CN115694387A - 一种体声波滤波器及其制作方法 - Google Patents
一种体声波滤波器及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115694387A CN115694387A CN202211317034.4A CN202211317034A CN115694387A CN 115694387 A CN115694387 A CN 115694387A CN 202211317034 A CN202211317034 A CN 202211317034A CN 115694387 A CN115694387 A CN 115694387A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- bonding
- nth
- resonator
- bottom electrode
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 70
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 208000033999 Device damage Diseases 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本发明涉及一种体声波滤波器及其制作方法。本发明所述的体声波滤波器的制作方法包括：在晶圆衬底上形成第1谐振器至第n谐振器的空气腔和第一键合支点；在第二衬底基片上依次形成第1谐振器至第n谐振器的压电层、底电极层和底电极键合支点，在第二衬底基片上形成第二键合支点；采用倒装键合工艺进行键合；移除第二衬底基片、第一键合支点和第二键合支点；采用Ar+离子束将第1谐振器至第n谐振器的压电层厚度修整至设计厚度；在修整后的第1谐振器至第n谐振器压电层上形成顶电极层，得到体声波滤波器。本发明所述的体声波滤波器的制作方法，其可以在同一晶圆上制作不同频率的滤波器，可以大大减小集成不同频率滤波器时芯片的面积。
Description
技术领域
本发明涉及滤波器技术领域，特别是涉及一种体声波滤波器及其制作方法。
背景技术
声学谐振器利用逆压电效应将电信号转换为震动(声)信号，由于谐振器本身特性，使特定频率的震动(声)经过谐振，仅输出该信号。声学谐振器通常包括表面声波(SAW)谐振器、体声波(BAW)谐振器等。
利用压电薄膜在厚度方向的纵向谐振所制成的体声波(BAW)谐振器，在高频移动通信领域已成为不可或缺的射频器件。体声波滤波器/双工器提供优越的滤波特性，例如低插入损耗，陡峭的过渡带，较大的功率容量，较强的抗静电放电(ESD)能力。除此之外，体声波(BAW)谐振器加工兼容CMOS工艺，也有利于最终与电路集成。
然而，SAW谐振器由于叉指电极的尺寸限制，难以突破3GHz的频率上限，在Sub-6G的高频频段应用受限；而BAW谐振器中常见的FBAR谐振器由于多晶AlN薄膜缺陷密度较高，晶体质量较差，性能也受到影响，同时由于牺牲层释放和CMP工艺对谐振器本身造成的损伤，器件良率也相应降低；而获得不同谐振器上不同的谐振频率，现有技术一般是通过控制压电薄膜的厚度，由于电极材料薄膜一般通过溅射设备在整片晶圆制作，因此，目前在同一晶圆上制作的谐振器多采用同一厚度的压电薄膜；而为了不增加工艺复杂度，滤波器制造过程通常仅通过改变不同谐振器上质量负载层来调节谐振器区域的总厚度以获得不同谐振频率的谐振器，进而通过级联形成多级滤波器。
但是，以电极材料形成质量负载，增加了电极的厚度，对谐振器本身的有效机电耦合系数会有负面影响，因此该方法频率调节的范围较低。当遇到双工器及射频前端集成需求，需要多种频率的滤波器时，往往需要先将滤波器分立器件制作出来，在初步封装后再行集成，不利于整个模块面积的减小。
因此，在提高晶体质量、减少器件损伤，进而提高谐振器性能和良率的基础上，如何精确控制谐振/滤波器频率，同时降低集成模块部分的总面积，成为亟待解决的问题。
发明内容
基于此，本发明的目的在于，提供一种体声波滤波器的制作方法，其可以在同一晶圆上制作不同频率的滤波器，可以大大减小集成不同频率滤波器时芯片的面积；如果结合滤波器的共地设计方法，可以使滤波器之间共用地线，进一步减小滤波器集成芯片面积，提高了一片晶圆上的芯片产量。同时，由于可将集成芯片需求的不同频率滤波器集成在一起，可以实现不同频率滤波器的整体封装，而不用采用分立器件封装后再集成封装的形式，节省了封装材料，降低了封装成本。同时，采用键合法，可以制备缺陷更少，质量更高的单晶压电薄膜，可以显著提高体声波滤波器的性能。
