CN115250099A - 调整谐振频率的方法、谐振器、滤波器及半导体器件 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种调整谐振频率的方法、谐振器、滤波器及半导体器件。所述方法包括：对体声波谐振器进行频率测试，其中，所述谐振器包括衬底、声学镜、底电极、压电层、顶电极和钝化层；当所述谐振器的谐振频率高于目标频率时，在所述谐振器的待处理层层或部分所述待处理层上沉积预定厚度的补长层，以使所述谐振器的谐振频率达到目标频率，所述待处理层为所述钝化层或所述钝化层的上层结构层。本发明可在谐振器测试后，对高于目标频率的谐振器的调整谐振频率，调整精度更高。还可对滤波器中高于目标频率或低于目标频率的部分谐振器进行频率调整，实现对滤波器的局部频率的调整。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种调整谐振频率的方法、谐振器、滤波器及半导体器件。
背景技术
薄膜体声波谐振器在制作过程中，各膜层可能会因工艺导致膜厚有偏差，使得谐振频率发生偏移。相关技术一般是在谐振器制作过程中通过修整钝化层来实现，然而其频率修整速率难以精准控制，调整精度有限，且只能将实际频率低于目标频率的谐振器进行频率调整。
发明内容
为解决上述问题，本发明的目的在于提供一种调整谐振频率的方法、谐振器、滤波器及半导体器件。
本发明实施例提供了一种调整谐振频率的方法，所述方法包括：
对体声波谐振器进行频率测试，其中，所述谐振器包括衬底、声学镜、底电极、压电层、顶电极和钝化层；
当所述谐振器的谐振频率高于目标频率时，在所述谐振器的待处理层或部分所述待处理层上沉积预定厚度的补长层，以使所述谐振器的谐振频率达到目标频率，其中，所述待处理层为所述钝化层或所述钝化层的上层结构层。
作为本发明进一步的改进，所述谐振器还设有质量负载层，所述质量负载层在所述钝化层沉积前形成或在所述钝化层沉积后形成。
作为本发明进一步的改进，所述补长层的厚度根据所述谐振器的谐振频率和所述目标频率之间的频率差确定。
作为本发明进一步的改进，所述补长层的材料为介质材料或金属材料。
作为本发明进一步的改进，所述补长层的材料与所述钝化层的材料相同。
作为本发明进一步的改进，所述在所述待处理层或部分所述待处理层上沉积预定厚度的补长层，包括：
在所述待处理层上沉积第一阻挡层；
在所述第一阻挡层上涂敷第一光刻胶层；
在所述第一光刻胶层上光刻形成第一光刻图形，所述第一光刻图形的位置与所述钝化层上要沉积所述补长层的位置相对应；
在所述第一光刻图形位置处，对所述第一阻挡层进行刻蚀，以露出所述待处理层；
去除所述第一光刻胶层；
在所述露出的待处理层上和所述第一阻挡层上沉积补长材料层；
在沉积在所述待处理层上的补长材料层上涂敷第二光刻胶层，并光刻形成第二光刻图形；
将所述第二光刻胶层所覆盖的区域之外的补长材料层去除；
去除所述第二光刻胶层和所述第一阻挡层，在所述待处理层上形成所述补长层。
作为本发明进一步的改进，所述第一阻挡层采用介质材料。
作为本发明进一步的改进，所述补长层的横向宽度大于或等于有效区域的宽度，其中，所述声学镜、底电极、所述压电层和所述顶电极在所述谐振器厚度方向的重叠区域构成所述有效区域。
作为本发明进一步的改进，在有至少两个体声波谐振器时，所述方法还包括：当所述至少两个体声波谐振器中的部分谐振器的谐振频率高于目标频率时，对所述部分谐振器进行补长层的沉积，以使所述部分谐振器的谐振频率达到目标频率。
本发明实施例还提供了一种调整谐振频率的方法，所述方法包括：
对滤波器中各个体声波谐振器进行频率测试，其中，所述滤波器包括至少两个所述谐振器，每个所述谐振器包括衬底、声学镜、底电极、压电层、顶电极和钝化层；
当所述滤波器中的部分谐振器的谐振频率低于目标频率时，对所述部分谐振器的所述钝化层或部分所述钝化层按照预定厚度减薄，以使所述部分谐振器的谐振频率达到目标频率。
作为本发明进一步的改进，所述钝化层或部分所述钝化层被减薄的厚度根据所述谐振器的谐振频率和所述目标频率之间的频率差确定。
作为本发明进一步的改进，所述将所述钝化层或部分所述钝化层按照预定厚度减薄，包括：
在所述钝化层上形成第二阻挡层；
在所述第二阻挡层上刻蚀或光刻形成第三光刻图形，所述第三光刻图形的位置与所述钝化层要被减薄的位置相对应；
在所述第三光刻图形位置处，对所述第二阻挡层进行刻蚀，以露出所述钝化层；
对所述钝化层进行减薄处理，得到减薄钝化层；
去除所述第二阻挡层。
作为本发明进一步的改进，所述第二阻挡层采用介质材料或光刻胶。
作为本发明进一步的改进，所述对所述钝化层进行减薄处理，得到减薄钝化层，包括：
对所述钝化层进行修整，或，
对所述钝化层进行轰击。
作为本发明进一步的改进，被减薄的所述钝化层或部分所述钝化层的横向宽度大于或等于有效区域的宽度，其中，所述声学镜、所述底电极、所述压电层和所述顶电极在所述谐振器厚度方向的重叠区域构成所述有效区域。
本发明实施例还提供了一种体声波谐振器，所述谐振器包括：衬底、声学镜、底电极、压电层、顶电极、钝化层和补长层，其中，所述补长层是对体声波谐振器进行频率测试后，按照预定厚度沉积在所述谐振器的待处理层或部分所述待处理层上形成，其中，所述待处理层为所述钝化层或所述钝化层的上层结构层。
作为本发明进一步的改进，所述谐振器还设有质量负载层，所述质量负载层在所述钝化层沉积前形成或在所述钝化层沉积后形成。
作为本发明进一步的改进，所述补长层的厚度根据所述谐振器的谐振频率和所述目标频率之间的频率差确定。
作为本发明进一步的改进，所述补长层的材料为介质材料或金属材料。
作为本发明进一步的改进，所述补长层的材料与所述钝化层的材料相同。
作为本发明进一步的改进，所述补长层通过以下方法沉积：
在所述待处理层上沉积第一阻挡层；
在所述第一阻挡层上涂敷第一光刻胶层；
在所述第一光刻胶层上光刻形成第一光刻图形，所述第一光刻图形的位置与所述待处理层上要沉积所述补长层的位置相对应；
