하기 위한 냉각된 기판 지지 조립체에 관한 것이다.
[0002] 나노미터 및 더 작은 피처들을 신뢰 가능하게 생산하는 것은 반도체 디바이스들의 차세대 VLSI(very large scale integration) 및 ULSI(ultra-large-scale integration)에 대한 핵심 기술 난제들 중 하나이다. 그러나 회로 기술의 한계들이 푸시(push)됨에 따라, VLSI 및 ULSI 상호 연결 기술의 치수들의 축소가 프로세싱 성능들에 대해 부가적인 요구들을 제기하였다. 기판 상의 게이트 구조들의 신뢰 가능한 형성은 VLSI 및 ULSI 성공을 위해 중요하고, 그리고 개별적인 기판들 및 다이의 품질 및 회로 밀도를 증가시키기 위한 계속되는 노력에 대해 중요하다.
[0003] 제조 비용을 줄이기 위해, IC(integrated chip) 제조자들은 프로세싱되는 모든 각각의 실리콘 기판으로부터 더 양호한 디바이스 수율 및 성능 및 더 높은 처리량을 요구한다. 현재 개발 중인 차세대 디바이스들에 대해 탐색중인 일부 제조 기술들은 극저온 온도들에서의 프로세싱을 요구한다. 극저온 온도에서 균일하게 유지되는 기판을 건식 반응성 이온 에칭하는 것은 매끄러운 수직 측벽들을 갖는 트렌치들이 형성되도록, 이온들이 감소된 자발적 에칭으로 기판 상에 배치된 재료들의 상향 대면 표면들에 충격을 가하는 것을 가능하게 한다. 부가적으로, 극저온 온도에서 하나의 재료 대 다른 재료를 에칭하는 선택성이 개선될 수 있다. 예컨대, 실리콘(Si)과 실리콘 이산화물(SiO2) 사이의 선택성은 온도가 감소함에 따라 지수적으로 증가한다.
[0004] 극저온 온도 프로세싱을 가능하게 하도록 기판 지지 조립체를 동작시키는 것은 종종 기판 지지 조립체를 통해 순환되는 냉각제들의 사용에 의존한다. 접지될 뿐만 아니라 전력이 공급되는 기판 지지 조립체의 냉각제 스팬 부분들을 라우팅하는 데 사용되는 도관들로서, 냉각제들 및 도관들은 단락을 방지하기에 충분히 전기적으로 절연성이어야 한다. 그러나 절연 도관들 내의 냉각제의 유동은 시간이 지남에 따라 튜빙(tubing) 상의 전하 축적을 야기할 수 있으며, 이는 도관과 기판 지지 조립체의 접지된 부분들 사이에 아킹(arcing)을 야기하기에 충분하다. 또한, 기판 지지 조립체의 냉각 및 가열은 도관들에서 누출을 야기할 수 있는 팽창 및 수축을 야기한다. 아킹 및/또는 냉각제 누출은 다수의 문제들을 야기하거나 기여할 수 있다.
[0005] 따라서, 개선된 기판 지지 조립체가 필요하다.
[0006] 극저온 온도들에서 유체를 운반하기 위한 하나 이상의 유체 도관들을 포함하는 기판 지지 조립체들이 본원에서 설명된다. 유체 도관들은 아킹을 감소시키도록 구성된다.
[0007] 일 실시예에서, 설비 플레이트, 설비 플레이트에 결합된 접지 플레이트, 기판 지지 조립체 내에 배치되며, 설비 플레이트 및 접지 플레이트를 관통하여 배치된 유체 도관, 및 접지 플레이트에 커플링되고, 유체 도관의 일부를 수납하는 커넥터를 포함하는 기판 지지 조립체가 본원에서 설명된다. 커넥터는 접지 플레이트에 형성된 포켓에 배치된 패스너 및 바이어싱 조립체를 포함한다.
[0008] 다른 실시예에서, 정전 척을 지지하기 위한 베이스 조립체, 베이스 조립체에 커플링된 설비 플레이트, 설비 플레이트에 커플링된 유전체 플레이트, 설비 플레이트에 커플링되는 접지 플레이트, 기판 지지 조립체 내에 배치되며, 설비 플레이트 및 접지 플레이트를 관통하여 배치된 유체 도관, 및 접지 플레이트에 커플링되고, 유체 도관의 일부를 수납하는 커넥터를 포함하는 기판 지지 조립체가 설명된다. 커넥터는 접지 플레이트에 형성된 포켓에 배치된 패스너 및 바이어싱 조립체를 포함한다. 슬라이딩 밀봉부가 커넥터의 바디를 둘러싼다.
[0009] 다른 실시예에서, 정전 척, 정전 척에 커플링된 베이스 조립체, 베이스 조립체에 커플링된 설비 플레이트, 설비 플레이트에 커플링된 유전체 플레이트, 설비 플레이트에 커플링되는 접지 플레이트, 기판 지지 조립체 내에 배치되며, 설비 플레이트 및 접지 플레이트를 관통하여 배치된 유체 도관, 및 접지 플레이트에 커플링되고, 유체 도관의 일부를 수납하는 커넥터를 포함하는 기판 지지 조립체가 본원에서 설명된다. 커넥터는 접지 플레이트에 형성된 포켓에 배치된 패스너 및 바이어싱 조립체를 포함한다. 슬라이딩 밀봉부가 커넥터의 바디를 둘러싼다.
[0010] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나 첨부된 도면들은 단지 예시적인 실시예들을 예시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하고, 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있다는 것이 주목되어야 한다.
[0011] 도 1은 일 실시예에 따른 예시적인 플라즈마 프로세싱 챔버의 단면 개략도이다.
[0012] 도 2는 일 실시예에 따른 예시적인 기판 지지 조립체의 개략적인 단면도이다.
[0013] 도 3은 도 2의 기판 지지 조립체의 일부의 단면도이다.
[0014] 도 4는 본원에서 개시된 바와 같은 커넥터의 등각도이다.
[0015] 도 5는 본원에서 설명된 바와 같은 기판 지지 조립체를 통한 진공 경로의 일 실시예를 도시하는 개략적인 단면도이다.
[0016] 도 6a 및 도 6b는 각각 도 3 및 도 5에 설명된 바와 같이 관형 부재와 함께 단부 가이드들로서 사용될 수 있는 상단 가이드 및 하단 가이드의 단면도들이다.
