CN214851161U

CN214851161U - 一种频率可调的薄膜体声波谐振器

Info

Publication number: CN214851161U
Application number: CN202023195137.7U
Authority: CN
Inventors: 李国强; 张铁林; 刘红斌; 衣新燕; 赵利帅; 欧阳佩东
Original assignee: South China University of Technology SCUT
Current assignee: South China University of Technology SCUT
Priority date: 2020-12-24
Filing date: 2020-12-24
Publication date: 2021-11-23
Anticipated expiration: 2030-12-24

Abstract

本实用新型公开了一种频率可调的薄膜体声波谐振器。该谐振器包括衬底、空气隙、电极和压电层的三明治结构及电极引出层；所述衬底与所述电极和压电层的三明治结构连接，衬底与所述电极和压电层的三明治结构的连接面向衬底内凹陷，形成空气隙；所述电极引出层与所述电极和压电层的三明治结构连接。所述电极和压电层的三明治结构包括底电极、压电层、中间电极及顶电极，电极与压电层相间排布形成三明治结构，所述底电极上层叠压电层，所述中间电极被压电层包裹，顶电极层叠在压电层上；所述压电层及中间电极的数量均为n个，n为整数且n的取值≥1。该谐振器可以根据外加偏置电压调整谐振倍频，适用于5G高频通信领域。

Description

一种频率可调的薄膜体声波谐振器

技术领域

本实用新型涉及射频通信技术领域，具体涉及一种频率可调的薄膜体声波谐振器。

背景技术

薄膜体声波滤波器广泛应用于射频通信前端信号处理，是高频通信特别是5G通信、sub-6G通信以及未来更高频率通信的最佳滤波器件。在射频信号处理过程中，体声波滤波器发挥着至关重要的作用。例如在通信基站、WiFi路由器、个人移动便携设备等方面体声波滤波器已经逐渐替代声表面波器件成为主流的滤波器类型。

传统的薄膜体声波谐振器是由上下两层金属电极和夹于其中间的压电薄膜材料所构成的三明治结构。其原理为利用压电效应，压电效应是电介质在沿一定方向上受到外力的作用而变形时，其内部会产生极化现象，同时在它的两个相对表面上出现正负相反的电荷。当施加一个交变电压于两端电极时，压电效应使压电薄膜产生机械振动并产生体声波，当声波的频率与压电薄膜厚度满足一定数学关系时就发生谐振现象，而体声波谐振器的原理即是利用特定频率下的谐振现象做出频率选择。

对于压电薄膜内声波的传递形式，具体为当体声波传输到电极界面时，经电极外的声学反射层将声波反射回来，从而将体声波限制在两电极之间产生振荡。因为空气的声阻抗近似为零，因此在电极材料和空气组成的固/气界面具有非常强的反射声波的能力。在电极的下方制备填充层后，形成空腔使下电极直接与空气接触，或将器件的一部分衬底直接刻蚀掉，使器件的下电极悬空形成固/气界面，即硅刻蚀型器件。

对于频率可调的体声波滤波器的研究较少，大多是根据温度变化做频率补偿，或者修饰电极上方的质量负载层对谐振频率进行调整。例如诺思(天津)微系统有限公司在CN202010013002.X调节体声波滤波器中谐振器频率的方法及体声波滤波器中提出的通过调整体声波谐振器上方的质量负载层的面积实现对谐振器中心频率的调整。上述提到的现有技术虽然起到频率调节的作用，但是其调频作用是一次性的，即在器件加工完成后频率已经固定，不能进行二次调整。这没有解决频率调节的本质问题，不能实现单个谐振器频率随外界单一变量进行改变的功能，只能作为一种频率修饰的技术手段。

实用新型内容

为了克服现有技术存在的不足，本实用新型的目的是提供一种频率可调的薄膜体声波谐振器。

本实用新型的目的在于提出一种新型频率可调的薄膜体声波谐振器的结构与制备方法。采用该制备方法的制造工艺简单，而且可以突破传统体声波滤波器的空间限制，将以往多个体声波谐振器才能实现的功能使用一个谐振器实现，在更大程度上节约了空间资源，推动器件的小型化进步。

本实用新型的目的是通过以下技术方案之一实现的。

本实用新型提供的频率可调的薄膜体声波谐振器是一种空气隙型薄膜体声波谐振器。

本实用新型提供的频率可调的薄膜体声波谐振器具有电极-压电层-电极-压电层-电极的多层结构。其中电极与压电层的复合“三明治”结构可以为1阶到N阶。且所有电极层均通过引出层与施加偏置电压，外加偏执电压控制谐振器的谐振频率。

