CN115274386B - 一种固态纳米孔批量精密加工装置及其加工方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种固态纳米孔批量精密加工装置及其加工方法。本发明包括：离子光学系统、透射式阵列载样样品台、自动位移台、真空样品室、二次电子探测器、图形扫描控制系统和计算机，采用聚焦离子束的焦点，在图形扫描控制系统的精密控制下，在硅基固态薄膜上定位扫描，可以实现固态纳米孔尺寸的精密可控制备；在加工过程中，能够通过透过纳米孔加工区域的离子束成像衬度，实时监测纳米孔的加工过程，获得可控的离子束加工参数，进一步提高加工精度；采用阵列载样台实现固态纳米孔的批量化精密加工，极大提高了加工效率，单个固态纳米孔的加工周期极大缩短；旨在制造尺寸在1μm与5nm之间的固态纳米孔，以用于蛋白质分子和DNA分子等生物传感检测。
Description
技术领域
本发明涉及固态纳米孔加工技术，具体涉及一种固态纳米孔批量精密加工装置及其加工方法。
背景技术
固态纳米孔是指在硅基固态薄膜上制备的纳米尺度孔结构。硅基固态薄膜可以通过标准硅基半导体工艺制备，薄膜材料通常为低应力氮化硅，能够悬空在硅基芯片表面。
一般的固态纳米孔制造方法通常利用透射电子显微镜，采用高能聚焦电子束在薄膜表面烧蚀打点的方法制备纳米孔，由于无法严格定量控制电子束束斑尺寸，无法直接可控获得特定尺寸的纳米孔结构；纳米孔的尺寸的调整控制通常在打孔完成后，采用散焦电子束辐照的方法实现。该方法具有三个方面的不足：1、固态纳米孔尺寸可控性差；2、由于电子束在聚焦模式下无法成像，无法在监控纳米孔的加工过程；3、在透射电子显微镜中，一次仅能实现单个纳米孔芯片的制备，特性尺寸的纳米孔还需要在一次加工后进行二次调整，单个固态纳米孔的加工周期约20～40分钟，加工效率低。
发明内容
为了解决以上现有技术问题中存在的问题，本发明提出了一种固态纳米孔批量精密加工装置及其加工方法，在硅基芯片上加工固态纳米孔阵列，单个固态纳米孔的尺寸在1μm以下5nm以上，以用于蛋白质分子和DNA分子等生物传感检测。
本发明的一个目的在于提出一种固态纳米孔批量精密加工装置。
本发明的固态纳米孔批量精密加工装置包括：离子光学系统、透射式阵列载样样品台、自动位移台、真空样品室、二次电子探测器、图形扫描控制系统和计算机；其中，待加工的硅基芯片设置在透射式阵列载样样品台上；透射式阵列载样样品台设置在自动位移台上；二次电子探测器、硅基芯片、透射式阵列载样样品台和自动位移台均位于真空样品室内；二次电子探测器连接至位于真空样品室外的图形扫描控制系统；图形扫描控制系统和自动位移台连接至计算机；图形扫描控制系统还连接至离子光学系统；
透射式阵列载样样品台包括：固定头、基台、载样板、盖板、紧固结构、高二次电子产率表面和载样槽；其中，固定头的底部固定安装在自动位移台上；基台安装在固定头上；基台的上表面小于下表面，侧面至少具有一面倾斜面，作为高二次电子产率表面，高二次电子产率表面采用用于发射二次电子的材料或者在高二次电子产率表面的表面加工有微结构以提高二次电子发射效率；高二次电子产率表面与水平面的角度为45°～60°，使得高二次电子产率表面上离子束作用点处的法线指向二次电子探测器，其中离子束作用点为高二次电子产率表面同离子束的交点；载样板安装在基台的上表面，载样板部分区域悬空，且悬空的区域位于高二次电子产率表面之上；在载样板上且悬空的区域开设有至少一个载样槽，即载样槽位于高二次电子产率表面之上，载样槽的水平尺寸不小于待加工的硅基芯片，待加工的硅基芯片放置在载样槽内；在载样槽的底部开设有贯穿的阵列分布的多个载样槽通孔，形成载样槽通孔阵列；载样槽通孔阵列与要刻蚀的固态