[0017] 도 7은 스프링 밀봉부의 일 실시예의 부분 등각도이다.
[0018] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들이 추가적인 설명 없이 다른 실시예들에 유익하게 포함될 수 있는 것으로 고려된다.
[0019] 본원에서 설명된 실시예는, 프로세싱 챔버의 다른 표면들이 상이한 온도로 유지되는 반면 정전 척(electrostatic chuck; ESC) 상에 배치된 기판은 프로세싱에 적합한 극저온 프로세싱 온도로 유지되도록 정전 척의 극저온 온도 동작을 가능하게 하는 기판 지지 조립체를 제공한다. 극저온 프로세싱 온도(즉, 기판의 온도)는 기판 지지부에서 -10℃ 미만의 온도를 지칭하는 것으로 의도된다.
[0020] 기판 지지 조립체가 에칭 프로세싱 챔버에서 아래에 설명되지만, 기판 지지 조립체는 다른 유형들의 플라즈마 프로세싱 챔버들, 이를테면, 특히, 물리 기상 증착 챔버들, 화학 기상 증착 챔버들, 이온 주입 챔버들, 및 극저온 프로세싱 온도에서 유지되는 기판을 프로세싱하는 것이 바람직한 다른 시스템들에서 활용될 수 있다. 그러나 본원에서 설명된 기판 지지 조립체들 및 챔버 컴포넌트들은 다른 프로세싱 온도들에서 활용될 수 있다는 것이 주의되어야 한다.
[0021] 도 1은 기판 지지 조립체(101)를 갖는, 에칭 챔버로서 구성된 것으로 도시된 예시적인 플라즈마 프로세싱 챔버(100)의 단면 개략도이다. 위에서 언급된 바와 같이, 기판 지지 조립체(101)는 다른 유형들의 플라즈마 프로세싱 챔버들, 예컨대, 다른 것들 중에서도, 플라즈마 처리 챔버들, 어닐링 챔버들, 물리 기상 증착 챔버들, 화학 기상 증착 챔버들 및 이온 주입 챔버들뿐만 아니라 극저온 프로세싱 온도에서 기판(124)과 같은 워크피스(workpiece)의 표면을 균일하게 유지하는 능력이 바람직한 다른 시스템들에서 활용될 수 있다. 극저온 프로세싱 온도에서 유지되는 기판(124)을 건식 반응성 이온 에칭하는 것은 매끄러운 수직 측벽들을 갖는 트렌치들이 형성되도록, 이온들이 감소된 자발적 에칭으로 기판(124) 상에 배치된 재료들의 상향 대면 표면들에 충격을 가하는 것을 가능하게 한다. 예컨대, 극저온 프로세싱 온도에서 균일하게 유지되는 기판(124) 상에 배치된 로우-k 유전체 재료의 다공성들에서의 이온들의 확산은 감소되는 반면, 이온들은 로우-k 유전체 재료의 상향 대면 표면에 계속 충격을 가하여 매끄러운 수직 측벽들을 갖는 트렌치들을 형성한다. 부가적으로, 극저온 프로세싱 온도에서 하나의 재료 대 다른 재료를 에칭하는 선택성이 개선될 수 있다. 예컨대, 실리콘(Si)과 실리콘 이산화물(SiO2) 사이의 선택성은 온도가 감소함에 따라 지수적으로 증가한다.
[0022] 플라즈마 프로세싱 챔버(100)는 프로세싱 구역(110)을 밀폐하는 측벽들(104), 바닥(106) 및 리드(108)를 갖는 챔버 바디(102)를 포함한다. 주입 장치(112)는 챔버 바디(102)의 측벽들(104) 및/또는 리드(108)에 커플링된다. 가스 패널(114)은 주입 장치(112)에 커플링되고 프로세스 가스들이 프로세싱 구역(110) 내로 제공되는 것을 허용한다. 주입 장치(112)는 하나 이상의 노즐 또는 유입구 포트들, 또는 대안적으로 샤워헤드일 수 있다. 임의의 프로세싱 부산물과 함께, 프로세스 가스들은 챔버 바디(102)의 측벽들(104) 또는 바닥(106)에 형성된 배기 포트(116)를 통해 프로세싱 구역(110)으로부터 제거된다. 배기 포트(116)는 프로세싱 구역(110) 내의 진공 레벨을 제어하는 데 활용되는 스로틀 밸브들 및 펌프들을 포함하는 펌핑 시스템(140)에 커플링된다. 프로세싱 부산물들은 또한 펌핑 시스템(140)을 사용하여 배기 포트(116)를 통해 제거된다.
[0023] 프로세스 가스들은 프로세싱 구역(110) 내에 플라즈마를 형성하도록 에너자이징(energize)될 수 있다. 프로세스 가스들은 RF 전력을 프로세스 가스들에 용량성으로 또는 유도성으로 커플링함으로써 에너자이징될 수 있다. 도 1에 묘사된, 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일 실시예에서, 복수의 코일들(118)이 플라즈마 프로세싱 챔버(100)의 리드(108) 위에 배치되고 매칭 회로(120)를 통해 RF 전원(122)에 커플링된다.
[0024] 기판 지지 조립체(101)는 주입 장치(112) 아래의 프로세싱 구역(110)에 배치된다. 기판 지지 조립체(101)는 정전 척(ESC)(103) 및 ESC 베이스 조립체(105)를 포함한다. ESC 베이스 조립체(105)는 ESC(103) 및 설비 플레이트(107)에 커플링된다. 접지 플레이트(111)에 의해 지지되는 설비 플레이트(107)는 기판 지지 조립체(101)와의 전기, 냉각, 가열 및 가스 연결들을 용이하게 하도록 구성된다. 접지 플레이트(111)는 프로세싱 챔버의 바닥(106)에 의해 지지된다. 유전체 플레이트(109)는 접지 플레이트(111)로부터 설비 플레이트(107)를 전기적으로 절연시킨다.