本实用新型提供的频率可调的薄膜体声波谐振器，包括衬底、空气隙、电极和压电层的三明治结构及电极引出层；所述衬底与所述电极和压电层的三明治结构连接，衬底与所述电极和压电层的三明治结构的连接面向衬底内凹陷，形成空气隙；所述电极引出层与所述电极和压电层的三明治结构连接；所述电极和压电层的三明治结构包括底电极、压电层、中间电极及顶电极，电极与压电层相间排布形成三明治结构，所述底电极上层叠压电层，所述中间电极被压电层包裹，顶电极层叠在压电层上；所述压电层及中间电极的数量均为n个，n为整数且n的取值≥1。

所述电极和压电层的三明治结构中可包含多个电极层与压电层，电极层与压电层相间排布，共同构成“三明治”结构。

所述衬底与下电极间制备空气隙。所述电极引出层分别将下电极(底电极)与中间电极引出。所述顶电极、压电薄膜、中间电极和底电极共同构成三明治结构，该谐振器可以根据外加偏置电压调整谐振倍频，适用于5G高频通信领域。

进一步地，所述电极和压电层的三明治结构中的底电极和中间电极均通过电极引出层与外界偏置电压源相连。

进一步地，所述电极和压电层的三明治结构中不同的电极的电位设置为相同极性或相反极性。每一电极层通过电极引出层与外界偏置电压源相连，每一电极层的电位可以设置为相同或正负极性相反。即所有的电极之间可以令他们的电势差相等，或者令相邻两个压电层区域中的电场方向相反如图9、图10所示。

进一步地，所述衬底为单晶Si；所述压电层为压电薄膜，所述压电层为PZT、AlN、ZnO、CdS、LiNbO₃中的一种以上；所述底电极、中间电极和顶电极均为金属电极层，所述金属电极层为Pt、Mo、W、Ti、Al、Au、Ag中的一种以上。

进一步地，所述压电层的厚度为500nm-3μm；所述顶电极、中间电极和底电极的厚度为20nm-1μm。

进一步地，所述电极引出层的厚度为0.3-1μm。

进一步地，所述空气隙的深度为0.5-2μm。

本实用新型提供一种制备上述的频率可调的薄膜体声波谐振器的方法，包括如下步骤：

(1)对衬底进行刻蚀得到凹槽(刻蚀方式可以采用ICP或者RIE等技术在单晶Si衬底上得到凹槽)，在凹槽中沉积SiO₂作为填充层(支撑层)；

(2)对步骤(1)所述填充层做机械抛光处理，使填充层区域与周围区域的台阶尽量小，在填充层上沉积金属电极，并进行图形化处理，得到所述底电极(下电极)；

(3)在步骤(2)所述底电极上沉积n个压电层、n个中间电极及一个顶电极，n为整数且n的取值≥1(n可根据设计需要进行取值，可通过多次沉积电极和压电层得到多层“电极-压电层-电极”的三明治结构)，电极与压电层相间，底电极、压电层、中间电极及顶电极形成三明治结构，得到所述电极和压电层的三明治结构；

(4)在最后一层顶电极制备完成之后，利用掩膜或者光刻方法在压电层上刻蚀出电极引出的通孔并沉积金属得到电极引出层；

(5)利用ICP、RIE或者湿法刻蚀等方式刻蚀连通下方填充层的通孔并释放填充层得到空气隙(即空气腔结构，此处可采用腐蚀液释放填充层)，得到所述频率可调的薄膜体声波谐振器。

进一步地，步骤(1)所述沉积SiO₂的方法为PECVD；步骤(2)所述沉积金属电极的方法为磁控溅射或蒸镀；步骤(3)所述沉积压电层的方法包括PVD(磁控溅射)、MOCVD(金属有机化合物化学气相沉淀)、PLD(脉冲激光沉积系统)、ALD(原子层沉积)中的一种以上。

进一步地，步骤(4)中，在压电层上刻蚀出电极引出的通孔的方法为利用掩膜刻蚀或光刻；所述掩膜的材料为SiO₂或者光刻胶；沉积金属得到电极引出层的方法为蒸镀或磁控溅射。

