CN115276601B - 一种测试用谐振器、制备方法及谐振器的测试方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种测试用谐振器、制备方法及谐振器的测试方法。该测试用谐振器包括：测试衬底、测试底电极、测试压电层以及测试顶电极的叠层、至少一个第一测试电极和至少一个第二测试电极；第一测试电极和测试底电极连接，第二测试电极和测试顶电极连接，第一测试电极和第二测试电极之间设置有间隔区域，第一测试电极与第二测试电极中的至少一个与压电层之间的厚度大于预设厚度，以使第一测试电极和第二测试电极绝缘设置。本申请的技术方案提高了检测的待测质量负载层带来的谐振频率调整量的准确度。

Description

一种测试用谐振器、制备方法及谐振器的测试方法
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种测试用谐振器、制备方法及谐振器的测试方法。
背景技术
薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，FBAR)作为压电器件的重要成员在通信领域发挥着重要作用。薄膜体声波谐振器、由薄膜体声波谐振器构成的薄膜体声波滤波器以及双工器具有尺寸小、谐振频率高、品质因数高、功率容量大、滚降效应好等优良特性。
薄膜体声波谐振器的结构主体为由底电极-压电层-顶电极组成的“三明治”结构，即两层金属电极层之间夹一层压电材料。通过在两电极间输入正弦信号，薄膜体声波谐振器利用逆压电效应将输入电信号转换为机械谐振，并且再利用压电效应将机械谐振转换为电信号输出。现有技术中，已经提出在薄膜体声波谐振器内设置质量负载层来调整薄膜体声波谐振器的谐振频率，通过组合搭配不同频率的薄膜体声波谐振器而实现所需带宽的薄膜体声波滤波器以及双工器。
但是现有技术中存在的技术缺陷在于，质量负载层形成之后到检测质量负载层带来的谐振频率调整量步骤之间经了多个工艺过程，因此由于工艺过程的波动（如设备异常、原材料异常、工艺参数设置异常等原因引起），可能导致检测的质量负载层带来的谐振频率调整量的准确度不高。
发明内容
本申请提供了一种测试用谐振器、制备方法及谐振器的测试方法，以提高检测的待测质量负载层带来的谐振频率调整量的准确度。
根据本申请的一方面，提供了一种测试用谐振器，包括：测试衬底、测试底电极、测试压电层以及测试顶电极的叠层、至少一个第一测试电极和至少一个第二测试电极；
所述第一测试电极和所述测试底电极连接，所述第二测试电极和所述测试顶电极连接，所述第一测试电极和所述第二测试电极之间设置有间隔区域，所述第一测试电极与所述第二测试电极中的至少一个与所述压电层之间的厚度大于预设厚度，以使所述第一测试电极和所述第二测试电极绝缘设置。
可选地，所述第二测试电极构成所述测试顶电极的悬翼结构，其中，所述悬翼结构位于所述测试顶电极的边缘。
可选地，所述测试压电层背离所述测试底电极的一侧设置有间隔的第一支撑结构和第二支撑结构；
所述第一测试电极位于所述第一支撑结构背离所述测试压电层的一侧，所述第一测试电极穿过位于所述第一支撑结构和所述测试压电层的通孔与所述测试底电极连接；
所述第二测试电极位于所述第二支撑结构背离所述测试压电层的一侧，所述第二测试电极与所述测试顶电极连接；
所述第一支撑结构在所述测试衬底的正投影位于所述第一测试电极在所述测试衬底的正投影之内，和/或，所述第二支撑结构在所述测试衬底的正投影位于所述第二测试电极在所述测试衬底的正投影之内。
可选地，所述第一测试电极和所述第二测试电极相对的表面设置有第一绝缘层，和/或，所述第二测试电极和所述第一测试电极相对的表面设置有第二绝缘层。
可选地，所述测试用谐振器还包括测试质量负载层，所述测试质量负载层覆盖所述第一测试电极、所述第二测试电极以及所述间隔区域。
可选地，所述测试压电层设置有凹槽，所述凹槽在所述测试压电层的正投影覆盖所述间隔区域在所述测试压电层的正投影，以使在形成测试质量负载层之后，所述第一测试电极和第二测试电极绝缘设置。
可选地，所述间隔区域在第一方向的正投影的最小尺寸大于所述测试质量负载层的厚度的两倍，所述第一方向为所述测试衬底的延伸方向。
可选地，所述第一测试电极和所述第二测试电极在第二方向上的高度差大于所述测试质量负载层的厚度的两倍，所述第二方向为垂直于所述测试衬底所在平面的方向。
可选地，所述预设厚度大于或等于所述测试质量负载层的厚度。
根据本申请的另一方面，提供了一种谐振器的测试方法，包括：
提供半导体结构，其中，所述半导体结构至少包括衬底；
采用镀膜工艺在所述半导体结构的表面形成待测质量负载层；
采用同一镀膜工艺在测试用谐振器的表面形成测试质量负载层，并确定所述测试质量负载层对所述测试用谐振器的谐振频率调整量；
当所述测试质量负载层对所述测试用谐振器的谐振频率调整量满足预设数值时，在所述待测质量负载层背离所述衬底的一侧形成预设膜层，所述待测质量负载层、所述预设膜层和所述半导体结构构成谐振器。
可选地，确定所述测试质量负载层对所述测试用谐振器的谐振频率调整量还包括：
根据所述测试质量负载层对所述测试用谐振器的谐振频率调整量，确定所述待测质量负载层对所述半导体结构的谐振频率调整量。
可选地，确定所述测试质量负载层对所述测试用谐振器的谐振频率调整量包括：
提供测试用谐振器，其中，所述测试用谐振器还包括测试衬底、测试底电极、测试压电层以及测试顶电极的叠层，所述第一测试电极与所述测试底电极连接，所述第二测试电极与所述测试顶电极连接；
检测所述测试用谐振器的谐振频率，得到第一谐振频率；
采用同一镀膜工艺在所述测试顶电极背离所述测试压电层的一侧形成测试质量负载层；
再次检测所述测试用谐振器的谐振频率，得到第二谐振频率；
根据所述第二谐振频率和所述第一谐振频率的差值，确定所述测试质量负载层对所述测试用谐振器的谐振频率调整量。
可选地，根据所述测试质量负载层对所述测试用谐振器的谐振频率调整量，确定所述待测质量负载层对所述半导体结构的谐振频率调整量包括：
根据所述待测质量负载层的厚度和所述测试质量负载层的厚度的比例关系以及所述测试质量负载层对所述测试用谐振器的谐振频率调整量，确定所述待测质量负载层对所述半导体结构的谐振频率调整量。
可选地，采用同一镀膜工艺在所述测试用谐振器的表面形成测试质量负载层之前包括：
若所述测试用谐振器表面存在初始质量负载层，则检测所述初始质量负载层的厚度；
在判定所述初始质量负载层的厚度异常时，去除所述初始质量负载层的部分或者全部。
可选地，所述初始质量负载层的厚度异常包括：
所述第一测试电极和所述第二测试电极之间的初始质量负载层与所述第一测试电极的垂直间隔距离小于或等于所述测试质量负载层的厚度，且所述第一测试电极和所述第二测试电极之间的初始质量负载层与所述第二测试电极的垂直间隔距离小于或等于所述测试质量负载层的厚度。
可选地，所述测试质量负载层包括导电测试质量负载层，再次检测所述测试用谐振器的谐振频率包括：
将探针扎在覆盖所述第一测试电极的测试质量负载层，并将所述探针扎在覆盖所述第二测试电极的测试质量负载层，以检测所述测试用谐振器的谐振频率；
或者，所述测试质量负载层包括绝缘测试质量负载层，再次检测所述测试用谐振器的谐振频率包括：