[0025] ESC 베이스 조립체(105)는 극저온 칠러(cryogenic chiller)(117)에 유체적으로 커플링된 베이스 채널(115)을 포함한다. 극저온 칠러(117)는 냉매와 같은 베이스 유체를 베이스 채널(115)에 제공하여서, ESC 베이스 조립체(105), 및 결과적으로 기판(124)이 미리 결정된 극저온 온도로 유지될 수 있게 한다. 유사하게, 설비 플레이트(107)는 칠러(119)에 유체적으로 커플링된 설비 채널(113)(도 2에서 추가로 설명됨)을 포함한다. 칠러(119)는 설비 플레이트(107)가 미리 결정된 온도에서 유지되도록 설비 채널(113)에 설비 유체를 제공한다. 일 예에서, 베이스 유체는 설비 플레이트(107)의 온도보다 낮은 온도로 ESC 베이스 조립체(105)를 유지한다.
[0026] ESC(103)는 지지 표면(130) 및 지지 표면(130) 맞은편의 바닥 표면(132)을 갖는다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일 실시예에서, ESC(103)는 세라믹 재료 이를테면, 알루미나(Al2O3), 알루미늄 질화물(AlN) 또는 다른 적합한 재료로 제조된다. 대안적으로, ESC(103)는 폴리머, 이를테면 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤(polyetheretherketone), 폴리아릴에테르케톤(polyaryletherketone ) 등으로 제조될 수 있다.
[0027] 본드 층(133)은 ESC(103)의 바닥 표면(132)과 ESC 베이스 조립체(105)의 최상부 표면(134) 사이의 계면에 제공된다. ESC(103) 및 ESC 베이스 조립체(105)는 실질적으로 유사한 CTE(coefficient of thermal expansion)를 갖는 재료들로부터 선택된다. ESC(103)는 알루미나(Al2O3) 또는 알루미늄 질화물(AlN)로 만들어질 수 있다. ESC 베이스 조립체(105)는 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 세라믹, 또는 이들의 조합들로 만들어질 수 있다. 본드 층(133)의 예시적인 재료들은 인듐(In), Al, 실리콘(Si 함유), 퍼플루오로폴리머(perfluoropolymer) 또는 이들의 조합들 및 합금들을 포함한다. 일 애플리케이션에서, 알루미늄 산화물 ESC와 관련하여 CTE를 갖는 Mo 및 Al의 합금(약 5-40% 알루미늄)이 ESC 베이스 조립체(105)에 대해 사용된다. 본드 층(133)은 동작 동안 약 90℃ 내지 약 -200℃의 온도에서 ESC(103) 및 ESC 베이스 조립체(105)의 CTE의 작은 차이들로 인해 스트레인(strain)이 흡수되는 것을 허용한다. 본드 층(133)은 세라믹 분말과 혼합되어 열 전도율을 개선할 수 있으며, 이는 전도를 통해 ESC(103) 및 ESC 베이스 조립체(105)로부터 개선된 열 전달을 제공하며, 이는 ESC(103)의 동작을 향상시킨다.
[0028] ESC(103)는 그 내부에 배치된 척킹 전극(126)을 포함한다. 척킹 전극(126)은 단극성 또는 양극성 전극 또는 다른 적합한 어레인지먼트로서 구성될 수 있다. 척킹 전극(126)은 RF 필터 및 설비 플레이트(107)를 통해 척킹 전원(135)에 커플링되고, 이 척킹 전원(135)은 ESC(103)의 지지 표면(130)에 기판(124)을 정전기적으로 고정하기 위해 DC 전력을 제공한다. RF 필터는, 플라즈마 프로세싱 챔버(100) 내에 플라즈마(도시되지 않음)를 형성하기 위해 활용되는 RF 전력이 전기 장비를 손상시키거나 또는 챔버 외부에 전기적 위험을 제공하는 것을 방지한다.
[0029] ESC(103)는 그 내부에 매립된 하나 이상의 저항성 히터들(128)을 포함한다. 저항성 히터들(128)은 ESC 베이스 조립체(105)에 의해 냉각되는 ESC(103)의 온도를 제어하는 데 활용되어서, 기판 지지 조립체(101)의 지지 표면(130) 상에 배치된 기판(124)을 프로세싱하기에 적합한 극저온 프로세싱 온도가 유지될 수 있다. 저항성 히터들(128)은 설비 플레이트(107) 및 RF 필터를 통해 히터 전원(136)에 커플링된다. RF 필터는, 플라즈마 프로세싱 챔버(100) 내에 플라즈마(도시되지 않음)를 형성하기 위해 활용되는 RF 전력이 전기 장비를 손상시키거나 또는 챔버 외부에 전기적 위험을 제공하는 것을 방지한다. 히터 전원(136)은 저항성 히터들(128)에 500와트 이상의 전력을 제공할 수 있다. 히터 전원(136)은 일반적으로 기판(124)을 미리 결정된 극저온 온도로 가열하도록 설정되는, 히터 전원(136)의 동작을 제어하는 데 활용되는 제어기(도시되지 않음)를 포함한다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일 실시예에서, 저항성 히터들(128)은 복수의 측방향으로 분리된 가열 존들을 포함하고, 여기서 제어기는 저항성 히터들(128)의 적어도 하나의 존이 다른 존들 중 하나 이상에 위치된 저항성 히터들(128)에 비해 우선적으로 가열되는 것을 가능하게 한다. 예컨대, 저항성 히터들(128)은 복수의 분리된 가열 존들에서 동심적으로 배열될 수 있다. 저항성 히터들(128)은 프로세싱에 적합한 극저온 프로세싱 온도로 기판(124)을 유지한다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일 실시예에서, 극저온 프로세싱 온도는 약 -10℃ 미만이다. 예컨대, 극저온 프로세싱 온도는 약 -200℃까지 떨어지는 것을 포함하여, 약 -10℃ 내지 약 -150℃이다.
