CN115037264A - 体声波滤波器及其频率控制方法、制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及体声波滤波器技术领域，具体为一种体声波滤波器及其频率控制方法、制作方法。其中，该体声波滤波器具有谐振器，谐振器具有上电极，该体声波滤波器的频率控制方法包括以下步骤：获取上电极上的重量负载层的厚度的变化参数；根据厚度的变化参数获取重量负载层的质量参数；根据质量参数控制体声波滤波器的频率。本发明通过获取上电极上的重量负载层的厚度的变化参数而获取重量负载层的质量参数，从而控制体声波滤波器的频率，修频范围更宽，且不会对压电层有损伤，该体声波滤波器的频率控制方法还可对Die级的芯片的进行频率修正，频率控制更加精准，提高整片晶圆良率。
Description
技术领域
本发明涉及体声波滤波器技术领域，具体为一种体声波滤波器及其频率控制方法、制作方法。
背景技术
在射频前端模块中，滤波器有着至关重要的作用，是射频前端的核心器件。
体声波滤波器BAW的核心结构由衬底、空腔、下电极、压电层和上电极构成的压电器件。工作原理是交变电压的电信号通过顶电极/底电极作用于压电体，压电体发生形变(逆压电效应)产生机械信号，并以波的形式(纵波)在上电极、压电薄膜、空腔、下电极的结构中反射形成驻波谐振，谐振波作用压电体(压电效应)将声信号转化成电信号进行选频。
由此可知体声波滤波器BAW的频率由电极-压电层决定，滤波器在晶圆制造过程中的频率修正主要通过修整压电层的厚度改变。这种频率修正方式是一种区域修整方法，虽然快速，但是不能精确控制die级芯片的频率，而且由于修整的是压电层薄膜，修整厚度一般不超过20nm，故调整频率有限小于50MHz，否则会破坏压电体薄膜本体，造成插损升高、品质因素降低等其他特性不良。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种体声波滤波器的频率控制方法，旨在解决现有技术中的体声波滤波器的频率控制方法通过修整压电层的厚度改变频率，不能精确控制，容易导致压电体薄膜本体被破坏的技术问题。
为实现上述目的，本发明提出的一种体声波滤波器的频率控制方法，所述体声波滤波器具有谐振器，所述谐振器具有上电极；所述频率控制方法包括以下步骤：
获取所述上电极上的重量负载层的厚度的变化参数；
根据所述厚度的变化参数获取所述重量负载层的质量参数；
根据所述质量参数控制所述体声波滤波器的频率。
可选地，在获取所述上电极上的重量负载层的厚度的变化参数的步骤中，通过激光烧灼所述重量负载层以获取所述重量负载层的厚度的变化参数。
可选地，所述体声波滤波器制作在晶圆上，激光烧灼所述重量负载层的步骤中包括以下步骤：通过频率测试系统检测并获取所述晶圆上各个所述体声波滤波器的频率，同时获取各个所述体声波滤波器的位置坐标，然后将所述位置坐标输入至激光器，所述激光器发射的激光作用于各所述位置坐标上的所述体声波滤波器的所述重量负载层，烧灼所述重量负载层以获取厚度的变化参数。
可选地，所述频率测试系统包括射频探针台、网络分析仪和测试软件载体。
本发明还提出一种体声波滤波器的制作方法，包括以下步骤：
提供衬底；
制作空腔：在所述衬底上制作空腔；
制作填充层：在所述空腔内制作填充层；
制作谐振器：在所述填充层上制作谐振器；
制作重量负载层：在所述谐振器上制作重量负载层；
填充层的释放：在所述谐振器上制作空气通道，并通过所述空气通道释放填充层；
频率调整：获取所述上电极上的重量负载层的厚度的变化参数；根据所述厚度的变化参数获取所述重量负载层的质量参数；根据所述质量参数控制所述体声波滤波器的频率。
可选地，制作谐振器的步骤中包括以下步骤：
