CN114070232A - 具有靠近的电极引出端的体声波谐振器、滤波器及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种体声波谐振器。该谐振器包括：基底；声学镜；底电极；顶电极；和压电层，其中：所述谐振器还包括第一电极引出端，所述第一电极引出端穿过压电层而与底电极的电极连接端电连接，且所述第一电极引出端与底电极的连接面的内侧在水平方向上处于所述声学镜的边界的内侧；和/或所述谐振器还包括第二电极引出端，所述顶电极的电极连接端设置有桥部，所述第二电极引出端包括至少部分覆盖所述桥部的外侧斜面的第二覆盖部，所述第二覆盖部的内端与所述桥部的内边缘在水平方向上间隔开。本发明还涉及一种滤波器以及一种电子设备。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种体声波谐振器、一种具有该谐振器的滤波器，以及一种电子设备。
背景技术
电子器件作为电子设备的基本元素，被广泛应用于我们生活中的方方面面。不但我们目前常用的移动电话、汽车、家电设备等地方充满了各式各样的电子器件，而且未来即将改变世界的人工智能、物联网、5G通讯等技术仍然需要依靠电子器件作为基础。
电子器件根据不同工作原理可以发挥不同的特性与优势，在所有电子器件中，利用压电效应(或逆压电效应)工作的器件是其中很重要一类。其中薄膜体声波谐振器(FBAR)具有尺寸小(μm级)、谐振频率高(GHz)、品质因数高(1000)、功率容量大、滚降效应好等优良特性，其滤波器正在逐步取代传统的声表面波(SAW)滤波器和陶瓷滤波器，在无线通信射频领域发挥巨大作用，其高灵敏度的优势也能应用到生物、物理、医学等传感领域。
FBAR主要利用压电材料的压电效应与逆压电效应产生体声波，从而在器件内形成谐振，因为FBAR具有品质因数高、功率容量大、频率高(可达2-10GHz甚至更高)以及与标准集成电路(IC)的兼容性好等一系列的固有优势，可广泛应用于频率较高的射频应用系统中。
随着无线通信速率的不断提高，要求射频器件的工作频率也相应提高。要制造更高频率的FBAR滤波器，FBAR谐振器的谐振频率也要相应提高。现有的FBAR结构，当谐振频率较高时，电极较薄，因此电极导电性变差，影响谐振器在串联谐振点的阻抗值，最终导致串联谐振点Qs及其附近的Q值恶化。
发明内容
为缓解或解决现有技术中的上述问题的至少一个方面，提出本发明。
根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
顶电极；和
压电层，
其中：
所述谐振器还包括第一电极引出端，所述第一电极引出端穿过压电层而与底电极的电极连接端电连接，且所述第一电极引出端与底电极的连接面的内侧在水平方向上处于所述声学镜的边界的内侧；和/或
所述谐振器还包括第二电极引出端，所述顶电极的电极连接端设置有桥部，所述第二电极引出端包括至少部分覆盖所述桥部的外侧斜面的第二覆盖部，所述第二覆盖部的内端与所述桥部的内边缘在水平方向上间隔开。
本发明的实施例还涉及一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
顶电极；和
压电层，
其中：
所述谐振器的谐振频率不小于2GHz，所述底电极在谐振器的有效区域内的电极厚度小于0.5μm，且所述谐振器还包括第一电极引出端，所述第一电极引出端穿过压电层而与底电极的电极连接端电连接，所述第一电极引出端与压电层接触部分的内端在水平方向上与所述顶电极的非电极连接端之间的距离不小于谐振器的谐振频率对应声波波长的二分之一，且不大于10μm；和/或
所述谐振器的谐振频率不小于2GHz，所述顶电极在谐振器的有效区域内的电极厚度小于0.5μm，且所述谐振器还包括第二电极引出端，所述顶电极的电极连接端设置有桥部，所述第二电极引出端包括至少部分覆盖所述桥部的外侧斜面的第二覆盖部，所述第二覆盖部的内端与所述桥部的内边缘在水平方向上间隔开。
本发明的实施例又涉及一种滤波器，包括上述的体声波谐振器。
本发明的实施例也涉及一种电子设备，包括上述的滤波器或者上述的谐振器。
附图说明
以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：
图1为示出现有技术中的体声波谐振器的顶电极的电极引出部以及底电极的电极引出部的设置位置的截面示意图；
图2-7为根据本发明的不同示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。发明的一部分实施例，而并不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1为示出现有技术中的体声波谐振器的顶电极的电极引出部以及底电极的电极引出部的设置位置的截面示意图。从图1中可以看到，底电极的电极引出端113a设置在声学镜103的边界的外侧，顶电极的电极引出端113b设置在桥部111限定的空隙111a的外侧。对于图1中的结构，谐振器的谐振频率越高，电极的厚度越薄，从而导致电极引出端与电极之间的电连接通道的电性损耗增大，谐振器的Q值恶化。
图2-7为根据本发明的不同示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。在本发明中，通过对电极引出端、电极和压电层之间的结构和位置关系的重新定义，可以弥补由于电极变薄导致的谐振器的Q值恶化，从而提高谐振器的Qs及其附近的Q值。
本发明中的附图标记说明如下：
101：基底，可选材料为单晶硅、氮化镓、砷化镓、蓝宝石、石英、碳化硅、金刚石等。
103：声学镜，可为空腔，也可采用布拉格反射层及其他等效形式。本发明所示的实施例中采用的是空腔。
105：底电极，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。
107：压电层，可以为单晶压电材料，可选的，如：单晶氮化铝、单晶氮化镓、单晶铌酸锂、单晶锆钛酸铅(PZT)、单晶铌酸钾、单晶石英薄膜、或者单晶钽酸锂等材料，也可以为多晶压电材料(与单晶相对应，非单晶材料)，可选的，如多晶氮化铝、氧化锌、PZT等，还可是包含上述材料的一定原子比的稀土元素掺杂材料，例如可以是掺杂氮化铝，掺杂氮化铝至少含一种稀土元素，如钪(Sc)、钇(Y)、镁(Mg)、钛(Ti)、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等。
109：顶电极，其材料可与底电极相同，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。顶电极和底电极材料一般相同，但也可以不同。
111：桥部，设置在顶电极的电极连接端。
111a：空隙，其由桥部限定，位于桥部111与压电层107的上表面之间，可以是空气隙，也可以是介质层，均在本发明的保护范围内。
113：底电极的电极连接端，其可与顶电极同时制得，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。
113a：底电极的电极引出端，材料一般为高电导率金属，可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。
113b：顶电极的电极引出端，材料一般为高电导率金属，可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。
115：钝化层或工艺层，设置在谐振器的顶电极上，工艺层的作用可以是质量调节负载或钝化层，其材料可以为介质材料，如二氧化硅、氮化铝、氮化硅等。
117：附加金属层，材料一般为高电导率金属，可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等，也可以与底电极的材料相同。
119：悬翼，设置在顶电极的非电极连接端，其下方设置有空隙119a。
119a：空隙，其由悬翼119限定，位于悬翼119与压电层107上表面之间，其可以是空气隙，也可以是介质层，均在本发明的保护范围内
如图2所示，电极引出端113a穿过压电层107而与底电极105的电极连接端113电连接，且电极引出端113a向内延伸至声学镜103的边界的内侧，换言之，在图2中，电极引出端113a与电极连接端113相接的部分跨接声学镜103的边界。电极引出端113a覆盖底电极105的电极连接端113的表面以及压电层107中的导电通孔的侧壁。
如图2所示，在可选的实施例中，电极引出端113a还包括覆盖压电层107的上表面的覆盖部M。覆盖部M可以保证113a对105边界的完全覆盖。
为保证覆盖部M不影响谐振器有效区域工作，可以定义距离L1以保证覆盖部M和顶电极的非电极连接端的边缘之间实现足够的声学解耦隔离。定义L1为：电极引出端113a的与压电层相接触的内端(在图2中为右端)和顶电极109的非电极连接端(在图2中为左端)在水平方向上的距离。在本发明的一个实施例中，可选的，L1≥λ/2，其中λ为谐振器的谐振频率对应的声波波长。
参见图2，顶电极109的电极连接端设置有桥部111，桥部下方限定空隙111a。在图2中，桥部111具有水平部，在如图2所示的实施例中，顶电极的电极引出端113b覆盖桥部的右侧斜面(即外侧斜面)以及一部分水平部。
需要说明的是，在本发明中，桥部的外侧斜面包括了在桥部的顶部(最高)与桥部的外侧部分(最低)之间的单个斜面、台阶面、多个斜面等情形，均在本发明的保护范围之内。在本发明中，桥部的水平部对应于形成桥部的最高部或顶部的部分。