[0030] 극저온 칠러(117)는 ESC 베이스 조립체(105)가 미리 결정된 극저온 온도에서 유지되도록, 베이스 채널(115)의 유입구(254)(도 2)에 연결된 베이스 유입구 도관(123)을 통해 그리고 베이스 채널(115)의 유출구(256)(도 2)에 연결된 베이스 유출구 도관(125)을 통해 베이스 채널(115)과 유체 연통한다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일 실시예에서, 극저온 칠러(117)는 베이스 유체의 온도를 제어하기 위해 인터페이스 박스에 커플링된다. 베이스 유체는 동작 압력들에서 -50℃ 미만의 극저온 온도로 액체를 유지하는 조성물을 포함한다. 베이스 유체는 일반적으로 유전체이거나 전기 절연성이어서, 기판 지지 조립체(101)를 통해 순환될 때 베이스 유체를 통해 전기 경로가 형성되지 않는다. 적합한 베이스 유체의 비-제한적인 예는 플루오르화 열전달 유체들을 포함한다. 극저온 칠러(117)는 ESC 베이스 조립체(105)의 베이스 채널(115)을 통해 순환되는 베이스 유체를 제공한다. 베이스 채널(115)을 통해 유동되는 베이스 유체는 ESC 베이스 조립체(105)가 극저온 온도로 유지되는 것을 가능하게 하며, 이는 ESC(103) 상에 배치된 기판(124)이 극저온 프로세싱 온도에서 균일하게 유지되도록 ESC(103)의 측방향 온도 프로파일을 제어하는 것을 보조한다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일 실시예에서, 극저온 칠러(117)는 약 -50℃ 미만의 극저온 온도를 유지하도록 동작 가능한 단일-스테이지 칠러이다. 본원에서 설명된 다른 실시예들에서 결합될 수 있는 다른 실시예에서, 극저온 칠러(117)는 베이스 유체가 -50℃ 미만의 극저온 온도로 유지되도록 2-스테이지 칠러 내부의 냉매를 활용하는 2-스테이지 칠러이다.
[0031] 칠러(119)는 설비 플레이트(107)가 미리 결정된 주변 온도에서 유지되도록, 설비 채널(113)의 유입구(240)(도 2)에 연결된 설비 유입구 도관(127)을 통해 그리고 설비 채널(113)의 유출구(242)(도 2)에 연결된 설비 유출구 도관(129)을 통해 설비 채널(113)과 유체 연통한다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일 실시예에서, 칠러(119)는 설비 유체의 온도를 제어하기 위해 인터페이스 박스에 커플링된다. 설비 유체는 약 -10℃ 내지 약 60℃의 주변 온도를 유지할 수 있는 재료를 포함할 수 있다. 칠러(119)는 설비 플레이트(107)의 설비 채널(113)을 통해 순환되는 설비 유체를 제공한다. 설비 유체는 일반적으로 유전체이거나 전기 절연성이어서, 기판 지지 조립체(101)를 통해 순환될 때 설비 유체를 통해 전기 경로가 형성되지 않는다. 적합한 설비 유체의 비-제한적인 예는 플루오르화 열전달 유체들을 포함한다. 설비 채널(113)을 통해 유동하는 설비 유체는 설비 플레이트(107)가 미리 결정된 주변 온도로 유지되는 것을 가능하게 하고, 이는 미리 결정된 주변 온도로 유전체 플레이트(109)를 유지하는 것을 보조한다.
[0032] 도 2는 일 실시예에 따른 예시적인 기판 지지 조립체(101)의 개략적인 단면도이다. 기판 지지 조립체(101)는 ESC(103) 위에 배치된 기판(124)이 극저온 프로세싱 온도에서 유지되도록 ESC(103)의 극저온 온도 동작을 가능하게 하기 위해 구성된다. ESC(103)는 ESC 베이스 조립체(105)에 커플링된다. 척킹 전극(126)은 설비 플레이트(107)의 하부 절연체(212) 및 ESC 베이스 조립체(105)의 상부 절연체(214)에 있는 제1 보어(208)를 통해 배치된 제1 절연 와이어(204)를 통해 척킹 전원(135)에 커플링된다. 하나 이상의 저항성 히터들(128)은 설비 플레이트(107)의 하부 절연체(212) 및 ESC 베이스 조립체(105)의 상부 절연체(214)에 있는 제2 보어(210)를 통해 배치된 제2 절연 와이어(206)를 통해 히터 전원(136)에 커플링된다. 일부 실시예에서, ESC 베이스 조립체(105)는 상부 플레이트(215) 및 하부 플레이트(217)를 포함한다. 열 브레이크(thermal break)(227)가 상부 플레이트(215)와 하부 플레이트(217) 사이에 제공된다. 상부 플레이트(215)는 Mo로 만들어질 수 있는 반면 하부 플레이트(217)는 Al이다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일 실시예에서, 열 브레이크(227)는 폴리아미드-이미드(PAI) 또는 폴리이미드(PI) 함유 재료를 포함한다.
[0033] 설비 플레이트(107)는 플레이트 부분(229) 및 벽 부분(230)을 포함한다. 설비 플레이트(107)의 플레이트 부분(229)은 ESC 베이스 조립체(105)와 설비 플레이트(107) 사이에 진공 구역(222)이 존재하도록 하나 이상의 제1 나사 조립체들(220)로 ESC 베이스 조립체(105)에 커플링된다. 하나 이상의 제1 나사 조립체들(220) 각각은 바이어싱 엘리먼트(226)를 통해 설비 플레이트(107)와 접촉하고 ESC 베이스 조립체(105)의 스레드 홀(threaded hole)(228)에 삽입된 볼트(224)를 포함한다.
[0034] 바이어싱 엘리먼트(226)는 압축될 때 힘을 생성하기 위해 활용된다. 적합한 바이어싱 엘리먼트들(226)은 코일 스프링들, 스프링 폼(spring form)들, 및 엘라스토머들을 포함한다. 일 예에서, 바이어싱 엘리먼트(226)는 복수의 벨빌 와셔(Belleville washer)들이다. 바이어싱 엘리먼트(226)는 볼트(224)를 조임으로써 압축되어서, 설비 플레이트(107)가 ESC 베이스 조립체(105)에 대해 강제되게 한다(즉, 미리 로딩됨).
[0035] 동작에서, ESC 베이스 조립체(105)는 일반적으로 RF 고온 조건으로 유지된다. 설비 플레이트(107)는 벽 부분(230)을 포함하고 밀봉부(232)에 의해 ESC(103)에 커플링된다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일 실시예에서, 설비 플레이트(107)의 하부 절연체(212)는 밀봉부(232)를 통해 진공 구역(222)을 유지한다. 밀봉부(232)에 의해 ESC(103)에 커플링된 벽 부분(230)은 프로세스 가스들과의 접촉으로 인한 잠재적인 부식 및/또는 침식으로부터 ESC 베이스 조립체(105)의 재료들을 보호한다.
