CN115250100A - 体声波谐振器、体声波谐振器组件、滤波器及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种体声波谐振器，包括：基底；谐振结构，包括压电层、底电极和顶电极；和声学镜，其中：在所述基底和所述谐振结构之间设置有支撑层；所述压电层为与所述基底大体平行布置的单晶压电层；且所述谐振器包括第一导电结构和/或第二导电结构，第一导电结构与底电极的电连接端层叠电连接，第二导电结构与顶电极的电连接端层叠电连接。本发明还涉及一种体声波谐振器组件、一种滤波器以及一种电子设备。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种体声波谐振器、一种体声波谐振器组件、一种包括该体声波谐振器或该体声波谐振器组件的滤波器，以及一种包括该体声波谐振器、该体声波谐振器组件或该滤波器的电子设备。
背景技术
薄膜体声波谐振器(FBAR)作为一种MEMS器件，具有体积小、质量轻、插入损耗低、频带宽以及品质因子高等优点，很好地适应了无线通信系统的更新换代，使FBAR技术成为通信领域的研究热点之一。薄膜体声波谐振器的结构主体为由电极-压电薄膜-电极组成的“三明治”结构，即两层金属电极层之间夹一层压电材料。通过在两电极间输入正弦信号，FBAR利用逆压电效应将输入电信号转换为机械谐振，并且再利用压电效应将机械谐振转换为电信号输出。
随着无线通信速率的不断提高，对射频滤波器的带宽宽度提出了更高的要求，基于多晶压电薄膜的FBAR滤波器由于带宽较窄，越来越难以满足未来射频通信的要求；同时，FBAR谐振器的压电层通常具有弯曲部分，因此其寄生模式较强，由FBAR谐振器组成的FBAR滤波器通带内有难以消除的波纹。
单晶薄膜声波滤波器由于具有比FBAR滤波器更大的带宽，因此能够满足未来射频通信的需求。然而，随着无线通信速率的不断提高，要求射频器件的工作频率也相应提高。要制造更高频率的单晶薄膜声波滤波器，单晶薄膜声波谐振器的谐振频率也要相应提高。现有的单晶薄膜声波谐振器结构，当谐振频率较高时，电极较薄，因此电极导电性变差，影响谐振器在串联谐振点的阻抗值，最终导致串联谐振点Qs及其附近的Q值恶化。
传统的谐振器，如图19和图20所示，其自下而上包括基底10、声学镜20、底电极30、压电层40、顶电极50等结构，在传统谐振器制作沉积刻蚀过程中，如图19和20所示，很难形成完整且平直的压电层结构，这样会大大的影响谐振器性能：一般情况下，压电层的弯曲程度越大，由其形成的谐振器的寄生模式越强，由谐振器组成的滤波器通带波纹也严重。
发明内容
为缓解或解决现有技术中的上述问题的至少一个方面，提出本发明。
根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种体声波谐振器，包括：
基底；
谐振结构，包括压电层、底电极和顶电极；和
声学镜，
其中：
在所述基底和所述谐振结构之间设置有支撑层；
所述压电层为与所述基底大体平行布置的单晶压电层；且
所述谐振器包括第一导电结构和/或第二导电结构，第一导电结构与底电极的电连接端层叠电连接，第二导电结构与顶电极的电连接端层叠电连接。
根据本发明的另一个方面，还提供一种包括至少两个前述体声波谐振器的体声波谐振器组件。
根据本发明的另一个方面，还提供一种包括前述体声波谐振器或前述体声波谐振器组件的滤波器。
根据本发明的另一个方面，还提供一种包括前述体声波谐振器、或前述体声波谐振器组件或前述滤波器的电子设备。
附图说明
以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：
图1-17为根据本发明的不同示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。
图18A-18K显示了制造图1所示的体声波谐振器的过程；
图19-20为现有技术中的两种体声波谐振器的截面示意图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。发明的一部分实施例，而并不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
首先，本发明的附图中的附图标记说明如下：
10：基底，可选材料为单晶硅、氮化镓、砷化镓、蓝宝石、石英、碳化硅、金刚石等。
10’：辅助基底，可选材料为单晶硅、氮化镓、砷化镓、蓝宝石、石英、碳化硅、金刚石等。
15：绝缘层，材料可为铜，金或以上金属的复合或其合金等，也可以是SiN，SiO2等介质材料。
15’：第二释放材料层，材料可为铜，金或以上金属的复合或其合金等，也可以是SiN，SiO2等介质材料。
20：声学镜，可以是空腔，也可采用布拉格反射层及其他等效形式，本发明所示的实施例中采用的是空腔。
25：支撑层，材料可为铜，金或以上金属的复合或其合金等，也可以是SiN，SiO2等介质材料。
25’：第一释放材料层，材料可为铜，金或以上金属的复合或其合金等，也可以是SiN，SiO2等介质材料。
30：底电极，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。
40：单晶压电层，可选单晶氮化铝、单晶氮化镓、单晶铌酸锂、单晶锆钛酸铅、单晶铌酸钾、单晶石英薄膜、或者单晶钽酸锂等材料，还可包含上述材料的一定原子比的稀土元素掺杂材料，例如可以是掺杂氮化铝，掺杂氮化铝至少含一种稀土元素，如钪(Sc)、钇(Y)、镁(Mg)、钛(Ti)、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等。
50：顶电极，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。顶电极和底电极材料一般相同，但也可以不同。
60：第一导电结构，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。可选的，第一导电结构的材料电导率不小于等于底电极材料的电导率。
60’：第二导电结构，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。第二导电结构的材料可与第一导电结构的材料相同，也可以不同。可选的，第二导电结构的材料电导率不小于等于顶电极材料的电导率。
70：第一钝化层,一般为介质材料，如二氧化硅、氮化铝、氮化硅等。