一种体声波滤波器的制作方法，包括以下步骤：
根据第1谐振器至第n谐振器的设计频率确定相对应压电层的设计厚度，n≥2；
在晶圆衬底上形成第1谐振器至第n谐振器的空气腔和第一键合支点；
在第二衬底基片上依次形成第1谐振器至第n谐振器的压电层、底电极层和底电极键合支点，所述压电层的厚度为T，T≥第1谐振器至第n谐振器压任一压电层设计厚度；
在第二衬底基片上形成第二键合支点，所述第一键合支点和第二键合支点的总厚度等于所述压电层、底电极层和底电极键合支点的总厚度；
采用倒装键合工艺将第一键合支点和第二键合支点键合，以及将底电极键合支点与晶圆衬底键合；
移除第二衬底基片、第一键合支点和第二键合支点，暴露出压电层；
采用Ar+离子束将第1谐振器至第n谐振器的压电层厚度修整至设计厚度，形成具有不同厚度的第1谐振器至第n谐振器的压电层；
在修整后的第1谐振器至第n谐振器压电层上形成顶电极层，得到体声波滤波器。
本发明通过在同一晶圆上形成不同厚度的压电层获得各类不同谐振频率的谐振器，由此可降低谐振器的电极厚度，增加谐振器有效机电耦合系数(kt2eff)，并可减小不同频率滤波器间预留的切片间隔，显著减小滤波器的面积，使集成模块的面积大大缩小。同时，采用键合法，可以制备缺陷更少，质量更高的单晶压电薄膜，可以显著提高体声波滤波器的性能。
进一步地，采用Ar+离子束修整压电层厚度包括以下步骤：
N从1取至n，分别重复以下过程：
取第N遮挡板，在遮挡板和晶圆衬底的固定位置做好对位标记或者对位标记区，遮挡板能完全遮盖晶圆衬底；
在第N遮挡板上的第N谐振器电压层对应的正投影区域开孔；
将第N遮挡板与晶圆衬底进行对位和固定，采用Ar+离子束进行轰击，将第N谐振器的压电层修整至设计厚度；
所述遮挡板采用耐Ar+离子束刻蚀的材料制备。
采用遮挡板对不需要修整的部分进行遮挡，使Ar+离子束对压电层进行精确定位修整，降低对Ar+离子束的定位控制要求。遮挡板上在需要进行修整的区域开孔，Ar+离子束可以从中通过而不受影响，在其余位置则形成对Ar+离子束的阻挡，使得离子束对下方材料的轰击只存在于特定位置。
进一步地，采用Ar+离子束修整压电层厚度包括以下步骤：
取一遮挡板，在遮挡板和晶圆衬底的固定位置做好对位标记或者对位标记区，遮挡板能完全遮盖晶圆衬底；
在遮挡板上的第1谐振器至第n谐振器电压层对应的正投影区域分别开孔；
将遮挡板与晶圆衬底进行对位和固定，采用Ar+离子束对第1谐振器至第n谐振器电压层逐个进行轰击，将第1谐振器至第n谐振器的压电层修整至设计厚度；
所述遮挡板采用耐Ar+离子束刻蚀的材料制备。
采用遮挡板对不需要修整的部分进行遮挡，使Ar+离子束对压电层进行精确定位修整，降低对Ar+离子束的定位控制要求。遮挡板上在需要进行修整的区域开孔，Ar+离子束可以从中通过而不受影响，在其余位置则形成对Ar+离子束的阻挡，使得离子束对下方材料的轰击只存在于特定位置。
进一步地，进行Ar+离子束轰击前还包括：对压电层实际厚度进行测量，计算修整厚度，所述修整厚度＝实际厚度－设计厚度，控制Ar+离子束强度和轰击时长，使所述压电层减薄所述修整厚度，得到相应设计厚度的压电层。
根据压电层的实际厚度进行修整提高修整精度，Ar+离子束强度和轰击时长控制由计算机根据实际修整厚度进行控制。
进一步地，所述遮挡板的材质为Pt、陶瓷材料、SiC和SiO2其中一种或多种复合。其可以显著阻挡Ar+离子束的刻蚀效果，遮挡板在使用过程中被刻蚀破坏的部分可以通过涂层的方式补充，进而可以重复利用。
进一步地，采用Ar+离子束对压电层进行修整时，环境真空度不低于10 -7Torr。使用高能Ar气轰击薄膜实现修整，需要高度真空环境以高能Ar气与腔体内残余气体分子发生撞击。
进一步地，采用光刻、干法刻蚀或湿法刻蚀工艺形成所述空气腔。
进一步地，在第二衬底基片上形成第1谐振器至第n谐振器的压电层、底电极层和底电极键合支点的具体方法为：
清洗第二衬底基片，上表面依次形成压电薄膜，在压电薄膜上表面形成底电极薄膜，对压电薄膜和底电极薄膜进行图形化，得到第1谐振器至第n谐振器的压电层和底电极层；
在第二衬底基片和底电极层上形成底电极键合层，并对底电极键合层进行图形化得到底电极键合支点。
进一步地，所述底电极层材料为Mo、Al和Cu其中一种；所述压电层为c轴择优取向的AlN；所述第一键合支点、第二键合支点和底电极键合支点的材料为Au。第一键合支点和第二键合支点采用与底电极键合支点相同的材料，可以同步完成第一键合支点与第二键合支点的键合以及底电极键合支点与晶圆衬底的键合。