[0036] 진공 구역(222)은 ESC(103), ESC 베이스 조립체(105), 설비 플레이트(107) 및 밀봉부(232)에 의해 정의된다. 진공 구역(222)은 냉각된 ESC(103)의 후방 측 상의 응결을 방지하고, 프로세싱 구역(110)(도 1에 도시됨)의 압력과 독립적인 압력을 가짐으로써 프로세스 가스들이 기판 지지 조립체(101)에 진입하는 것을 방지하고, ESC 베이스 조립체(105)와 설비 플레이트(107) 사이의 열적 격리를 제공한다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일 실시예에서, 설비 플레이트(107)는 알루미늄 함유 재료들을 포함한다.
[0037] 설비 플레이트(107)의 설비 채널(113)은 설비 플레이트에서 기계가공되고 커버(238)로 밀봉된다. 일 예에서, 커버(238)는 설비 채널(113)을 밀봉하기 위해 설비 플레이트(107)에 용접된다. 설비 채널(113)의 유입구(240)는 유전체 플레이트(109) 및 접지 플레이트(111)를 통해 배치된 유입구 도관(244)과 유체 연통한다. 설비 채널(113)의 유출구(242)는 유전체 플레이트(109) 및 접지 플레이트(111)를 통해 배치된 유출구 도관(246)과 유체 연통한다. 유입구 도관(244) 및 유출구 도관(246)은 설비 유입구 도관(127)에 연결된 연결 유입구(250) 및 설비 유출구 도관(129)에 연결된 연결 유출구(252)를 갖는다. 동작에서, 설비 플레이트(107)는 일반적으로 RF 고온 조건으로 유지된다.
[0038] ESC 베이스 조립체(105)의 베이스 채널(115)은 설비 플레이트(107), 유전체 플레이트(109), 및 접지 플레이트(111)를 통해 배치된 유입구 도관(258)과 유체 연통하는 유입구(254)를 포함한다. 베이스 채널(115)의 유출구(256)는 설비 플레이트(107), 유전체 플레이트(109) 및 접지 플레이트(111)를 통해 배치된 유출구 도관(260)과 유체 연통한다. 유입구 도관(258) 및 유출구 도관(260)은 기판 지지 조립체(101)의 진공 구역(222) 내에 배치된다. 유입구 도관(258) 및 유출구 도관(260)은 개개의 인터페이스 블록(270)에 연결된다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일 실시예에서, 인터페이스 블록(270)은 스테인리스 강으로 제조된다. 유입구 도관(258)은 유체 유입구 도관(266) 및 진공 채널(262)을 포함한다. 재킷형 유출구 도관(260)은 유체 유출구 도관(268) 및 진공 채널(264)을 포함한다. 인터페이스 블록(270)은 도 3에서 더 상세히 설명된다.
[0039] 유입구 도관(258) 및 유출구 도관(260)은 베이스 유입구(272), 진공 채널(276), 베이스 유출구(274) 및 진공 채널(278)을 포함한다. 베이스 유입구(272)는 유체 유입구 도관(266)을 베이스 유입구 도관(123)에 연결한다. 베이스 유출구(274)는 유체 유출구 도관(268)을 베이스 유출구 도관(125)에 연결한다. 진공 채널(276)은 진공 소스(284)와 유체 연통하는 진공 도관(280)에 연결되고, 진공 채널(278)은 진공 소스(284)와 유체 연통하는 진공 도관(282)에 연결된다. 진공 채널(276) 및 진공 채널(278) 둘 모두는 진공 구역(222)과 유체 연통한다. 진공 소스(284)를 진공 구역(222)에 커플링하는 것은 프로세싱 구역(110)의 압력과 독립적인 압력이 진공 구역(222)에서 유지되는 것을 가능하게 한다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일 실시예에서, 유체 유입구 도관(266) 및 유체 유출구 도관(268)은 진공 구역(222)에서 압력을 유지하기 위해 밀봉부(232)에 의해 ESC 베이스 조립체(105)에 커플링된다.
[0040] 기판 지지 조립체(101)는 또한 플라즈마 프로세싱 챔버(100) 안팎으로의 로봇식 이송을 용이하게 하기 위해 ESC(103)의 지지 표면(130) 위로 기판(124)을 상승시키기 위한 리프트 핀들(도시되지 않음)을 수용하기 위한 하나 이상의 리프트 핀 조립체들(286)을 포함할 수 있다. 하나 이상의 리프트 핀 조립체들(286) 각각은 ESC(103), ESC 베이스 조립체(105), 설비 플레이트(107), 유전체 플레이트(109), 및 접지 플레이트(111)를 통해 배치된 리프트 핀 가이드(288)를 포함한다. ESC 베이스 조립체(105)를 통해 배치된 리프트 핀 가이드(288)의 일부(290)는 리프트 핀 가이드(288)를 제 포지션에 홀딩하는 스레드 부싱(threaded bushing)(292)에 의해 둘러싸인다. 리프트 핀 가이드(288)는 챔버 진공 및 절연을 유지하기 위해 밀봉부(232)에 의해 ESC(103)에 커플링된다. 본 명세서에 설명된 다른 실시예와 결합될 수 있는 일 실시예에서, ESC(103)는 헬륨과 같은 후방 측 열 전달 가스를 ESC(103)의 지지 표면(130) 및 기판(124)의 후방 측에 제공하기 위한 하나 이상의 가스 통로들(도시되지 않음)을 포함한다.
[0041] 도 3은 도 2의 기판 지지 조립체(101)의 일부의 단면도이다. 인터페이스 블록(270)은 기판 지지 조립체(101)에 대한 유체 유출구 도관(268)의 커플링을 용이하게 하는 커넥터(300)를 포함한다. 특히, 커넥터(300)는 유체 유출구 도관(268)의 관형 부재(305)를 접지 플레이트(111)에 커플링한다. 상세하게 도시되거나 설명되지 않았지만, 유체 유입구 도관(266)은 도 3에 설명된 바와 같이 전용 인터페이스 연결(즉, 인터페이스 블록(270)), 커넥터(즉, 커넥터(300)) 및 관형 부재(즉, 관형 부재(305))를 포함한다.