纳米孔阵列的排布方式一致，载样槽通孔的直径不小于要刻蚀的固态纳米孔的直径；盖板为具有厚度的平板，厚度大于2mm，阻挡由硅基芯片表面产生的二次电子信号被二次电子探测器收集，保证二次电子探测器只收集由高二次电子产率表面发射的二次电子，提高信噪比，盖板的水平尺寸与载样槽一致，盖板上开设有贯穿的阵列分布的多个盖板通孔，形成盖板通孔阵列；盖板通孔阵列与要刻蚀的固态纳米孔阵列的排布方式一致，盖板通孔的直径不小于要刻蚀的固态纳米孔的直径；盖板盖在硅基芯片上；通过紧固结构将盖板和硅基芯片固定在载样槽内；
图形扫描控制系统绘制出要刻蚀的固态纳米孔的形状和几何尺寸以及固态纳米孔阵列的排布方式，并根据纳米孔的形状和几何尺寸设定离子束的加工参数，再将离子束的加工参数转换为离子束扫描控制信号，发送至离子光学系统；离子光学系统按照图形扫描控制系统发出的离子束扫描控制信号发出离子束，聚焦至位于真空样品室内的透射式阵列载样样品台上的硅基芯片上；离子束穿过盖板上的盖板通孔阵列，刻蚀硅基芯片；在离子束刻蚀硅基芯片形成固态纳米孔的过程中，离子束穿透硅基芯片并经过载样槽通孔阵列传输至载样槽下的高二次电子产率表面上，激发二次电子发射；二次电子探测器接收由高二次电子产率表面发射的二次电子，转换为二次电子强度信号，将二次电子强度信号传输至图形扫描控制系统；图形扫描控制系统根据二次电子强度随时间的变化得到二次电子强度曲线，并根据二次电子强度曲线判断纳米孔刻蚀进度；当二次电子强度达到检测阈值，以此作为固态纳米孔形成的标志；根据载样槽上的硅基芯片的相对位置和序列，计算机根据固态纳米孔阵列的排布方式设置自动位移台的移动步长和路径，通过自动位移台带动位于透射式阵列载样样品台上的硅基芯片的待加工的位置依次移动至离子束的焦点上，进行扫描刻蚀，从而在硅基芯片上加工形成固态纳米孔阵列，实现自动批量加工。
离子光学系统包括：气相场离子源、离子束聚焦系统和离子束偏转器；其中，图形扫描系统连接至离子光学系统，图形扫描系统控制离子束按照离子束扫描控制信号进行扫描；气相场离子源包含真空腔体，离子发射体阳极和阴极，真空腔体中充有惰性气体，离子发射体阳极和阴极之间施加强静电场，在静电场作用下，气体电离产生电子和离子，离子穿过阴极产生离子束；离子束由离子束聚焦系统聚焦，经过离子束偏转器控制路径偏转方向至真空样品室内的硅基芯片。
高二次电子产率表面采用用于发射二次电子的材料为铝合金、钛合金、铜、无磁不锈钢、金刚石薄膜、硅、碳化硅、氮化钛等材料中的一种或多种；高二次电子产率表面加工的微结构为平面结构，或者凹点阵列或凸点阵列等，以增加比表面积，从而增加二次电子发射效率。
紧固结构采用弹簧夹。固定头的底部设置有连接为一体的燕尾槽结构，通过燕尾槽结构固定头安装在自动位移台上。
图形扫描控制系统将设计的离子束的加工参数转换为离子束扫描控制信号，用于离子束扫描刻蚀纳米孔图形；采集并显示由离子束激发样品所产生的二次电子图像，根据图像强度实时监控纳米孔刻蚀进度。
本发明的另一个目的在于提出一种固态纳米孔批量精密加工方法。
本发明的固态纳米孔批量精密加工方法，包括以下步骤：
1)提供待加工的硅基芯片；
2)将待加工的硅基芯片放置在载样槽内，将盖板盖在硅基芯片上，盖板通孔阵列对准载样槽通孔阵列，通过紧固结构将盖板和硅基芯片固定在载样槽内；
3)将装有硅基芯片的透射式阵列载样样品台整体进行清洗，去除表面的杂质；
4)将透射式阵列载样样品台固定在位于真空样品室内的自动位移台上；
5)图形扫描控制系统绘制出要刻蚀的固态纳米孔的形状和几何尺寸以及固态纳米孔阵列的排布方式，并根据纳米孔的形状和几何尺寸设定离子束的加工参数，再将离子束的加工参数转换为离子束扫描控制信号，发送至离子光学系统；