70’：第二钝化层，一般为介质材料，如二氧化硅、氮化铝、氮化硅等。第二钝化层的材料可与第一钝化层的材料相同，也可以不同。
图1为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。
如图1所示，在图示的实施例中，该体声波谐振器主要包括：基底10、支撑层25、声学镜20、底电极30、压电层40和顶电极50。支撑层25设置在基底10上，用于支撑体声波谐振器的谐振结构。在支撑层25中形成有一个空腔，该空腔构成声学镜20。底电极30设置在压电层40的下表面上，顶电极50设置在压电层40的上表面上，使得压电层40被夹持在底电极30和顶电极50之间。如图1所示，压电层40的下表面与基底10的上表面之间设置所述支撑层25(即支撑结构)，压电层40与基底10大体平行布置。
需要指出的是，在本发明所示的实施例中，空腔或声学镜空腔的底侧由支撑层限定，但是本发明不限于此，空腔的底侧也可以由基底10限定。这均在本发明的保护范围之内。
如图1所示，在图示的实施例中，在底电极30上设置有第一导电结构60。底电极30自身具有第一声学干涉结构，该第一声学干涉结构包括位于底电极30的电连接端(图1中的左端)的第一桥结构和位于底电极30的非电连接端(图1中的右端)的第一悬翼结构。在图1所示的实施例中，底电极30还具有从第一桥结构延伸至体声波谐振器边缘的第一平直延伸部，第一导电结构60至少部分地覆盖第一平直延伸部的背对压电层40的表面(图1中的下表面)。在图1所示的实施例中，第一导电结构60设置在支撑层25与底电极30之间。
在图1所示的实施例中，第一导电结构60仅覆盖了底电极30的第一平直延伸部的一部分，并没有延伸至底电极30的第一桥结构的边缘。即，在图1所示的实施例中，第一导电结构60的内端在水平方向上处于第一桥结构的外边缘的外侧。
如图1所示，在图示的实施例中，压电层40为平直的单晶压电层。在本发明中，压电层40采用平直的单晶薄膜结构，使得压电层40在整个体声波谐振器层面都为水平状态，因此，体声波谐振器能够消除由于压电层弯曲导致的寄生模式增强效应，因此寄生模式得到抑制。
如图1所示，在图示的实施例中，底电极30形成“桥+悬翼”结构，使得谐振器效果增强，降低谐振器的寄生模式效应；同时，在底电极30靠近谐振器边缘处增加了导电结构，有效提高谐振器的Q值及导电性能，降低电极连接部分带来的寄生电阻，以此来优化谐振器的性能。
在可选的实施例中，在图1中底电极的非电连接端也可以不设置悬翼结构。
如图1所示，在图示的实施例中，在完全平直、完整的单晶压电层40上制作谐振器，同时在底电极30处增加导电结构增强谐振器连接部分的导电性，提高串联谐振点Qs及其附近的Q值，提高谐振器性能；同时下部的导电结构的引入不改变压电层的完整、平直的特征，因此能够减小谐振器的寄生模式，提高谐振器的可靠性。另外，由于第一导电结构与支撑层25接触，使得底电极30与支撑层25分离，这种机械隔离将减小谐振器内部声波能量从支撑层25泄露，进而提高谐振器并联谐振点Qp及其附近的Q值，提高谐振器性能
如图1所示，在图示的实施例中，顶电极50为平直电极。在顶电极50上没有形成任何声学干涉结构，并且在顶电极50上没有设置任何导电结构。这样可以简化体声波谐振器的结构和制备工艺，从而可以极大地降低制造成本。
图2为根据本发明的另一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。
与图1所示的示例性实施例相比，图2所示的体声波谐振器的主要区别在于顶电极50的结构不同。
如图2所示，在图示的实施例中，在顶电极50上设置有第二导电结构60’。顶电极50具有第二声学干涉结构，该第二声学干涉结构包括位于顶电极50的电连接端(图2中的右端)的第二桥结构和位于顶电极50的非电连接端(图2中的左端)的第二悬翼结构。顶电极50具有从第二桥结构延伸至体声波谐振器边缘的第二平直延伸部，第二导电结构60至少部分地覆盖第二平直延伸部的背对压电层40的表面(图2中的上表面)。即，在图2所示的实施例中，第二导电结构60’的内端在水平方向上处于第二桥结构的外边缘的外侧。
如图2所示，在图示的实施例中，在通过谐振器的顶电极的电连接端以及底电极的电连接端的截面中，底电极30和顶电极50关于谐振器的有效区域的中心对称布置。换言之，底电极30上的第一声学干涉结构和顶电极50上的第二声学干涉结构关于谐振器的有效区域的中心对称布置。具体而言，第一桥结构和第二桥结构关于谐振器的有效区域的中心对称布置，并且第一悬翼结构和第二悬翼结构也关于谐振器的有效区域的中心对称布置。此外，在图2所示的实施例中，第一导电结构60和第二导电结构60’也关于谐振器的有效区域的中心对称布置。
在图2所示的实施例中，第一导电结构60仅覆盖了底电极30的第一平直延伸部的一部分，并没有延伸至底电极30的第一桥结构的边缘。第二导电结构60’仅覆盖了顶电极50的第二平直延伸部的一部分，并没有延伸至顶电极50的第二桥结构的边缘。即，在图2所示的实施例中，第二导电结构60’的内端在水平方向上处于第二桥结构的外边缘的外侧。
除了前述区别之外，图2所示的体声波谐振器的其他特征与图1所示的实施例基本相同，为了简洁起见，这里不再赘述。
在图2所示的实施例中，底电极与顶电极关于谐振器的有效区域的中心对称，底电极与顶电极都形成“桥+悬翼”结构，使得谐振器效果增强，降低谐振器的寄生模式效应；同时，在底电极与顶电极靠近谐振器边缘处增加了导电结构，有效提高谐振器的Q值及导电性能，降低电极连接部分带来的寄生电阻，以此来优化谐振器的性能。
在可选的实施例中，在图2中底电极和顶电极的非电连接端也可以不设置悬翼结构。
图3为根据本发明的另一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。
与图1所示的示例性实施例相比，图3所示的体声波谐振器的主要区别在于第一导电结构60的延伸长度不同。
在图3所示的实施例中，第一导电结构60覆盖了底电极30的第一平直延伸部并延伸到底电极30的第一桥结构的一部分。即，第一导电结构60的内端在水平方向上处于第一桥结构的内边缘与外边缘之间。
如图3所示，由于底电极30上的第一导电结构60延伸到底电极30的第一桥结构的至少一部分上，使得第一导电结构60更接近谐振器的中心区域，这有利于进一步降低电极连接部分带来的寄生电阻，以此来优化谐振器的性能。