[0042] 커넥터(300)는 나사 또는 볼트와 같은 적어도 하나의 패스너(310)에 의해 접지 플레이트(111)에 커플링되는 바디(302)를 포함한다. 도 3의 단면도에서, 단 하나의 패스너만이 도시되지만, 커넥터(300)를 접지 플레이트(111)에 커플링하기 위해 최대 약 3개의 패스너들이 활용된다. 접지 플레이트(111)의 일부는 내부에 형성된 포켓(315)을 포함한다. 도 3의 단면도에서, 단 하나의 포켓만이 도시되지만, 포켓들의 수는 커넥터(300)와 함께 활용되는 패스너들의 수와 동일하다. 패스너(310)에 커플링된 바이어싱 조립체(320)는 포켓(315)에 포지셔닝된다. 바이어싱 조립체(320)는 패스너(310) 및 포켓(315)뿐만 아니라 서로에 대해 바이어싱되는 복수의 스프링 폼들(325)을 포함한다. 스프링 폼들(325) 각각은 기판 지지 조립체(101)의 온도에 기초하여 압축 및 팽창된다. 예컨대, 냉매가 기판 지지 조립체(101)에 제공될 때(예컨대, 기판 지지 조립체(101)가 칠링될 때), 스프링 폼들(325)이 팽창된다. 기판 지지 조립체(101)가 칠링되지 않을 때, 스프링 폼들(325)은 압축된다. 따라서, 바이어싱 조립체(320)(커넥터(300), 스프링 폼들(325) 및 포켓(315) 중 하나 또는 조합)는 사용 동안 접지 플레이트(111)에 대해 커넥터(300)의 적어도 수직(Z 방향) 움직임을 허용한다. 스프링 폼들(325) 각각은 벨빌 와셔와 같은 디스크-스프링 와셔일 수 있다.
[0043] 커넥터(300)는 또한 동적 또는 슬라이딩 밀봉부(335)의 일부를 정의하는 환형 포켓(330)을 포함한다. 슬라이딩 밀봉부(335)는 또한 O-링과 같은 엘라스토머 밀봉부(340)를 포함한다. 슬라이딩 밀봉부(335)는 사용 동안 접지 플레이트(111)에 대한 커넥터(300)의 수직 움직임을 허용하고 주변압 또는 대기압으로부터 진공 또는 부압들을 유지한다. 예컨대, 관형 부재(305)의 길이를 따라 관형 부재(305)의 외부 표면과 커넥터(300), 유전체 플레이트(109) 및 접지 플레이트(111)의 부분들 사이에 형성된 갭(345)은 기판 지지 조립체(101)의 사용 동안 진공 압력들로 유지된다. 대조적으로, 커넥터(300)의 외부 표면들(350)은 주변 또는 대기 조건들과 유체 연통한다. 따라서, 슬라이딩 밀봉부(335)는 커넥터(300) 내부 및 외부에서 압력들을 유지하는 기밀 밀봉부를 포함한다. 부가적으로, 사용 동안, 슬라이딩 밀봉부(335) 근처의 기판 지지 조립체(101)의 온도는 실온 또는 그 근처에 있으며, 이는 엘라스토머 밀봉부(340)의 열화를 방지한다.
[0044] 커넥터(300)는 또한 열 개스킷(360)에 의해 접지 플레이트(111)의 하부 표면(355)에 커플링된다. 열 개스킷(360)은 패드 형태의 열전도성 겔 재료이다. 열 개스킷(360)은 실리콘 재료를 포함한다. 커넥터(300)는 또한 하나 이상의 제1 또는 하부 채널들(365) 및 하나 이상의 제2 또는 상부 채널들(370)을 포함한다. 하부 채널들(365) 중 단 하나 그리고 상부 채널(370) 중 단 하나만이 도 3의 단면도에 도시되지만, 커넥터(300)는 3개, 4개 또는 그 이상의 하부 채널들(365) 및 상부 채널들(370) 각각을 가질 수 있다. 아래에서 더 상세히 설명되는 바와 같이, 하부 채널들(365) 및 상부 채널들(370)은 관형 부재(305) 주위에서 진공 펌핑을 허용한다. 예컨대, 음압들이 갭(345)을 통해 제공될 수 있고, 하부 채널들(365) 및 상부 채널들(370)을 통한 펌핑에 의해 가능해진다.
[0045] 관형 부재(305)는 극저온 칠러(117)에 냉매를 유동시키기 위해 그의 길이를 따라 형성된 채널(375)을 포함한다. 관형 부재(305)는 또한 단부 가이드(380)뿐만 아니라 스프링 밀봉부(385)를 포함한다. 도 5에서 아래에서 설명될 바와 같이, 관형 부재(305)는 그의 양 단부들에 단부 가이드(380) 및 스프링 밀봉부(385)를 포함한다. 도 6에서 더 상세히 설명될 바와 같이, 단부 가이드(380)는 스프링 밀봉부(385)를 제 포지션에 홀딩하고 그리고/또는 스프링 밀봉부(385)의 압축을 제한한다. 단부 가이드(380)의 단부들은 또한 기판 지지 조립체(101)의 방사상 팽창 및 수축으로 인한 관형 부재(305)의 틸팅(tilting)을 방지한다. 예컨대, 단부 가이드(380)는 기판 지지 조립체(101)의 사용 동안 관형 부재(305)가 X/Y 평면에서 측방향으로 이동하는 것(예컨대, 방사상 팽창 및 수축)을 허용한다. 단부 가이드(380)는 또한 ESC(103) 및 커넥터(300)와 관형 부재(305)의 계면에서 아킹을 최소화하면서 진공 펌핑을 허용한다.
[0046] 도 4는 본원에서 개시된 바와 같은 커넥터(300)의 등각도이다. 커넥터(300)는 관형 부재(305)(도 3에 도시됨)를 수용하도록 크기가 정해진 중심 개구(400)를 포함한다. 부가적으로, 커넥터(300)는 또한 플랜지(405)를 포함한다. 플랜지(405)는 패스너(310)(도 3에 도시됨)를 수용하도록 각각 구성된 복수의 관통 구멍들(410)을 포함한다. 커넥터(300)는 또한 제1 또는 상부 숄더(415) 및 제2 또는 하부 숄더(420)를 포함한다. 환형 포켓(330)(도 3에 도시됨)은 상부 숄더(415)와 하부 숄더(420) 사이에 형성된다.