在所述第一光刻图形位置处，对所述第一阻挡层进行刻蚀，以露出所述待处理层；
去除所述第一光刻胶层；
在所述露出的待处理层上和所述第一阻挡层上沉积补长材料层；
在沉积在所述待处理层上的补长材料层上涂敷第二光刻胶层，并光刻形成第二光刻图形；
将所述第二光刻胶层所覆盖的区域之外的补长材料层去除；
去除所述第二光刻胶层和所述第一阻挡层，在所述待处理层上形成所述补长层。
作为本发明进一步的改进，所述第一阻挡层采用介质材料。
作为本发明进一步的改进，所述补长层的横向宽度大于或等于有效区域的宽度，其中，所述声学镜、底电极、所述压电层和所述顶电极在所述谐振器厚度方向的重叠区域构成所述有效区域。
本发明实施例还提供了一种体声波滤波器，所述滤波器包括至少两个体声波谐振器，其中，至少一个所述谐振器采用所述的沉积补长层的谐振器。
作为本发明进一步的改进，对于所述滤波器中沉积补长层的各个所述谐振器，补长层的沉积厚度相同或不同。
本发明实施例还提供了一种体声波滤波器，所述滤波器包括至少两个体声波谐振器，每个所述谐振器包括：衬底、声学镜、底电极、压电层、顶电极和钝化层，其中，在对各个谐振器进行频率测试后，所述滤波器中的部分谐振器的所述钝化层或部分所述钝化层按照预定厚度减薄。
作为本发明进一步的改进，所述谐振器还设有质量负载层，所述质量负载层在所述钝化层沉积前形成或在所述钝化层沉积后形成。
作为本发明进一步的改进，所述钝化层或部分所述钝化层被减薄的厚度根据所述谐振器的谐振频率和所述目标频率之间的频率差确定。
作为本发明进一步的改进，所述钝化层或部分所述钝化层的减薄方法包括通过以下方法得到：
在所述钝化层上形成第二阻挡层；
在所述第二阻挡层上刻蚀或光刻形成第三光刻图形，所述第三光刻图形的位置与所述钝化层要被减薄的位置相对应；
在所述第三光刻图形位置处，对所述第二阻挡层进行刻蚀，以露出所述钝化层；
对所述钝化层进行减薄处理，得到减薄钝化层；
去除所述第二阻挡层。
作为本发明进一步的改进，所述第二阻挡层采用介质材料或光刻胶。
作为本发明进一步的改进，所述对所述钝化层进行减薄处理，得到减薄钝化层，包括：
对所述钝化层进行修整，或，
对所述钝化层进行轰击。
作为本发明进一步的改进，被减薄的所述钝化层或部分所述钝化层的横向宽度大于或等于有效区域的宽度，其中，所述声学镜、所述底电极、所述压电层和所述顶电极在所述谐振器厚度方向的重叠区域构成所述有效区域。
作为本发明进一步的改进，对于所述滤波器中所述钝化层或部分所述钝化层被减薄的各个所述谐振器，所述钝化层或部分所述钝化层被减薄的厚度相同或不同。
本发明实施例还提供了一种半导体器件，所述器件包括所述的滤波器。
本发明的有益效果为：在谐振器制作完成测试后，根据测试得到的当前频率，对谐振器的钝化层或其上层结构层沉积补长层，实现对高于目标频率的谐振器的频率调整，使测试后谐振器的频率能修正至目标频率。还可对滤波器中高于目标频率或低于目标频率的部分谐振器进行频率调整，实现对滤波器的局部频率的调整。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一示例性实施例所述的常规体声波滤波器的截面示意图；
图2为本发明一示例性实施例所述的沉积补长层工艺流程中沉积第一阻挡层后的截面示意图；
图3为本发明一示例性实施例所述的沉积补长层工艺流程中涂敷第一光刻胶层后的截面示意图；
图4为本发明一示例性实施例所述的沉积补长层工艺流程中刻蚀第一阻挡层后的截面示意图；
图5为本发明一示例性实施例所述的沉积补长层工艺流程中去除第一光刻胶层后的截面示意图；
图6为本发明一示例性实施例所述的沉积补长层工艺流程中沉积补长材料层后的截面示意图；
图7为本发明一示例性实施例所述的沉积补长层工艺流程中涂敷第二光刻胶层后的截面示意图；
图8为本发明一示例性实施例所述的沉积补长层工艺流程中刻蚀补长材料层后的截面示意图；
图9为本发明一示例性实施例所述的沉积补长层工艺流程中去除第二光刻胶层和第一阻挡层后的截面示意图；
图10为本发明一示例性实施例所述的减薄钝化层工艺流程中形成第二阻挡层和光刻形成图形后的截面示意图；
图11为本发明一示例性实施例所述的减薄钝化层工艺流程中减薄钝化层后的截面示意图；
图12为本发明一示例性实施例所述的减薄钝化层工艺流程中去除第二阻挡层后的截面示意图。
图中，
101、衬底；102、压电层；103、声学镜；104、底电极；105、顶电极；106、钝化层；107、第一阻挡层；108、第一光刻胶层；109、补长层；110、第二光刻胶层；111、减薄钝化层；112、第二阻挡层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，在本发明的描述中，所用术语仅用于说明目的，并非旨在限制本发明的范围。术语“包括”和/或“包含”用于指定所述元件、步骤、操作和/或组件的存在，但并不排除存在或添加一个或多个其他元件、步骤、操作和/或组件的情况。术语“第一”、“第二”等可能用于描述各种元件，不代表顺序，且不对这些元件起限定作用。此外，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个及两个以上。这些术语仅用于区分一个元素和另一个元素。结合以下附图，这些和/或其他方面变得显而易见，并且，本领域普通技术人员更容易理解关于本发明所述实施例的说明。附图仅出于说明的目的用来描绘本发明所述实施例。本领域技术人员将很容易地从以下说明中认识到，在不背离本发明所述原理的情况下，可以采用本发明所示结构和方法的替代实施例。
本发明实施例所述的一种调整谐振频率方法，所述方法包括：
对体声波谐振器进行频率测试，其中，所述谐振器包括衬底、声学镜、底电极、压电层、顶电极和钝化层；
当谐振器的谐振频率高于目标频率时，在谐振器的待处理层或部分待处理层上沉积预定厚度的补长层，以使谐振器的谐振频率达到目标频率，其中，待处理层为钝化层或钝化层的上层结构层。