除了前述区别之外，图3所示的体声波谐振器的其他特征与图1所示的实施例基本相同，为了简洁起见，这里不再赘述。
图4为根据本发明的另一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。
与图2所示的示例性实施例相比，图4所示的体声波谐振器的主要区别在于第一导电结构60和第二导电结构60’的延伸长度不同。
在图4所示的实施例中，第一导电结构60覆盖了底电极30的第一平直延伸部并延伸到底电极30的第一桥结构的一部分，即，第一导电结构60的内端在水平方向上处于第一桥结构的内边缘与外边缘之间。第二导电结构60’覆盖了顶电极50的第二平直延伸部并延伸到顶电极50的第二桥结构的一部分，即，第二导电结构60’的内端在水平方向上处于第二桥结构的内边缘与外边缘之间。
如图4所示，在图示的实施例中，由于底电极30上的第一导电结构60延伸到底电极30的第一桥结构的一部分上，使得第一导电结构60更接近谐振器的中心区域，这有利于进一步降低电极连接部分带来的寄生电阻，以此来优化谐振器的性能。类似地，由于顶电极50上的第二导电结构60’延伸到顶电极50的第二桥结构的一部分上，使得第二导电结构60’更接近谐振器的中心区域，这有利于进一步降低电极连接部分带来的寄生电阻，以此来优化谐振器的性能。
除了前述区别之外，图4所示的体声波谐振器的其他特征与图2所示的实施例基本相同，为了简洁起见，这里不再赘述。
图5为根据本发明的另一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。
与图1所示的示例性实施例相比，图5所示的体声波谐振器的主要区别在于第一导电结构60的延伸长度不同。
在图5所示的实施例中，第一导电结构60覆盖了底电极30的第一平直延伸部并延伸至底电极30的第一桥结构的边缘。即，第一导电结构60的内端在水平方向上与第一桥结构的内边缘相接。
如图5所示，由于底电极30上的第一导电结构60延伸至底电极30的第一桥结构的边缘，使得第一导电结构60更接近谐振器的中心区域，这有利于进一步降低电极连接部分带来的寄生电阻，以此来优化谐振器的性能。
除了前述区别之外，图5所示的体声波谐振器的其他特征与图1所示的实施例基本相同，为了简洁起见，这里不再赘述。
图6为根据本发明的另一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。
与图2所示的示例性实施例相比，图6所示的体声波谐振器的主要区别在于第一导电结构60和第二导电结构60’的延伸长度不同。
在图6所示的实施例中，第一导电结构60覆盖了底电极30的第一平直延伸部并延伸至底电极30的第一桥结构的边缘，即，第一导电结构60的内端在水平方向上与第一桥结构的内边缘相接。第二导电结构60’覆盖了顶电极50的第二平直延伸部并延伸至顶电极50的第二桥结构的边缘，即，第二导电结构60’的内端在水平方向上与第二桥结构的内边缘相接。
如图6所示，在图示的实施例中，由于底电极30上的第一导电结构60延伸至底电极30的第一桥结构的边缘，使得第一导电结构60更接近谐振器的中心区域，这有利于进一步降低电极连接部分带来的寄生电阻，以此来优化谐振器的性能。类似地，由于顶电极50上的第二导电结构60’延伸至顶电极50的第二桥结构的边缘，使得第二导电结构60’更接近谐振器的中心区域，这有利于进一步降低电极连接部分带来的寄生电阻，以此来优化谐振器的性能。
除了前述区别之外，图6所示的体声波谐振器的其他特征与图2所示的实施例基本相同，为了简洁起见，这里不再赘述。
图7为根据本发明的另一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。
与图1所示的示例性实施例相比，图7所示的体声波谐振器的主要区别在于第一导电结构60的延伸长度不同以及在底电极30上设置有钝化层。
在图7所示的实施例中，在底电极30的背对压电层40的表面上设置有第一钝化层70，第一钝化层70覆盖第一桥结构的至少一部分。第一导电结构60覆盖第一平直延伸部并延伸到第一钝化层70的至少一部分上。第一导电结构60和第一钝化层70可以分别以沉积的方式形成在底电极30上。第一钝化层70从第一桥结构延伸至第一悬翼结构的边缘，第一导电结构60延伸到底电极30的第一桥结构和第一钝化层70的一部分上。
除了前述区别之外，图7所示的体声波谐振器的其他特征与图1所示的实施例基本相同，为了简洁起见，这里不再赘述。
图8为根据本发明的另一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。
与图2所示的示例性实施例相比，图8所示的体声波谐振器的主要区别在于底电极30和顶电极50上的导电结构的延伸长度不同以及在底电极30和顶电极50上设置有钝化层。
在图8所示的实施例中，在底电极30的背对压电层40的表面上设置有第一钝化层70，第一钝化层70覆盖第一桥结构的至少一部分。第一导电结构60覆盖第一平直延伸部并延伸到第一钝化层70的至少一部分上。第一导电结构60和第一钝化层70可以分别以沉积的方式形成在底电极30上。第一钝化层70从第一桥结构延伸至第一悬翼结构的边缘，第一导电结构60延伸到底电极30的第一桥结构和第一钝化层70的一部分上。类似地，如图8所示，在顶电极50的背对压电层40的表面上设置有第二钝化层70’，第二钝化层70’覆盖第二桥结构的至少一部分。第二导电结构60’覆盖第二平直延伸部并延伸到第二钝化层70’的至少一部分上。第二导电结构60’和第二钝化层70’可以分别以沉积的方式形成在顶电极50上。第二钝化层70’从第二桥结构延伸至第二悬翼结构的边缘，第二导电结构60’延伸到顶电极50的第二桥结构和第二钝化层70的一部分上。
如图8所示，在图示的实施例中，在通过谐振器的顶电极的电连接端以及底电极的电连接端的截面中，底电极30上的第一钝化层70和顶电极50上的第二钝化层70’关于谐振器的有效区域的中心对称布置。
除了前述区别之外，图8所示的体声波谐振器的其他特征与图2所示的实施例基本相同，为了简洁起见，这里不再赘述。
图9为根据本发明的另一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。
与图7所示的示例性实施例相比，图9所示的体声波谐振器的主要区别在于第一导电结构60的延伸长度不同。