本发明还提供一种体声波滤波器，采用上述的制作方法制作而成。
为了更好地理解和实施，下面结合附图详细说明本发明。
附图说明
图1为实施例一提供的在晶圆衬底上形成空腔和第一键合支点后的结构示意图。
图2为实施例一提供的在第二衬底基片上形成压电层、底电极层和底电极键合支点后的结构示意图。
图3为实施例一提供的在第二衬底基片上形成第二键合支点后的结构示意图。
图4为实施例一提供的键合结构示意图。
图5为实施例一提供的移除第二衬底基片、第一键合支点和第二键合支点后的结构示意图。
图6为实施例一提供的采用Ar+离子束和遮挡板对一个谐振器压电层进行修整的结构示意图。
图7为实施例一提供的采用Ar+离子束和遮挡板对另一个谐振器压电层进行修整的结构示意图。
图8为实施例一提供的体声波滤波器结构示意图。
具体实施方式
以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
实施例1
本实施例提供一种体声波滤波器及其制作方法。
参照图1-7，所述体声波滤波器制作方法包括以下步骤：
步骤01，根据第1谐振器至第n谐振器的设计频率确定相对应压电层的设计厚度，n≥2。
参见图1，清洗晶圆衬底1，在晶圆衬底1上形成滤波器101的各种不同谐振器101-1，101-2，…101-n的空气腔2。具体的，可采用光刻、干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺形成所述空气腔2。
在晶圆衬底1和空气腔2上沉积键合层薄膜，对键合层薄膜进行光刻和刻蚀工艺，得到第一键合支点3。
步骤02，参见图2，清洗第二衬底基片4，上表面依次形成压电薄膜，在压电薄膜上表面形成底电极薄膜，对压电薄膜和底电极薄膜进行光刻和刻蚀工艺(图形化)，得到第1谐振器至第n谐振器的压电层5和底电极层6。所述底电极层材料为Mo、Al和Cu其中一种；所述压电层为c轴择优取向的AlN。
在第二衬底基片4和底电极层上蒸镀Au键合层，并对Au键合层进行图形化得到底电极键合支点7。
在本实施例中所述第一键合支点、第二键合支点和底电极键合支点的材料为Au，在其他实施例中可以采用其它材料，键合时第一键合支点与第二键合支点之间的键合和底电极键合支点与晶圆衬底之间的键合可同步键合，也可分步键合。
步骤03，参见图3，在第二衬底基片沉积第二键合层薄膜，对第二键合层薄膜进行光刻和刻蚀，得到第二键合支点8。所述第一键合支点3和第二键合支点8的总厚度等于所述压电层5、底电极层6和底电极键合支点7的总厚度。
步骤04，参见图4，采用倒装键合工艺将第一键合支点3和第二键合支点8键合，以及将底电极键合支点7与晶圆衬底1键合。
具体地，将所述第二衬底基片4上下翻转并与晶圆衬底1对准，并且使第一键合支点3和第二键合支点8对准，以及底电极键合支点7与空气腔3边缘的晶圆衬底1上表面对准。施加键合温度，使第一键合支点3和第二键合支点8，以及将底电极键合支点7与晶圆衬底1融化并成为一体。在其他实施例亦可将晶圆衬底1上下翻转与第二衬底基片键合。
步骤05，参见图5，移除第二衬底基片4、第一键合支点3和第二键合支点8，暴露出压电层5。
步骤06，根据第1谐振器至第n谐振器的设计频率确定相对应的压电层设计厚度。
采用Ar+离子束将第1谐振器至第n谐振器的压电层厚度修整至设计厚度：
N从1取至n，分别重复以下过程：
取第N遮挡板，在遮挡板和晶圆衬底的固定位置做好对位标记或者对位标记区，遮挡板能完全遮盖晶圆衬底；
在第N遮挡板上的第N谐振器电压层对应的正投影区域开孔；
对压电层实际厚度进行测量，计算修整厚度，所述修整厚度＝实际厚度－设计厚度；
将第N遮挡板与晶圆衬底进行对位和固定(所述遮挡板固定于晶圆衬底上或者固定于设备上)，采用Ar+离子束7进行轰击，对第N谐振器的压电层进行修整，减薄所述修整厚度，进行修整时，环境真空度不低于10 -7Torr；
所述遮挡板采用耐Ar+离子束刻蚀的Pt、陶瓷材料、SiC和SiO2任意一种材料制备。
参见图6，采用遮挡板9-2和Ar+离子束10对谐振器101-2的压电层5进行修整。
参见图7，采用遮挡板9-n和Ar+离子束10对谐振器101-n的压电层5进行修整。
在其他实施例中，可以只采用一块遮挡板对第1谐振器至第n谐振器的压电层进行修整，具体地：
取一遮挡板，在遮挡板和晶圆衬底的固定位置做好对位标记或者对位标记区，遮挡板完全遮盖晶圆衬底；