将探针透过所述测试质量负载层扎在所述第一测试电极，且将所述探针透过所述测试质量负载层扎在所述第二测试电极，以检测所述测试用谐振器的谐振频率。
根据本申请的另一方面，提供了一种测试用谐振器的制备方法，包括：
依次制备测试衬底、测试底电极、测试压电层以及测试顶电极；
形成绝缘设置的至少一个第一测试电极和至少一个第二测试电极，其中，所述第一测试电极和所述测试底电极连接，所述第二测试电极和所述测试顶电极连接，所述第一测试电极和所述第二测试电极之间设置有间隔区域，所述第一测试电极与所述第二测试电极中的至少一个与所述压电层之间的厚度大于预设厚度。
可选地，形成绝缘设置的至少一个第一测试电极和至少一个第二测试电极包括：
在所述测试压电层背离所述测试底电极的一侧设置第一支撑结构和第二支撑结构，所述第一支撑结构和所述第二支撑结构间隔设置；
在所述第一支撑结构和所述测试压电层内形成通孔；
在所述第一支撑结构背离所述测试压电层的一侧形成第一测试电极，所述第一测试电极穿过所述通孔与所述测试底电极连接；
在所述第二支撑结构背离所述测试压电层的一侧形成所述第二测试电极，所述第二测试电极与所述测试顶电极连接；
其中，所述第一支撑结构在所述测试衬底的正投影位于所述第一测试电极在所述测试衬底的正投影之内，和/或，所述第二支撑结构在所述测试衬底的正投影位于所述第二测试电极在所述测试衬底的正投影之内。
可选地，形成绝缘设置的至少一个第一测试电极和至少一个第二测试电极包括：
在所述测试压电层背离所述测试底电极的一侧形成至少一个第一测试电极和至少一个第二测试电极；
在所述第一测试电极和所述第二测试电极相对的表面设置第一绝缘层；和/或，在所述第二测试电极和所述第一测试电极相对的表面设置第二绝缘层。
可选地，形成绝缘设置的至少一个第一测试电极和至少一个第二测试电极之后还包括：
形成测试质量负载层，所述测试质量负载层覆盖所述第一测试电极、所述第二测试电极以及所述间隔区域。
可选地，制备所述测试压电层时包括：
在所述测试压电层的上表面形成凹槽，所述凹槽在所述测试压电层的正投影覆盖所述间隔区域在所述测试压电层的正投影，以使在形成测试质量负载层之后，所述第一测试电极和第二测试电极绝缘设置。
本申请提供的技术方案，由于提供的测试用谐振器中第一测试电极和第二测试电极绝缘设置，可以避免测试质量负载层形成之后第一测试电极和第二测试电极出现短路，而不能检测测试质量负载层对测试用谐振器的谐振频率调整量的问题，确保测试能够完成。此外，在半导体结构表面形成了待测质量负载层之后且未形成下一膜层之前，通过判断测试质量负载层对测试用谐振器的谐振频率调整量满足预设数值时，在线确保待测质量负载层对半导体结构的谐振频率调整量符合生产标准，避免了现有技术中在检测待测质量负载层形成之后到检测待测质量负载层带来的谐振频率调整量的步骤之间经多个工艺过程，由于工艺过程的波动（如设备异常、原材料异常、工艺参数设置异常等原因引起），可能导致检测的待测质量负载层带来的谐振频率调整量的准确度不高的技术问题，本申请的技术方案提高了确定待测质量负载层对半导体结构的谐振频率调整量的测试结果的准确度。
应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本申请的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本申请的范围。本申请的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据本申请提供的一种谐振器的测试方法的流程图；
图2-图7是根据本申请提供的一种谐振器的测试方法各步骤对应的结构示意图；
图8是图1中S130的流程示意图；
图9-图11是S130对应的结构示意图；
图12是根据本申请提供的第一种测试用谐振器的结构示意图；
图13是图8中S1303的流程示意图；
图14是根据本申请提供的第二种测试用谐振器的结构示意图；
图15是根据本申请提供的第三种测试用谐振器的结构示意图；
图16是根据本申请提供的第四种测试用谐振器的结构示意图；
图17是根据本申请提供的第五种测试用谐振器的结构示意图；
图18是根据本申请提供的一种测试用谐振器的制备方法的流程示意图；
图19-图21是根据本申请提供的一种测试用谐振器的制备方法各步骤对应的结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或器的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或器，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或器件。
需要说明的是，在本申请中的具体实施方式中，先介绍谐振器的测试方法、然后具体介绍测试谐振器以及其制备方法。
为了提高检测的待测质量负载层带来的谐振频率调整量的准确度，本申请提供了如下技术方案：
参见图1，图1是根据本申请提供的一种谐振器的测试方法的流程图，该谐振器的测试方法包括如下步骤：
S110、提供半导体结构，其中，半导体结构至少包括衬底。
参见图2，图2示例性的示出了包括衬底001、底电极002、压电层003和顶电极004的半导体结构100，该半导体结构100为薄膜体声波谐振器，为了提升其品质因数，还在衬底001内设置了声反射结构，例如：空腔结构10。需要说明的是，在其他实施例中，本申请中的半导体结构100还可以是包括衬底001的半导体结构、包括衬底001和底电极002的半导体结构或者是包括衬底001、底电极002和压电层003的半导体结构。
S120、采用镀膜工艺在半导体结构的表面形成待测质量负载层。
参见图3，图3示出了采用镀膜工艺在半导体结构100的表面形成待测质量负载层005的结构示意图。待测质量负载层005用于调整半导体结构100的谐振频率，待测质量负载层005的材料可以是导电材料，也可以是绝缘材料。需要说明的是，由于半导体结构100至少包括衬底001，因此在本申请中，待测质量负载层005的膜层位置包括图3所示的位于顶电极004之上。当半导体结构100仅包括衬底001时，待测质量负载层005位于衬底001之上。当半导体结构100包括衬底001和底电极002时，待测质量负载层005位于底电极002之上。当半导体结构100包括衬底001、底电极002和压电层003时，待测质量负载层005位于压电层003之上。
S130、采用同一镀膜工艺在测试用谐振器的表面形成测试质量负载层，并确定测试质量负载层对测试用谐振器的谐振频率调整量。
参见图4-图6，图4-图6示出的是测试用谐振器200形成有测试质量负载层006的结构示意图，采用同一镀膜工艺在测试用谐振器200的表面形成测试质量负载层006，测试用谐振器200包括测试衬底007、测试底电极008、测试压电层009以及测试顶电极0010的叠层，测试衬底007设置有声反射结构，例如：空腔结构20。