在图9所示的实施例中，在底电极30的背对压电层40的表面上设置有第一钝化层70，第一钝化层70覆盖第一桥结构的至少一部分。第一导电结构60覆盖第一平直延伸部并延伸到第一钝化层70的至少一部分上。第一导电结构60和第一钝化层70可以分别以沉积的方式形成在底电极30上。第一钝化层70从第一桥结构延伸至第一悬翼结构的边缘，第一导电结构60延伸到第一钝化层70的一部分上，并且第一导电结构60延伸超过第一桥结构。
如图9所示，在图示的实施例中，第一导电结构60延伸超出底电极30的第一桥结构的长度大致为5μm，即，第一导电结构60的内部边缘与第一桥结构的内部边缘之间在水平方向上的距离大致为5μm，这样可以提高谐振器的Rs值和增强导电性能。。但是本发明不局限于图示的实施例，第一导电结构60延伸超出第一桥结构的长度也可以为其他合适的数值，例如，3μm、6μm、7μm或8μm。
除了前述区别之外，图9所示的体声波谐振器的其他特征与图7所示的实施例基本相同，为了简洁起见，这里不再赘述。
图10为根据本发明的另一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。
与图8所示的示例性实施例相比，图10所示的体声波谐振器的主要区别在于第一导电结构60和第二导电结构60’的延伸长度不同。
在图10所示的实施例中，在底电极30的背对压电层40的表面上设置有第一钝化层70，第一钝化层70覆盖第一桥结构的至少一部分。第一导电结构60覆盖第一平直延伸部并延伸到第一钝化层70的至少一部分上。第一导电结构60和第一钝化层70可以分别以沉积的方式形成在底电极30上。第一钝化层70从第一桥结构延伸至第一悬翼结构的边缘，第一导电结构60延伸到第一钝化层70的一部分上，并且第一导电结构60延伸超过第一桥结构。类似地，如图10所示，在顶电极50的背对压电层40的表面上设置有第二钝化层70’，第二钝化层70’覆盖第二桥结构的至少一部分。第二导电结构60’覆盖第二平直延伸部并延伸到第二钝化层70’的至少一部分上。第二导电结构60’和第二钝化层70’可以分别以沉积的方式形成在顶电极50上。第二钝化层70’从第二桥结构延伸至第二悬翼结构的边缘，第二导电结构60’延伸到第二钝化层70’的一部分上，并且第二导电结构60’延伸超过第二桥结构。
如图10所示，在图示的实施例中，第一导电结构60延伸超出底电极30的第一桥结构的长度大致为5μm，即，第一导电结构60的内部边缘与第一桥结构的内部边缘之间在水平方向上的距离大致为5μm，这样可以提高谐振器的Rs值和增强导电性能。。但是本发明不局限于图示的实施例，第一导电结构60延伸超出第一桥结构的长度也可以为其他合适的数值，例如，3μm、6μm、7μm或8μm。
类似地，如图10所示，在图示的实施例中，第二导电结构60’延伸超出顶电极50的第二桥结构的长度大致为5μm，即，第二导电结构60’的内部边缘与第二桥结构的内部边缘之间在水平方向上的距离大致为5μm，这样可以提高谐振器的Rs值和增强导电性能。。但是本发明不局限于图示的实施例，第二导电结构60’延伸超出第二桥结构的长度也可以为其他合适的数值，例如，3μm、6μm、7μm或8μm。
除了前述区别之外，图10所示的体声波谐振器的其他特征与图8所示的实施例基本相同，为了简洁起见，这里不再赘述。
图11为根据本发明的另一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。
与图1所示的示例性实施例相比，图11所示的体声波谐振器的主要区别在于第一导电结构60的延伸长度不同。
在图11所示的实施例中，第一导电结构60覆盖了底电极30的第一平直延伸部和第一桥结构并延伸超出底电极30的第一桥结构。在图示的实施例中，第一导电结构60延伸超出底电极30的第一桥结构的长度大致为5μm，即，第一导电结构60的内部边缘与第一桥结构的内部边缘之间在水平方向上的距离大致为5μm。但是本发明不局限于图示的实施例，第一导电结构60延伸超出第一桥结构的长度也可以为其他合适的数值，例如，3μm、6μm、7μm或8μm。
除了前述区别之外，图11所示的体声波谐振器的其他特征与图1所示的实施例基本相同，为了简洁起见，这里不再赘述。
如图11所示，在声学镜20的空腔内，底电极30形成为桥型+悬翼型结构，同时在底电极30上沉积一层第一导电结构60，第一导电结构60全覆盖至第一桥结构上并延伸出来。第一导电结构60更接近谐振器中心区域，进一步降低电极连接部分带来的寄生电阻，同时，第一导电结构内部边缘至第一桥结构边缘的延伸部分长度为5μm，提高了谐振器的Rs值，增强了导电性能。
图12为根据本发明的另一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。
与图2所示的示例性实施例相比，图12所示的体声波谐振器的主要区别在于第一导电结构60和第二导电结构60’的延伸长度不同。
在图12所示的实施例中，第一导电结构60覆盖了底电极30的第一平直延伸部和第一桥结构并延伸超出底电极30的第一桥结构。在图示的实施例中，第一导电结构60延伸超出底电极30的第一桥结构的长度大致为5μm，即，第一导电结构60的内部边缘与第一桥结构的内部边缘之间在水平方向上的距离大致为5μm。但是本发明不局限于图示的实施例，第一导电结构60延伸超出第一桥结构的长度也可以为其他合适的数值，例如，3μm、6μm、7μm或8μm。类似地，如图12所示，在图示的实施例中，第二导电结构60’覆盖了顶电极50的第二平直延伸部和第二桥结构并延伸超出顶电极50的第二桥结构。在图示的实施例中，第二导电结构60’延伸超出顶电极50的第二桥结构的长度大致为5μm，即，第二导电结构60’的内部边缘与第二桥结构的内部边缘之间在水平方向上的距离大致为5μm。但是本发明不局限于图示的实施例，第二导电结构60’延伸超出第二桥结构的长度也可以为其他合适的数值，例如，3μm、6μm、7μm或8μm。
除了前述区别之外，图12所示的体声波谐振器的其他特征与图2所示的实施例基本相同，为了简洁起见，这里不再赘述。
如图12所示，在声学镜20的空腔内，底电极30形成为桥型+悬翼型结构，同时在底电极30上沉积一层第一导电结构60，第一导电结构60全覆盖至第一桥结构上并延伸出来。第一导电结构60更接近谐振器中心区域，进一步降低电极连接部分带来的寄生电阻，同时，第一导电结构内部边缘至第一桥结构边缘的延伸部分长度为5μm，提高了谐振器的Rs值，增强了导电性能。类似地，如图12所示，顶电极50形成为桥型+悬翼型结构，同时在顶电极50上沉积一层第二导电结构60’，第二导电结构60’全覆盖至第二桥结构上并延伸出来。第二导电结构60’更接近谐振器中心区域，进一步降低电极连接部分带来的寄生电阻，同时，第二导电结构内部边缘至第二桥结构边缘的延伸部分长度为5μm，提高了谐振器的Rs值，增强了导电性能。