6)离子光学系统按照图形扫描控制系统设定的加工参数发出离子束，聚焦至位于真空样品室内的透射式阵列载样样品台上的硅基芯片上，离子束穿过盖板上的盖板通孔阵列，刻蚀硅基芯片；
7)在离子束刻蚀硅基芯片形成固态纳米孔的过程中，离子束穿透硅基芯片并经过载样槽通孔阵列传输至载样槽下的高二次电子产率表面上，激发倾斜面发射二次电子；
8)二次电子探测器接收由倾斜面发射的二次电子，转换为二次电子强度信号，将二次电子强度信号传输至图形扫描控制系统；
9)图形扫描控制系统根据二次电子强度随时间的变化得到二次电子强度曲线，并根据二次电子强度曲线判断纳米孔刻蚀进度；当二次电子强度达到检测阈值，以此作为固态纳米孔形成的标志；
10)根据载样槽上的硅基芯片的相对位置和序列，计算机根据固态纳米孔阵列的排布方式设置自动位移台的移动步长和路径，通过自动位移台带动位于透射式阵列载样样品台上的硅基芯片的待加工的位置依次移动至离子束的焦点上，重复步骤6)～9)，进行扫描刻蚀，从而在硅基芯片上技工形成固态纳米孔阵列，实现自动批量加工；
11)全部加工完成后，将透射式阵列载样样品台从真空样品室中取出，取下硅基芯片即完成全部加工。
其中，在步骤1)中，待加工的硅基芯片采用氮化硅薄膜硅基芯片、氧化硅薄膜硅基芯片和金属薄膜硅基芯片中的一种或多种。
在步骤3)中，将装有硅基芯片的透射式阵列载样样品台整体放入等离子体清洗机中清洗。
在步骤5)中，加工参数包括离子束束流、扫描剂量、离子束的驻留时间和离子束的束斑间距。
在步骤5)中，离子束采用氦离子束、氖离子束、氩离子束和氙离子束中的一种。
本发明的优点：
本发明采用优于1nm的聚焦离子束的焦点，在图形扫描控制系统的精密控制下，在硅基固态薄膜上定位扫描，可以实现固态纳米孔尺寸的精密可控制备；在加工过程中，能够通过透过纳米孔加工区域的离子束成像衬度，实时监测纳米孔的加工过程，获得可控的离子束加工参数，进一步提高加工精度；采用阵列载样台实现固态纳米孔的批量化精密加工，极大提高了加工效率，单个固态纳米孔的加工周期可缩短至5分钟以内；旨在制造尺寸在1μm以下5nm以上的固态纳米孔，以用于蛋白质分子和DNA分子等生物传感检测。
附图说明
图1为本发明的固态纳米孔批量精密加工装置的一个实施例的示意图；
图2为本发明的固态纳米孔批量精密加工装置的一个实施例的透射式阵列载样样品台的立体图；
图3为本发明的固态纳米孔批量精密加工装置的一个实施例的透射式阵列载样样品台的侧视图；
图4为本发明的固态纳米孔批量精密加工装置的一个实施例的透射式阵列载样样品台的俯视图。
具体实施方式
下面结合附图，通过具体实施例，进一步阐述本发明。
如图1所示，本实施例的固态纳米孔批量精密加工装置包括：离子光学系统1、透射式阵列载样样品台2、自动位移台3、真空样品室4、二次电子探测器5、图形扫描控制系统6和计算机7；其中，待加工的硅基芯片8设置在透射式阵列载样样品台2上；透射式阵列载样样品台2设置在自动位移台3上；二次电子探测器5、硅基芯片、透射式阵列载样样品台2和自动位移台3均位于真空样品室4内；二次电子探测器5对着透射式阵列载样样品台2；二次电子探测器5连接至位于真空样品室4外的图形扫描控制系统6；图形扫描控制系统6和自动位移台3连接至计算机7；图形扫描控制系统6还连接至离子光学系统1；
如图2～4所示，透射式阵列载样样品台2包括：固定头21、基台22、载样板23、盖板24、紧固结构25、高二次电子产率表面26和载样槽27；其中，固定头21的底部固定安装在自动位移台3上；基台22安装在固定头21上；基台22为梯台形，上表面小于下表面，具有两面倾斜面作为高二次电子产率表面26，高二次电子产率表面26采用二次电子发射效率高的材料或者在高二次电子产率表面26的表面加工有微结构以提高二次电子发射效率；高二次电子产率表面26与水平面的角度为60°，使得高二次电子产率表面26上离子束作用点处的法线指向二次电子探测器5，其中离子束作用点为高二次电子产率表面26同离子束的交点；载样板23对称安装在基台22的上表面，载样板23的水平尺寸大于基台22的上表面，载样板23的两侧分别悬空，且位于高二次电子产率表面26之上；在载样板23的上表面两侧分别开设载样槽27，每一个载样槽分别位于相应的高二次电子产率表面26之上，载样槽的水平尺寸不小于待加工的硅基芯片，待加工的硅基芯片8放置在载样槽内；在载样槽的底部开设有贯穿的阵列分布的多个载样槽通孔，形成载样槽通孔阵列；载样槽通孔阵列与要刻蚀的固态纳米孔阵列的排布方式一致，载样槽通孔的直径不小于要刻蚀的固态纳米孔的直径；盖板24为具有厚度的平板，厚度大于2mm，阻挡由硅基芯片表面产生的二次电子信号二次电子探测器5收集，保证二次电子探测器5只收集高二次电子产率表面26的二次电子，提高信噪比，盖板24的水平尺寸与载样槽一致，盖板24上开设有贯穿的阵列分布的多个盖板24通孔，形成盖板24通孔阵列；盖板24通孔阵列与要刻蚀的固态纳米孔阵列的排布方式一致，盖板24通孔的直径不小于要刻蚀的固态纳米孔的直径；盖板24盖在硅基芯片上；通过紧固结构25将盖板24和硅基芯片固定在载样槽内。
在本实施例中，高二次电子产率表面26的材料为铝合金；紧固结构25采用弹簧夹；固定头21的底部设置有连接为一体的燕尾槽结构，通过燕尾槽结构固定头21安装在自动位移台3上。适用于边长为3mm、3.5mm和5mm等多种尺寸标准的硅基芯片，载样槽通孔的孔径为0.5～2mm。离子光学系统1采用氦离子显微镜离子源。
本实施例的固态纳米孔批量精密加工装置方法，包括以下步骤：
1)提供待加工的硅基芯片；
2)将待加工的硅基芯片放置在载样槽内，将盖板24盖在硅基芯片上，盖板24通孔阵列对准载样槽通孔阵列，通过紧固结构25将盖板24和硅基芯片固定在载样槽内；
3)将装有硅基芯片的透射式阵列载样样品台2整体进行清洗，去除表面的杂质；
4)将透射式阵列载样样品台2固定在位于真空样品室4内的自动位移台3上；
5)通过图形扫描控制系统6，绘制出想要刻蚀的纳米孔的形状和几何尺寸以及固态纳米孔阵列的排布方式，并根据纳米孔的形状和几何尺寸设定离子束的加工参数，再将设定离子束的加工参数转换为离子束扫描控制信号；
6)离子光学系统1按照图形扫描控制系统6设定的加工参数发出氦离子束，束流大于1
pA，聚焦至位于真空样品室4内的透射式阵列载样样品台2上的硅基芯片上，像散和对中，使得离子束在硅基芯片薄膜表面成像清楚，找到要加工的第一个硅基芯片的加工位置，放大加工区域至视场小于10微米，离子束穿过盖板24上的盖板24通孔阵列，刻蚀硅基芯片；
7)在离子束刻蚀硅基芯片形成固态纳米孔的过程中，离子束穿透硅基芯片并经过载样槽通孔阵列传输至载样槽下的高二次电子产率表面26上，激发二次电子发射；
8)二次电子探测器5接收由高二次电子产率表面26发射的二次电子，转换为二次电子强度信号，将二次电子强度信号传输至图形扫描控制系统6；
9)图形扫描控制系统6根据二次电子强度随时间的变化得到二次电子强度曲线，并根据二次电子强度曲线判断纳米孔刻蚀进度；当二次电子强度达到检测阈值，以此作为固态纳米孔形成的标志，检测阈值由纳米孔的形状和几何尺寸以及高二次电子产率表面26的二次电子发射效率决定；
10)根据载样槽上的硅基芯片的相对位置和序列，计算机7根据固态纳米孔阵列的排布方式设置自动位移台3的移动步长和路径，通过自动位移台3带动位于透射式阵列载样样品台2上的硅基芯片待加工的位置依次移动至离子束的焦点上，重复步骤6)
～9)，进行扫描刻蚀，从而在硅基芯片上技工形成固态纳米孔阵列，实现自动批量加工样品；
11)全部加工完成后，将透射式阵列载样样品台2从真空样品室4中取出，取下硅基芯片即完成全部加工。
最后需要注意的是，公布实施例的目的在于帮助进一步理解本发明，但是本领域的技术人员可以理解：在不脱离本发明及所附的权利要求的精神和范围内，各种替换和修改都是可能的。因此，本发明不应局限于实施例所公开的内容，本发明要求保护的范围以权利要求书界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种固态纳米孔批量精密加工装置，其特征在于，所述固态纳米孔批量精密加工装置包括：离子光学系统、透射式阵列载样样品台、自动位移台、真空样品室、二次电子探测器、图形扫描控制系统和计算机；其中，待加工的硅基芯片设置在透射式阵列载样样品台上；透射式阵列载样样品台设置在自动位移台上；二次电子探测器、硅基芯片、透射式阵列载样样品台和自动位移台均位于真空样品室内；二次电子探测器连接至位于真空样品室外的图形扫描控制系统；图形扫描控制系统和自动位移台连接至计算机；图形扫描控制系统还连接至离子光学系统；
透射式阵列载样样品台包括：固定头、基台、载样板、盖板、紧固结构、高二次电子产率表面和载样槽；其中，固定头的底部固定安装在自动位移台上；基台安装在固定头上；基台的上表面小于下表面，侧面至少具有一面倾斜面，作为高二次电子产率表面，高二次电子产率表面采用用于发射二次电子的材料，在高二次电子产率表面的表面加工有微结构以提高二次电子发射效率；高二次电子产率表面与水平面有夹角，使得高二次电子产率表面上离子束作用点处的法线指向二次电子探测器，其中离子束作用点为高二次电子产率表面同离子束的交点；载样板安装在基台的上表面，载样板部分区域悬空，且悬空的区域位于高二次电子产率表面之上；在载样板上且悬空的区域开设有至少一个载样槽，即载样槽位于高二次电子产率表面之上，载样槽的水平尺寸不小于待加工的硅基芯片，待加工的硅基芯片放置在载样槽内；在载样槽的底部开设有贯穿的阵列分布的多个载样槽通孔，形成载样槽通孔阵列；载样槽通孔阵列与要刻蚀的固态纳米孔阵列的排布方式一致，载样槽通孔的直径不小于要刻蚀的固态纳米孔的直径；盖板为具有厚度的平板，阻挡由硅基芯片表面产生的二次电子信号被二次电子探测器收集，保证二次电子探测器只收集由高二次电子产率表面发射的二次电子，提高信噪比，盖板的水平尺寸与载样槽一致，盖板上开设有贯穿的阵列分布的多个盖板通孔，形成盖板通孔阵列；盖板通孔阵列与要刻蚀的固态纳米孔阵列的排布方式一致，盖板通孔的直径不小于要刻蚀的固态纳米孔的直径；盖板盖在硅基芯片上；通过紧固结构将盖板和硅基芯片固定在载样槽内；
图形扫描控制系统绘制出要刻蚀的固态纳米孔的形状和几何尺寸以及固态纳米孔阵列的排布方式，并根据纳米孔的形状和几何尺寸设定离子束的加工参数，再将离子束的加工参数转换为离子束扫描控制信号，发送至离子光学系统；离子光学系统按照图形扫描控制系统发出的离子束扫描控制信号发出离子束，聚焦至位于真空样品室内的透射式阵列载样样品台上的硅基芯片上；离子束穿过盖板上的盖板通孔阵列，刻蚀硅基芯片；在离子束刻蚀硅基芯片形成固态纳米孔的过程中，离子束穿透硅基芯片并经过载样槽通孔阵列传输至载样槽下的高二次电子产率表面上，激发二次电子发射；二次电子探测器接收由高二次电子产率表面发射的二次电子，转换为二次电子强度信号，将二次电子强度信号传输至图形扫描控制系统；图形扫描控制系统根据二次电子强度随时间的变化得到二次电子强度曲线，并根据二次电子强度曲线判断纳米孔刻蚀进度；当二次电子强度达到检测阈值，以此作为固态纳米孔形成的标志；根据载样槽上的硅基芯片的相对位置和序列，计算机根据固态纳米孔阵列的排布方式设置自动位移台的移动步长和路径，通过自动位移台带动位于透射式阵列载样样品台上的硅基芯片的待加工的位置依次移动至离子束的焦点上，进行扫描刻蚀，从而在硅基芯片上加工形成固态纳米孔阵列，实现自动批量加工。
2.如权利要求1所述的固态纳米孔批量精密加工装置，其特征在于，所述高二次电子产率表面采用用于发射二次电子的材料为铝合金、钛合金、铜、无磁不锈钢、金刚石薄膜、硅、碳化硅和氮化钛中的一种或多种；高二次电子产率表面加工的微结构为平面结构，或者凹点阵列或凸点阵列。
3.如权利要求1所述的固态纳米孔批量精密加工装置，其特征在于，所述紧固结构采用弹簧夹。
4.如权利要求1所述的固态纳米孔批量精密加工装置，其特征在于，所述固定头的底部设置有连接为一体的燕尾槽结构，通过燕尾槽结构固定头安装在自动位移台上。
5.如权利要求1所述的固态纳米孔批量精密加工装置，其特征在于，所述盖板的厚度大于2mm。
6.如权利要求1所述的固态纳米孔批量精密加工装置，其特征在于，所述高二次电子产率表面与水平面的角度为45°～60°。
7.一种如权利要求1所述的固态纳米孔批量精密加工装置进行的固态纳米孔批量精密加工方法，其特征在于，所述固态纳米孔批量精密加工方法包括以下步骤：
1)提供待加工的硅基芯片；
2)将待加工的硅基芯片放置在载样槽内，将盖板盖在硅基芯片上，盖板通孔阵列对准载样槽通孔阵列，通过紧固结构将盖板和硅基芯片固定在载样槽内；
3)将装有硅基芯片的透射式阵列载样样品台整体进行清洗，去除表面的杂质；
4)将透射式阵列载样样品台固定在位于真空样品室内的自动位移台上；
5)图形扫描控制系统绘制出要刻蚀的固态纳米孔的形状和几何尺寸以及固态纳米孔阵列的排布方式，并根据纳米孔的形状和几何尺寸设定离子束的加工参数，再将离子束的加工参数转换为离子束扫描控制信号，发送至离子光学系统；
6)离子光学系统按照图形扫描控制系统设定的加工参数发出离子束，聚焦至位于真空样品室内的透射式阵列载样样品台上的硅基芯片上，离子束穿过盖板上的盖板通孔阵列，刻蚀硅基芯片；
7)在离子束刻蚀硅基芯片形成固态纳米孔的过程中，离子束穿透硅基芯片并经过载样槽通孔阵列传输至载样槽下的高二次电子产率表面上，激发倾斜面发射二次电子；
8)二次电子探测器接收由倾斜面发射的二次电子，转换为二次电子强度信号，将二次电子强度信号传输至图形扫描控制系统；
9)图形扫描控制系统根据二次电子强度随时间的变化得到二次电子强度曲线，并根据二次电子强度曲线判断纳米孔刻蚀进度；当二次电子强度达到检测阈值，以此作为固态纳米孔形成的标志；
10)根据载样槽上的硅基芯片的相对位置和序列，计算机根据固态纳米孔阵列的排布方式设置自动位移台的移动步长和路径，通过自动位移台带动位于透射式阵列载样样品台上的硅基芯片的待加工的位置依次移动至离子束的焦点上，重复步骤6)～9)，
进行扫描刻蚀，从而在硅基芯片上形成固态纳米孔阵列，实现自动批量加工；
11)全部加工完成后，将透射式阵列载样样品台从真空样品室中取出，取下硅基芯片即完成全部加工。
8.如权利要求7所述的固态纳米孔批量精密加工方法，其特征在于，在步骤1)中，待加工的硅基芯片采用氮化硅薄膜硅基芯片、氧化硅薄膜硅基芯片和金属薄膜硅基芯片中的一种或多种。
9.如权利要求7所述的固态纳米孔批量精密加工方法，其特征在于，在步骤5)中，加工参数包括离子束束流、扫描剂量、离子束的驻留时间和离子束的束斑间距。
10.如权利要求7所述的固态纳米孔批量精密加工方法，其特征在于，在步骤5)中，离子束采用氦离子束、氖离子束、氩离子束和氙离子束中的一种。
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