测试用谐振器200包括至少一个第一测试电极1和至少一个第二测试电极2，第一测试电极1和测试底电极008连接，第二测试电极2和测试顶电极0010连接，第一测试电极1和第二测试电极2之间设置有间隔区域，即第一测试电极1和第二测试电极2间隔设置；第一测试电极1与第二测试电极2中的至少一个与测试压电层009之间的厚度大于预设厚度，以使第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置。具体地，在图4中，第一测试电极1和第二测试电极2均与测试压电层009之间的厚度大于预设厚度，以使第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置；在图5中，第二测试电极2设置于测试压电层009的上表面，第一测试电极1与测试压电层009之间的厚度大于预设厚度，以使第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置；在图6中，第一测试电极1的一部分设置于测试压电层009的上表面，第二测试电极2与测试压电层009之间的厚度大于预设厚度，以使第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置。
进一步地，参见图7，图7示出的是测试用谐振器200的俯视图。示例性的，图7中示出了两个第一测试电极1和一个第二测试电极2，且第二测试电极2位于两个第一测试电极1之间。可以理解地，在本申请中，第一测试电极1和第二测试电极2的数量和位置排布包括图7示出的技术方案，但是并不限定于此，在实际应用中，可以根据具体应用需要进行设置。
需要说明的是，由于在图4-图6的测试用谐振器200形成测试质量负载层006后，测试质量负载层006覆盖第一测试电极1、第二测试电极2以及两者之间的间隔区域，如果第一测试电极1和第二测试电极2与测试压电层009之间的厚度均小于测试质量负载层006的厚度，当测试质量负载层006的材料是导电材料时，第一测试电极1和第二测试电极2便不能保证是绝缘设置，无法通过在第一测试电极1和第二测试电极2施加不同的电信号来测试并确定测试质量负载层对测试用谐振器200的谐振频率调整量。因此，在本申请中，预设厚度大于或等于测试质量负载层006的厚度。通过采用上述方案可以避免形成测试质量负载层006之后第一测试电极1和第二测试电极2出现短路，而不能检测测试质量负载层006对测试用谐振器200的谐振频率调整量的问题。
由于测试质量负载层006的镀膜工艺和待测质量负载层005的镀膜工艺相同，可以忽略测试质量负载层006和待测质量负载层005位于不同结构带来的质量差异，进而可以通过判断测试质量负载层006对测试用谐振器200的谐振频率调整量满足预设数值时，待测质量负载层005对半导体结构100的谐振频率调整量也是符合生产标准的，便可以执行S140的步骤。
S140、当测试质量负载层对测试用谐振器的谐振频率调整量满足预设数值时，在待测质量负载层背离衬底的一侧形成预设膜层，待测质量负载层、预设膜层和半导体结构构成谐振器。
在形成了待测质量负载层005并且通过S130的步骤确定了测试质量负载层006对测试用谐振器的谐振频率调整量，那么在判断测试质量负载层006对测试用谐振器的谐振频率调整量满足预设数值时，可以在待测质量负载层005背离衬底001的一侧形成预设膜层，待测质量负载层005、预设膜层和半导体结构100构成谐振器。
本申请提供的技术方案，在半导体结构100表面形成了待测质量负载层005之后且未形成下一膜层之前，通过判断测试质量负载层006对测试用谐振器200的谐振频率调整量满足预设数值时，在线确保待测质量负载层005对半导体结构100的谐振频率调整量符合生产标准，避免了现有技术中在检测待测质量负载层005形成之后到检测待测质量负载层005带来的谐振频率调整量的步骤之间经多个工艺过程，由于工艺过程的波动（如设备异常、原材料异常、工艺参数设置异常等原因引起），可能导致检测的待测质量负载层005带来的谐振频率调整量的准确度不高的技术问题，本申请的技术方案提高了确定待测质量负载层005对半导体结构100的谐振频率调整量的测试结果的准确度。由于本申请所使用的测试用谐振器200在测试质量负载层006形成之后，第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置，可以避免测试质量负载层006形成之后第一测试电极1和第二测试电极2出现短路，而不能检测测试质量负载层006对测试用谐振器200的谐振频率调整量的问题，确保测试能够完成。
可选地，在上述技术方案的基础上，图1中S130的步骤中确定测试质量负载层对测试用谐振器的谐振频率调整量还包括：根据测试质量负载层对测试用谐振器的谐振频率调整量，确定待测质量负载层对半导体结构的谐振频率调整量。
由于测试质量负载层006的镀膜工艺和待测质量负载层005的镀膜工艺相同，可以忽略测试质量负载层006和待测质量负载层005位于不同结构带来的质量差异，进而可以根据测试质量负载层006对测试用谐振器200的谐振频率调整量，来确定待测质量负载层005对半导体结构100的谐振频率调整量。
上述技术方案无需直接对半导体结构100进行测试，可以根据测试质量负载层006对测试用谐振器200的谐振频率调整量来确定待测质量负载层005对半导体结构100的谐振频率调整量，进而便可以在判断测试质量负载层006对测试用谐振器200的谐振频率调整量满足预设数值时，在线确保待测质量负载层005对半导体结构100的谐振频率调整量是符合生产标准的。
可选地，在上述技术方案的基础上，参见图8，图8是图1中S130的流程示意图，采用同一镀膜工艺在测试用谐振器的表面形成测试质量负载层，并确定测试质量负载层对测试用谐振器的谐振频率调整量的步骤包括：
S1301、提供测试用谐振器。
参见图9-图11，图9-图11示出的是测试用谐振器200的结构示意图，测试用谐振器200包括测试衬底007、测试底电极008、测试压电层009以及测试顶电极0010的叠层。第一测试电极1与测试底电极008连接，第二测试电极2与测试顶电极0010连接。第一测试电极1和第二测试电极2之间设置有间隔区域，第一测试电极1与第二测试电极2中的至少一个与测试压电层009之间的厚度大于预设厚度，以使第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置。图9中，第一测试电极1和第二测试电极2均与测试压电层009之间的厚度大于预设厚度，以使第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置。图10中，第一测试电极1与测试压电层009之间的厚度大于预设厚度，以使第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置。图11中，第二测试电极2与测试压电层009之间的厚度大于预设厚度，以使第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置。
S1302、检测测试用谐振器的谐振频率，得到第一谐振频率。
将探针扎在第一测试电极1和第二测试电极2上，将不同的电信号施加在第一测试电极1和第二测试电极2上，检测测试用谐振器200的谐振频率，得到第一谐振频率。
S1303、采用同一镀膜工艺在测试顶电极背离测试压电层的一侧形成测试质量负载层。
参见图4-图6，采用同一镀膜工艺在测试用谐振器200的表面形成测试质量负载层006。测试用谐振器200包括至少一个第一测试电极1和至少一个第二测试电极2，测试质量负载层006覆盖第一测试电极1、第二测试电极2以及两者之间的间隔区域，第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置。
S1304、再次检测测试用谐振器的谐振频率，得到第二谐振频率。
将探针扎在第一测试电极1和第二测试电极2上，将不同的电信号施加在第一测试电极1和第二测试电极2上，再次检测测试用谐振器200的谐振频率，得到第二谐振频率。
S1305、根据第二谐振频率和第一谐振频率的差值，确定测试质量负载层对测试用谐振器的谐振频率调整量。
由于检测第一谐振频率时还未在测试用谐振器200表面形成测试质量负载层006，检测第二谐振频率时是测试质量负载层006形成之后，即测试用谐振器200的谐振频率的变化是由于测试质量负载层006的形成所引起的。因此，在本申请中可以根据第二谐振频率和第一谐振频率的差值确定测试质量负载层006引起的谐振频率调整量。
可选地，根据测试用谐振器的谐振频率调整量，确定待测质量负载层对半导体结构的谐振频率调整量的步骤包括：根据待测质量负载层的厚度和测试质量负载层的厚度的比例关系以及测试质量负载层对测试用谐振器的谐振频率调整量，确定待测质量负载层对半导体结构的谐振频率调整量。可以理解地，该方式在一定条件下成立，比如：当待测质量负载层的厚度和测试质量负载层的厚度相差不大的条件下，可以利用二者的厚度的比例关系与测试质量负载层对测试用谐振器的谐振频率调整量，确定待测质量负载层对半导体结构的谐振频率调整量。
在本申请中，假设测试质量负载层006的厚度为h1，测试质量负载层006对测试用谐振器的谐振频率调整量为f1，待测质量负载层005的厚度为h2，则待测质量负载层005对半导体结构100的谐振频率调整量f2满足如下关系：
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(1)
第一种情况，参见图3和图4，测试质量负载层006的厚度h1等于待测质量负载层005的厚度h2，测试用谐振器200的谐振频率调整量等于待测质量负载层005对半导体结构100的谐振频率调整量。
由于待测质量负载层005的厚度和测试质量负载层006的厚度相同，而且测试质量负载层006的镀膜工艺和待测质量负载层005的镀膜工艺相同，可以忽略测试质量负载层006和待测质量负载层005位于不同结构带来的质量差异，参照公式（1），测试用谐振器200的谐振频率调整量为待测质量负载层005对半导体结构100的谐振频率调整量。
第二种情况，参见图3和图12，待测质量负载层005的厚度大于测试质量负载层006的厚度，参照公式（1），根据待测质量负载层005的厚度和测试质量负载层006的厚度的比例关系以及测试质量负载层006对测试用谐振器200的谐振频率调整量f1的乘积，便可以确定待测质量负载层005对半导体结构100的谐振频率调整量f2。
虽然待测质量负载层005的厚度和测试质量负载层006的厚度不同，但是由于测试质量负载层006的镀膜工艺和待测质量负载层005的镀膜工艺相同，可以忽略测试质量负载层006和待测质量负载层005位于不同结构带来的质量差异，因此可以根据待测质量负载层005的厚度和测试质量负载层006的厚度的比例关系以及测试质量负载层006对测试用谐振器200的谐振频率调整量，来确定待测质量负载层005对半导体结构100的谐振频率调整量。
为了使得本申请的测试用谐振器200可以多次使用，本申请进一步提出了如下技术方案：
可选地，在上述技术方案的基础上，参见图13，图13为S1303的流程示意图，采用同一镀膜工艺在测试用谐振器的表面形成测试质量负载层的步骤之前包括：
S13030、若测试用谐振器表面存在初始质量负载层，检测初始质量负载层的厚度。
以图4为例，在采用同一镀膜工艺在测试用谐振器200的表面形成测试质量负载层006之前，若是测试用谐振器200表面存在初始质量负载层，则需要检测初始质量负载层的厚度。
S13031、初始质量负载层的厚度异常，去除初始质量负载层的部分或者全部。
如果初始质量负载层的厚度异常，需要通过修频（trim）工艺去除初始质量负载层的部分或者全部。
进一步地，以图4为例，初始质量负载层的厚度异常包括：第一测试电极1和第二测试电极2之间的初始质量负载层与第一测试电极1的垂直间隔距离小于或等于后续形成的测试质量负载层006的厚度，且第一测试电极1和第二测试电极2之间的初始质量负载层与第二测试电极2的垂直间隔距离小于或等于测试质量负载层006的厚度。
需要通过修频工艺去除初始质量负载层的部分或者全部的目的在于，在形成测试质量负载层006之后，当测试质量负载层006为导电测试质量负载层时，通过去除初始质量负载层的至少一部分，能够避免第一测试电极1和第二测试电极2连接，进而避免第一测试电极1和第二测试电极2出现短路的问题。在测试用谐振器200形成测试质量负载层006之前，发现初始质量负载层的厚度异常，需要通过修频工艺去除初始质量负载层的部分或者全部，使得测试用谐振器200可以继续完成谐振器的测试过程的次数越多，测试用谐振器200的主体结构（测试衬底007、测试底电极008、测试压电层009以及测试顶电极0010的叠层）被使用的次数越多，进而实现了测试用谐振器200的多次使用。由于测试用谐振器200可以多次使用，可以减少测试用谐振器200的总体使用数量，进而降低了谐振器的测试成本。
需要说明的是，之所以测试用谐振器200存在初始质量负载层，是因为在本次形成测试质量负载层006完成测试用谐振器200的测试之前，在测试用谐振器200表面至少一次形成了测试质量负载层006，完成了至少一次的谐振器的测试过程，且没有或者没有完全将本次形成测试质量负载层006之前形成的测试质量负载层006进行去除所导致的。
可选地，在上述技术方案的基础上，测试质量负载层006包括导电测试质量负载层，S1304的步骤中再次检测测试用谐振器的谐振频率的步骤包括：
将探针扎在覆盖第一测试电极的测试质量负载层，并将探针扎在覆盖第二测试电极的测试质量负载层，以检测测试用谐振器的谐振频率。
以图4为例，由于测试质量负载层006包括导电测试质量负载层，便可以直接将探针扎在覆盖第一测试电极1的测试质量负载层006以及覆盖第二测试电极2的测试质量负载层006，以检测测试用谐振器200的谐振频率。
或者，在上述技术方案的基础上，测试质量负载层006包括绝缘测试质量负载层，S1304的步骤中再次检测测试用谐振器的谐振频率的步骤包括：
将探针透过测试质量负载层扎在第一测试电极，且将探针透过测试质量负载层扎在第二测试电极，以检测测试用谐振器的谐振频率。
以图4为例，由于测试质量负载层006包括绝缘测试质量负载层，探针需要透过测试质量负载层006扎在第一测试电极1和第二测试电极2，才能再次检测测试用谐振器200的谐振频率。
本申请还提供了一种测试用谐振器。参见图9-图11，该测试用谐振器200包括：测试衬底007、测试底电极008、测试压电层009以及测试顶电极0010的叠层、至少一个第一测试电极1和至少一个第二测试电极2；第一测试电极1和测试底电极008连接，第二测试电极2和测试顶电极0010连接，第一测试电极1和第二测试电极2之间设置有间隔区域，第一测试电极1与第二测试电极2中的至少一个与测试压电层009之间的厚度大于预设厚度，以使第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置。图9中，第一测试电极1与第二测试电极2均与测试压电层009之间的厚度大于预设厚度，以使第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置。图10中，第一测试电极1与测试压电层009之间的厚度大于预设厚度，以使第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置。图11中，第二测试电极2与测试压电层009之间的厚度大于预设厚度，以使第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置。
可选地，在上述技术方案的基础上，参见图4-图6，测试用谐振器200还包括测试质量负载层006，测试质量负载层006覆盖第一测试电极1、第二测试电极2以及二者之间的间隔区域。
需要说明的是，由于在图9-图11的测试用谐振器200形成测试质量负载层006后对应变为图4-图6的测试用谐振器200，测试质量负载层006覆盖第一测试电极1、第二测试电极2以及两者之间的间隔区域，如果第一测试电极1和第二测试电极2与测试压电层009之间的厚度均小于测试质量负载层006的厚度，当测试质量负载层006的材料是导电材料时，第一测试电极1和第二测试电极2便不能保证是绝缘设置，无法通过在第一测试电极1和第二测试电极2施加不同的电信号来测试并确定测试质量负载层对测试用谐振器200的谐振频率调整量。因此，在本申请中，预设厚度大于或等于测试质量负载层006的厚度。通过采用上述方案可以避免形成测试质量负载层006之后第一测试电极1和第二测试电极2出现短路，而不能检测测试质量负载层006对测试用谐振器200的谐振频率调整量的问题。
本申请提供的测试用谐振器200，在半导体结构100表面形成了待测质量负载层005之后且未形成下一膜层之前，通过判断测试质量负载层006对测试用谐振器200的谐振频率调整量满足预设数值时，在线确保待测质量负载层005对半导体结构100的谐振频率调整量符合生产标准，避免了现有技术中在检测待测质量负载层005形成之后到检测待测质量负载层005带来的谐振频率调整量的步骤之间经多个工艺过程，由于工艺过程的波动（如设备异常、原材料异常、工艺参数设置异常等原因引起），可能导致检测的待测质量负载层005带来的谐振频率调整量的准确度不高的技术问题，本申请的技术方案提高了确定待测质量负载层005对半导体结构100的谐振频率调整量的测试结构的准确度。由于本申请所使用的测试用谐振器200在测试质量负载层006形成之后，第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置，可以避免测试质量负载层006形成之后第一测试电极1和第二测试电极2出现短路，而不能检测测试质量负载层006对测试用谐振器200的谐振频率调整量的问题，确保测试能够完成。
可选地，在上述技术方案的基础上，参见图9和图11，第二测试电极2构成测试顶电极0010的悬翼结构，其中，悬翼结构位于测试顶电极0010的边缘。上述技术方案中，第二测试电极2在实现测试用谐振器200的测试功能的同时，第二测试电极2还可以构成测试顶电极0010的悬翼结构，悬翼结构的设置减少测试用谐振器200的声波的能量损耗，提高其品质因数，进而提高了利用测试用谐振器200确定测试质量负载层006对测试用谐振器200的谐振频率调整量的精准度。
可选地，在上述技术方案的基础上，参见图4，测试压电层009背离测试底电极008的一侧设置有间隔的第一支撑结构3和第二支撑结构4；第一测试电极1位于第一支撑结构3背离测试压电层009的一侧，第一测试电极1穿过位于第一支撑结构3和测试压电层009的通孔与测试底电极008连接；第二测试电极2位于第二支撑结构4背离测试压电层009的一侧，第二测试电极2与测试顶电极0010连接；第一支撑结构3在测试衬底007的正投影位于第一测试电极1在测试衬底007的正投影之内，和/或，第二支撑结构4在测试衬底007的正投影位于第二测试电极2在测试衬底007的正投影之内。
进一步地，在图4中，第一支撑结构3在测试衬底007的正投影位于第一测试电极1在测试衬底007的正投影之内，第二支撑结构4在测试衬底007的正投影位于第二测试电极2在测试衬底007的正投影之内。在图14中，第一支撑结构3在测试衬底007的正投影位于第一测试电极1在测试衬底007的正投影之内。在图15中，第二支撑结构4在测试衬底007的正投影位于第二测试电极2在测试衬底007的正投影之内。
上述技术方案中，通过第一支撑结构3在测试衬底007的正投影位于第一测试电极1在测试衬底007的正投影之内，和/或，第二支撑结构4在测试衬底007的正投影位于第二测试电极2在测试衬底007的正投影之内，可以避免测试质量负载层006连接第一测试电极1和第二测试电极2，使得第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置，进而避免出现因第一测试电极1和第二测试电极2短路，而不能检测测试质量负载层006对测试用谐振器200的谐振频率调整量的问题。
可选地，在上述技术方案的基础上，参见图16，第一测试电极1和第二测试电极2相对的表面设置有第一绝缘层11，和/或，第二测试电极2和第一测试电极1相对的表面设置有第二绝缘层21。需要说明的是，图16示例性的示出了第一测试电极1和第二测试电极2相对的表面设置有第一绝缘层11以及第二测试电极2和第一测试电极1相对的表面设置有第二绝缘层21的结构。
在上述技术方案中，第一测试电极1和第二测试电极2相对的表面设置有第一绝缘层11，和/或，第二测试电极2和第一测试电极1相对的表面设置有第二绝缘层21，在测试质量负载层006形成之后，第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置，进而避免出现因第一测试电极1和第二测试电极2短路，而不能检测测试质量负载层006对测试用谐振器200的谐振频率调整量的问题。
可选地，在上述技术方案的基础上，参见图17，测试压电层009设置有凹槽90，凹槽90在测试压电层009的正投影覆盖间隔区域在测试压电层009的正投影，以使在形成测试质量负载层006之后，第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置。
在上述技术方案中，测试压电层009设置有凹槽90，凹槽90在测试压电层009的正投影覆盖第一测试电极1和第二测试电极2之间的间隔区域在测试压电层009的正投影，在测试质量负载层006形成之后，测试质量负载层006位于凹槽90内，可以避免测试质量负载层006连接第一测试电极1和第二测试电极2，使得第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置，进而避免出现因第一测试电极1和第二测试电极2短路，而不能检测测试质量负载层006对测试用谐振器200的谐振频率调整量的问题。
可选地，参见图4-图6，间隔区域在第一方向的正投影的最小尺寸大于测试质量负载层006的厚度的两倍，使得第一测试电极1和第二测试电极2间隔的距离足够大，保证第一测试电极1和第二测试电极2在第一方向上绝缘设置。第一方向为测试衬底007的延伸方向，即第一方向平行于测试衬底007所在平面。需要说明的是，在本申请中，第一方向为图4-图6中所示的X方向。
可选地，参见图5和图6，第一测试电极1和第二测试电极2在第二方向上存在高度差，第二方向为垂直于测试衬底所在平面的方向；当其高度差大于测试质量负载层006的厚度的两倍时（第一测试电极1和第二测试电极2在第二方向上的高度差大于测试质量负载层006的厚度的两倍并未示出），在测试用谐振器200形成测试质量负载层006后，测试质量负载层006覆盖第一测试电极1、第二测试电极2以及两者之间的间隔区域，在第二方向上不会出现测试质量负载层006连接第一测试电极1和第二测试电极2的情况，进而可以避免形成测试质量负载层006之后第一测试电极1和第二测试电极2在第二方向上连接出现短路，而不能检测测试质量负载层006对测试用谐振器200的谐振频率调整量的问题。需要说明的是，在本申请中，第二方向为图5和图6中所示的Y方向。
可选地，预设厚度大于或等于测试质量负载层006的厚度。
在本申请中，第一测试电极1与测试压电层009之间的厚度大于预设厚度，以使第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置。
由于在图9-图11的测试用谐振器200形成测试质量负载层006后对应变为图4-图6的测试用谐振器200，测试质量负载层006覆盖第一测试电极1、第二测试电极2以及两者之间的间隔区域，如果第一测试电极1和第二测试电极2与测试压电层009之间的厚度均小于测试质量负载层006的厚度，当测试质量负载层006的材料是导电材料时，第一测试电极1和第二测试电极2便不能保证是绝缘设置，无法通过在第一测试电极1和第二测试电极2施加不同的电信号来测试并确定测试质量负载层对测试用谐振器200的谐振频率调整量。因此，在本申请中，当预设厚度大于或等于测试质量负载层006的厚度时，通过采用上述方案可以避免形成测试质量负载层006之后第一测试电极1和第二测试电极2出现短路，而不能检测测试质量负载层006对测试用谐振器200的谐振频率调整量的问题。
本申请还提供了一种测试用谐振器的制备方法。参见图18，图18是根据本申请提供的一种测试用谐振器的制备方法的流程示意图，该测试用谐振器的制备方法包括如下步骤：
S210、依次制备测试衬底、测试底电极、测试压电层以及测试顶电极。
参见图19，依次制备测试衬底007、测试底电极008、测试压电层009和测试顶电极0010。具体的，在测试衬底007的表面依次通过镀膜工艺和图形化工艺形成预设形状的测试底电极008、测试压电层009和测试顶电极0010。为了提升其品质因数，还在衬底001内设置了声反射结构，例如：空腔结构20。
S220、形成绝缘设置的至少一个第一测试电极和至少一个第二测试电极，其中，第一测试电极和测试底电极连接，第二测试电极和测试顶电极连接，第一测试电极和第二测试电极之间设置有间隔区域，第一测试电极与第二测试电极中的至少一个与压电层之间的厚度大于预设厚度。
参见图9-图11，通过成膜工艺形成至少一个第一测试电极1和至少一个第二测试电极2；第一测试电极1和测试底电极008连接，第二测试电极2和测试顶电极0010连接，第一测试电极1和第二测试电极2之间设置有间隔区域，第一测试电极1与第二测试电极2中的至少一个与测试压电层009之间的厚度大于预设厚度，以使第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置。图9中，第一测试电极1与和第二测试电极2均与测试压电层009之间的厚度大于预设厚度，以使第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置。图10中，第一测试电极1与测试压电层009之间的厚度大于预设厚度，以使第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置。图11中，第二测试电极2与测试压电层009之间的厚度大于预设厚度，以使第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置。
本申请提供的测试用谐振器200，在半导体结构100表面形成了待测质量负载层005之后且未形成下一膜层之前，通过判断测试质量负载层006对测试用谐振器200的谐振频率调整量满足预设数值时，在线确保待测质量负载层005对半导体结构100的谐振频率调整量符合生产标准，避免了现有技术中在检测待测质量负载层005形成之后到检测待测质量负载层005带来的谐振频率调整量的步骤之间经多个工艺过程，由于工艺过程的波动（如设备异常、原材料异常、工艺参数设置异常等原因引起），可能导致检测的待测质量负载层005带来的谐振频率调整量的准确度不高的技术问题，本申请的技术方案提高了确定待测质量负载层005对半导体结构100的谐振频率调整量的测试结构的准确度。由于本申请所使用的测试用谐振器200在测试质量负载层006形成之后，第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置，可以避免测试质量负载层006形成之后第一测试电极1和第二测试电极2出现短路，而不能检测测试质量负载层006对测试用谐振器200的谐振频率调整量的问题，确保测试能够完成。
可选地，在上述技术方案的基础上，S220中形成第二测试电极的步骤包括：
参见图9和图11，形成构成测试顶电极0010的悬翼结构的第二测试电极2，其中，悬翼结构位于测试顶电极0010的边缘。
上述技术方案中，第二测试电极2在实现测试用谐振器200的测试功能的同时，第二测试电极2还可以构成测试顶电极0010的悬翼结构，悬翼结构的设置减少了测试用谐振器200的声波的能量损耗，提高其品质因数，进而提高了利用测试用谐振器200确定测试质量负载层006对测试用谐振器200的谐振频率调整量的精准度。
可选地，在上述技术方案的基础上，以图9示出的测试用谐振器为例进行说明，S220中形成绝缘设置的至少一个第一测试电极和至少一个第二测试电极的步骤包括：
S2201、在测试压电层背离测试底电极的一侧设置第一支撑结构和第二支撑结构，第一支撑结构和第二支撑结构间隔设置。
参见图20，通过成膜工艺在测试压电层009背离测试底电极008的一侧设置第一支撑结构3和第二支撑结构4，第一支撑结构3和第二支撑结构4间隔设置。第一支撑结构3和第二支撑结构4的可以选取绝缘材料制备而成。
S2202、在第一支撑结构和测试压电层内形成通孔。
参见图21，通过刻蚀工艺在第一支撑结构3和测试压电层009内形成通孔30。通孔30的设置使得覆盖第一支撑结构3的第一测试电极1与测试底电极008连接。
S2203、在第一支撑结构背离测试压电层的一侧形成第一测试电极，第一测试电极穿过通孔与测试底电极连接。
S2204、在第二支撑结构背离测试压电层的一侧形成第二测试电极，第二测试电极与测试顶电极连接。
参见图9，通过镀膜工艺形成第一测试电极1和第二测试电极2，第一测试电极1位于第一支撑结构3背离测试压电层009的一侧，第一测试电极1穿过位于第一支撑结构3和测试压电层009的通孔与测试底电极008连接；第二测试电极2位于第二支撑结构4背离测试压电层009的一侧，第二测试电极2与测试顶电极0010连接；第一支撑结构3在测试衬底007的正投影位于第一测试电极1在测试衬底007的正投影之内，和/或，第二支撑结构4在测试衬底007的正投影位于第二测试电极2在测试衬底007的正投影之内。
进一步地，在图9中，第一支撑结构3在测试衬底007的正投影位于第一测试电极1在测试衬底007的正投影之内，第二支撑结构4在测试衬底007的正投影位于第二测试电极2在测试衬底007的正投影之内。在图14中，第一支撑结构3在测试衬底007的正投影位于第一测试电极1在测试衬底007的正投影之内。在图15中，第二支撑结构4在测试衬底007的正投影位于第二测试电极2在测试衬底007的正投影之内。需要说明的是，图14和图15示出的测试用谐振器200是形成了测试质量负载层006的测试用谐振器200的结构示意图。
上述技术方案中，通过第一支撑结构3在测试衬底007的正投影位于第一测试电极1在测试衬底007的正投影之内，和/或，第二支撑结构4在测试衬底007的正投影位于第二测试电极2在测试衬底007的正投影之内，可以避免测试质量负载层006连接第一测试电极1和第二测试电极2，使得第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置，进而避免出现因第一测试电极1和第二测试电极2短路，而不能检测测试质量负载层006对测试用谐振器200的谐振频率调整量的问题。
可选地，在上述技术方案的基础上，S220中形成绝缘设置的至少一个第一测试电极和至少一个第二测试电极的步骤包括：
S2205、在测试压电层背离测试底电极的一侧形成至少一个第一测试电极和至少一个第二测试电极。
S2206、在第一测试电极和第二测试电极相对的表面设置第一绝缘层；和/或，在第二测试电极和第一测试电极相对的表面设置第二绝缘层。
参见图16，通过镀膜工艺在测试压电层009背离测试底电极的一侧形成至少一个第一测试电极1和至少一个第二测试电极2。并且通过镀膜工艺在第一测试电极1和第二测试电极2相对的表面设置第一绝缘层11；和/或，在第二测试电极2和第一测试电极1相对的表面设置第二绝缘层21。图16示例性的示出了第一测试电极1和第二测试电极2相对的表面设置有第一绝缘层11以及第二测试电极2和第一测试电极1相对的表面设置有第二绝缘层21的结构。
在上述技术方案中，第一测试电极1和第二测试电极2相对的表面设置有第一绝缘层11，和/或，第二测试电极2和第一测试电极1相对的表面设置有第二绝缘层21，在测试质量负载层006形成之后，第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置，进而避免出现因第一测试电极1和第二测试电极2短路，而不能检测测试质量负载层006对测试用谐振器200的谐振频率调整量的问题。
可选地，在上述技术方案的基础上，S220形成绝缘设置的至少一个第一测试电极和至少一个第二测试电极的步骤之后还包括：
形成测试质量负载层，测试质量负载层覆盖第一测试电极、第二测试电极以及间隔区域。
图9-图11的测试用谐振器200还没有形成测试质量负载层006，通过成膜工艺在测试用谐振器200上形成测试质量负载层006后，对应参见图4-图6的测试用谐振器200，该测试用谐振器200还包括测试质量负载层006，测试质量负载层006覆盖第一测试电极1、第二测试电极2以及间隔区域。
由于第一测试电极1和第二测试电极2之间设置有间隔区域，第一测试电极1与第二测试电极2中的至少一个与测试压电层009之间的厚度大于测试质量负载层006的厚度，以使第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置。通过采用上述方案可以避免形成测试质量负载层006之后第一测试电极1和第二测试电极2出现短路，而不能检测测试质量负载层006对测试用谐振器200的谐振频率调整量的问题。
可选地，在上述技术方案的基础上，S210制备测试压电层包括：在测试压电层的上表面形成凹槽，凹槽在测试压电层的正投影覆盖间隔区域在测试压电层的正投影，以使在形成测试质量负载层之后，第一测试电极和第二测试电极绝缘设置。
进一步地，参见图17，通过刻蚀工艺在测试压电层009的上表面形成凹槽90，凹槽90在测试压电层009的正投影覆盖间隔区域在测试压电层009的正投影，以使在形成测试质量负载层006之后，第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置。
在上述技术方案中，凹槽90在测试压电层009的正投影覆盖第一测试电极1和第二测试电极2之间的间隔区域在测试压电层009的正投影，在测试质量负载层006形成之后，测试质量负载层006位于凹槽90内，可以避免测试质量负载层006连接第一测试电极1和第二测试电极2，使得第一测试电极1和第二测试电极2绝缘设置，进而避免出现因第一测试电极1和第二测试电极2短路，而不能检测测试质量负载层006对测试用谐振器200的谐振频率调整量的问题。
应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本申请中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本申请的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。
上述具体实施方式，并不构成对本申请保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本申请的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请保护范围之内。

Claims (18)

1.一种测试用谐振器，其特征在于，包括：测试衬底、测试底电极、测试压电层以及测试顶电极的叠层、至少一个第一测试电极和至少一个第二测试电极；
所述第一测试电极和所述测试底电极连接，所述第二测试电极和所述测试顶电极连接，所述第一测试电极和所述第二测试电极之间设置有间隔区域，所述第一测试电极与所述第二测试电极中的至少一个与所述测试压电层之间的厚度大于预设厚度，以使所述第一测试电极和所述第二测试电极绝缘设置；所述第一测试电极和所述第二测试电极位于所述测试顶电极的同一侧；
所述测试用谐振器还包括测试质量负载层，所述测试质量负载层覆盖所述第一测试电极、所述第二测试电极以及所述间隔区域；所述测试质量负载层为导电测试质量负载层；所述预设厚度大于或等于所述测试质量负载层的厚度。
2.根据权利要求1所述的测试用谐振器，其特征在于，所述第二测试电极构成所述测试顶电极的悬翼结构，其中，所述悬翼结构位于所述测试顶电极的边缘。
3.根据权利要求1所述的测试用谐振器，其特征在于，所述测试压电层背离所述测试底电极的一侧设置有间隔的第一支撑结构和第二支撑结构；
所述第一测试电极位于所述第一支撑结构背离所述测试压电层的一侧，所述第一测试电极穿过位于所述第一支撑结构和所述测试压电层的通孔与所述测试底电极连接；