图13为根据本发明的另一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。
如图13所示，在图示的实施例中，该体声波谐振器主要包括：基底10、支撑层25、声学镜20、底电极30、压电层40和顶电极50。支撑层25设置在基底10上，用于支撑体声波谐振器的谐振结构。在支撑层25中形成有一个空腔，该空腔构成声学镜20。如图13所示，压电层40的下表面与基底10的上表面之间设置所述支撑层25(即支撑结构)，压电层40与基底10大体平行布置。
如图13所示，在图示的实施例中，在底电极30的背对压电层40的表面上设置有第一导电结构60，在顶电极50的背对压电层40的表面上设置有第二导电结构60’。在图13所示的实施例中，底电极30和顶电极50都为沿水平方向延伸的平直电极，其上没有形成任何声学干涉结构，这样可以简化体声波谐振器的结构和制备工艺，从而可以极大地降低制造成本。
如图13所示，在图示的实施例中，第一导电结构60和第二导电结构60’都为沿水平方向延伸的平直导电结构。第一导电结构60的外侧端沿水平方向延伸至体声波谐振器的一侧边缘，第二导电结构60’的外侧端沿水平方向延伸至体声波谐振器的另一侧边缘。
如图13所示，在图示的实施例中，第一导电结构60与顶电极50之间的在水平方向上的间隔距离d等于第二导电结构60’与底电极30之间的在水平方向上的间隔距离d。即，第一导电结构60的内侧边缘与顶电极50的内侧边缘之间在水平方向上相距预定的间隔距离d，第二导电结构60’的内侧边缘与底电极30的内侧边缘之间在水平方向上相距预定的间隔距离d。前述间隔距离d可以根据实际情况设置，例如，可以为3μm、4μm、5μm、6μm、7μm或其他合适的数值。
如图13所示，在图示的实施例中，整个底电极30和整个顶电极50关于谐振器的有效区域的中心对称布置。第一导电结构60和第二导电结构60’也关于谐振器的有效区域的中心对称布置。
如图13所示，在图示的实施例中，压电层40为平直的单晶压电层。在本发明中，压电层40采用平直的单晶薄膜结构，使得压电层40在整个体声波谐振器层面都为水平状态，因此，体声波谐振器能够消除由于压电层弯曲导致的寄生模式增强效应，因此寄生模式得到抑制。
如图13所示，在图示的实施例中，在完全平直、完整的单晶压电层40上制作谐振器，同时在底电极30处增加导电结构增强谐振器连接部分的导电性，提高串联谐振点Qs及其附近的Q值，提高谐振器性能；同时下部的导电结构的引入不改变压电层的完整、平直的特征，因此能够减小谐振器的寄生模式，提高谐振器的可靠性。
图14为根据本发明的另一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。
与图13所示的示例性实施例相比，图14所示的体声波谐振器的主要区别在于底电极30和顶电极50上的导电结构的延伸长度不同。
如图14所示，在图示的实施例中，底电极30上的第一导电结构60延伸到与顶电极50相互交叠的位置，并且顶电极50上的第二导电结构60’延伸到与底电极30相互交叠的位置。第一导电结构60与顶电极50之间的在水平方向上的交叠距离d’等于第二导电结构60’与底电极30之间的在水平方向上的交叠距离d’。在本发明的一个实施例的实施例中，前述交叠距离d’可以根据实际情况设置，例如，可以为3μm、4μm、5μm、6μm、7μm或其他合适的数值。
除了前述区别之外，图14所示的体声波谐振器的其他特征与图13所示的实施例基本相同，为了简洁起见，这里不再赘述。
图15为根据本发明的另一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。
如图15所示，在图示的实施例中，该体声波谐振器主要包括：基底10、支撑层25、声学镜20、底电极30、压电层40和顶电极50。支撑层25设置在基底10上，用于支撑体声波谐振器的谐振结构。在支撑层25中形成有一个空腔，该空腔构成声学镜20。如图15所示，压电层40的下表面与基底10的上表面之间设置所述支撑层25(即支撑结构)，压电层40与基底10大体平行布置。
如图15所示，在图示的实施例中，在底电极30的面对压电层40的表面上设置有第一导电结构60，使得第一导电结构60被夹持在底电极30和压电层40之间。在顶电极50的面对压电层40的表面上设置有第二导电结构60’，使得第二导电结构60’被夹持在顶电极50和压电层40之间。
在图15所示的实施例中，在底电极30和顶电极50上没有形成任何声学干涉结构，这样可以简化体声波谐振器的结构和制备工艺，从而可以极大地降低制造成本。
如图15所示，在图示的实施例中，第一导电结构60和第二导电结构60’都为沿水平方向延伸的平直导电结构。第一导电结构60的外侧端沿水平方向延伸至体声波谐振器的一侧边缘，第二导电结构60’的外侧端沿水平方向延伸至体声波谐振器的另一侧边缘。
如图15所示，在图示的实施例中，第一导电结构60与顶电极50之间的在水平方向上的间隔距离等于第二导电结构60’与底电极30之间的在水平方向上的间隔距离，该间隔距离可以根据实际情况设置，例如，可以为3μm、4μm、5μm、6μm、7μm或其他合适的数值。
如图15所示，在图示的实施例中，在通过谐振器的顶电极的电连接端以及底电极的电连接端的截面中，底电极30和顶电极50关于谐振器的有效区域的中心对称布置。第一导电结构60和第二导电结构60’也关于谐振器的有效区域的中心对称布置。
如图15所示，在图示的实施例中，压电层40为平直的单晶压电层。在本发明中，压电层40采用平直的单晶薄膜结构，使得压电层40在整个体声波谐振器层面都为水平状态，因此，体声波谐振器能够消除由于压电层弯曲导致的寄生模式增强效应，因此寄生模式得到抑制。
如图15所示，在图示的实施例中，在完全平直、完整的单晶压电层40上制作谐振器，同时在底电极30处增加导电结构增强谐振器连接部分的导电性，提高串联谐振点Qs及其附近的Q值，提高谐振器性能；同时下部的导电结构的引入不改变压电层的完整、平直的特征，因此能够减小谐振器的寄生模式，提高谐振器的可靠性。
图16为根据本发明的另一个示例性实施例的体声波谐振器的截面示意图。