在遮挡板上的第1谐振器至第n谐振器电压层对应的正投影区域分别开孔；
将遮挡板与晶圆衬底进行对位和固定，采用Ar+离子束对第1谐振器至第n谐振器电压层逐个进行轰击，对第1谐振器至第n谐振器的压电层进行修整，减薄所述修整厚度。
步骤07，参见图8，在压电层5上溅射顶电极层11，通过光刻和刻蚀工艺形成所需图形，形成“三明治”结构，实现在同一晶圆上制作不同频率的滤波器。
本发明还提供一种体声波滤波器，其采用上述的制作方法制作得到。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，则本发明也意图包含这些改动和变形。
Claims (10)
1.一种体声波滤波器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
根据第1谐振器至第n谐振器的设计频率确定相对应压电层的设计厚度，n≥2；
在晶圆衬底上形成第1谐振器至第n谐振器的空气腔和第一键合支点；
在第二衬底基片上依次形成第1谐振器至第n谐振器的压电层、底电极层和底电极键合支点，所述压电层的厚度为T，T≥第1谐振器至第n谐振器压任一压电层设计厚度；
在第二衬底基片上形成第二键合支点，所述第一键合支点和第二键合支点的总厚度等于所述压电层、底电极层和底电极键合支点的总厚度；
采用倒装键合工艺将第一键合支点和第二键合支点键合，以及将底电极键合支点与晶圆衬底键合；
移除第二衬底基片、第一键合支点和第二键合支点，暴露出压电层；
采用Ar+离子束将第1谐振器至第n谐振器的压电层厚度修整至设计厚度，形成具有不同厚度的第1谐振器至第n谐振器的压电层；
在修整后的第1谐振器至第n谐振器压电层上形成顶电极层，得到体声波滤波器。
2.根据权利要求1所述的体声波滤波器的制作方法，其特征在于：采用Ar+离子束修整压电层厚度包括以下步骤：
N从1取至n，分别重复以下过程：
取第N遮挡板，在遮挡板和晶圆衬底的固定位置做好对位标记或者对位标记区，遮挡板能完全遮盖晶圆衬底；
在第N遮挡板上的第N谐振器电压层对应的正投影区域开孔；
将第N遮挡板与晶圆衬底进行对位和固定，采用Ar+离子束进行轰击，将第N谐振器的压电层修整至设计厚度；
所述遮挡板采用耐Ar+离子束刻蚀的材料制备。
3.根据权利要求1所述的体声波滤波器的制作方法，其特征在于：采用Ar+离子束修整压电层厚度包括以下步骤：
取一遮挡板，在遮挡板和晶圆衬底的固定位置做好对位标记或者对位标记区，遮挡板能完全遮盖晶圆衬底；
在遮挡板上的第1谐振器至第n谐振器电压层对应的正投影区域分别开孔；
将遮挡板与晶圆衬底进行对位和固定，采用Ar+离子束对第1谐振器至第n谐振器电压层逐个进行轰击，将第1谐振器至第n谐振器的压电层修整至设计厚度；
所述遮挡板采用耐Ar+离子束刻蚀的材料制备。
4.根据权利要求2或3所述的体声波滤波器的制作方法，其特征在于：进行Ar+离子束轰击前还包括：对压电层实际厚度进行测量，计算修整厚度，所述修整厚度＝实际厚度－设计厚度，控制Ar+离子束强度和轰击时长，使所述压电层减薄所述修整厚度，得到相应设计厚度的压电层。
5.根据权利要求2或3所述的体声波滤波器的制作方法，其特征在于：所述遮挡板的材质为Pt、陶瓷材料、SiC和SiO2其中一种或多种复合。
6.根据权利要求1所述的体声波滤波器的制作方法，其特征在于：采用Ar+离子束对压电层进行修整时，环境真空度不低于10-7Torr。
7.根据权利要求1所述的体声波滤波器的制作方法，其特征在于：采用光刻、干法刻蚀或湿法刻蚀工艺形成所述空气腔。
8.根据权利要求1所述的体声波滤波器的制作方法，其特征在于，在第二衬底基片上形成第1谐振器至第n谐振器的压电层、底电极层和底电极键合支点的具体方法为：
清洗第二衬底基片，上表面依次形成压电薄膜，在压电薄膜上表面形成底电极薄膜，对压电薄膜和底电极薄膜进行图形化，得到第1谐振器至第n谐振器的压电层和底电极层；
在第二衬底基片和底电极层上形成底电极键合层，并对底电极键合层进行图形化得到底电极键合支点。
9.根据权利要求1所述的体声波滤波器的制作方法，其特征在于：所述底电极层材料为Mo、Al和Cu其中一种；所述压电层为c轴择优取向的AlN；所述第一键合支点、第二键合支点和所述底电极键合支点的材料为Au。
10.一种体声波滤波器，其特征在于：采用如权利要求1-9中任一项所述的制作方法制作而成。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211317034.4A CN115694387A (zh) | 2022-10-26 | 2022-10-26 | 一种体声波滤波器及其制作方法 |