与现有技术相比，本实用新型具有如下优点和有益效果：

(1)本实用新型旨在提出一种新型频率可调薄膜体声波滤波器结构，该结构能够通过调节外加偏置电压从而改变谐振器的中心频率；当施加在电极上的偏置电压都具有相同的大小和极性时，所有部分内的压电薄膜内部的等效压电耦合系数符号是一致的，这样谐振器就会在其基础谐振频率f₀处谐振；当施加在电极上的偏执电压大小相同而极性相反时，那么同样会对相应压电薄膜内部的等效压电耦合系数产生影响，使声波在压电薄膜内部的传递的相位相反，所以谐振频率相应也发生改变。

(2)本实用新型提供的频率可调的薄膜体声波谐振器，能够实现以往需要多个薄膜体声波谐振器完成的功能，节约了空间资源，有益于推进器件小型化进程。制备工艺简单，在很大程度上节约了生产成本，并与现有的MEMS/Si工艺兼容。

附图说明

图1为实施例1中在单晶硅衬底上刻蚀出空气腔凹槽的剖视图；

图2为实施例1中在凹槽中填充SiO₂并抛平后的的剖视图；

图3为以实施例1中在单晶硅衬底上生长金属底电极的剖视图；

图4为实施例1中生长压电薄膜的剖视图；

图5为实施例1中生长金属中间电极的剖视图；

图6为实施例1中在中间电极上继续生长压电薄膜的剖视图；

图7为以实施例1生长顶电极以及制备电极引出层的剖视图；

图8为实施例1中将底电极下方填充层释放得到空气腔的剖视图；

图9为实施例1提供的频率可调的薄膜体声波谐振器加偏置电压极性相同的示意图；

图10为实施例1提供的频率可调的薄膜体声波谐振器加偏置电压极性相反的示意图；

图11为实施例1提供的频率可调的薄膜体声波谐振器的导纳示意图；

图中包括：单晶硅衬底101、填充层102、底电极103、压电薄膜104、中间电极105、电极引出层106、空气腔107、顶电极108。

具体实施方式

以下结合实例对本实用新型的具体实施作进一步说明，但本实用新型的实施和保护不限于此。需指出的是，以下若有未特别详细说明之过程，均是本领域技术人员可参照现有技术实现或理解的。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，视为可以通过市售购买得到的常规产品。

本实用新型示例提供了一种调节薄膜体声波滤波器的方法。通常在本技术领域中常用的调整薄膜体声波滤波器的频率是通过调整顶电极上方质量负载层的厚度后者面积实现的。而在本例中是提出一种新型谐振器结构实现薄膜体声波滤波器的倍频调整。

实施例1

本实施例提供了一种频率可调的空气隙型薄膜体声波谐振器，如图8所示，自下而上分别为单晶硅衬底101、填充层102、底电极103、压电薄膜104(压电层)、中间电极105、电极引出层106、空气腔107、顶电极108。其中填充层102最终经过释放成为空气腔107(空气隙)，故图中为标出102。填充层102具体结构可以参考图2。

实施例1提供的频率可调的空气隙型薄膜体声波谐振器，包括单晶硅衬底101、空气隙107、电极和压电层的三明治结构及电极引出层106；所述衬底与所述电极和压电层的三明治结构连接，单晶硅衬底101与所述电极和压电层的三明治结构的连接面向衬底内凹陷，形成空气隙107；所述电极引出层106与所述电极和压电层的三明治结构连接；所述电极和压电层的三明治结构包括底电极103、压电层104、中间电极105及顶电极108，电极与压电层相间排布形成三明治结构，所述底电极103上层叠压电层104，所述中间电极105被压电层104包裹，顶电极108层叠在压电层104上；所述压电层104及中间电极105的数量均为n个，n为整数且n的取值≥1。

衬底101为单晶Si；填充层102为SiO₂或者掺杂P离子SiO₂；压电薄膜104为0.5μm厚的AlN；底电极103、顶电极108以及中间电极105均为金属电极层，电极层的厚度为200nm，所述金属为Mo。

除了顶电极以外，每一电极层通过电极引出层与外界偏置电压源相连，每一电极层的电位可以设置为相同或正负极性相反。即所有的电极之间可以令他们的电势差相等，或者令相邻两个压电层区域中的电场方向相反如图9、图10所示。图9、图10中U代表对电极施加的外加偏置电压。

本实施例1中一种频率可调的空气隙型薄膜体声波谐振器，通过以下步骤制备：

(1)对单晶硅衬底101进行刻蚀，刻蚀方式可以采用ICP或者RIE等技术在单晶Si衬底上得到凹槽，凹槽的深度为2μm，参照图1所示；

(2)在凹槽中利用PECVD等技术沉积SiO₂作为填充层102(参照图2所示)，填充层102与周围区域Si表面使用化学机械抛光得到台阶小于20nm的表面；在填充层上沉积金属电极，并进行图形化处理得到底电极103(参照图3所示)，底电极(下电极)103材料为金属Mo，电极厚度为0.2μm；

(3)在步骤(2)所述底电极103上沉积n个压电层104(参照图4所示，图4中的压电层只描绘出一个，但实际生产过程中可以为多个)、n个中间电极105(参照图5所示，图5中的中间电极只描绘出一个，但实际生产过程中可以为多个)及一个顶电极108，n为整数且n的取值≥1，电极与压电层相间，底电极103、压电层104、中间电极105及顶电极108形成三明治结构，所述中间电极被压电层包裹(参照图6所示)，顶电极层叠在压电层上(参照图7所示)，得到所述电极和压电层的三明治结构；所述压电层104可以为AlN材料，压电层厚度为2μm；中间电极105厚度为0.2μm；顶电极108面积小于底电极103，顶电极厚度为0.2μm；

(4)在顶电极制备完成之后，利用掩摸或者光刻方法在压电层104上刻蚀出电极引出的通孔，并沉积金属得到电极引出层106，参照图7所示；

(5)利用ICP、RIE或者湿法刻蚀等方式，刻蚀连通填充层102的通孔，使用腐蚀液释放填充层102，形成空气腔107结构(空气隙)，得到所述频率可调的薄膜体声波谐振器(参照图8所示)。

作为举例，实施例1合成了所述频率可调的薄膜体声波谐振器，其压电薄膜层数和中间电极的数量均为2，即n的取值为2。当n等于2时，得到的频率可调的薄膜体声波谐振器进行滤波器导纳测试，使用网络分析仪为Anglent E50进行测试。测试流程先将网络分析仪与探针台进行连接，在探针台上固定制备晶圆以及探针。然后对网络分析仪进行校准，再设置网络分析仪的中心频率为1675MHz测试的带宽为900MHz。移动探针台使探针接触到晶圆表面的金属电极，使用扫描键进行扫描测试。如图11所示，当改变施加在电极上的偏执电压时，该谐振器出现不同的谐振峰现在，这表明：压电耦合系数受偏置电压影响，谐振频率相应也发生改变。

本实例的体声波谐振器按照同样的原理可以推知当压电薄膜层数为1,2,3……N(N为正整数)，N的取值不断增大时，可以实现体声波谐振器谐振频率倍增。

以上实施例仅为本实用新型较优的实施方式，仅用于解释本实用新型，而非限制本实用新型，本领域技术人员在未脱离本实用新型精神实质下所作的改变、替换、修饰等均应属于本实用新型的保护范围。

Claims

1.一种频率可调的薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括衬底、空气隙、电极和压电层的三明治结构及电极引出层；所述衬底与所述电极和压电层的三明治结构连接，衬底与所述电极和压电层的三明治结构的连接面向衬底内凹陷，形成空气隙；所述电极引出层与所述电极和压电层的三明治结构连接；所述电极和压电层的三明治结构包括底电极、压电层、中间电极及顶电极，电极与压电层相间排布形成三明治结构，所述底电极上层叠压电层，所述中间电极被压电层包裹，顶电极层叠在压电层上；所述压电层及中间电极的数量均为n个，n为整数且n的取值≥1。

2.根据权利要求1所述的频率可调的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述电极和压电层的三明治结构中的底电极和中间电极均通过电极引出层与外界偏置电压源相连。

3.根据权利要求1所述的频率可调的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述电极和压电层的三明治结构中不同的电极的电位设置为相同极性或相反极性。

4.根据权利要求1所述的频率可调的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述衬底为单晶Si；所述压电层为压电薄膜，所述压电层为PZT、AlN、ZnO、CdS、LiNbO₃中的一种；所述底电极、中间电极和顶电极均为金属电极层，所述金属电极层为Pt、Mo、W、Ti、Al、Au、Ag中的一种。

5.根据权利要求1所述的频率可调的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电层的厚度为500nm-3μm；所述顶电极、中间电极和底电极的厚度为20nm-1μm。

6.根据权利要求1所述的频率可调的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述电极引出层的厚度为0.3-1μm。

7.根据权利要求1所述的频率可调的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述空气隙的深度为0.5-2μm。