如图16所示，在图示的实施例中，该体声波谐振器主要包括：基底10、支撑层25、声学镜20、底电极30、压电层40和顶电极50。支撑层25设置在基底10上，用于支撑体声波谐振器的谐振结构。在支撑层25中形成有一个空腔，该空腔构成声学镜20。如图16所示，压电层40的下表面与基底10的上表面之间设置所述支撑层25(即支撑结构)，压电层40与基底10大体平行布置。
如图16所示，在图示的实施例中，在压电层40的两侧分别形成有第一槽和第二槽，在压电层40的第一槽中填充有第一槽导电结构80，在压电层40的第二槽中填充有第二槽导电结构80’。第一槽导电结构80与底电极30电连接，第二槽导电结构80’与顶电极50电连接。
如图16所示，第一槽导电结构80与第一导电结构60在底电极的电连接端分别设置在底电极的两侧，第二槽导电结构80’与第二导电结构60’在顶电极的电连接端分别设置在顶电极的两侧。
虽然没有示出，在图16所示的实施例中，也可以不设置第一导电结构60和第二导电结构60’，而是仅设置第一槽导电结构80和第二槽导电结构80’。
在图16所示的实施例中，底电极30和顶电极50都为沿水平方向延伸的平直电极，在底电极30和顶电极50上没有形成任何声学干涉结构，这样可以简化体声波谐振器的结构和制备工艺，从而可以极大地降低制造成本。
如图16所示，在图示的实施例中，第一导电结构60的外侧端沿水平方向延伸至体声波谐振器的一侧边缘，第二导电结构60’的外侧端沿水平方向延伸至体声波谐振器的另一侧边缘。第一导电结构60的内端与顶电极50的内端之间的在水平方向上的间隔距离等于第二导电结构60’的内端与底电极30的内端之间的在水平方向上的间隔距离，该间隔距离可以根据实际情况设置，例如，可以为3μm、4μm、5μm、6μm、7μm或其他合适的数值。
如图16所示，在图示的实施例中，在通过谐振器的顶电极的电连接端以及底电极的电连接端的截面中，底电极30和顶电极50关于谐振器的有效区域的中心对称布置。第一导电结构60和第二导电结构60’也关于谐振器的有效区域的中心对称布置。
如图16所示，在图示的实施例中，压电层40为平直的单晶压电层。在本发明中，压电层40采用平直的单晶薄膜结构，使得压电层40在整个体声波谐振器层面都为水平状态，因此，体声波谐振器能够消除由于压电层弯曲导致的寄生模式增强效应，因此寄生模式得到抑制。
如图16所示，在图示的实施例中，在完全平直、完整的单晶压电层40上制作谐振器，同时在压电层40的两侧分别增加导电结构，增强谐振器连接部分的导电性，提高串联谐振点Qs及其附近的Q值，提高谐振器性能；同时导电结构的引入不改变压电层的完整、平直的特征，因此能够减小谐振器的寄生模式，提高谐振器的可靠性。
图17为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器组件的截面示意图。
如图17所示，在图示的实施例中，该体声波谐振器组件包括至少两个体声波谐振器，在图示的实施例中体声波谐振器组件包括两个体声波谐振器，但是，本发明不局限于此，体声波谐振器组件也可以包括三个、四个或更多个体声波谐振器。
如图17所示，在图示的实施例中，该体声波谐振器主要包括：基底10、支撑层25、声学镜20、底电极30、压电层40和顶电极50。支撑层25设置在基底10上，用于支撑体声波谐振器的谐振结构。在支撑层25中形成有一个空腔，该空腔构成声学镜20。底电极30设置在压电层40的下表面上，顶电极50设置在压电层40的上表面上，使得压电层40被夹持在底电极30和顶电极50之间。如图17所示，压电层40的下表面与基底10的上表面之间设置所述支撑层25(即支撑结构)，压电层40与基底10大体平行布置。
如图17所示，在图示的实施例中，在底电极30上设置有第一导电结构60，第一导电结构60覆盖在底电极30的背对压电层40的表面上。底电极30自身具有第一声学干涉结构，该第一声学干涉结构包括位于底电极30的电连接端的第一桥结构和位于底电极30的非电连接端的第一悬翼结构。在可选的实施例中，在图17中底电极和顶电极的非电连接端也可以不设置悬翼结构。
如图17所示，在图示的实施例中，为了简化制造工艺和降低制造成本，体声波谐振器组件上的至少两个体声波谐振器可以共用同一个基底10和同一个支撑层25。此外，在本发明的一个实例性的实施例中，相邻两个体声波谐振器可以共用同一个第一导电结构60或者相邻两个体声波谐振器的第一导电结构60可以被相互连接。例如，在本发明的一个实例性的实施例中，相邻两个体声波谐振器的第一导电结构60被制成一体。为了进一步降低制造成本，在图17所示的实施例中，相邻两个体声波谐振器可以同一个底电极30和同一个压电层40。
如图17所示，在图示的实施例中，压电层40为平直的单晶压电层。在本发明中，压电层40采用平直的单晶薄膜结构，使得压电层40在整个体声波谐振器层面都为水平状态，因此，体声波谐振器能够消除由于压电层弯曲导致的寄生模式增强效应，因此寄生模式得到抑制。
如图17所示，在图示的实施例中，每个体声波谐振器的底电极30形成“桥+悬翼”结构，使得谐振器效果增强，降低谐振器的寄生模式效应；同时，在底电极30靠近谐振器边缘处增加了导电结构，有效提高谐振器的Q值及导电性能，降低电极连接部分带来的寄生电阻，以此来优化谐振器的性能。
如图17所示，在图示的实施例中，在完全平直、完整的单晶压电层40上制作谐振器，同时在底电极30处增加导电结构增强谐振器连接部分的导电性，提高串联谐振点Qs及其附近的Q值，提高谐振器性能；同时导电结构的引入不改变压电层的完整、平直的特征，因此能够减小谐振器的寄生模式，提高谐振器的可靠性。
如图17所示，在图示的实施例中，顶电极50为平直电极。在顶电极50上没有形成任何声学干涉结构，并且在顶电极50上没有设置任何导电结构。这样可以简化体声波谐振器的结构和制备工艺，从而可以极大地降低制造成本。
图18A-18K显示了制造图1所示的体声波谐振器的过程。下面将参照图18A-18K具体说明制造图1所示的体声波谐振器的各个步骤。
步骤1：如图18A所示，提供POI(Piezoelectrics on Insulator，绝缘体上的单晶压电层)晶圆，所述POI晶圆包括辅助基底10’、设置在所述辅助基底10’上的绝缘层15和设置在所述绝缘层15上的单晶压电层40，所述压电层背离所述绝缘层的一侧为压电层的第一侧。
步骤2：如图18B所示，在所述单晶压电层40的第一侧形成第一释放材料层25’。