[0047] 도 5는 기판 지지 조립체(101)를 통한 진공 경로(500)의 일 실시예를 도시하는 개략적인 단면도이다. 진공 경로(500)는 도 5에서 화살표들에 의해 도시된다. 진공 경로(500)는 관형 부재(305)의 제1 단부(505)로부터 관형 부재(305)의 제2 단부(510)까지의 컨덕턴스 경로이다. 컨덕턴스 경로는 갭(345)으로의 단부 가이드(380) 내부 또는 주변의 틈새 공간들(515)을 통한 유동을 포함한다. 일부 실시예에서, 관형 부재(305)의 외부 표면의 일부는 슬리브(520)를 포함한다. 슬리브(520)는 자신의 외부 표면과 ESC 베이스 조립체(105), 유전체 플레이트(109) 및 접지 플레이트(111) 사이에 형성된 갭(525)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 갭(345)은 제1 또는 내부 채널(530)이고 갭(525)은 제2 또는 외부 채널(535)이다. O-링들과 같은 밀봉부들(540)뿐만 아니라 슬라이딩 밀봉부(335)는 관형 부재(305)가 연장되는 다양한 층들을 통해 컨덕턴스 경로를 밀봉한다.
[0048] 일부 실시예들에서, 내부 채널(530)은 관형 부재(305)의 외부 표면과 슬리브(520)의 내부 표면에 형성된 부분을 포함하는 나선형 또는 와상 채널(545)을 포함한다.
[0049] 컨덕턴스 경로는 또한 내부 채널(530) 및/또는 외부 채널(535)과 유체 연통하는, 슬리브(520)에 형성된 포트들(555)을 통해 유동한다. 컨덕턴스 경로는 또한 커넥터(300)의 하부 채널들(365)과 유체 연통하는 복수의 종방향 채널들(560)을 통해 커넥터(300) 내로 연장된다.
[0050] 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 단부(505) 및 제2 단부(510) 둘 모두는 스프링 밀봉부(385)를 포함한다. 스프링 밀봉부들(385)은 연질 플라스틱으로 둘러싸인 스테인리스 강과 같은 금속 재료로 만들어진 코일 스프링을 포함한다. 스프링 밀봉부(385)의 예가 도 7에 도시된다. 또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 관형 부재(305)의 제1 단부(505) 및 제2 단부(510) 둘 모두는 단부 가이드(380)를 포함한다.
[0051] 도 6a 및 도 6b는 각각 상단 가이드(600A) 및 하단 가이드(600B)의 단면도들이다. 상단 가이드(600A) 및 하단 가이드(600B)는 도 3 및 도 5에 설명된 바와 같이 관형 부재(305)와 함께 단부 가이드들(380)로서 사용될 수 있다.
[0052] 상단 가이드(600A) 및 하단 가이드(600B)는 스테인리스 강과 같은 금속 재료로 만들어진 관형 바디(602)를 포함한다. 관형 바디(602)는 제1 단부(605), 및 제1 단부(605) 반대편의 제2 단부(610)를 포함한다. 관형 바디(602)는 관형 부재(305)의 제1 단부(505) 또는 관형 부재(305)의 제2 단부(510)(도 5에 도시됨)를 수용하도록 크기가 정해진 내경(615)을 포함한다. 관형 바디(600)는 내벽(620) 및 외벽(625)을 포함한다. 테이퍼(630)는 제2 단부(610)와 내부 벽(620) 사이의 계면에 도시된다.
[0053] 상단 가이드(600A)의 관형 바디(602)는 그의 제1 단부(605)에 플랜지(635)를 포함한다. 플랜지(635)는 외벽(625)으로부터 방사상 외향으로 연장된다. 플랜지(635)는 제1 표면(645), 측 표면(650) 및 제2 표면(655)을 포함한다. 제1 표면(645)은 일반적으로 내벽(620) 또는 외벽(625)의 평면에 직교한다. 측 표면(650)은 일반적으로 내벽(620) 또는 외벽(625)의 평면에 평행하다. 제2 표면(655)은 일반적으로 제1 표면(645)에 평행하다. 계면(660)은 제2 표면(655)에서 외벽(625)으로 트랜지션한다.
[0054] 상단 가이드(600A)의 제1 표면(645)은 ESC 베이스 조립체(105)(관형 부재(305)의 일 단부) 및 커넥터(300)(관형 부재(305)의 다른 단부)와 접촉하도록 구성된 접촉 표면(640)을 포함한다. 상단 가이드(600A)와 유사하게, 하단 가이드(600B)는 제1 표면(645)을 포함한다. 접촉 표면(640)은 코팅(665)을 포함한다. 코팅(665)은 퍼플루오로알콕시 알칸(PFA) 기반 재료들을 포함하는(그러나 이에 제한되지 않음) 폴리머 재료 이를테면, 플루오로폴리머이다.
[0055] 도 7은 스프링 밀봉부(385)의 일 실시예의 개략적인 부분 등각도이다. 스프링 밀봉부(385)는 밀봉 조립체(700)를 포함한다. 밀봉 조립체(700)는 그의 채널(715)에 배치된 스프링(710)을 갖는 폴리머 바디(705)를 포함한다. 도 7은 페이스 밀봉부(face seal)로서 밀봉 조립체(700)를 도시하지만, 본원에서 설명된 실시예들은 폴리머 바디(705) 또는 금속 밀봉부들로서 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)을 갖는 피스톤(즉, 방사상) 밀봉부를 포함할 수 있다. 본원에서 설명된 밀봉부들은 약 -260℃ 내지 약 290℃의 온도에서 진공 구역(222)의 밀봉을 제공한다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일 실시예에서, 스프링(710)은 스테인리스 강, 니켈 합금, 니켈-크롬 합금, 및 코발트-크롬-니켈-몰리브덴 합금 함유 재료들을 포함한다. 밀봉 조립체(700)는 극저온 온도들에서 ESC(103)의 밀봉을 허용한다. 밀봉 조립체(700)는 약 -260℃ 내지 약 290℃의 온도에서 동작 가능하다.
