JP2021503229A - 圧電共振器および圧電共振器の製造方法 - Google Patents
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Abstract
圧電共振器および圧電共振器の製造方法。圧電共振器は、上面に凹溝が形成された基板と、前記凹溝との間に空洞が形成されるように、前記基板の上面および前記凹溝の開口を覆う第１圧電層と、前記第１圧電層の前記基板から離れた側に設けられた第１電極および温度補償層とを備え、前記基板に垂直な方向において、前記第１電極の前記基板における投影が前記凹溝の所在エリアに位置する。
Description
本発明の実施例は、弾性波共振器の技術分野に関し、例えば、圧電共振器および圧電共振器の製造方法に関する。
表面弾性波装置（例えば、弾性表面波フィルタ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ、ＳＡＷ））は、電気信号を表面波に変換して信号処理を行う回路素子であり、フィルタ、共振器等として広く使用され得る。ここで、品質係数（Ｑ）および周波数温度係数（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ、ＴＣＦ）により、表面弾性波装置は、圧電共振器等の電子部品の研究および発展において重要な意義を有する。
図１は、関連技術における圧電共振器の断面構造模式図であり、図１に示すように、圧電共振器（例えば、ＳＡＷ共振器）は、基板１と、基板１の上面に位置する高音速層２（窒化アルミニウム材料）と、高音速層２の基板１から離れた側の表面に位置する低音速層３（二酸化ケイ素材料）と、低音速層３の高音速層２から離れた側の表面に位置する圧電層４（タンタル酸リチウム材料）と、圧電層４の低音速層３から離れた側の表面に位置する電極５とを備える。低音速層３と高音速層２との間に音声不一致が発生し、低音速層３と高音速層２との境界面において音波が反射されるため、音波エネルギーの漏れを減少することができる。しかし、このような構造により、縦方向音波は、高音速層２から漏れて基板１に入りやすく、基板１における音波エネルギーの損失が増加し、圧電共振器のＱ値は低下する。
本発明の実施例に係る圧電共振器および圧電共振器の製造方法は、音波エネルギーの基板への漏れを効果的に回避し、基板における音波エネルギーの損失を低減し、Ｑ値の高い圧電共振器を得ることができ、得られた圧電共振器が低い周波数温度係数を有する。
本発明の実施例は、
上面に凹溝が形成された基板と、
前記凹溝との間に空洞が形成されるように、前記基板の上面および前記凹溝の開口を覆う第１圧電層と、
前記第１圧電層の前記基板から離れた側に設けられた第１電極および温度補償層と、を備え、
前記基板に垂直な方向において、前記第１電極の前記基板における投影が前記凹溝の所在エリアに位置する、圧電共振器を提供する。
上面に凹溝が形成された基板と、
前記凹溝との間に空洞が形成されるように、前記基板の上面および前記凹溝の開口を覆う第１圧電層と、
前記第１圧電層の前記基板から離れた側に設けられた第１電極および温度補償層と、を備え、
前記基板に垂直な方向において、前記第１電極の前記基板における投影が前記凹溝の所在エリアに位置する、圧電共振器を提供する。
本発明の実施例は、
基板の上面に凹溝を形成することと、
前記凹溝に犠牲材料を充填し、前記犠牲材料の上面が前記基板の上面と面一になるようにすることと、
前記基板の上面および前記犠牲材料の上面を第１圧電層で覆うことと、
前記第１圧電層の前記基板から離れた側に第１電極および温度補償層を形成することと、
前記犠牲材料を除去して空洞を形成することとを含み、
前記基板に垂直な方向において、前記第１電極の前記基板における投影が前記凹溝の所在エリアに位置する、圧電共振器の製造方法を更に提供する。
基板の上面に凹溝を形成することと、
前記凹溝に犠牲材料を充填し、前記犠牲材料の上面が前記基板の上面と面一になるようにすることと、
前記基板の上面および前記犠牲材料の上面を第１圧電層で覆うことと、
前記第１圧電層の前記基板から離れた側に第１電極および温度補償層を形成することと、
前記犠牲材料を除去して空洞を形成することとを含み、
前記基板に垂直な方向において、前記第１電極の前記基板における投影が前記凹溝の所在エリアに位置する、圧電共振器の製造方法を更に提供する。
本発明の実施例に係る技術案は、基板の上面に凹溝を形成し、凹溝と第１圧電層の間に空洞を形成することにより、音波が空洞層を介して全反射され、音波エネルギーの基板への漏れを効果的に回避し、基板における音波エネルギーの損失を低減することができ、Ｑ値の高い圧電共振器を得ることができ、且つ、設けられた温度補償層により、圧電共振器は低い周波数温度係数を維持することができ、温度補償効率を効果的に改善することができる。空洞に存在する第２電極は、第１電極との相互作用により、圧電共振器の適用範囲を広げることができるとともに、密封空洞に製造された圧電共振器の体積はより小さくなることができる。
以下、図面および実施例を参照しながら、本発明を詳細に説明する。ここで説明する具体的な実施例が、本発明を解釈するためのものに過ぎず、本発明を限定するものではないことは理解できる。なお、説明の便宜上、図面に全ての構造ではなく、本発明に関わる部分のみが示されている。
本発明の実施例は、通信技術分野に適用する圧電共振器を提供する。図２は、本発明の一実施例に係る圧電共振器の断面構造模式図である。図２に示すように、該共振器の構造は、順に設置された基板１と、第１圧電層４と、第１電極５と、温度補償層３とを備え、基板１の上面に凹溝１１が形成され、第１圧電層４は、凹溝１１と第１圧電層４の間に空洞が形成されるように、基板１の上面および凹溝１１の開口を覆い、凹溝１１の断面構造は矩形または円弧状であってもよいが、これに限定されず、音波エネルギーの基板への漏れを可能な限り回避できれば良い。第１電極５および温度補償層３は、いずれも第１圧電層４の基板１から離れた側に設けられ、基板１に垂直な方向において、第１電極５の基板１における投影は凹溝１１の所在エリアに位置し、第１圧電層４の基板１から離れた側に設けられた第１電極５は、温度補償層３の上面に位置してもよく、または、第１圧電層４の基板１から離れた側に設けられた第１電極５は、温度補償層３と同層に設けられてもよい。
本発明の実施例に係る技術案では、基板の上面に凹溝を形成し、凹溝と第１圧電層の間に空洞を形成することにより、音波エネルギーの基板への漏れを効果的に回避し、基板における音波エネルギーの損失を低減することができ、Ｑ値の高い圧電共振器を得ることができ、且つ、設けられた温度補償層により、圧電共振器は低い周波数温度係数を維持することができ、温度補償効率を効果的に改善することができる。
一実施例において、第１電極は、第１圧電層の基板から離れた側の表面に位置し、温度補償層は第１電極を覆う。
図２に示すように、圧電共振器は、基板１と、第１電極５と、第１圧電層４と、温度補償層３とを備える。ここで、基板１の材料はシリコンであってもよく、高音速支持基板とすることができ、その抵抗率は約１０００Ω・ｃｍまたはそれ以上であり、該圧電共振器をフィルタとして使用する場合、フィルタの挿入損失を低減することができる。第１圧電層４は、凹溝１１が開設された基板１を覆って空洞構造を得、第１電極５は、第１圧電層４の基板１から離れた側の上面に位置し、温度補償層３は第１電極５を覆う。第１電極５はインターデジタル電極であってもよく、第１圧電層４の上面に均一に分布され、この時、インターデジタル電極のうちの隣接する２つ電極の間に温度補償層３の材料が充填される。ここで、インターデジタル電極は複数種のモードの異なる音波を励起することができる。
第１圧電層４は、窒化アルミニウム（ＡＩＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）またはタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）等であってもよく、第１圧電層４は一般的に負温度係数材料であり、すなわち、温度の上昇に伴って音速は小さくなり、これは、材料の原子間力が低減すると、材料の弾性定数は小さくなり、音速を小さくするためである。温度補償層の材料は正温度係数材料であってもよく、例えば、二酸化ケイ素ＳｉＯ２であってもよく、ＳｉＯ２は独特な材料として、そのシリコン−酸素鎖は温度の上昇に伴って伸びるため、その剛性が正温度係数を有し、ＳｉＯ２内で伝播する音波は、その音速が正温度係数を呈する。従って、ＳｉＯ２は、圧電共振器の温度の変化による周波数オフセットを補償するために使用され、第１圧電層４に対して良好な温度補償を行うことができる。また、ＳｉＯ２は低音速層であってもよく、その厚さがナノスケールであってもよく、共振器を製造するＱおよび電気機械結合係数（ｋｔ ２）への影響が小さい。
一実施例において、温度補償層は、第１圧電層の基板から離れた側の表面に位置し、第１電極は、温度補償層の基板から離れた側に位置する。一実施例において、第１電極は、温度補償層の基板から離れた側の表面に位置する。一実施例において、圧電共振器は、温度補償層と第１電極との間に位置する第２圧電層を更に備えてもよく、第１電極は、第２圧電層の基板から離れた側の表面に位置する。
図３に示すように、圧電共振器は、基板１と、第１電極５と、第１圧電層４と、温度補償層３とを備え、第１電極５は、温度補償層３の基板１から離れた側に位置し、第１電極５は、温度補償層３の基板１から離れた側の上面に位置する。
第１電極５はインターデジタル電極であってもよく、温度補償層３の上面に均一に分布され、第１電極５と温度補償層３とが中間層を介して設けられる。インターデジタル電極の材料は、アルミニウムＡｌまたはアルミニウム銅ＡｌＣｕ等の金属合金であってもよく、その作用は、インターデジタルトランスデューサにより電気信号を音声信号に変換することである。また、インターデジタル電極の電極膜の厚さは約５０ｎｍ〜２００ｎｍであり、電極の抵抗率が小さいことを確保できる。インターデジタル電極は、温度補償層３および第１圧電層４に電界を形成することにより、フィルタおよび共振器の特定の振動モードにおける音波を励起または取得する。
或いは、図４に示すように、圧電共振器は、基板１と、第１電極５と、第１圧電層４と、温度補償層３と、温度補償層３と第１電極５との間に位置する第２圧電層７とを備え、第１電極５は、第２圧電層７の基板１から離れた側の表面に位置する。第１圧電層４および第２圧電層７は一般的に負温度係数材料であり、温度補償層３がＳｉＯ２であってもよいため、力学計算により、特定の振動モードで、温度補償層３が圧電共振器構造の中央位置に位置すると、温度補償効率は高い値に達することができることが発見された。圧電共振器の周波数温度係数（ＴＣＦ）が各層の構造の厚さおよびそれらの共振器内における相対位置や作用により決定されるため、一般的には、低いＴＣＦを取得するために、圧電共振器の上方または下方に厚いＳｉＯ２を１層堆積して圧電共振器の共振周波数の温度に伴って変化するドリフト量を補償する必要がある。本実施例の圧電共振器は、薄い温度補償層（ＳｉＯ２）を製造することによって温度補償を行うことができ、温度補償の効率を大幅に向上させる。
一実施例において、圧電共振器は、空洞に位置し、且つ第１圧電層の基板に接近する側の表面に設けられた第２電極を更に備えてもよい。
例示的には、図３を引き続き参照し、圧電共振器は、空洞に位置し、且つ第１圧電層４の基板１に接近する側の表面に設けられた第２電極６を更に備える。ここで、第１電極５はインターデジタル電極であってもよく、第２電極６は面状電極であってもよい。インターデジタル電極と面状電極との相互作用により、第１圧電層４および温度補償層３において横バルク波を励起し、温度補償層３は、非圧電材料ＳｉＯ２であり、第１電極５と第２電極６との間に位置するため、温度補償層３は一部の第１圧電層４（例えば、ＡＩＮ）の電圧を消費し、第１圧電層４における電界強度は低下し、更に電気機械結合係数ｋｔ ２は低下し、低い実効的な電気機械結合係数は狭帯域フィルタに適用される。
一実施例において、圧電共振器において、第１電極がインターデジタル電極または面状電極であることと、第２電極がインターデジタル電極または面状電極であることとのうちの少なくとも１つを更に含む。第１電極および第２電極のうちの少なくとも１つの電極の形状および設置位置は、様々な変化を有してもよく、上記いくつかの場合に限定されず、第１電極および第２電極のうちの少なくとも１つの電極の形状および位置を設置することにより、異なるモードの波を取得することができ、圧電共振器の適用範囲が広がる。
図５に示すように、第２電極６は、第１圧電層４の基板１に接近する側の表面に設けられたインターデジタル電極である。該形態において、第１電極５は、温度補償層３の基板１から離れた側の上面に位置するインターデジタル電極であってもよい。
一実施例において、図６に示すように、第２電極６は、第１圧電層４の基板１に接近する側の表面に設けられたインターデジタル電極である。該形態において、第１電極５は、第１圧電層４の基板１から離れた側の表面に位置するインターデジタル電極であってもよく、温度補償層３は第１電極５を覆う。
インターデジタル電極は、電気信号を音声信号に変換することができ、第１電極５および第２電極６はいずれもインターデジタル電極であり、第１電極５と第２電極６とは互いに協働し、異なる回路接続方式に基づき、圧電共振器を励起して横バルク波、縦方向バルク波または他の形式の音波を発生させることができ、横バルク波は一般的に狭帯域フィルタに適用される。
一実施例において、図７に示すように、第２電極６は、第１圧電層４の基板１に接近する側の表面に設けられた面状電極である。該形態において、第１電極５は、第１圧電層４の基板１から離れた側の表面に位置するインターデジタル電極であってもよく、温度補償層３は第１電極５を覆う。インターデジタル電極は、電気信号を音声信号に変換することができ、面状電極と協働することにより、横バルク波を励起することができる。一実施例において、図４に示すように、第２電極６は、第１圧電層４の基板１に接近する側の表面に設けられた面状電極である。第１電極５は、第２圧電層７の基板１から離れた上面に設けられた面状電極であり、第１圧電層４と第２圧電層７との間に温度補償層３が設けられる。
一実施例において、図８に示すように、第２電極６は、第１圧電層４の基板１に接近する側の表面に設けられた面状電極である。該形態において、第１電極５は、第１圧電層４の基板１から離れた側の表面に位置する面状電極であってもよく、温度補償層３は第１電極５を覆う。２つの面状電極は縦方向バルク波を励起することができ、移動通信システムに適用できる。
一実施例において、図９に示すように、第２電極６は、第１圧電層４の基板１に接近する側の表面に設けられた面状電極である。該形態において、第１電極５は、温度補償層３の基板１から離れた側の上面に位置する面状電極であってもよい。
図４、図８または図９に示すように、第１電極５は面状電極であり、第２電極６は空洞内に位置し、ここで、第２電極６は面状電極であってもよい。第１電極５、第２電極６はいずれも面状電極であり、第１圧電層４とからなる構造は、薄膜バルク音声共振器（ｆｉｌｍ ｂｕｌｋ ａｃｏｕｓｔｉｃ ｒｅｓｏｎａｔｏｒ、ＦＢＡＲ）構造に類似し、寄生振動モード（ｓｐｕｒｉｏｕｓ ｍｏｄｅ）の発生を比較的容易に制御し、圧電共振器のＱおよびｋｔ ２への影響を低減する。一対の面状電極を設けることにより、圧電材料において縦方向バルク波を励起することができ、広帯域フィルタに適用できる。
上記圧電共振器構造において、温度補償層（ＳｉＯ２）は、一般的に圧電共振器の最上方に堆積され、以下の２つの役割を有する。その１、温度補償の作用を奏することができ、その２、該層のＳｉＯ２は保護層として、圧電共振器が外部の水蒸気、粒子等の物質によって汚染されることを防止できる。良好なフィルタ特性（帯域幅）を有するために、ＳｉＯ２層の標準厚さは第１圧電層の厚さの半分以下であるべきである。良好な高調波特性および良好な温度補償特性を得たい場合には、ＳｉＯ２層の厚さを第１圧電層の厚さの１．５倍に増加してもよい。
本発明の実施例に係る圧電共振器の構造は、温度補償層（ＳｉＯ２）を第１圧電層の上方に配置することにより、音波エネルギーは主に第１圧電層に集中し、第１圧電層と空洞との境界面で全反射を形成し、エネルギーの基板への漏れを回避する。特に、フィルタが非常に急峻であるロールオフエリアにおいて、温度の変化による微細な周波数ドリフトは、いずれもフィルタがロールオフエリアで技術的指標を満たさないことを引き起こす恐れがある場合に適用されると、このような構造により、圧電共振器が高いＱ値および低い周波数温度係数（ＴＣＦ）を有することは維持できる。また、異なる通信規格の相互干渉を解決するシステム、例えば、衛星ラジオまたはＧＰＳナビゲーションを統合した携帯電話システムにも適用できる。
また、本発明の実施例は、圧電共振器の製造方法を更に提供し、図１０は、本発明の実施例に係る圧電共振器の製造方法のフローチャートであり、以下のステップを含む。
ステップ１１０において、基板の上面に凹溝を形成する。
基板は支持層として機能し、支持層がシリコン基板であってもよく、シリコン基板において、ディープ反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）により、該支持層からマスクまたはフォトリソグラフィで一部のシリコン材料を除去することができ、凹溝の断面構造は矩形または円弧状であってもよく、その凹溝の断面構造の深さはナノスケールまたはマイクロスケールであってもよく、凹溝の寸法は、実際の必要に応じて対応して選択することができる。ここで、シリコン基板は高音速材料層であってもよく、その抵抗率は１０００Ω・ｃｍまたはそれ以上であってもよく、このように、フィルタの挿入損失を低減することができる。
ステップ１２０、凹溝に犠牲材料を充填し、犠牲材料の上面が基板の上面と面一になるようにする。
得られた凹溝構造に犠牲材料を充填し、犠牲材料は金属アルミニウム、金属マグネシウム、二酸化ケイ素またはゲルマニウム材料等であってもよい。ケミカルメカニカルポリッシングプロセス（ＣＭＰ）により、平坦化処理を行い、犠牲材料の上面を基板の上面と面一にさせ、後続の圧電層の製造を容易にする。
ステップ１３０において、基板の上面および犠牲材料の上面を第１圧電層で覆う。
基板の上面および犠牲材料の上面を第１圧電層で覆うことは、エピタキシャル成長プロセス、薄膜転写プロセスまたはウエハ薄化プロセスにより、第１圧電層を形成することを含む。例えば、平坦化処理された基板の表面で、有機金属化合物化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）方法によってエピタキシャル成長させ、単結晶窒化アルミニウムの第１圧電層を取得してもよく、または他の基板に調製された単結晶窒化アルミニウムを分離し、調製された単結晶窒化アルミニウムの第１圧電層を薄膜転写のプロセス技術によって支持層に転写して圧着してもよく、または液晶ポリマー（ＬＣＰ）接着剤を用いてウエハ（例えば、窒化アルミニウム）を支持層の表面と接着することにより、支持基板にフリップチップ接続し、ウエハを研磨、薄化およびポリッシング処理することにより、平坦度を確保し、実際の需要に応じた薄膜の厚さを得る。
ステップ１４０において、第１圧電層の基板から離れた側に第１電極および温度補償層を形成する。基板に垂直な方向において、第１電極の基板における投影が凹溝の所在エリアに位置する。
図７〜図８を引き続き参照し、露出した第１圧電層４の基板１から離れた側に１層の第１電極５をスパッタ堆積し、第１電極５はインターデジタル電極または面状電極であってもよく、温度補償層３で第１電極５を覆い、温度補償層３はＳｉＯ２材料であってもよく、インターデジタル電極と温度補償層３とを同層に分布させる。温度補償層３は低音速層とすることができ、音波エネルギーが主に圧電材料層に集中し、このように、音波エネルギーを第１圧電層４とインターデジタル電極との間に制限することができ、損失を減少して圧電共振器のＱ値を向上させることができる。
また、基板１に垂直な方向において、第１電極５の基板１における投影は凹溝の所在エリアに位置する。従って、基板１の上方における第１電極５の位置分布には様々な場合があり、上記圧電共振器の実施例を参照することができ、ここでは説明を省略する。
ステップ１５０、犠牲材料を除去して空洞を形成する。
図２〜図９を引き続き参照し、第１圧電層４の上方に第１電極５および温度補償層３を製造した後、基板１に垂直な方向において、凹溝の所在エリアにおいて孔を開け、開けられた孔によって犠牲材料をエッチングする。例示的には、基板１の側の表面において孔を開け（例えば、提供された基板１の下面において孔を開ける）、犠牲材料をエッチングすることにより、第１圧電層４と支持基板との間の空洞を露出してもよい。ここで、空洞内は空気、窒素ガス等を含んでもよく、または空洞は真空状態を維持してもよい。空洞内に第２電極６が設けられてもよく、ここで、第２電極６はインターデジタル電極または面状電極であってもよい。薄膜転写またはウエハを支持基板に圧着する前に、第２電極６を第１圧電層４の側の表面に堆積して空洞内に存在できるようにする。あるいは、犠牲材料の上面に第２電極６を堆積してから、第２電極６の犠牲材料から離れた側に第１圧電層４を堆積する。ここで、第２電極６がインターデジタル電極である場合、圧電層において横バルク波を励起して狭帯域フィルタに適用でき、第２電極６が面状電極である場合、縦方向バルク波を励起して帯域幅が比較的広いフィルタに適用できる。
本発明の実施例に係る技術案では、基板の上面に凹溝を形成し、凹溝と第１圧電層の間に空洞を形成することにより、音波エネルギーの基板への漏れを効果的に回避し、基板における音波エネルギーの損失を低減することができ、Ｑ値の高い圧電共振器を得ることができ、且つ、温度補償層を設けることにより、圧電共振器が低い周波数温度係数を維持し、温度補償効率を効果的に改善することができる。空洞内に第２電極が存在する場合、第２電極と第１電極との相互作用により、圧電共振器の適用範囲を広げることができ、帯域幅が比較的狭いおよび帯域幅が比較的広いフィルタに適用でき、本実施例の圧電共振器の体積は小さい。
本発明の実施例に係る圧電共振器および圧電共振器製造方法は、音波エネルギーの基板への漏れを効果的に回避し、基板における音波エネルギーの損失を低減し、Ｑ値の高い圧電共振器を得ることができ、且つ、温度補償効率を効果的に改善することができる。
Claims (13)
- 上面に凹溝が形成された基板と、
前記凹溝との間に空洞が形成されるように、前記基板の上面および前記凹溝の開口を覆う第１圧電層と、
前記第１圧電層の前記基板から離れた側に設けられた第１電極および温度補償層と、を備え、
前記基板に垂直な方向において、前記第１電極の前記基板における投影が前記凹溝の所在エリアに位置する、圧電共振器。 - 前記第１電極は前記第１圧電層の前記基板から離れた側の表面に位置し、前記温度補償層は前記第１電極を覆う、請求項１に記載の圧電共振器。
- 前記温度補償層は前記第１圧電層の前記基板から離れた側の表面に位置し、前記第１電極は前記温度補償層の前記基板から離れた側に位置する、請求項１に記載の圧電共振器。
- 前記第１電極は前記温度補償層の前記基板から離れた側の表面に位置する、請求項３に記載の圧電共振器。
- 前記温度補償層と前記第１電極との間に位置する第２圧電層を更に備え、前記第１電極は、前記第２圧電層の前記基板から離れた側の表面に位置する、請求項３に記載の圧電共振器。
- 前記空洞に位置し、且つ、前記第１圧電層の前記基板に接近する側の表面に設けられた第２電極を更に備える、請求項１から５のいずれか１項に記載の圧電共振器。
- 前記第１電極がインターデジタル電極または面状電極であることと、前記第２電極がインターデジタル電極または面状電極であることとのうちの少なくとも１つを含む、請求項６に記載の圧電共振器。
- 前記基板の材料はシリコンである、請求項１に記載の圧電共振器。
- 前記温度補償層の材料は正温度係数材料である、請求項１に記載の圧電共振器。
- 前記温度補償層の材料は二酸化ケイ素である、請求項９に記載の圧電共振器。
- 前記第１電極の厚さは１００ｎｍ〜２００ｎｍである、請求項１に記載の圧電共振器。
- 基板の上面に凹溝を形成することと、
前記凹溝に犠牲材料を充填し、前記犠牲材料の上面が前記基板の上面と面一になるようにすることと、
前記基板の上面および前記犠牲材料の上面を第１圧電層で覆うことと、
前記第１圧電層の前記基板から離れた側に第１電極および温度補償層を形成することと、
前記犠牲材料を除去して空洞を形成することと、を含み、
前記基板に垂直な方向において、前記第１電極の前記基板における投影が前記凹溝の所在エリアに位置する、圧電共振器の製造方法。 - 前記犠牲材料を除去して空洞を形成することとは、
前記基板に垂直な方向において、前記凹溝の所在エリアにおいて孔を開け、開けられた孔によって前記犠牲材料をエッチングすることを含む、請求項１２に記載の圧電共振器の製造方法。
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