步骤3：如图18C所示，刻蚀第一释放材料层25’，以形成第一释放结构。
步骤4：如图18D所示，在形成有第一释放结构的单晶压电层40的第一侧上形成底电极30。
步骤5：如图18E所示，在底电极30上形成第一导电结构60。
步骤6：如图18F所示，形成第二释放材料层15’，第二释放材料层15’覆盖在第一释放材料层25’、底电极30和第一导电结构60上。
步骤7：如图18G所示，在第二释放材料层15’上形成支撑层25。
步骤8：如图18H所示，利用通过CMP(chemical mechanical polishing，化学机械抛光)工艺，使得支撑层25的外侧表面平坦化。
步骤9：如图18I所示，在支撑层25上设置基底10。支撑层25可以与基底10通过物理或化学方式键合，或者也可以不经键合层直接键合，而是可以在基底10和支撑层25之间形成化学键，也可以是表面抛光至表面粗糙度极低时通过分子间作用力形成物理键合。
步骤10：如图18J所示，去除辅助基底10’和绝缘层15。辅助衬底10’和绝缘层15的刻蚀工艺迥异，比如辅助衬底10’是硅，绝缘层15是二氧化硅，绝缘层15可以在辅助衬底10’移除过程中起到终止层或阻挡层的作用，绝缘层15的去除工艺温和，减少甚至避免了压电单晶薄膜的另一表面在移除辅助衬底10’的过程受到的伤害。
步骤11：如图18K所示，释放第一释放材料层25’和第二释放材料层15’，以形成谐振器的声学镜空腔，同时，在压电层40的第二侧(背对底电极30的一侧)上形成顶电极50。
其他实施例的体声波谐振器的制造过程可以参考图1所示的体声波谐振器的制造过程，为了简洁起见，本文不再赘述。
在本发明中，上和下是相对于谐振器的基底的底面而言的，对于一个部件，其靠近该底面的一侧为下侧，远离该底面的一侧为上侧。
在本发明中，内和外是相对于谐振器的有效区域(压电层、顶电极、底电极和声学镜在谐振器的厚度方向上的重叠区域构成有效区域)的中心(即有效区域中心)在横向方向或者径向方向上而言的，一个部件的靠近有效区域中心的一侧或一端为内侧或内端，而该部件的远离有效区域中心的一侧或一端为外侧或外端。对于一个参照位置而言，位于该位置的内侧表示在横向方向或径向方向上处于该位置与有效区域中心之间，位于该位置的外侧表示在横向方向或径向方向上比该位置更远离有效区域中心。
如本领域技术人员能够理解的，根据本发明的体声波谐振器可以用于形成滤波器或电子设备。
基于以上，本发明提出了如下技术方案：
1、一种体声波谐振器，包括：
基底；
谐振结构，包括压电层、底电极和顶电极；和
声学镜，
其中：
在所述基底和所述谐振结构之间设置有支撑层；
所述压电层为与所述基底大体平行布置的单晶压电层；且
所述谐振器包括第一导电结构和/或第二导电结构，第一导电结构与底电极的电连接端层叠电连接，第二导电结构与顶电极的电连接端层叠电连接。
2、根据1所述的体声波谐振器，其中：
第一导电结构的至少一部分在压电层的厚度方向上设置在支撑层与底电极之间。
3、根据2所述的体声波谐振器，其中：
所述底电极的电连接端设置有桥结构，在水平方向上所述第一导电结构的内端处于所述桥结构的外边缘的外侧，或者所述第一导电结构的内端与所述桥结构的外边缘相接，或者所述第一导电结构的内端处于所述桥结构的外边缘与内边缘之间，或者所述第一导电结构的内端处于所述桥结构的内边缘的内侧。
4、根据3所述的体声波谐振器，其中：
所述底电极还设置有覆盖其下表面的钝化层，钝化层的一部分在压电层的厚度方向上处于第一导电结构的内端与底电极之间。
5、根据3所述的体声波谐振器，其中：
所述底电极的非电连接端设置有悬翼结构。
6、根据2所述的体声波谐振器，其中：
所述底电极为平直电极。7、根据6所述的体声波谐振器，其中：
第一导电结构的内端在水平方向上处于顶电极的非电连接端的外侧；或者
第一导电结构的内端在水平方向上处于顶电极的非电连接端的内侧。
8、根据7所述的体声波谐振器，其中：
所述第一导电结构与所述顶电极之间的在水平方向上的交叠距离等于所述第二导电结构与所述底电极之间的在水平方向上的交叠距离；和/或
所述第一导电结构与所述顶电极的非电连接端之间的在水平方向上的间隔距离等于所述第二导电结构与所述底电极的非电连接端之间的在水平方向上的间隔距离。
9、根据1所述的体声波谐振器，其中：
第一导电结构的至少一部分在压电层的厚度方向上设置在压电层与底电极之间。
10、根据1所述的体声波谐振器，其中：
所述压电层在底电极的电极连接端设置有贯穿压电层的第一槽，所述谐振器包括设置在所述第一槽内的第一槽导电结构，所述第一槽导电结构与底电极的电连接端叠置电连接；和/或
所述压电层在顶电极的电极连接端设置有贯穿压电层的第二槽，所述谐振器包括设置在所述第二槽内的第二槽导电结构，所述第二槽导电结构与顶电极的电连接端叠置电连接。
11、根据10所述的体声波谐振器，其中：
所述谐振器包括所述第一槽导电结构和第二槽导电结构；且
所述第一槽导电结构和第二槽导电结构在通过所述压电层在顶电极和底电极的电极连接端的截面中关于谐振器的有效区域的中心对称布置。
12、根据10所述的体声波谐振器，其中：
所述第一槽导电结构构成所述第一导电结构，和/或所述第二槽导电结构构成所述第二导电结构。
13、根据10所述的体声波谐振器，其中：
所述第一槽导电结构与第一导电结构分别设置于底电极的电连接端的两侧；和/或
所述第二槽导电结构与第二导电结构分别设置于顶电极的电连接端的两侧。
14、根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中：
第一导电结构的材料的电导率不小于底电极的材料的电导率，第二导电结构的材料的电导率不小于顶电极的材料的电导率。
15、根据1-14中任一项所述的体声波谐振器，其中：
所述谐振器包括第一导电结构和第二导电结构；且
所述第一导电结构和第二导电结构在通过所述压电层在顶电极和底电极的电极连接端的截面中关于谐振器的有效区域的中心对称布置。
16、一种体声波谐振器组件，包括至少两个体声波谐振器，其中：
所述体声波谐振器为根据1-15中任一项所述的体声波谐振器，且所述至少两个体声波谐振器共用同一个基底。
17、根据16所述的体声波谐振器组件，其中：
相邻两个体声波谐振器共用同一个第一导电结构；或者
相邻两个体声波谐振器的第一导电结构被相互连接。
18、根据17所述的体声波谐振器组件，其中：
相邻两个体声波谐振器对称地布置在与水平方向垂直的竖直平分面的两侧。