[0056] 본원에서 설명된 바와 같은 단부 가이드(380)는 도 5에 설명된 바와 같은 진공 경로(500)에 대한 유동을 제공한다. 단부 가이드(380)는 (관형 부재(305)의 종(길이) 방향으로) 스프링 밀봉부(385)의 과압축을 방지하지만, 관형 부재(305)의 제한된 측방향 움직임을 허용한다. 그러나 사용 동안 온도 변화들로 인한 기판 지지 조립체(101)의 방사상 팽창 및 수축은 관형 부재(305)가 틸팅(tilt)하거나 바인딩(bind)되게 할 것이다. 틸팅 또는 바인딩은 냉매액 누출을 야기할 수 있다. 그러나 코팅(665)은 단부 가이드(380)가 그 위에 포지셔닝된 관형 부재(305)와 ESC 베이스 조립체(105)의 메이팅 표면 사이의 마찰을 감소시키기 위해 활용된다. 따라서, 코팅(665)은 기판 지지 조립체(101)가 팽창 또는 수축될 때 관형 부재(305)가 사용 동안 이들 메이팅 표면들에 대해 활주하는 것을 허용한다. 또한, 코팅(665)은 유전체이며, 이는 진공 경로(500) 내의 또는 이를 따르는 아킹을 최소화하거나 제거한다.
[0057] 전술한 바가 본 개시내용의 예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 및 추가적인 예들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (20)

  1. 기판 지지 조립체로서,
    설비 플레이트;
    상기 설비 플레이트에 커플링되는 접지 플레이트;
    상기 기판 지지 조립체 내에 배치되며, 상기 설비 플레이트 및 상기 접지 플레이트를 관통하여 배치된 유체 도관; 및
    상기 접지 플레이트에 커플링되고, 상기 유체 도관의 일부를 수납하는 커넥터를 포함하고,
    상기 커넥터는 상기 접지 플레이트에 형성된 포켓에 배치된 패스너 및 바이어싱 조립체를 포함하는,
    기판 지지 조립체.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 바이어싱 조립체는 상기 패스너와 상기 포켓 사이에 커플링된 복수의 스프링 폼(spring form)들을 포함하는,
    기판 지지 조립체.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 커넥터는 상기 커넥터의 바디를 둘러싸는 슬라이딩 밀봉부를 포함하는,
    기판 지지 조립체.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 커넥터는 내부에 형성된 하나 이상의 진공 채널들을 포함하는,
    기판 지지 조립체.
  5. 제1 항에 있어서,
    정전 척 및 상기 설비 플레이트에 커플링된 베이스 조립체를 더 포함하는,
    기판 지지 조립체.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 정전 척의 바닥 표면과 상기 베이스 조립체의 최상부 표면 사이의 계면의 본드 층을 더 포함하는,
    기판 지지 조립체.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 커넥터는 열 개스킷에 의해 상기 접지 플레이트의 하부 표면에 커플링되는,
    기판 지지 조립체.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 유체 도관의 각각의 단부에 배치된 단부 가이드를 더 포함하는,
    기판 지지 조립체.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 단부 가이드는 상부에 배치된 마찰 감소 코팅을 포함하는,
    기판 지지 조립체.
  10. 기판 지지 조립체로서,
    정전 척을 지지하기 위한 베이스 조립체;
    상기 베이스 조립체에 커플링된 설비 플레이트;
    상기 설비 플레이트에 커플링된 유전체 플레이트;
    상기 설비 플레이트에 커플링되는 접지 플레이트;
    상기 기판 지지 조립체 내에 배치되며, 상기 설비 플레이트 및 상기 접지 플레이트를 관통하여 배치된 유체 도관; 및
    상기 접지 플레이트에 커플링되고, 상기 유체 도관의 일부를 수납하는 커넥터를 포함하고,
    상기 커넥터는 상기 접지 플레이트에 형성된 포켓에 배치된 패스너 및 바이어싱 조립체, 및 상기 커넥터의 바디를 둘러싸는 슬라이딩 밀봉부를 포함하는,
    기판 지지 조립체.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 베이스 조립체의 최상부 표면 상에 배치된 본드 층을 더 포함하는,
    기판 지지 조립체.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 커넥터는 열 개스킷에 의해 상기 접지 플레이트의 하부 표면에 커플링되는,
    기판 지지 조립체.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 유체 도관의 각각의 단부에 배치된 단부 가이드를 더 포함하는,
    기판 지지 조립체.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 단부 가이드는 상부에 배치된 마찰 감소 코팅을 포함하는,
    기판 지지 조립체.
  15. 제10 항에 있어서,
    상기 유체 도관 주위에 제공된 슬리브를 더 포함하는,
    기판 지지 조립체.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 슬리브는 상기 슬리브의 외부 표면과 상기 베이스 조립체, 상기 유전체 플레이트 및 상기 접지 플레이트 사이에 형성된 갭을 포함하는,
    기판 지지 조립체.
  17. 기판 지지 조립체로서,
    정전 척;
    상기 정전 척에 커플링된 베이스 조립체;
    상기 베이스 조립체에 커플링된 설비 플레이트;
    상기 설비 플레이트에 커플링된 유전체 플레이트;
    상기 설비 플레이트에 커플링되는 접지 플레이트;
    상기 기판 지지 조립체 내에 배치되며, 상기 설비 플레이트 및 상기 접지 플레이트를 관통하여 배치된 유체 도관; 및
    상기 접지 플레이트에 커플링되고, 상기 유체 도관의 일부를 수납하는 커넥터를 포함하고,
    상기 커넥터는 상기 접지 플레이트에 형성된 포켓에 배치된 패스너 및 바이어싱 조립체, 및 상기 커넥터의 바디를 둘러싸는 슬라이딩 밀봉부를 포함하는,
    기판 지지 조립체.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 베이스 조립체의 최상부 표면 상에 배치된 본드 층을 더 포함하는,
    기판 지지 조립체.
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 커넥터는 열 개스킷에 의해 상기 접지 플레이트의 하부 표면에 커플링되는,
    기판 지지 조립체.
  20. 제17 항에 있어서,
    상기 유체 도관의 각각의 단부에 배치된 단부 가이드를 더 포함하고,
    상기 단부 가이드는 상부에 배치된 마찰 감소 코팅을 포함하는,
    기판 지지 조립체.
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