如图2所示，电极引出端113b的内端(图2中的左端)在水平方向上与桥部111的空隙111a的内边缘存在距离L2。
在本发明的一个实施例中，定义L2以保证相应的电极引出端113b和谐振器的有效区域(有效区域为顶电极109、压电层107和底电极105在谐振器的厚度方向上的重叠区域，如图2中的A1所示)实现足够的声学解耦隔离。在图2中，L2也为电极引出端113b的内端和顶电极109在有效区域的边缘之间的距离。在可选的实施例中，L2≥λ/2，其中λ为谐振器的谐振频率对应的声波波长。
采用图2所示的实施例的技术方案，由于电极引出端113a与底电极105连接的部分跨接了声学镜103的边界，电极引出端113b的内端覆盖了桥部111的水平部的一部分，使得电极引出端更接近谐振器的有效区域，这减小了在有效区域之外与电极引出部之间的电极部分的电阻，因此提高了谐振器的串联谐振频率处Qs值及其附近的Q值。
需要指出的是，在图2所示的实施例中，还可以仅设置电极引出端113a，而不设置电极引出端113b，或者还可以仅仅设置电极引出端113b而不设置电极引出端113a。对于设置电极引出端113a的情况，顶电极的电极连接端也可以不设置桥部111。此外，虽然在图2所示的实施例中，顶电极的非电极连接端设置有悬翼119，但是顶电极的非电极连接端也可以不设置悬翼。此外，在图2所示的实施例中，电极引出端113a与电极连接端113相接的部分在水平方向上跨接声学镜103的边界，不过，电极引出端113a与电极连接端113相接的部分的外端也可以处于声学镜103的边界的内侧。以上这些均在本发明的保护范围之内，也同样适用于图3-7所示的实施例。
图3所示的结构与图2所示的结构的区别在于，在图3中，电极引出端113b仅覆盖了桥部111的外侧斜面的一部分，而没有覆盖桥部111的水平部。
如图2所示，在电极引出端113b设置在桥部111的水平部上时，虽然可以提高谐振器在串联谐振频率处的Qs值，但会在一定程度上影响谐振器的其他性能，例如导致声学损耗变大。为了尽量增加电极引出端113b对桥部111的覆盖，同时降低该覆盖对谐振器的性能的影响，如图3所示，可以将电极引出端113b仅延伸至桥部的外侧斜面上。如图3所示，电极引出端113b覆盖桥部111的外侧斜面的一部分，且电极引出端113b的内端与桥部111的水平部的外边缘在水平方向上存在距离L3，在可选的实施例中，L3不大于2μm，例如为1μm或者0μm。
在可选的实施例中，可以将压电层107的侧面刻蚀成斜面，使电极引出端113a的覆盖性更好。
图4为根据本发明的再一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。图4与图3所示结构的区别在于，在图4中，电极引出端113a的内端并未如3中一样覆盖压电层107的上表面，而是形成了一个悬翼。具体的，如图4所示，电极引出端113a的内侧部分或内端设置有引出端悬翼，引出端悬翼与压电层107的上表面之间形成间隙，引出端悬翼的外边缘与顶电极109的非电极连接端在水平方向上存在距离L4。在图4中，由于引出端悬翼的存在，有利于在电极引出端113a和有效区域实现足够的声学解耦隔离。定义L4为电极引出端113a的引出端悬翼的外边缘和顶电极109的悬翼在水平方向上的距离。在一个可选的实施例中，L4≥λ/2，其中λ为谐振器的谐振频率对应的声波波长。
在图4中，由于引出端悬翼和压电层不接触，因此可以将图2中L1的距离替换为L4；在L1和L4距离相等的情况下，如均为二分之一波长，图4的压电层刻蚀端面比图2更接近有效区域，因此也能有进一步减小电阻损耗，提高Q值。换句话说，图4和图2的压电层刻蚀端面差一个M的距离。
相对于例如图3所示的实施例，图4所示的实施可以使接触底电极的电极连接端的电极引出端113a的内端更接近有效区域，从而进一步提高谐振器在串联谐振频率处的Qs值及其附近的Q值。
图5为根据本发明的还一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。其与图2所示的结构的区别在于，在图5中，在电极引出端113a与底电极105之间设置有附加金属层117；此外，在顶电极109上设置有钝化层115，钝化层115覆盖了桥部111的水平部的一部分，且电极引出部113b的内端覆盖了部分处于桥部111的水平部上的钝化层115。
当顶电极109上设置有钝化层115时，电极引出部113b的内端可进一步延伸至钝化层115的外端上。换言之，如图5所示，电极引出部113b的内端覆盖部分处于桥部111上方的钝化层115，且电极引出部113b的内端与桥部111的内边缘在水平方向上间隔开。