如图1所示，常规的体声波谐振器包括：衬底101、设于衬底101内的声学镜103、在衬底101上形成的底电极104、在底电极104上形成的压电层102、在压电层102上形成的顶电极105和在顶电极105上形成的钝化层106。其中，谐振器的声学镜103、底电极104、压电层102、顶电极105在谐振器厚度方向的重叠区域构成有效区域。
相关技术中，有通过在谐振器的制作过程中对钝化层进行修整(trim)，来实现频率调整，然而这种方式由于修整速率难以精准控制，频率调整精度有限，导致谐振器在使用时仍无法达到使用频率要求。且在对钝化层进行修整时，只能将实际频率低于目标频率的谐振器进行频率调整，无法对实际频率高于目标频率的谐振器进行频率调整。本发明所述方法在谐振器制作完成测试后(形成声学镜和金属电极并形成有效区域，测试谐振器的谐振频率后)，根据测试得到的当前频率，对钝化层或其上层结构层沉积补长层，以实现对高于目标频率的谐振器的频率调整，降低谐振器的频率，使谐振器的谐振频率达到目标频率，也即将测试后谐振器的当前频率修正至目标频率。
其中，衬底101可选材料为单晶硅(Si)、砷化镓(GaAs)、蓝宝石(Al2O3)、石英(SiO2)、氮化铝(ALN)、铌酸锂(LiNbO3)、TaNbO3、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、压电陶瓷(PZT)等，但不限于上述材料。压电层102可选材料为氮化铝(ALN)、氧化锌(ZnO)、压电陶瓷(PZT)等，但不限于上述材料。声学镜103可为在衬底101中形成的空气腔或声反射镜，或其它等效形式。底电极104可选材料为钼(Mo)、钌(Ru)、金(Au)、铝(Al)、镁(Mg)、钨(W)、铜(Cu)等，但不限于上述材料。顶电极105可选材料为钼(Mo)、钌(Ru)、金(Au)、铝(Al)、镁(Mg)、钨(W)、铜(Cu)等，但不限于上述材料。钝化层106可选材料为氮化铝(ALN)、氮化硅(SiN)、石英(SiO2)，Si3N4等介质材料，也可以采用金，银、铜，铂等金属材料，但不限于上述材料。本发明对上述各膜层采用的材料、膜层厚度等不做具体限定，可根据使用需求进行适应性设计。
上述对钝化层或其上层结构层的处理，可以是对全部钝化层进行处理，可以是对部分钝化层进行处理，可以是对钝化层的上层结构层的全部或者部分进行处理，可根据谐振器需要调整的频率来确定，本发明对钝化层或其上层结构层的处理区域不做具体限定。但可以理解的是，被处理的钝化层至少应包括与有效区域位置对应的部分钝化层，被处理的钝化层的上层结构层至少应包括与有效区域位置对应的部分上层结构层。
一种可选的实施方式中，谐振器还设有质量负载层(图中未示出)，质量负载层可在钝化层106沉积前形成或在钝化层106沉积后形成。
相关技术中，也有在谐振器制作过程中通过额外增加质量负载层来实现体声波滤波器的频率调节，形成滤波器设计需要的频率，该频率与基频对应。质量负载层在声学镜形成前沉积，例如可以在钝化层沉积前沉积也可以在钝化层沉积后沉积。质量负载层由于是在声学镜形成前沉积，此时还无法对谐振器进行测试，因此无法确定谐振器的谐振频率是否达到目标频率。在质量负载层沉积结束后，质量负载层的厚度无法调整。由于质量负载层受限于工艺精度，增加质量负载层的滤波器性能可能达不到要求，使得谐振器在使用时仍无法达到使用频率要求。本发明所述方法是在谐振器测试后，根据谐振器的当前频率对钝化层或其上层结构层进行调整，对于设有质量负载层的谐振器，上述调整频率的方法同样可适用。
其中，质量负载层例如可以沉积在衬底101上，可以沉积在底电极104上，可以夹在衬底101和底电极104之间，可以夹在底电极104和压电层102之间，可以夹在压电层102和顶电极105之间，可以夹在顶电极105和钝化层106之间，可以在钝化层106上。当质量负载层位于钝化层106上时，可以理解为质量负载层为钝化层的上层结构层。质量负载层的材料例如可以采用钼(Mo)、钌(Ru)、金(Au)、铝(Al)、镁(Mg)、钨(W)、铜(Cu)等金属材料，也可以采用氮化铝(ALN)、氮化硅(SiN)、石英(SiO2)、Si3N4等介质材料，本发明对质量负载层的材料不做具体限定。质量负载层还可以是包括多层材料层的负载，例如包括两层材料层。其中，例如，第一材料层为金属材料，第二材料层为介质材料；例如，第一材料层为介质材料，第二材料层为金属材料；例如，第一材料层和第二材料层均为金属材料；例如，第一材料层和第二材料层均为介质材料。本发明对质量负载层的材料层数及每层材料层面积、厚度不做具体限制，可根据使用需求进行适应性设计。另外，质量负载层还可以是沉积在钝化层上的负载阵列，该阵列可以是均匀阵列，也可以是非均匀阵列，本发明对质量负载层的形状不做具体限定，可根据使用需求进行适应性设计。
可以理解的是，谐振器在制作完成测试后，各膜层因为工艺误差可能会导致膜层沉积偏薄使得谐振频率偏高，而各个膜层在测试后是无法调整的。谐振器中没有质量负载层时，当测试得到的当前频率高于目标频率时，本发明通过在测试后的谐振器的钝化层106或其上层结构层上沉积一层补长层109，如图9所示，用于对谐振器进行频率补偿。可以降低谐振器的频率，修正谐振器制作过程中因膜层沉积偏薄导致的频率偏高问题，使得谐振器的谐振频率被调整至目标频率(该目标频率可以理解为谐振器需要达到的谐振频率)。
还可以理解的是，当谐振器中设有质量负载层时，质量负载层的膜层误差同样会使谐振器频率发生偏移，影响滤波器性能。例如当有质量负载层的谐振器频率偏高时，会影响滤波器的回波性能。本发明通过在测试后的谐振器的钝化层或其上层结构层上沉积一层补长层，对谐振器的频率进行调整。同样可以修正包括质量负载层的谐振器在制作过程中因质量负载层等膜层沉积偏薄导致的频率偏高问题，使得谐振器的谐振频率被调整至目标频率(该目标频率可以理解为谐振器需要达到的谐振频率与基频之间的频率差)。