所述第二测试电极位于所述第二支撑结构背离所述测试压电层的一侧，所述第二测试电极与所述测试顶电极连接；
所述第一支撑结构在所述测试衬底的正投影位于所述第一测试电极在所述测试衬底的正投影之内，和/或，所述第二支撑结构在所述测试衬底的正投影位于所述第二测试电极在所述测试衬底的正投影之内。
4.根据权利要求1所述的测试用谐振器，其特征在于，所述第一测试电极和所述第二测试电极相对的表面设置有第一绝缘层，和/或，所述第二测试电极和所述第一测试电极相对的表面设置有第二绝缘层。
5.根据权利要求1所述的测试用谐振器，其特征在于，所述测试压电层设置有凹槽，所述凹槽在所述测试压电层的正投影覆盖所述间隔区域在所述测试压电层的正投影，以使在形成测试质量负载层之后，所述第一测试电极和第二测试电极绝缘设置。
6.根据权利要求1所述的测试用谐振器，其特征在于，所述间隔区域在第一方向的正投影的最小尺寸大于所述测试质量负载层的厚度的两倍，所述第一方向为所述测试衬底的延伸方向。
7.根据权利要求1所述的测试用谐振器，其特征在于，所述第一测试电极和所述第二测试电极在第二方向上的高度差大于所述测试质量负载层的厚度的两倍，所述第二方向为垂直于所述测试衬底所在平面的方向。
8.一种谐振器的测试方法，其特征在于，包括：
提供半导体结构，其中，所述半导体结构至少包括衬底；
采用镀膜工艺在所述半导体结构的表面形成待测质量负载层；
采用同一镀膜工艺在测试用谐振器的表面形成测试质量负载层，并确定所述测试质量负载层对所述测试用谐振器的谐振频率调整量，其中，所述测试用谐振器包括至少一个第一测试电极和至少一个第二测试电极以及测试衬底、测试底电极、测试压电层以及测试顶电极的叠层；所述第一测试电极和所述第二测试电极之间设置有间隔区域，所述第一测试电极与所述第二测试电极中的至少一个与所述测试压电层之间的厚度大于预设厚度，以使所述第一测试电极和所述第二测试电极绝缘设置；所述第一测试电极和所述第二测试电极位于所述测试顶电极的同一侧；所述测试用谐振器还包括测试质量负载层，所述测试质量负载层覆盖所述第一测试电极、所述第二测试电极以及所述间隔区域；所述测试质量负载层为导电测试质量负载层；所述预设厚度大于或等于所述测试质量负载层的厚度；
当所述测试质量负载层对所述测试用谐振器的谐振频率调整量满足预设数值时，在所述待测质量负载层背离所述衬底的一侧形成预设膜层，所述待测质量负载层、所述预设膜层和所述半导体结构构成谐振器。
9.根据权利要求8所述的谐振器的测试方法，其特征在于，确定所述测试质量负载层对所述测试用谐振器的谐振频率调整量还包括：
根据所述测试质量负载层对所述测试用谐振器的谐振频率调整量，确定所述待测质量负载层对所述半导体结构的谐振频率调整量。
10.根据权利要求8所述的谐振器的测试方法，其特征在于，确定所述测试质量负载层对所述测试用谐振器的谐振频率调整量包括：
提供测试用谐振器，其中，所述第一测试电极与所述测试底电极连接，所述第二测试电极与所述测试顶电极连接；
检测所述测试用谐振器的谐振频率，得到第一谐振频率；
采用同一镀膜工艺在所述测试顶电极背离所述测试压电层的一侧形成测试质量负载层；
再次检测所述测试用谐振器的谐振频率，得到第二谐振频率；
根据所述第二谐振频率和所述第一谐振频率的差值，确定所述测试质量负载层对所述测试用谐振器的谐振频率调整量。
11.根据权利要求9所述的谐振器的测试方法，其特征在于，根据所述测试质量负载层对所述测试用谐振器的谐振频率调整量确定所述待测质量负载层对所述半导体结构的谐振频率调整量包括：
根据所述待测质量负载层的厚度和所述测试质量负载层的厚度的比例关系以及所述测试质量负载层对所述测试用谐振器的谐振频率调整量，确定所述待测质量负载层对所述半导体结构的谐振频率调整量。
12.根据权利要求8所述的谐振器的测试方法，其特征在于，采用同一镀膜工艺在所述测试用谐振器的表面形成测试质量负载层之前包括：
若所述测试用谐振器表面存在初始质量负载层，则检测所述初始质量负载层的厚度；
在判定所述初始质量负载层的厚度异常时，去除所述初始质量负载层的部分或者全部。
13.根据权利要求12所述的谐振器的测试方法，其特征在于，所述初始质量负载层的厚度异常包括：
所述第一测试电极和所述第二测试电极之间的初始质量负载层与所述第一测试电极的垂直间隔距离小于或等于所述测试质量负载层的厚度，且所述第一测试电极和所述第二测试电极之间的初始质量负载层与所述第二测试电极的垂直间隔距离小于或等于所述测试质量负载层的厚度。
14.根据权利要求10所述的谐振器的测试方法，其特征在于，所述测试质量负载层包括导电测试质量负载层，再次检测所述测试用谐振器的谐振频率包括：
将探针扎在覆盖所述第一测试电极的测试质量负载层，并将所述探针扎在覆盖所述第二测试电极的测试质量负载层，以检测所述测试用谐振器的谐振频率。
15.一种测试用谐振器的制备方法，其特征在于，包括：
依次制备测试衬底、测试底电极、测试压电层以及测试顶电极；
形成绝缘设置的至少一个第一测试电极和至少一个第二测试电极，其中，所述第一测试电极和所述测试底电极连接，所述第二测试电极和所述测试顶电极连接，所述第一测试电极和所述第二测试电极之间设置有间隔区域，所述第一测试电极与所述第二测试电极中的至少一个与所述测试压电层之间的厚度大于预设厚度；
形成测试质量负载层，所述测试质量负载层覆盖所述第一测试电极、所述第二测试电极以及所述间隔区域；所述第一测试电极和所述第二测试电极位于所述测试顶电极的同一侧；所述测试质量负载层为导电测试质量负载层；所述预设厚度大于或等于所述测试质量负载层的厚度。
16.根据权利要求15所述的测试用谐振器的制备方法，其特征在于，形成绝缘设置的至少一个第一测试电极和至少一个第二测试电极包括：
在所述测试压电层背离所述测试底电极的一侧设置第一支撑结构和第二支撑结构，所述第一支撑结构和所述第二支撑结构间隔设置；
在所述第一支撑结构和所述测试压电层内形成通孔；
在所述第一支撑结构背离所述测试压电层的一侧形成第一测试电极，所述第一测试电极穿过所述通孔与所述测试底电极连接；
在所述第二支撑结构背离所述测试压电层的一侧形成所述第二测试电极，所述第二测试电极与所述测试顶电极连接；
其中，所述第一支撑结构在所述测试衬底的正投影位于所述第一测试电极在所述测试衬底的正投影之内，和/或，所述第二支撑结构在所述测试衬底的正投影位于所述第二测试电极在所述测试衬底的正投影之内。
17.根据权利要求15所述的测试用谐振器的制备方法，其特征在于，形成绝缘设置的至少一个第一测试电极和至少一个第二测试电极包括：
在所述测试压电层背离所述测试底电极的一侧形成至少一个第一测试电极和至少一个第二测试电极；
在所述第一测试电极和所述第二测试电极相对的表面设置第一绝缘层；和/或，在所述第二测试电极和所述第一测试电极相对的表面设置第二绝缘层。
18.根据权利要求15所述的测试用谐振器的制备方法，其特征在于，制备所述测试压电层包括：
在所述测试压电层的上表面形成凹槽，所述凹槽在所述测试压电层的正投影覆盖所述间隔区域在所述测试压电层的正投影，以使在形成测试质量负载层之后，所述第一测试电极和第二测试电极绝缘设置。
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