制作下电极：在所述填充层的表面上制作所述下电极；
制作压电层：在所述下电极上制作所述压电层；
制作上电极：在所述压电层上制作所述上电极；所述重量负载层制作上所述上电极上；
制作互连层：刻蚀所述压电层制作出互连通道，所述互连通道向下延伸至所述下电极，在所述互连通道制作所述互连层。
可选地，所述衬底为硅衬底或蓝宝石衬底。
可选地，制作空腔步骤中包括以下步骤：在所述衬底的表面通过光刻工艺和干法刻蚀工艺制作出所述空腔。
可选地，制作填充层步骤中包括以下步骤：采用化学气相沉积的方式在所述衬底上生长填充材料，生长厚度为3um-6um，填充材料为非金属材料，然后将所述空腔外的填充材料研磨去除，去除厚度为3um-6um，保留所述空腔中的所述填充材料，得到所述填充层，所述填充层的厚度大于所述空腔的深度1um以上。
可选地，制作下电极步骤中包括以下步骤：采用金属蒸发或者磁控溅射的方式制备金属薄膜，然后用光刻工艺和干法刻蚀工艺制作得到所述下电极。
可选地，制作压电层步骤中包括以下步骤：采用磁控溅射工艺或金属化学气相沉积工艺制作得到所述压电层。
可选地，制作上电极步骤中包括以下步骤：采用金属蒸发或者磁控溅射的方式制备金属薄膜，然后用光刻工艺和干法刻蚀工艺制作得到所述上电极。
可选地，制作互连层步骤中包括以下步骤：采用光刻工艺和干法刻蚀工艺对所述压电层进行刻蚀并穿透，形成所述互连通道，在所述互连通道内沉积金属制作得到所述互连层。
可选地，制作重量负载层步骤中包括以下步骤：采用金属蒸发工艺或电镀工艺制作金属材料层，然后用光刻工艺和干法刻蚀工艺在所述上电极的表面制作得到所述重量负载层。
可选地，填充层的释放步骤中包括以下步骤：采用光刻工艺和干法刻蚀工艺对所述压电层进行刻蚀，形成所述空气通道，通过所述空气通道化学腐蚀掉所述填充层，腐蚀后留下所述空腔。
可选地，频率调整步骤中包括以下步骤：通过频率测试系统检测并获取所述衬底上各个所述体声波滤波器的频率，同时获取各个所述体声波滤波器的位置坐标，然后将所述位置坐标输入至激光器，所述激光器发射的激光作用于各所述位置坐标上的所述体声波滤波器的所述重量负载层，烧灼所述重量负载层获取厚度的变化参数。
本发明还提出一种体声波滤波器，包括衬底、空腔、谐振器以及重量负载层。所述空腔设置在所述衬底的表面上。所述谐振器设置在所述空腔上，所述谐振器上设有贯穿其厚度方向的空气通道，所述空气通道连通至所述空腔。所述重量负载层设置在所述谐振器上，所述重量负载层被配置成其厚度可改变，以调节所述谐振器的频率。
可选地，所述谐振器包括下电极、压电层、上电极和互连层，所述下电极设于所述衬底上并覆盖在所述空腔的上端口，所述压电层设置在所述下电极上，所述上电极设置在所述压电层上，所述互连层穿透所述压电层的厚度方向直至所述下电极的表面；所述重量负载层设置在所述上电极的表面上。
可选地，所述空腔为倒梯形纵截面的凹槽，其深度为2um-5um，其底面和侧面的夹角为95°-120°；
可选地，所述下电极的尺寸大于所述空腔的尺寸5um-10um。
可选地，所述压电层为单晶AlN压电层，其厚度为300nm-5um。
可选地，所述上电极的厚度为50nm-300nm。
可选地，所述上电极面积小于所述下电极的面积。
可选地，所述上电极的面积要大于所述空腔的面积。
可选地，所述互连层为金属互联层，所述金属互联层的厚度为300nm-5um。
可选地，所述重量负载层为金属加厚层，所述重量负载层的材质选自Al、Mo、Cu或Au中的至少一种，其厚度为1um-10um；所述金属加厚层的面积小于所述空腔的面积；所述金属加厚层的厚度要大于所述上电极的厚度。
可选地，所述空气通道的厚度为300nm-5um。
本发明技术方案通过获取上电极上的重量负载层的厚度的变化参数而获取重量负载层的质量参数，根据质量参数控制体声波滤波器的频率，修频范围更宽，且不会对压电层有损伤，该体声波滤波器的频率控制方法还可对Die级的芯片的进行频率修正，频率控制更加精准，提高整片晶圆良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明体声波滤波器的频率控制方法一实施例的示意图；
图2为本发明体声波滤波器的制作方法中的提供衬底步骤的示意图；
图3为本发明体声波滤波器的制作方法中的制作空腔步骤的示意图；
图4为本发明体声波滤波器的制作方法中的制作填充层步骤的示意图；
图5为本发明体声波滤波器的制作方法中的制作下电极步骤的示意图；
图6为本发明体声波滤波器的制作方法中的制作压电层步骤的示意图；
图7为本发明体声波滤波器的制作方法中的制作上电极步骤的示意图；
图8为本发明体声波滤波器的制作方法中的制作互连层步骤的示意图；
图9为本发明体声波滤波器的制作方法中的制作互连层步骤的另一示意图；
图10为本发明体声波滤波器的制作方法中的制作重量负载层步骤的示意图；
图11为本发明体声波滤波器的制作方法中的填充层的释放步骤的示意图。
附图标号说明：
1、衬底；2、空腔；3、填充层；4、下电极；5、压电层；6、上电极；7、互连通道；8、互连层；9、重量负载层；10、空气通道；激光、L。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
本发明提出一种体声波滤波器的频率控制方法。
在本发明实施例中，该体声波滤波器具有谐振器，谐振器具有上电极6。如图1所示，该频率控制方法包括以下步骤：获取上电极6上的重量负载层9的厚度的变化参数；根据所述厚度的变化参数获取重量负载层9的质量参数；根据所述质量参数控制所述体声波滤波器的频率。
获取重量负载层9的厚度的变化参数的方式可以是激光烧灼、化学腐蚀或研磨去除，只需实现将厚度较薄即可。
优选地，获取所述上电极6上的重量负载层9的厚度的变化参数的步骤中，通过激光烧灼所述重量负载层9以获取所述重量负载层9的厚度的变化参数。激光L烧灼后重量负载层9的厚度变薄，其截面面积保持不变的情况下，整体或部分的厚度变薄，体积变小，质量变小。
在本发明实施例中，体声波滤波器制作在晶圆上，激光烧灼重量负载层9的步骤中包括以下步骤：通过频率测试系统检测并获取晶圆上各个体声波滤波器的频率，同时获取各个体声波滤波器的位置坐标，然后将位置坐标输入至激光器。具体地，频率测试系统包括射频探针台、网络分析仪和测试软件载体。激光器发射的激光L作用于各位置坐标上的体声波滤波器的重量负载层9，烧灼重量负载层9以获取厚度的变化参数。
本发明通过采用调节厚度的方式调节频率的原因如下：若通过改变重量负载层9的面积实现改变其质量，在制作过程中，需要结合光刻工艺，通过改变光刻板上的图案改变重量负载层9的形状，即面积。这种方式的缺点在于，当同一批次的多个体声波滤波器需要调节至不同的频率时，需要根据需求逐个调节光刻板上的图案，增加了制作的成本，制作效率低。
而本发明通过激光L烧灼调节厚度的方式调节频率，可以根据调节需求对各个体声波滤波器的重量负载层9进行烧灼，以满足快速调节各个体声波滤波器至不同的频率，制作成本低且效率高。
本发明技术方案通过获取上电极6上的重量负载层9的厚度的变化参数而获取重量负载层9的质量参数，根据质量参数控制体声波滤波器的频率，示例性地，修调重量负载层9的厚度对应频率的变化约1nm＝1.92MHz，可见修频范围更宽，修整范围1MHz-300MHz，从而实现晶粒级的频率控制。应理解，上述厚度与频率变化的比值也可以是其它数值，不限于1nm＝1.92MHz，相应地，修整范围不限于1MHz-300MHz。
且该频率控制方法不会对压电层5有损伤，该体声波滤波器的频率控制方法还可对Die级的芯片的进行频率修正，频率控制更加精准，提高整片晶圆良率。
本发明还提出一种体声波滤波器的制作方法，如图1至图11所示，包括以下步骤：
提供衬底1；
制作空腔2：在衬底1上制作空腔2；
制作填充层3：在空腔2内制作填充层3；
制作谐振器：在填充层3上制作谐振器；
制作重量负载层9：在谐振器上制作重量负载层9；
填充层3的释放：在谐振器上制作空气通道10，并通过空气通道10释放填充层3；
频率调整：获取上电极6上的重量负载层9的厚度的变化参数；根据所述厚度的变化参数获取重量负载层9的质量参数；根据所述质量参数控制所述体声波滤波器的频率。
在本发明实施例中，如图5至图9所示，制作谐振器的步骤中包括以下步骤：
制作下电极4：在填充层3的表面上制作下电极4；
制作压电层5：在下电极4上制作压电层5；
制作上电极6：在压电层5上制作上电极6；重量负载层9制作上上电极6上；
制作互连层8：刻蚀压电层5制作出互连通道7，互连通道7向下延伸至下电极4，在互连通道7制作互连层8。
在本发明实施例中，衬底1为硅衬底或蓝宝石衬底。硅衬底更优选为高阻硅衬底1。
在本发明实施例中，制作空腔2步骤中包括以下步骤：在衬底1的表面通过光刻工艺和干法刻蚀工艺制作出空腔2。
在本发明实施例中，制作填充层3步骤中包括以下步骤：采用化学气相沉积的方式在衬底1上生长填充材料，生长厚度为3um-6um，填充材料为非金属材料，例如SiO2或PSG；然后将空腔2外的填充材料研磨去除，去除厚度为3um-6um，保留空腔2中的填充材料，得到填充层3，填充层3的厚度大于空腔2的深度1um以上，用于保证填充层3与空腔2的界面无空隙。
在本发明实施例中，制作下电极4步骤中包括以下步骤：采用金属蒸发或者磁控溅射的方式制备金属薄膜，然后用光刻工艺和干法刻蚀工艺制作得到下电极4。
在本发明实施例中，制作压电层5步骤中包括以下步骤：采用磁控溅射工艺或金属化学气相沉积工艺制作得到压电层5。
在本发明实施例中，制作上电极6步骤中包括以下步骤：采用金属蒸发或者磁控溅射的方式制备金属薄膜，然后用光刻工艺和干法刻蚀工艺制作得到上电极6。
在本发明实施例中，制作互连层8步骤中包括以下步骤：采用光刻工艺和干法刻蚀工艺对压电层5进行刻蚀并穿透，形成互连通道7，在互连通道7内沉积金属制作得到互连层8。
在本发明实施例中，制作重量负载层9步骤中包括以下步骤：采用金属蒸发工艺或电镀工艺制作金属材料层，然后用光刻工艺和干法刻蚀工艺在上电极6的表面制作得到重量负载层9。
在本发明实施例中，填充层3的释放步骤中包括以下步骤：采用光刻工艺和干法刻蚀工艺对压电层5进行刻蚀，形成空气通道10，通过空气通道10化学腐蚀掉填充层3，优选地，化学腐蚀采用的腐蚀溶液为HF溶液或BOE溶液，该腐蚀溶液只与填充材料反应，不与衬底1的材料及下电极4的材料反应，腐蚀后留下空腔2。
在本发明实施例中，频率调整步骤中包括以下步骤：通过频率测试系统检测并获取衬底1上各个体声波滤波器的频率，同时获取各个体声波滤波器的位置坐标，然后将位置坐标输入至激光器，激光器发射的激光L作用于各位置坐标上的体声波滤波器的重量负载层9，烧灼重量负载层9获取厚度的变化参数。
本发明还提出一种体声波滤波器，如图11所示，包括衬底1、空腔2、谐振器以及重量负载层9。空腔2设置在衬底1的表面上。谐振器设置在空腔2上，谐振器上设有贯穿其厚度方向的空气通道10，空气通道10连通至空腔2。重量负载层9设置在谐振器上，重量负载层9被配置成其厚度可改变，以调节谐振器的频率。
在本发明实施例中，谐振器包括下电极4、压电层5、上电极6和互连层8，下电极4设于衬底1上并覆盖在空腔2的上端口，压电层5设置在下电极4上，上电极6设置在压电层5上，互连层8穿透压电层5的厚度方向直至下电极4的表面；重量负载层9设置在上电极6的表面上。
在本发明实施例中，空腔2为倒梯形纵截面的凹槽，其深度为2um-5um，其底面和侧面的夹角为95°-120°。上述深度有利于声波的反射，上述夹角有利于纵声波在空腔2中的反射回压电层5，减少纵声波的损耗。
在本发明实施例中，下电极4的尺寸大于空腔2的尺寸5um-10um，用于提高体声波滤波器的矩形系数。该尺寸一般指长度，也可指宽度。
在本发明实施例中，压电层5为单晶AlN(氮化铝)压电层，其厚度为300nm-5um，可提高体声波滤波器的纵声速。
在本发明实施例中，上电极6的厚度为50nm-300nm。
在本发明实施例中，上电极6面积小于下电极4的面积，可减少激励信号通过压电层5的损耗。
在本发明实施例中，上电极6的面积要大于空腔2的面积，可保证空腔2的反射波传导至压电层5产生的逆压电效应完全作用于上电极6。
在本发明实施例中，互连层8为金属互联层，金属互联层的厚度为300nm-5um。
在本发明实施例中，重量负载层9为金属加厚层，重量负载层9的材质选自Al、Mo、Cu或Au中的至少一种，其厚度为1um-10um。金属加厚层的面积小于空腔2的面积。金属加厚层的厚度要大于上电极6的厚度，厚度的尺寸决定了频率可修调的范围。
在本发明实施例中，空气通道10的厚度为300nm-5um。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种体声波滤波器的频率控制方法，所述体声波滤波器具有谐振器，所述谐振器具有上电极；其特征在于，所述频率控制方法包括以下步骤：
获取所述上电极上的重量负载层的厚度的变化参数；
根据所述厚度的变化参数获取所述重量负载层的质量参数；
根据所述质量参数控制所述体声波滤波器的频率。
2.如权利要求1所述的体声波滤波器的频率控制方法，其特征在于，在获取所述上电极上的重量负载层的厚度的变化参数的步骤中，通过激光烧灼所述重量负载层以获取所述重量负载层的厚度的变化参数。
3.如权利要求2所述的体声波滤波器的频率控制方法，其特征在于，所述体声波滤波器制作在晶圆上，激光烧灼所述重量负载层的步骤中包括以下步骤：通过频率测试系统检测并获取所述晶圆上各个所述体声波滤波器的频率，同时获取各个所述体声波滤波器的位置坐标，然后将所述位置坐标输入至激光器，所述激光器发射的激光作用于各所述位置坐标上的所述体声波滤波器的所述重量负载层，烧灼所述重量负载层以获取厚度的变化参数。
4.如权利要求3所述的体声波滤波器的频率控制方法，其特征在于，所述频率测试系统包括射频探针台、网络分析仪和测试软件载体。
5.一种体声波滤波器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底；
制作空腔：在所述衬底上制作空腔；
制作填充层：在所述空腔内制作填充层；
制作谐振器：在所述填充层上制作谐振器；
制作重量负载层：在所述谐振器上制作重量负载层；
填充层的释放：在所述谐振器上制作空气通道，并通过所述空气通道释放填充层；
频率调整：获取所述上电极上的重量负载层的厚度的变化参数；根据所述厚度的变化参数获取所述重量负载层的质量参数；根据所述质量参数控制所述体声波滤波器的频率。
6.如权利要求5所述的体声波滤波器的制作方法，其特征在于，制作谐振器的步骤中包括以下步骤：
制作下电极：在所述填充层的表面上制作所述下电极；
制作压电层：在所述下电极上制作所述压电层；
制作上电极：在所述压电层上制作所述上电极；所述重量负载层制作上所述上电极上；
制作互连层：刻蚀所述压电层制作出互连通道，所述互连通道向下延伸至所述下电极，在所述互连通道制作所述互连层。
7.如权利要求6所述的体声波滤波器的制作方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底或蓝宝石衬底；
和/或，制作空腔步骤中包括以下步骤：在所述衬底的表面通过光刻工艺和干法刻蚀工艺制作出所述空腔；
和/或，制作填充层步骤中包括以下步骤：采用化学气相沉积的方式在所述衬底上生长填充材料，生长厚度为3um-6um，填充材料为非金属材料，然后将所述空腔外的填充材料研磨去除，去除厚度为3um-6um，保留所述空腔中的所述填充材料，得到所述填充层，所述填充层的厚度大于所述空腔的深度1um以上；
和/或，制作下电极步骤中包括以下步骤：采用金属蒸发或者磁控溅射的方式制备金属薄膜，然后用光刻工艺和干法刻蚀工艺制作得到所述下电极；
和/或，制作压电层步骤中包括以下步骤：采用磁控溅射工艺或金属化学气相沉积工艺制作得到所述压电层；
和/或，制作上电极步骤中包括以下步骤：采用金属蒸发或者磁控溅射的方式制备金属薄膜，然后用光刻工艺和干法刻蚀工艺制作得到所述上电极；
和/或，制作互连层步骤中包括以下步骤：采用光刻工艺和干法刻蚀工艺对所述压电层进行刻蚀并穿透，形成所述互连通道，在所述互连通道内沉积金属制作得到所述互连层；
和/或，制作重量负载层步骤中包括以下步骤：采用金属蒸发工艺或电镀工艺制作金属材料层，然后用光刻工艺和干法刻蚀工艺在所述上电极的表面制作得到所述重量负载层；
和/或，填充层的释放步骤中包括以下步骤：采用光刻工艺和干法刻蚀工艺对所述压电层进行刻蚀，形成所述空气通道，通过所述空气通道化学腐蚀掉所述填充层，腐蚀后留下所述空腔；
和/或，频率调整步骤中包括以下步骤：通过频率测试系统检测并获取所述衬底上各个所述体声波滤波器的频率，同时获取各个所述体声波滤波器的位置坐标，然后将所述位置坐标输入至激光器，所述激光器发射的激光作用于各所述位置坐标上的所述体声波滤波器的所述重量负载层，烧灼所述重量负载层获取厚度的变化参数。
8.一种体声波滤波器，包括：
衬底；
其特征在于，还包括：
空腔，所述空腔设置在所述衬底的表面上；
谐振器，所述谐振器设置在所述空腔上，所述谐振器上设有贯穿其厚度方向的空气通道，所述空气通道连通至所述空腔；以及
重量负载层，所述重量负载层设置在所述谐振器上，所述重量负载层被配置成其厚度可改变，以调节所述谐振器的频率。
9.如权利要求8所述的体声波滤波器，其特征在于，所述谐振器包括下电极、压电层、上电极和互连层，所述下电极设于所述衬底上并覆盖在所述空腔的上端口，所述压电层设置在所述下电极上，所述上电极设置在所述压电层上，所述互连层穿透所述压电层的厚度方向直至所述下电极的表面；所述重量负载层设置在所述上电极的表面上。
10.如权利要求9所述的体声波滤波器，其特征在于，所述空腔为倒梯形纵截面的凹槽，其深度为2um-5um，其底面和侧面的夹角为95°-120°；
和/或，所述下电极的尺寸大于所述空腔的尺寸5um-10um；
和/或，所述压电层为单晶AlN压电层，其厚度为300nm-5um；
和/或，所述上电极的厚度为50nm-300nm；
和/或，所述上电极面积小于所述下电极的面积；
和/或，所述上电极的面积要大于所述空腔的面积；
和/或，所述互连层为金属互联层，所述金属互联层的厚度为300nm-5um；
和/或，所述重量负载层为金属加厚层，所述重量负载层的材质选自Al、Mo、Cu或Au中的至少一种，其厚度为1um-10um；所述金属加厚层的面积小于所述空腔的面积；所述金属加厚层的厚度要大于所述上电极的厚度；
和/或，所述空气通道的厚度为300nm-5um。
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