由于谐振器测试前是无法获悉其谐振频率是否达到目标频率，本发明沉积的补长层109不同于质量负载层，质量负载层是在声学镜腔形成前(谐振器测试前)形成，测试后厚度无法调整，而补长层109是在声学镜腔形成后(谐振器测试后)形成。可在测试确定谐振器的当前频率(即测试后得到的频率)后，在没有达到目标频率的谐振器有效区域位置对应的钝化层或其上层结构层上进行补长层109的沉积，以使谐振器的谐振频率达到目标频率。例如当质量负载层在衬底101上、在底电极104上、夹在衬底101和底电极104之间、夹在底电极104和压电层102之间、夹在压电层102和顶电极105之间或夹在顶电极105和钝化层106之间时，钝化层为待处理层，可通过在测试后的谐振器的钝化层106或部分钝化层106上沉积补长层即可，例如当质量负载层位于钝化层106上时，质量负载层为待处理层，可在质量负载层或部分质量负载层上沉积补长层109(图中未示出质量负载层)。例如当质量负载层沉积于钝化层106上形成负载阵列时，可在谐振器除去负载阵列区域的钝化层106上沉积补长层109，或者在质量负载层上沉积补长层，或者在除去负载阵列区域的钝化层106和质量负载层上沉积补长层，可根据需要调整的频率进行设计。
一种可选的实施方式中，补长层109的厚度根据谐振器的谐振频率和目标频率之间的频率差确定。
由于补长层109是在测试后沉积，因此可根据需要调整的频率来对应调整补长层109的厚度，即可根据谐振器的谐振频率(谐振器测试得到的当前频率)和需要达到的目标频率之间的频率差来确定，频率差与补长层109的厚度之间的关系根据谐振器各膜层(底电极、压电层、顶电极、钝化层)的厚度决定，不同谐振器的各膜层厚度不同，频率差和厚度之间的关系也相应不同。可基于频率差和各膜层厚度，通过仿真确定补长层109的厚度，本发明对补长层109的厚度不做具体限制。对于整片晶圆，不同区域补长层的沉积厚度可相同或不相同，可根据需要调整的频率来分别确定。
一种可选的实施方式中，补长层109的材料为介质材料或金属材料。例如，氮化铝(ALN)、氮化硅(SiN)、石英(SiO2)、Si3N4等介质材料，钼(Mo)、钌(Ru)、金(Au)、铝(Al)、镁(Mg)、钨(W)、铜(Cu)等金属材料，本发明对补长层109的材料不做具体限定。
优选的，补长层109采用氮化铝(ALN)。
一种可选的实施方式中，补长层109的材料与钝化层106相同或不同。
优选的，补长层109的材料与钝化层106的材料相同，选择相同的材料可以简化沉积工艺流程。
一种可选的实施方式中，补长层109的横向宽度大于或等于有效区域的宽度。可以理解的是，该补长层109优选是沉积在至少包括与有效区域位置对应的钝化层106或质量负载层上。
一种可选的实施方式，待处理层为钝化层，在待处理层或部分待处理层上沉积预定厚度的补长层109，如图2-9所示，包括：
在钝化层106上沉积第一阻挡层107；
在第一阻挡层107上涂敷第一光刻胶层108；
在第一光刻胶层108上光刻形成第一光刻图形，第一光刻图形的位置与钝化层106上要沉积补长层109的位置相对应；
在第一光刻图形位置处，对第一阻挡层107上进行刻蚀，以露出钝化层106；
去除第一光刻胶层108；
在露出的钝化层106上和第一阻挡层107上沉积补长材料层；
在沉积在钝化层106上的补长材料层上涂敷第二光刻胶层110，并光刻形成第二光刻图形；
将第二光刻胶层110所覆盖的区域之外的补长材料层去除；
去除第二光刻胶层110和第一阻挡层107，在钝化层106上形成补长层109。
上述实施方式为谐振器不包括质量负载层或质量负载层位于钝化层之下的沉积工艺。当质量负载层位于钝化层之上时，一种可选的实施方式，待处理层为质量负载层，在待处理层或部分待处理层上沉积预定厚度的补长层包括：
在质量负载层上沉积第一阻挡层；
在第一阻挡层上涂敷第一光刻胶；
在第一光刻胶层上光刻形成第一光刻图形，第一光刻图形的位置与质量负载层上要沉积补长层的位置相对应；
在第一光刻图形位置处，对第一阻挡层上进行刻蚀，以露出质量负载层；
去除第一光刻胶层；
在露出的质量负载层上和第一阻挡层上沉积补长材料层；
在沉积在质量负载层上的补长材料层上涂敷第二光刻胶层，并光刻形成第二光刻图形；
将第二光刻胶层所覆盖的区域之外的补长材料层去除；
去除第二光刻胶层和第一阻挡层，在质量负载层上形成补长层109。
下面将结合附图2-9具体说明本发明中谐振器不包括质量负载层或质量负载层位于钝化层之下时沉积补长层109的工艺流程。
S1，在沉积补长层109之前，完成常规谐振器的制作和测试，如图1所示。
S2，在制作完成测试后的谐振器的基础上沉积一层阻挡层(第一阻挡层107)，如图2所示，目的是为了将不需要沉积补长层的地方遮挡住。
可选的，第一阻挡层107可以采用例如SiO2、SiN等介质材料，本发明对第一阻挡层107采用的材料不做具体限定。
S3，如图3所示，在第一阻挡层107上涂敷第一光刻胶层108，光刻胶涂完后，在需要沉积补长层的地方(即第一光刻胶层108上与有效区域位置对应的地方)，通过光刻工艺形成第一光刻图形，该第一光刻图形的位置于钝化层上要沉积补长层的位置相对应。
S4，如图4所示，在需要沉积补长层的地方(即第一阻挡层107上与有效区域位置对应的地方)，对第一阻挡层107进行第一次刻蚀，以露出该区域的钝化层106。
S5，如图5所示，第一阻挡层107刻蚀完成后，去除第一光刻胶层108。
S6，如图6所示，沉积一层补长材料层，该补长材料层是在去除第一光刻胶层108的基础上整体沉积的一层补长材料，既包括需要沉积补长层109的区域也包括其他区域，补长材料沉积的厚度根据谐振器的目标频率来确定，即根据谐振器测试得到的当前频率和需要达到的频率之间的频率差来确定，本发明对沉积的补长材料层的厚度不做具体限制。
可以理解的是，需要沉积形成的补长层109至少是补长材料层中与有效区域位置对应的部分，因此，补长层109的材料与补长材料层的材料相同。可选的，补长材料层采用介质材料或金属材料。例如，氮化铝(ALN)、氮化硅(SiN)、石英(SiO2)、Si3N4等介质材料，钼(Mo)、钌(Ru)、金(Au)、铝(Al)、镁(Mg)、钨(W)、铜(Cu)等金属材料，本发明对补长材料层的材料不做具体限定。
优选的，补长材料层采用氮化铝(ALN)。
优选的，补长材料层的材料与钝化层106的材料相同，工艺流程相对简单。
S7，如图7所示，在需要沉积补长层109的地方(即补长材料层上与有效区域位置对应的地方)涂敷第二光刻胶层110，并光刻形成第二光刻图形。
S8，如图8所示，在不需要沉积补长层109的地方(即补长材料层上除有效区域以外的地方)，将补长材料层进行去除。
S9，如图9所示，去除第二光刻胶层110以及步骤S4刻蚀后剩余的第一阻挡层107，在与有效区域位置对应的钝化层106上沉积形成补长层109。
一种可选的实施方式，在有至少两个体声波谐振器时，所述方法还包括：在至少两个体声波谐振器中的部分谐振器的谐振频率高于目标频率时，对部分谐振器进行补长层的沉积，以使部分谐振器的谐振频率达到目标频率。
可以理解的是，本发明所述方法不仅可以对单个谐振器进行补长层的沉积，以实现对单个谐振器的频率调整。对于包括有至少两个谐振器的滤波器来说，本发明所述方法同样适用，可对所述滤波器中谐振频率高于目标频率的部分谐振器进行补长层的沉积，以实现对所述滤波器中部分谐振器的频率调整。相较于现有技术中只能对滤波器中所有谐振器采用trim方式，本发明所述方法可选择性的对滤波器中的部分谐振器进行频率调整，以实现对所述滤波器的局部频率的调整。在对部分谐振器沉积补长层时，对于部分谐振器中的每个谐振器采用前述实施方式中的沉积方法，这里不再赘述。同样，对所述滤波器中的部分谐振器沉积补长层时，对于设有质量负载层的谐振器，上述调整频率的方法同样适用。
还可以理解的是，在所述滤波器中的所有谐振器的谐振频率均高于目标频率时，本发明所述方法可对所有谐振器沉积补长层，以实现对所述滤波器的整体频率的调整。本发明对于所述滤波器中谐振器的数量以及采用所述沉积补长层的方法调整谐振频率的谐振器的数量不做具体限定。当所述滤波器中有至少两个谐振器沉积补长层，这两个谐振器沉积补长层的厚度可相同或不同，本发明对每个谐振器补长层的沉积厚度不做具体限定，每个谐振器可以根据测试得到的当前频率、需要达到的目标频率以及使用需求进行适应性设计。
本发明实施例所述的一种调整谐振频率方法，所述方法包括：
对滤波器中各个体声波谐振器进行频率测试，其中，所述滤波器包括至少两个体声波谐振器，每个所述谐振器包括衬底、声学镜、底电极、压电层、顶电极和钝化层；
在所述滤波器中的部分谐振器的谐振频率低于目标频率时，对所述部分谐振器的所述钝化层或部分所述钝化层按照预定厚度减薄，以使所述部分谐振器的谐振频率达到目标频率。
可以理解的是，谐振器在制作完成测试后，各膜层因为工艺误差可能会导致膜层沉积偏厚使得谐振频率偏低，而各个膜层在测试后是无法调整的。一般来说，当测试得到的当前频率小于目标频率时，通过对钝化层进行减薄处理来提高谐振器的频率，使其达到目标频率。然而现有技术中只能对滤波器中的所有谐振器进行钝化层的减薄处理，对滤波器的整体频率进行调整，而无法实现对滤波器的局部频率的调整。本发明通过对测试后滤波器中的部分谐振器的钝化层106进行减薄处理，得到减薄钝化层111，如图12所示，可以提高部分谐振器的频率，修正谐振器制作过程中因膜层沉积偏厚导致的频率偏低问题，使得部分谐振器的谐振频率被调整至目标频率(该目标频率可以理解为谐振器需要达到的谐振频率)，实现对滤波器的局部频率的调整。
还可以理解的是，当谐振器中设有质量负载层时，质量负载层的膜层误差同样会使谐振器频率发生偏移，影响滤波器性能，例如当有质量负载层的谐振器频率偏低时，会使滤波器的带宽不够。本发明通过对测试后滤波器中的部分谐振器的钝化层106进行减薄，同样可以修正包括质量负载层的谐振器在制作过程中因质量负载层等膜层沉积偏厚导致的频率偏低问题，使得谐振器的谐振频率被调整至目标频率(该目标频率可以理解为谐振器需要达到的谐振频率与基频之间的频率差)。例如当质量负载层在衬底101上、在底电极104上、夹在衬底101和底电极104之间、夹在底电极104和压电层102之间、夹在压电层102和顶电极105之间、夹在顶电极105和钝化层106之间时，可对测试后的谐振器的钝化层106进行减薄，例如当质量负载层沉积于钝化层106上形成负载阵列时，可对谐振器除去负载阵列区域的钝化层106进行减薄。
一种可选的实施方式中，钝化层106或部分钝化层106被减薄的厚度根据谐振器的谐振频率和目标频率的频率差确定。
本发明可在谐振器测试后，根据需要调整的频率来对应调整钝化层106的厚度，也即是根据需要调整的频率来对应控制钝化层106的减薄厚度，钝化层106被减薄的厚度根据谐振器的谐振频率(谐振器测试得到的当前频率)和需要达到的目标频率之间的频率差来确定，频率差与钝化层106被减薄的厚度之间的关系根据谐振器各膜层(底电极、压电层、顶电极、钝化层)的厚度决定，不同谐振器的各膜层厚度不同，频率差和厚度之间的关系也相应不同。可基于频率差和各膜层厚度，通过仿真确定钝化层106被减薄的厚度，本发明对减薄的厚度不做具体限定。对于整片晶圆，不同区域的减薄厚度可相同或不相同，可根据需要调整的频率来分别确定。
一种可选的实施方式中，被减薄的钝化层106或部分钝化层106的横向宽度大于或等于有效区域的宽度。可以理解的是，被减薄的钝化层优选是至少包括与有效区域位置对应的钝化层。
一种可选的实施方式中，将谐振器的钝化层106或部分钝化层106按照预定厚度减薄，如图10-12所示，包括：
在钝化层106上形成第二阻挡层112；
在第二阻挡层112上刻蚀或光刻形成第三光刻图形，第三光刻图形的位置与钝化层要被减薄的位置相对应；
在第三光刻图形位置处，对第二阻挡层112进行刻蚀，以漏出钝化层106；
对钝化层106进行减薄处理，得到减薄钝化层111；
去除第二阻挡层112。
下面将结合附图10-12具体说明本发明中对钝化层106进行减薄处理的工艺流程。
S1，在对钝化层106进行减薄处理之前，完成常规谐振器的制作和测试，如图1所示。
S2，如图10所示，在测试完的谐振器的基础上形成一层阻挡层(第二阻挡层112)，在与有效区域位置对应的地方，对第二阻挡层112进行刻蚀或者光刻形成第三光刻图形，并在第三光刻图形位置处，对第二阻挡层112进行刻蚀，以露出该区域的钝化层106。
可选的，第二阻挡层112可以采用光刻胶，也可以采用例如SiO2、SiN等介质材料，本发明所述方法对第二阻挡层112采用的材料不做具体限定。
S3，如图11所示，对与有效区域位置对应的钝化层106进行减薄处理，该区域钝化层106被减薄后得到减薄钝化层111。钝化层106被减薄的厚度根据目标频率来确定，即根据谐振器测试得到的当前频率和需要达到的频率之间的频率差来确定，本发明对钝化层106被减薄的厚度不做具体限制。
S14，如图12所示，去除刻蚀或光刻剩余的第二阻挡层112。
一种可选的实施方式，对钝化层106进行减薄处理时，可以采用修整(trim)方式，也可以采用轰击方式(粒子束轰击)。
本发明在对钝化层进行减薄处理时，可以采用修整处理方式，修整是一种修正频率的工艺，与刻蚀工艺类似，区别在于，修整是以各种轨迹形式例如蛇形轨迹来扫过晶圆(wafer)进行刻蚀，而不是对整片晶圆一次性刻蚀。刻蚀的速率可根据减薄厚度来进行设计。
本发明实施例所述的一种体声波谐振器，如图9所示，谐振器包括：衬底101、声学镜103、底电极104、压电层102、顶电极105、钝化层106和补长层109，补长层109是在体声波谐振器进行频率测试后，按照预定厚度沉积在谐振器的待处理层或部分待处理层上形成，其中，待处理层为钝化层或钝化层的上层结构层。
一种可选的实施方式，谐振器还设有质量负载层，质量负载层在钝化层沉积前形成或在钝化层沉积后形成。
如前述所述，当谐振器不包含质量负载层或质量负载层位于钝化层之下时，待处理层为钝化层，当质量负载层位于钝化层之上时，待处理层为质量负载层。
一种可选的实施方式，补长层109的厚度根据谐振器的谐振频率和目标频率之间的频率差确定。
一种可选的实施方式，补长层109的横向宽度大于或等于有效区域的宽度。
一种可选的实施方式，补长层109的材料为介质材料或金属材料。
一种可选的实施方式，补长层109的材料与钝化层106的材料相同。
一种可选的实施方式，如图2-9所示，补长层109通过以下方法沉积：
在待处理层上沉积第一阻挡层107；
在第一阻挡层107上涂敷第一光刻胶层108；
在第一光刻胶层108上光刻形成第一光刻图形，第一光刻图形的位置与待处理层上要沉积补长层109的位置相对应；
在第一光刻图形位置处，对第一阻挡层107上进行刻蚀，以露出待处理层；
去除第一光刻胶层108；
在露出的待处理层上和第一阻挡层107上沉积补长材料层；
在沉积在待处理层上的补长材料层上涂敷第二光刻胶层110，并光刻形成第二光刻图形；
将第二光刻胶层110所覆盖的区域之外的补长材料层去除；
去除第二光刻胶层110和第一阻挡层107，在待处理层上形成补长层109。
一种可选的实施方式，第一阻挡层107采用介质材料。
本发明实施例所述的一种体声波滤波器，所述滤波器包括至少两个体声波谐振器，至少一个所述谐振器是采用前述实施方式中沉积补长层的谐振器。
可以理解的是，所述滤波器中多个谐振器采用并联、串联方式连接，各个谐振器之间的连接方式可根据需求进行适应性设计，本发明对各个谐振器之间的连接方式不做具体限定。本发明所述滤波器，其中可以是部分谐振器沉积补长层，使得这部分谐波器的频率区别于其他谐波器的频率，从而改善滤波器中各个谐波器的串联谐振频率或并联谐振频率，进而改善滤波器的回波、带宽等性能。如前述所述，也可以是对所述滤波器中所有谐振器沉积补长层，来提高滤波器的性能。本发明对于所述滤波器中谐振器的数量以及沉积补长层的谐振器的数量不做具体限定。
一种可选的实施方式，对于所述滤波器中沉积补长层的各个所述谐振器，补长层的沉积厚度相同或不同。
可以理解的是，当所述滤波器中有至少两个谐振器沉积补长层时，这两个谐振器沉积补长层的厚度可相同或不同。本发明对每个谐振器补长层的沉积厚度不做具体限定，每个谐振器可以根据测试得到的当前频率、需要达到的目标频率以及使用需求进行适应性设计。
本发明实施例所述的一种体声波滤波器，滤波器包括至少两个体声波谐振器，每个谐振器包括：衬底101、声学镜103、底电极104、压电层102、顶电极10 5和钝化层106，其中，在对各个滤波器进行频率测试后，滤波器中的部分谐振器的钝化层106或部分钝化层106按照预定厚度减薄。
一种可选的实施方式，谐振器还设有质量负载层，质量负载层在钝化层沉积前形成或在钝化层沉积后形成。
一种可选的实施方式，钝化层106或部分钝化层106被减薄的厚度根据谐振器的谐振频率和目标频率之间的频率差确定。
一种可选的实施方式中，被减薄的钝化层106或部分钝化层106的横向宽度大于或等于有效区域的宽度。
一种可选的实施方式，钝化层106或部分钝化层106的减薄方法包括：
在钝化层106上形成第二阻挡层112；
在第二阻挡层112上刻蚀或光刻形成第三光刻图形，第三光刻图形的位置与钝化层要被减薄的位置相对应；
在第三光刻图形位置处，对第二阻挡层112进行刻蚀，以漏出钝化层106；
对钝化层106进行减薄处理，得到减薄钝化层111；
去除第二阻挡层112。
一种可选的实施方式，第二阻挡层112采用介质材料或光刻胶。
一种可选的实施方式，对钝化层106进行减薄处理时，可以采用修整(trim)方式，也可以采用轰击方式(粒子束轰击)。
一种可选的实施方式，对于滤波器中钝化层或部分钝化层被减薄的各个谐振器，钝化层或部分钝化层被减薄的厚度相同或不同。
可以理解的是，当所述滤波器中有至少两个谐振器的钝化层或部分钝化层被减薄，这两个谐振器钝化层或部分钝化层被减薄的厚度可相同或不同。本发明对每个谐振器钝化层或部分钝化层被减薄的厚度不做具体限定，每个谐振器可以根据测试得到的当前频率、需要达到的目标频率以及使用需求进行适应性设计。
举例说明，例如图9所示，所述滤波器包括两个并联的体声波谐振器，简称第一谐振器(图9左边)和第二谐振器(图9右边)。其中，第一谐振器是采用本发明沉积补长层109的方法得到的谐振器，第二谐振器是常规体声波谐振器。例如图12所示，所述滤波器包括两个并联的体声波谐振器，简称第三谐振器(图12左边)和第四谐振器(图12右边)。其中，第三谐振器采用本发明减薄钝化层106的方法得到的谐振器，第四谐振器是常规体声波谐振器。
举例说明，所述滤波器包括多个串联和并联的体声波谐波器，其中，部分体声波谐振器(第五谐振器和第六谐振器)是采用本发明所述方法进行频率调整后的谐振器。例如，第五谐振器和第六谐振器均是通过在钝化层上沉积补长层得到的谐振器，两个补长层的厚度相同或不同；例如，第五谐振器和第六谐振器均是通过减薄钝化层得到的谐振器，两个谐振器钝化层被减薄的厚度相同或不同；例如，第五谐振器和第六谐振器均是通过在质量负载层上沉积补长层得到的谐振器，两个谐振器补长层的厚度相同或不同。
举例说明，所述滤波器包括多个串联和并联的体声波谐波器，所有体声波谐波器均采用本发明所述方法进行频率调整后的谐振器。例如，所有体声波谐振器均是通过在钝化层上沉积补长层得到的谐振器，各个补长层的厚度相同或不同；例如，所有体声波谐振器均是通过减薄钝化层得到的谐振器，钝化层被减薄的厚度相同或不同；例如，所有体声波谐振器均是通过在质量负载层上沉积补长层得到的谐振器，各个补长层的厚度相同或不同。上述均为示意性举例，本发明对所述滤波器中各个体声波谐振器采用的频率调整工艺不做具体限定。
本发明实施例所述的一种半导体器件，所述器件包括如前述实施例所述的滤波器。所述器件例如包括多个体声波滤波器，其中，至少一个滤波器是采用前述实施例所述的局部频率调整后的滤波器，所述至少一个滤波器中至少一个体声波谐振器是采用如前述实施例所述的沉积补长层的方法调整谐振频率后的谐振器。所述器件例如包括多个体声波滤波器，其中，至少一个滤波器是采用前述实施例所述的局部频率调整后的滤波器，所述至少一个滤波器中至少一个体声波谐振器是采用如前述实施方式所述的减薄钝化层的方法调整谐振频率后的谐振器。所述器件例如包括多个声波滤波器，其中，至少一个滤波器是采用前述实施例所述的整体频率调整后的滤波器，所述至少一个滤波器中所有谐振器是采用如前述实施例所述的沉积补长层的方法调整谐振频率后的谐振器。
可以理解的是，采用本发明所述方法调整后的谐振器，可用于构成所述滤波器(例如带通滤波器，带阻滤波器)、双工器、多工器、振荡器等半导体器件，但不限于上述应用范围。
在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。
此外，本领域普通技术人员能够理解，尽管在此所述的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本发明的范围之内并且形成不同的实施例。例如，在权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。
本领域技术人员应理解，尽管已经参考示例性实施例描述了本发明，但是在不脱离本发明的范围的情况下，可进行各种改变并可用等同物替换其元件。另外，在不脱离本发明的实质范围的情况下，可进行许多修改以使特定情况或材料适应本发明的教导。因此，本发明不限于所公开的特定实施例，而是本发明将包括落入所附权利要求范围内的所有实施例。
Claims (35)
1.一种调整谐振频率的方法，其特征在于，所述方法包括：
对体声波谐振器进行频率测试，其中，所述谐振器包括衬底、声学镜、底电极、压电层、顶电极和钝化层；
当所述谐振器的谐振频率高于目标频率时，在所述谐振器的待处理层或部分所述待处理层上沉积预定厚度的补长层，以使所述谐振器的谐振频率达到目标频率，其中，所述待处理层为所述钝化层或所述钝化层的上层结构层。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述谐振器还设有质量负载层，所述质量负载层在所述钝化层沉积前形成或在所述钝化层沉积后形成。
3.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述补长层的厚度根据所述谐振器的谐振频率和所述目标频率之间的频率差确定。
4.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述补长层的材料为介质材料或金属材料。
5.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述补长层的材料与所述钝化层的材料相同。
6.如权利要求1或2所示的方法，其中，所述在所述待处理层或部分所述待处理层上沉积预定厚度的补长层，包括：
在所述待处理层上沉积第一阻挡层；
在所述第一阻挡层上涂敷第一光刻胶层；
在所述第一光刻胶层上光刻形成第一光刻图形，所述第一光刻图形的位置与所述待处理层上要沉积所述补长层的位置相对应；
在所述第一光刻图形位置处，对所述第一阻挡层进行刻蚀，以露出所述待处理层；
去除所述第一光刻胶层；
在所述露出的待处理层上和所述第一阻挡层上沉积补长材料层；
在沉积在所述待处理层上的补长材料层上涂敷第二光刻胶层，并光刻形成第二光刻图形；
将所述第二光刻胶层所覆盖的区域之外的补长材料层去除；
去除所述第二光刻胶层和所述第一阻挡层，在所述待处理层上形成所述补长层。
7.如权利要求6所述的方法，其中，所述第一阻挡层采用介质材料。
8.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述补长层的横向宽度大于或等于有效区域的宽度，其中，所述声学镜、底电极、所述压电层和所述顶电极在所述谐振器厚度方向的重叠区域构成所述有效区域。
9.如权利要求1或2所述的方法，其中，在有至少两个体声波谐振器时，所述方法还包括：当所述至少两个体声波谐振器中的部分谐振器的谐振频率高于目标频率时，对所述部分谐振器进行补长层的沉积，以使所述部分谐振器的谐振频率达到目标频率。
10.一种调整谐振频率的方法，其特征在于，所述方法包括：
对滤波器中各个体声波谐振器进行频率测试，其中，所述滤波器包括至少两个体声波谐振器，每个所述谐振器包括衬底、声学镜、底电极、压电层、顶电极和钝化层；
当所述滤波器中的部分谐振器的谐振频率低于目标频率时，对所述部分谐振器的所述钝化层或部分所述钝化层按照预定厚度减薄，以使所述部分谐振器的谐振频率达到目标频率。
11.如权利要求10所述的方法，其中，所述钝化层或部分所述钝化层被减薄的厚度根据所述谐振器的谐振频率和所述目标频率之间的频率差确定。
12.如权利要求10所述的方法，其中，所述将所述钝化层或部分所述钝化层按照预定厚度减薄，包括：
在所述钝化层上形成第二阻挡层；
在所述第二阻挡层上光刻形成第三光刻图形，所述第三光刻图形的位置与所述钝化层要被减薄的位置相对应；
在所述第三光刻图形位置处，对所述第二阻挡层进行刻蚀，以露出所述钝化层；
对所述钝化层进行减薄处理，得到减薄钝化层；
去除所述第二阻挡层。
13.如权利要求12所述的方法，其中，所述第二阻挡层采用介质材料或光刻胶。
14.如权利要求12所述的方法，其中，所述对所述钝化层进行减薄处理，得到减薄钝化层，包括：
对所述钝化层进行修整，或，
对所述钝化层进行轰击。
15.如权利要求10所述的方法，其中，被减薄的所述钝化层或部分所述钝化层的横向宽度大于或等于有效区域的宽度，其中，所述声学镜、所述底电极、所述压电层和所述顶电极在所述谐振器厚度方向的重叠区域构成所述有效区域。
16.一种体声波谐振器，其特征在于，所述谐振器包括：衬底、声学镜、底电极、压电层、顶电极、钝化层和补长层，其中，所述补长层是对体声波谐振器进行频率测试后，按照预定厚度沉积在所述谐振器的待处理层或部分所述待处理层上形成，其中，所述待处理层为所述钝化层或所述钝化层的上层结构层。
17.如权利要求16所述的谐振器，其中，所述谐振器还设有质量负载层，所述质量负载层在所述钝化层沉积前形成或在所述钝化层沉积后形成。
18.如权利要求16或17所述的谐振器，其中，所述补长层的厚度根据所述谐振器的谐振频率和所述目标频率之间的频率差确定。
19.如权利要求16或17所述的谐振器，其中，所述补长层的材料为介质材料或金属材料。
20.如权利要求16或17所述的谐振器，其中，所述补长层的材料与所述钝化层的材料相同。
21.如权利要求16或17所述的谐振器，其中，所述补长层的沉积方法包括：
在所述待处理层上沉积第一阻挡层；
在所述第一阻挡层上涂敷第一光刻胶层；
在所述第一光刻胶层上光刻形成第一光刻图形，所述第一光刻图形的位置与所述待处理层上要沉积所述补长层的位置相对应；
在所述第一光刻图形位置处，对所述第一阻挡层进行刻蚀，以露出所述待处理层；
去除所述第一光刻胶层；
在所述露出的待处理层上和所述第一阻挡层上沉积补长材料层；
在沉积在所述待处理层上的补长材料层上涂敷第二光刻胶层，并光刻形成第二光刻图形；
将所述第二光刻胶层所覆盖的区域之外的补长材料层去除；
去除所述第二光刻胶层和所述第一阻挡层，在所述待处理层上形成所述补长层。
22.如权利要求21所述的谐振器，其中，所述第一阻挡层采用介质材料。
23.如权利要求16或17所述的谐振器，其中，所述补长层的横向宽度大于或等于有效区域的宽度，其中，所述声学镜、底电极、所述压电层和所述顶电极在所述谐振器厚度方向的重叠区域构成所述有效区域。
24.一种体声波滤波器，其特征在于，所述滤波器包括至少两个体声波谐振器，其中，至少一个所述谐振器采用如权利要求16-23中任意一项所述的沉积补长层的谐振器。
25.如权利要求24所述的滤波器，其中，对于所述滤波器中沉积补长层的各个所述谐振器，补长层的沉积厚度相同或不同。
26.一种体声波滤波器，其特征在于，所述滤波器包括至少两个体声波谐振器，每个所述谐振器包括：衬底、声学镜、底电极、压电层、顶电极和钝化层，其中，在对各个谐振器进行频率测试后，所述滤波器中的部分谐振器的所述钝化层或部分所述钝化层按照预定厚度减薄。
27.如权利要求26所述的滤波器，其中，所述谐振器还设有质量负载层，所述质量负载层在所述钝化层沉积前形成或在所述钝化层沉积后形成。
28.如权利要求26或27所述的滤波器，其中，所述钝化层或部分所述钝化层被减薄的厚度根据所述谐振器的谐振频率和所述目标频率之间的频率差确定。
29.如权利要求26或27所述的滤波器，其中，所述钝化层或部分所述钝化层的减薄方法包括：
在所述钝化层上形成第二阻挡层；
在所述第二阻挡层上刻蚀或光刻形成第三光刻图形，所述第三光刻图形的位置与所述钝化层要被减薄的位置相对应；
在所述第三光刻图形位置处，对所述第二阻挡层进行刻蚀，以露出所述钝化层；
对所述钝化层进行减薄处理，得到减薄钝化层；
去除所述第二阻挡层。
30.如权利要求29所述的滤波器，其中，所述第二阻挡层采用介质材料或光刻胶。
31.如权利要求29所述的滤波器，其中，所述对所述钝化层进行减薄处理，得到减薄钝化层，包括：
对所述钝化层进行修整，或，
对所述钝化层进行轰击。
32.如权利要求26或27所述的滤波器，其中，被减薄的所述钝化层或部分所述钝化层的横向宽度大于或等于有效区域的宽度，其中，所述声学镜、所述底电极、所述压电层和所述顶电极在所述谐振器厚度方向的重叠区域构成所述有效区域。
33.如权利要求26或27所述的滤波器，其中，对于所述滤波器中所述钝化层或部分所述钝化层被减薄的各个所述谐振器，所述钝化层或部分所述钝化层被减薄的厚度相同或不同。
34.一种半导体器件，其特征在于，所述器件包括如权利要求24或25所述的滤波器。
35.一种半导体器件，其特征在于，所述器件包括如权利要求26-33中任意一项所述的滤波器。
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