19、一种滤波器，包括根据1-15中任一项所述的体声波谐振器，或者根据16-18中任一项的体声波谐振器组件。
20、一种电子设备，包括根据1-15中任一项所述的体声波谐振器，或者根据16-18中任一项的体声波谐振器组件，或者根据19所述的滤波器。
这里的电子设备，包括但不限于射频前端、滤波放大模块等中间产品，以及手机、WIFI、无人机等终端产品。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行变化，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (20)
1.一种体声波谐振器，包括：
基底；
谐振结构，包括压电层、底电极和顶电极；和
声学镜，
其中：
在所述基底和所述谐振结构之间设置有支撑层；
所述压电层为与所述基底大体平行布置的单晶压电层；且
所述谐振器包括第一导电结构和/或第二导电结构，第一导电结构与底电极的电连接端层叠电连接，第二导电结构与顶电极的电连接端层叠电连接。
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中：
第一导电结构的至少一部分在压电层的厚度方向上设置在支撑层与底电极之间。
3.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其中：
所述底电极的电连接端设置有桥结构，在水平方向上所述第一导电结构的内端处于所述桥结构的外边缘的外侧，或者所述第一导电结构的内端与所述桥结构的外边缘相接，或者所述第一导电结构的内端处于所述桥结构的外边缘与内边缘之间，或者所述第一导电结构的内端处于所述桥结构的内边缘的内侧。
4.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中：
所述底电极还设置有覆盖其下表面的钝化层，钝化层的一部分在压电层的厚度方向上处于第一导电结构的内端与底电极之间。
5.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中：
所述底电极的非电连接端设置有悬翼结构。
6.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其中：
所述底电极为平直电极。
7.根据权利要求6所述的体声波谐振器，其中：
第一导电结构的内端在水平方向上处于顶电极的非电连接端的外侧；或者
第一导电结构的内端在水平方向上处于顶电极的非电连接端的内侧。
8.根据权利要求7所述的体声波谐振器，其中：
所述第一导电结构与所述顶电极之间的在水平方向上的交叠距离等于所述第二导电结构与所述底电极之间的在水平方向上的交叠距离；和/或
所述第一导电结构与所述顶电极的非电连接端之间的在水平方向上的间隔距离等于所述第二导电结构与所述底电极的非电连接端之间的在水平方向上的间隔距离。
9.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中：
第一导电结构的至少一部分在压电层的厚度方向上设置在压电层与底电极之间。
10.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中：
所述压电层在底电极的电极连接端设置有贯穿压电层的第一槽，所述谐振器包括设置在所述第一槽内的第一槽导电结构，所述第一槽导电结构与底电极的电连接端叠置电连接；和/或
所述压电层在顶电极的电极连接端设置有贯穿压电层的第二槽，所述谐振器包括设置在所述第二槽内的第二槽导电结构，所述第二槽导电结构与顶电极的电连接端叠置电连接。
11.根据权利要求10所述的体声波谐振器，其中：
所述谐振器包括所述第一槽导电结构和第二槽导电结构；且
所述第一槽导电结构和第二槽导电结构在通过所述压电层在顶电极和底电极的电极连接端的截面中关于谐振器的有效区域的中心对称布置。
12.根据权利要求10所述的体声波谐振器，其中：
所述第一槽导电结构构成所述第一导电结构，和/或所述第二槽导电结构构成所述第二导电结构。
13.根据权利要求10所述的体声波谐振器，其中：
所述第一槽导电结构与第一导电结构分别设置于底电极的电连接端的两侧；和/或
所述第二槽导电结构与第二导电结构分别设置于顶电极的电连接端的两侧。
14.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中：
第一导电结构的材料的电导率不小于底电极的材料的电导率，第二导电结构的材料的电导率不小于顶电极的材料的电导率。
15.根据权利要求1-14中任一项所述的体声波谐振器，其中：
所述谐振器包括第一导电结构和第二导电结构；且
所述第一导电结构和第二导电结构在通过所述压电层在顶电极和底电极的电极连接端的截面中关于谐振器的有效区域的中心对称布置。
16.一种体声波谐振器组件，包括至少两个体声波谐振器，其中：
所述体声波谐振器为根据权利要求1-15中任一项所述的体声波谐振器，且所述至少两个体声波谐振器共用同一个基底。
17.根据权利要求16所述的体声波谐振器组件，其中：
相邻两个体声波谐振器共用同一个第一导电结构；或者
相邻两个体声波谐振器的第一导电结构被相互连接。
18.根据权利要求17所述的体声波谐振器组件，其中：
相邻两个体声波谐振器对称地布置在与水平方向垂直的竖直平分面的两侧。
19.一种滤波器，包括根据权利要求1-15中任一项所述的体声波谐振器，或者根据权利要求16-18中任一项的体声波谐振器组件。
20.一种电子设备，包括根据权利要求1-15中任一项所述的体声波谐振器，或者根据权利要求16-18中任一项的体声波谐振器组件，或者根据权利要求19所述的滤波器。
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| CN202110460754.5A CN115250100A (zh) | 2021-04-27 | 2021-04-27 | 体声波谐振器、体声波谐振器组件、滤波器及电子设备 |
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|---|---|
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
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