| PCT/CN2023/071392 WO2024087399A1 (zh) | 2022-10-26 | 2023-01-09 | 一种体声波滤波器及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211317034.4A CN115694387A (zh) | 2022-10-26 | 2022-10-26 | 一种体声波滤波器及其制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115694387A true CN115694387A (zh) | 2023-02-03 |
Family
ID=85099063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211317034.4A Pending CN115694387A (zh) | 2022-10-26 | 2022-10-26 | 一种体声波滤波器及其制作方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115694387A (zh) |
| WO (1) | WO2024087399A1 (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116722837A (zh) * | 2023-05-31 | 2023-09-08 | 锐石创芯(重庆)科技有限公司 | 体声波滤波器组件、射频前端模块及电子设备 |
| CN117895916A (zh) * | 2024-03-14 | 2024-04-16 | 深圳新声半导体有限公司 | 一种集成式baw滤波器和制造集成式baw滤波器的方法 |
| CN117938106A (zh) * | 2024-03-14 | 2024-04-26 | 深圳新声半导体有限公司 | 一种集成式体声波滤波器和制造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11949402B2 (en) * | 2020-08-31 | 2024-04-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resonators with different membrane thicknesses on the same die |
| WO2020082245A1 (zh) * | 2018-10-23 | 2020-04-30 | 华为技术有限公司 | 单片集成baw谐振器制作方法 |
| CN110504938B (zh) * | 2019-07-26 | 2022-07-19 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 | 薄膜体声波谐振器、滤波器及其制备方法 |
| CN111082770A (zh) * | 2019-12-23 | 2020-04-28 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| CN114006602A (zh) * | 2021-10-29 | 2022-02-01 | 北京航天微电科技有限公司 | 一种同芯集成的体声波双工器、制备方法和电子设备 |
-
2022
- 2022-10-26 CN CN202211317034.4A patent/CN115694387A/zh active Pending
-
2023
- 2023-01-09 WO PCT/CN2023/071392 patent/WO2024087399A1/zh unknown
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116722837A (zh) * | 2023-05-31 | 2023-09-08 | 锐石创芯(重庆)科技有限公司 | 体声波滤波器组件、射频前端模块及电子设备 |
| CN117895916A (zh) * | 2024-03-14 | 2024-04-16 | 深圳新声半导体有限公司 | 一种集成式baw滤波器和制造集成式baw滤波器的方法 |