此外，在生长电极引出部113a前，需要刻蚀压电层107以暴露出底电极105。在刻蚀压电层107时可能会损伤底电极105，甚至存在将底电极105刻穿的风险。为此，在电极引出部113a对应的区域，如图5所示，在底电极105的电极连接部113的上方增加了附加金属层117，以阻挡刻蚀压电层107时对底电极105带来的损伤，以提高结构可靠性。另一方面，附加金属层117的材料可以选用金属，这样可以进一步提高电极导电性。
如图5所示，附加金属层117在水平方向上跨接声学镜103的边界，且与顶电极109的非电极连接端在水平方向上存在距离L5。在可选的实施例中，L5≥λ/2，其中λ为谐振器的谐振频率对应的声波波长。
在可选的实施例中，附加金属层117的内端比电极引出端113a的内端更靠近顶电极109的非电极连接端。
如图6所示，附加金属层117也可以设置在底电极105与基底101之间。
如图7所示，附加金属层117可以直接通过加厚底电极的电极连接端而形成。或者，当附加金属层117和底电极105采用相同的金属时，可以改变底电极105的形状，已达到附加金属层的效果。
在本发明中，对于例如谐振频率不小于2GHz的体声波谐振器，在有效区域内的电极的厚度小于0.5μm的情况下，通过如上所述改变电极引出端113a或113b的横向位置，可以减小在有效区域与电极引出端之间的电极部分的长度，从而降低该电极部分的电阻。相应的，通过使得电极引出端113a与压电层107接触部分的内端在水平方向上与顶电极109的非电极连接端之间的距离不小于谐振器的谐振频率对应声波波长的二分之一，且不大于10μm，可以实现谐振器的谐振频率不小于2GHz，且底电极在谐振器的有效区域内的电极厚度小于0.5μm这样的结构。相应的，在顶电极109的电极连接端设置有桥部111的情况下，使得电极引出端113b包括至少部分覆盖桥部111的外侧斜面的覆盖部(该覆盖部的内端与桥部111的内边缘在水平方向上间隔开)，可以实现谐振器的谐振频率不小于2GHz，且顶电极在谐振器的有效区域内的电极厚度小于0.5μm这样的结构。
需要指出的是，在本发明中，各个数值范围，除了明确指出不包含端点值之外，除了可以为端点值，还可以为各个数值范围的中值，这些均在本发明的保护范围之内。
在本发明中，上和下是相对于谐振器的基底的底面而言的，对于一个部件，其靠近该底面的一侧为下侧，远离该底面的一侧为上侧。
在本发明中，内和外是相对于谐振器的有效区域(压电层、顶电极、底电极和声学镜在谐振器的厚度方向上的重叠区域构成有效区域)的中心(即有效区域中心)在横向方向或者径向方向上而言的，一个部件的靠近有效区域中心的一侧或一端为内侧或内端，而该部件的远离有效区域中心的一侧或一端为外侧或外端。对于一个参照位置而言，位于该位置的内侧表示在横向方向或径向方向上处于该位置与有效区域中心之间，位于该位置的外侧表示在横向方向或径向方向上比该位置更远离有效区域中心。
如本领域技术人员能够理解的，根据本发明的体声波谐振器可以用于形成滤波器或电子设备。这里的电子设备，包括但不限于射频前端、滤波放大模块等中间产品，以及手机、WIFI、无人机等终端产品。
基于以上，本发明提出了如下技术方案：
1、一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
顶电极；和
压电层，
其中：
所述谐振器还包括第一电极引出端，所述第一电极引出端穿过压电层而与底电极的电极连接端电连接，且所述第一电极引出端与底电极的连接面的内侧在水平方向上处于所述声学镜的边界的内侧；和/或
所述谐振器还包括第二电极引出端，所述顶电极的电极连接端设置有桥部，所述第二电极引出端包括至少部分覆盖所述桥部的外侧斜面的第二覆盖部，所述第二覆盖部的内端与所述桥部的内边缘在水平方向上间隔开。
2、根据1所述的谐振器，其中：
所述第一电极引出端的内侧部分包括覆盖所述压电层的上表面的第一覆盖部。
3、根据2所述的谐振器，其中：
所述第一覆盖部与所述顶电极的非电极连接端在水平方向上存在第一距离(L1)。
4、根据3所述的谐振器，其中：
所述第一距离不小于谐振器的谐振频率对应声波波长的二分之一。
5、根据1所述的谐振器，其中：
所述第一电极引出端的内侧部分包括引出端悬翼，引出端悬翼与压电层的上表面之间形成间隙，所述引出端悬翼的外边缘与所述顶电极的非电极连接端在水平方向上存在第四距离(L4)。
6、根据5所述的谐振器，其中：
所述第四距离不小于谐振器的谐振频率对应声波波长的二分之一。
7、根据1所述的谐振器，其中：
所述谐振器还包括设置在所述第一电极引出端与底电极的电极连接端之间的附加金属层；
所述金属附加层的内端在水平方向上处于所述声学镜的边界的内侧，且与所述顶电极的非电极连接端在水平方向上存在第五距离(L5)。
8、根据1所述的谐振器，其中：
所述谐振器还包括设置在底电极的电极连接端与基底之间的附加金属层；
所述金属附加层的内端在水平方向上处于所述声学镜的边界的内侧，且与所述顶电极的非电极连接端在水平方向上存在第五距离(L5)。
9、根据1所述的谐振器，其中：
所述底电极的电极连接端的上表面包括电极加厚层；
所述电极加厚层的内端在水平方向上处于所述声学镜的边界的内侧，且与所述顶电极的非电极连接端在水平方向上存在第五距离(L5)。
10、根据7-9中任一项所述的谐振器，其中：
所述第五距离不小于谐振器的谐振频率对应声波波长的二分之一。
11、根据1-9中任一项所述的谐振器，其中：
所述桥部具有水平部；
所述第二覆盖部覆盖所述外侧斜面以及一部分的所述水平部，且所述第二覆盖部的内端与所述桥部的内边缘在水平方向上存在第二距离(L2)。
11、根据10所述的谐振器，其中：
所述第二距离不小于谐振器的谐振频率对应声波波长的二分之一。
12、根据1-9中任一项所述的谐振器，其中：
所述桥部具有水平部；
所述第二覆盖部覆盖所述外侧斜面的一部分，且所述第二覆盖部的内端与所述水平部的外边缘在水平方向上存在第三距离(L3)。
13、根据12所述的谐振器，其中：
所述第三距离不大于2μm。
14、根据1-9中任一项所述的谐振器，其中：
所述顶电极上表面设置有钝化层，所述钝化层还至少覆盖部分所述桥部；
所述第二覆盖部覆盖部分处于所述桥部上方的钝化层，且所述第二覆盖部的内端与所述桥部的内边缘在水平方向上间隔开。
15、一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
顶电极；和
压电层，
其中：
所述谐振器的谐振频率不小于2GHz，所述底电极在谐振器的有效区域内的电极厚度小于0.5μm，且所述谐振器还包括第一电极引出端，所述第一电极引出端穿过压电层而与底电极的电极连接端电连接，所述第一电极引出端与压电层接触部分的内端在水平方向上与所述顶电极的非电极连接端之间的距离不小于谐振器的谐振频率对应声波波长的二分之一，且不大于10μm；和/或
所述谐振器的谐振频率不小于2GHz，所述顶电极在谐振器的有效区域内的电极厚度小于0.5μm，且所述谐振器还包括第二电极引出端，所述顶电极的电极连接端设置有桥部，所述第二电极引出端包括至少部分覆盖所述桥部的外侧斜面的第二覆盖部，所述第二覆盖部的内端与所述桥部的内边缘在水平方向上间隔开。
16、根据1或15所述的谐振器，其中：
所述顶电极的非电极连接端设置有顶电极悬翼。
17、根据1或15所述的谐振器，其中：
所述第一电极引出端与底电极的连接面在水平方向上跨接所述声学镜的边界。
18、一种滤波器，包括根据1-17中任一项所述的体声波谐振器。
19、一种电子设备，包括根据18所述的滤波器，或者根据1-17中任一项所述的体声波谐振器。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行变化，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (20)
1.一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
顶电极；和
压电层，
其中：
所述谐振器还包括第一电极引出端，所述第一电极引出端穿过压电层而与底电极的电极连接端电连接，且所述第一电极引出端与底电极的连接面的内侧在水平方向上处于所述声学镜的边界的内侧；和/或
所述谐振器还包括第二电极引出端，所述顶电极的电极连接端设置有桥部，所述第二电极引出端包括至少部分覆盖所述桥部的外侧斜面的第二覆盖部，所述第二覆盖部的内端与所述桥部的内边缘在水平方向上间隔开。
2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述第一电极引出端的内侧部分包括覆盖所述压电层的上表面的第一覆盖部。
3.根据权利要求2所述的谐振器，其中：
所述第一覆盖部与所述顶电极的非电极连接端在水平方向上存在第一距离(L1)。
4.根据权利要求3所述的谐振器，其中：
所述第一距离不小于谐振器的谐振频率对应声波波长的二分之一。
5.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述第一电极引出端的内侧部分包括引出端悬翼，引出端悬翼与压电层的上表面之间形成间隙，所述引出端悬翼的外边缘与所述顶电极的非电极连接端在水平方向上存在第四距离(L4)。
6.根据权利要求5所述的谐振器，其中：
所述第四距离不小于谐振器的谐振频率对应声波波长的二分之一。
7.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述谐振器还包括设置在所述第一电极引出端与底电极的电极连接端之间的附加金属层；
所述金属附加层的内端在水平方向上处于所述声学镜的边界的内侧，且与所述顶电极的非电极连接端在水平方向上存在第五距离(L5)。
8.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述谐振器还包括设置在底电极的电极连接端与基底之间的附加金属层；
所述金属附加层的内端在水平方向上处于所述声学镜的边界的内侧，且与所述顶电极的非电极连接端在水平方向上存在第五距离(L5)。
9.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述底电极的电极连接端的上表面包括电极加厚层；
所述电极加厚层的内端在水平方向上处于所述声学镜的边界的内侧，且与所述顶电极的非电极连接端在水平方向上存在第五距离(L5)。
10.根据权利要求7-9中任一项所述的谐振器，其中：
所述第五距离不小于谐振器的谐振频率对应声波波长的二分之一。
11.根据权利要求1-9中任一项所述的谐振器，其中：
所述桥部具有水平部；
所述第二覆盖部覆盖所述外侧斜面以及一部分的所述水平部，且所述第二覆盖部的内端与所述桥部的内边缘在水平方向上存在第二距离(L2)。
12.根据权利要求10所述的谐振器，其中：
所述第二距离不小于谐振器的谐振频率对应声波波长的二分之一。
13.根据权利要求1-9中任一项所述的谐振器，其中：
所述桥部具有水平部；
所述第二覆盖部覆盖所述外侧斜面的一部分，且所述第二覆盖部的内端与所述水平部的外边缘在水平方向上存在第三距离(L3)。
14.根据权利要求12所述的谐振器，其中：
所述第三距离不大于2μm。
15.根据权利要求1-9中任一项所述的谐振器，其中：
所述顶电极上表面设置有钝化层，所述钝化层还至少覆盖部分所述桥部；
所述第二覆盖部覆盖部分处于所述桥部上方的钝化层，且所述第二覆盖部的内端与所述桥部的内边缘在水平方向上间隔开。
16.一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
顶电极；和
压电层，
其中：
所述谐振器的谐振频率不小于2GHz，所述底电极在谐振器的有效区域内的电极厚度小于0.5μm，且所述谐振器还包括第一电极引出端，所述第一电极引出端穿过压电层而与底电极的电极连接端电连接，所述第一电极引出端与压电层接触部分的内端在水平方向上与所述顶电极的非电极连接端之间的距离不小于谐振器的谐振频率对应声波波长的二分之一，且不大于10μm；和/或
所述谐振器的谐振频率不小于2GHz，所述顶电极在谐振器的有效区域内的电极厚度小于0.5μm，且所述谐振器还包括第二电极引出端，所述顶电极的电极连接端设置有桥部，所述第二电极引出端包括至少部分覆盖所述桥部的外侧斜面的第二覆盖部，所述第二覆盖部的内端与所述桥部的内边缘在水平方向上间隔开。
17.根据权利要求1或15所述的谐振器，其中：
所述顶电极的非电极连接端设置有顶电极悬翼。
18.根据权利要求1或15所述的谐振器，其中：
所述第一电极引出端与底电极的连接面在水平方向上跨接所述声学镜的边界。
19.一种滤波器，包括根据权利要求1-17中任一项所述的体声波谐振器。
20.一种电子设备，包括根据权利要求18所述的滤波器，或者根据权利要求1-17中任一项所述的体声波谐振器。
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|---|---|---|---|
| CN202010769161.2A CN114070232A (zh) | 2020-08-03 | 2020-08-03 | 具有靠近的电极引出端的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
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|---|---|---|---|
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Cited By (2)
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2020
- 2020-08-03 CN CN202010769161.2A patent/CN114070232A/zh active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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