| CN117938106A (zh) * | 2024-03-14 | 2024-04-26 | 深圳新声半导体有限公司 | 一种集成式体声波滤波器和制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2024087399A1 (zh) | 2024-05-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN115694387A (zh) | 一种体声波滤波器及其制作方法 | |
| US7854049B2 (en) | Method of manufacturing a piezoelectric thin film device | |
| JP4426748B2 (ja) | 単一の基板上で異なった中心周波数を有するバルク音響波フィルタ、およびそれを提供する方法 | |
| US5853601A (en) | Top-via etch technique for forming dielectric membranes | |
| US7508286B2 (en) | HBAR oscillator and method of manufacture | |
| US8330556B2 (en) | Passivation layers in acoustic resonators | |
| US8164398B2 (en) | Resonator, filter and electronic device | |
| US20070200458A1 (en) | Piezoelectric thin film device | |
| US20110121916A1 (en) | Hybrid bulk acoustic wave resonator | |
| US7417360B2 (en) | Piezoelectric resonator and method for producing the same | |
| JP2003347884A (ja) | 薄膜バルクアコースティック共振器（ＦＢＡＲｓ）素子及びその製造方法 | |
| CN111262548B (zh) | 体声波谐振器组、滤波器、电子设备、机电耦合系数调整方法 | |
| WO2007119643A1 (ja) | 圧電薄膜共振子、圧電薄膜デバイスおよびその製造方法 | |
| EP1111779A1 (en) | Surface accoustic wave device | |
| US20060006768A1 (en) | Piezoelectric resonator and method for fabricating the same | |
| US20230223915A1 (en) | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with gap dielectric stripes in busbar-electrode gaps | |
| CN114884480B (zh) | 声表面波谐振装置的形成方法 | |
| US20070200459A1 (en) | Piezoelectric thin film device | |
| US10523177B2 (en) | Piezoelectric thin film resonator and fabrication method of the same, filter, and multiplexer | |
| JP2001223410A (ja) | 音響共振デバイス用の分離方法 | |
| US6657517B2 (en) | Multi-frequency thin film resonators | |
| WO2024087400A1 (zh) | 一种体声波滤波器及其制作方法 | |
| JP2007129776A (ja) | 薄膜圧電共振器、薄膜圧電デバイスおよびその製造方法 | |
| US7639103B2 (en) | Piezoelectric filter, antenna duplexer, and communications apparatus employing piezoelectric resonator | |
| CN115733457A (zh) | 体声波谐振器组件的制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |