CN114006602A - 一种同芯集成的体声波双工器、制备方法和电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种同芯集成的体声波双工器、制备方法和电子设备，体声波双工器，包括衬底、第一电极层、压电层、第二电极层和钝化层，压电层包括第一子压电层和第二子压电层，第一子压电层的厚度和第二子压电层的厚度不同，由于第一子压电层的厚度和第二子压电层的厚度不同，从而实现将工作频带不同的发射滤波器和接收滤波器集成在同一芯片中，且体积小，生产成本低，能够促进小型化的进程。
Description
技术领域
本发明涉及体声波双工器技术领域，尤其涉及一种同芯集成的体声波双工器、制备方法和电子设备。
背景技术
射频前端模块是移动通讯系统中不可缺少的重要组成部分，其中，射频前端模块中的双工器与天线承担着收发信号的重责，双工器一般由两个滤波器组成，一个为发射滤波器(Transmit filter，Tx)，另一个为接收滤波器(Receive filter,Rx)，由于它们的工作频带不一样，所以两者相互之间不会干扰，可以同时实现接收信号和发射信号的功能。
薄膜体声波谐振器(film bulk acoustic resonator，FBAR)作为近些年来的新兴技术，其制作的滤波器具有体积小、插损小、频率高、功率容量高的特点，非常适用于移动终端。FBAR大致由三部分组成，即金属薄膜/压电材料/金属薄膜堆叠的“三明治”结构，其工作原理基于压电材料的压电效应和逆压电效应，其谐振频率与垂直方向的堆叠结构厚度呈反比关系，由此可知FBAR的工作频率是堆叠厚度来控制的。
如果用FBAR技术去制作双工器的话，通常的做法是将发射滤波器Tx和接收滤波器Rx分开制备成两个芯片，然后再重新装配到一起完成封装。这样分开制备重新组合的方式，不仅引入了不必要的工艺流程，造成产能浪费，而且还非常不利于进一步压缩双工器的体积，降低生产成本，阻碍小型化的进程。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供了一种同芯集成的体声波双工器、制备方法和电子设备。
本发明的一种同芯集成的体声波双工器的技术方案如下：
包括衬底、第一电极层、压电层、第二电极层和钝化层；
所述衬底上设有第一凹槽和第二凹槽；
所述第一电极层包括相互分离的第一子电极层和第二子电极层；
所述第二电极层包括相互分离的第三子电极层和第四子电极层；
所述压电层包括第一子压电层和第二子压电层，所述第一子压电层的厚度和所述第二子压电层的厚度不同，所述第一子压电层覆设在所述第一凹槽的开口上，所述第二子压电层覆设在所述第二凹槽的开口上；
所述第一子电极层与所述第三子电极层相对设置在所述第一子压电层的两侧，且所述第一子电极层位于所述第一凹槽内；
所述第二子电极层和所述第四子电极层相对设置在第二子压电层的两侧，且所述第二子电极层位于所述第二凹槽内；
钝化层覆设在所述第三子电极层和所述第四子电极层上。
本发明的一种同芯集成的体声波双工器的有益效果如下：
由于第一子压电层的厚度和第二子压电层的厚度不同，从而实现将工作频带不同的发射滤波器和接收滤波器集成在同一芯片中，且体积小，生产成本低，能够促进小型化的进程。
在上述方案的基础上，本发明的一种同芯集成的体声波双工器还可以做如下改进。
进一步，所述衬底的材质为硅、锗、蓝宝石、石英或碳化硅。
进一步，所述钝化层的材质为二氧化硅或氮化铝。
进一步，所述压电层的材质为氮化铝、铌酸锂或钽酸锂。
进一步，所述第一电极层和所述第二电极层的材质为钼、铜、钨、金、钛、铝或铂。
本发明的一种用于制备上述任一项所述的一种同芯集成的体声波双工器的制备方法的技术方案如下：
在转移衬底上设置种子层，并对所述种子层进行图形化，图形化后的种子层包括第一子种子层和第二子种子层，且所述第一子种子层和所述第二子种子层的厚度不同；
在图形化后的种子层上依次设置压电层和第一金属材料层，并对所述第一金属材料层进行图形化，得到第一电极层，所述第一电极层包括相互分离的第一子电极层和第二子电极层，所述压电层包括第一子压电层和第二子压电层，所述第一子压电层的厚度和所述第二子压电层的厚度不同；
在衬底上开设第一凹槽和第二凹槽，使所述第一子电极层位于所述第一凹槽内，并使所述第二子电极层位于所述第二凹槽内，并将所述衬底与转移衬底进行晶圆键合；
去除所述转移衬底和所述图形化后的种子层，并在所述压电层上设置第三子电极层和第四子电极层；其中，所述第一子电极层与所述第三子电极层相对设置在所述第一子压电层的两侧，所述第二子电极层和所述第四子电极层相对设置在第二子压电层的两侧；
在所述第三子电极层和所述第四子电极层上覆设钝化层。
本发明的一种用于制备上述任一项所述的一种同芯集成的体声波双工器的制备方法的有益效果如下：
由于第一子种子层和所述第二子种子层的厚度不同，因此，在种子层上设置的压电层所包含的第一子压电层的厚度和所述第二子压电层的厚度不同的厚度不同，从而实现将工作频带不同的发射滤波器和接收滤波器集成在同一芯片中，制备过程简单，且制备出的一种同芯集成的体声波双工器体积小，生产成本低，能够促进小型化的进程。
本发明的一种用于制备上述任一项所述的一种同芯集成的体声波双工器的制备方法的技术方案如下：
在转移衬底上依次设置种子层、压电材料层和第二金属材料层；
对所述第二金属材料层进行图形化，得到第一电极层，所述第一电极层包括相互分离的第一子电极层和第二子电极层；
在衬底上开设第一凹槽和第二凹槽，使所述第一子电极层位于所述第一凹槽内，并使所述第二子电极层位于所述第二凹槽内，并将所述衬底与转移衬底进行晶圆键合；
去除所述转移衬底和所述种子层，对压电材料层进行处理，得到压电层，所述压电层包括第一子压电层和第二子压电层，所述第一子压电层的厚度和所述第二子压电层的厚度不同；
在所述第一子压电层上，并与所述第一子电极层相对设置第三子电极层；
在所述第二子电极层上，并与所述第二子电极层相对设置第四子电极层；
在所述第三子电极层和所述第四子电极层上覆设钝化层。
本发明的一种用于制备上述任一项所述的一种同芯集成的体声波双工器的制备方法的有益效果如下：
由于第一子压电层的厚度和第二子压电层的厚度不同，从而实现将工作频带不同的发射滤波器和接收滤波器集成在同一芯片中，且制备出的一种同芯集成的体声波双工器体积小，生产成本低，能够促进小型化的进程。
本申请的一种电子设备，包括上述任一项权利要求所述的一种同芯集成的体声波双工器。
附图说明
图1为本发明实施例的一种同芯集成的体声波双工器的流程示意图；
图2为本发明实施例的一种用于制备同芯集成的体声波双工器的制备方法的流程示意图之一；
图3为在转移衬底上制备的种子层并对种子层进行图形化后的结构示意图；
图4为在图形化后的种子层上依次压电层的结构示意图；
图5为在压电层上制备第一金属材料层的结构示意图；
图6为制备第一电极层的结构示意图；
图7为在衬底上开设第一凹槽和第二凹槽的结构示意图；
图8为将衬底与转移衬底进行晶圆键合的结构示意图；
图9为去除转移衬底和所述图形化后的种子层的结构示意图；
图10为在压电层上设置第三子电极层和第四子电极层的结构示意图；
图11为本发明实施例的一种用于制备同芯集成的体声波双工器的制备方法的流程示意图之二；
图12为在转移衬底上制备种子层的结构示意图；
图13为制备压电材料层的结构示意图；
图14为在压电材料层上制备第二金属材料层的结构示意图；
图15为制备第一电极层的结构示意图；
图16为在衬底上开设第一凹槽和第二凹槽的结构示意图；
图17为将衬底与转移衬底进行晶圆键合的结构示意图；
图18为去除转移衬底和所述种子层的结构示意图；
图19为对压电材料层进行处理的结构示意图；
图20为制备第二电极层的结构示意图；
附图中，各标号所代表的部件列表如下：
1、衬底；2、第一凹槽；3、第二凹槽；4、第一子电极层；5、第二子电极层；6、第三子电极层；7、第四子电极层；8、压电层；9、第一子压电层；10、第二子压电层；11、钝化层；12、转移衬底；13、种子层；14、第一子种子层；15、第二子种子层；16、第一金属材料层；17、压电材料层；18、第二金属材料层；19、光刻胶。
具体实施方式
如图1所示，本发明实施例的一种同芯集成的体声波双工器，包括衬底1、第一电极层、压电层8、第二电极层和钝化层11；
所述衬底1上设有第一凹槽2和第二凹槽3；
所述第一电极层包括相互分离的第一子电极层4和第二子电极层5；
所述第二电极层包括相互分离的第三子电极层6和第四子电极层7；
所述压电层8包括第一子压电层9和第二子压电层10，所述第一子压电层9的厚度和所述第二子压电层10的厚度不同，所述第一子压电层9覆设在所述第一凹槽2的开口上，所述第二子压电层10覆设在所述第二凹槽3的开口上；
所述第一子电极层4与所述第三子电极层6相对设置在所述第一子压电层9的两侧，且所述第一子电极层4位于所述第一凹槽2内；
所述第二子电极层5和所述第四子电极层7相对设置在第二子压电层10的两侧，且所述第二子电极层5位于所述第二凹槽3内；
钝化层11覆设在所述第三子电极层6和所述第四子电极层7上。
由于第一子压电层9的厚度和第二子压电层10的厚度不同，从而实现将工作频带不同的发射滤波器和接收滤波器集成在同一芯片中，集成在同一芯片可理解为：集成中同一器件中，同芯：指的是在同一片衬底上就可以制备出两种功能的滤波器，不用拿两个独立的滤波器器件拼凑在一起，且体积小，生产成本低，能够促进小型化的进程。具体地：
第一子电极层4、第三子电极层6、第一子压电层9以及衬底上的第一凹槽2所组成的第一结构，作为发射滤波器或接收滤波器，第二子电极层5、第四子电极层7、第二子压电层10以及衬底上的第二凹槽3所组成的第二结构，作为接收滤波器或发射滤波器。
其中，所述衬底1的材质为硅、锗、蓝宝石、石英、碳化硅或有机聚合物等。
其中，所述钝化层11的材质为二氧化硅或氮化铝。
其中，所述压电层8的材质为氮化铝、铌酸锂或钽酸锂。
其中，所述第一电极层和所述第二电极层的材质为钼、铜、钨、金、钛、铝或铂。其中，衬底1的材质、钝化层11的材质、压电层8的材质、第一电极层和所述第二电极层的材质可根据实际情况进行选取。
其中，第一凹槽2与第二凹槽3的具体尺寸参数和分布可根据体声波双工器的应用条件等实际情况进行设置调整，在此不做赘述。
如图2所示，本发明实施例的一种用于制备上述任一项所述的一种同芯集成的体声波双工器的制备方法，包括如下步骤：
S1、在转移衬底12上设置种子层13，并对所述种子层13进行图形化，图形化后的种子层13包括第一子种子层14和第二子种子层15，且所述第一子种子层14和所述第二子种子层15的厚度不同；
S2、在图形化后的种子层13上依次设置压电层8和第一金属材料层16，并对所述第一金属材料层16进行图形化，得到第一电极层，所述第一电极层包括相互分离的第一子电极层4和第二子电极层5，所述压电层8包括第一子压电层9和第二子压电层10，所述第一子压电层9的厚度和所述第二子压电层10的厚度不同；
S3、在衬底1上开设第一凹槽2和第二凹槽3，使所述第一子电极层4位于所述第一凹槽2内，并使所述第二子电极层5位于所述第二凹槽3内，并将所述衬底1与转移衬底12进行晶圆键合；
S4、去除所述转移衬底12和所述图形化后的种子层13，并在所述压电层8上设置第三子电极层6和第四子电极层7；其中，所述第一子电极层4与所述第三子电极层6相对设置在所述第一子压电层9的两侧，所述第二子电极层5和所述第四子电极层7相对设置在第二子压电层10的两侧；
S5、在所述第三子电极层6和所述第四子电极层7上覆设钝化层11。
由于第一子种子层14和所述第二子种子层15的厚度不同，因此，在种子层13上设置的压电层8所包含的第一子压电层9的厚度和所述第二子压电层10的厚度不同的厚度不同，从而实现将工作频带不同的发射滤波器和接收滤波器集成在同一芯片中，制备过程简单，且制备出的一种同芯集成的体声波双工器体积小，生产成本低，能够促进小型化的进程。
通过如下实施例对S1至S5的一种薄膜体声波谐振器的制备方法进行详细阐述，具体地：
S10、在转移衬底12上制备一层用于生长压电材料的种子层13，并对种子层13进行图形化，图形化后的种子层13包括第一子种子层14和第二子种子层15，且所述第一子种子层14和所述第二子种子层15的厚度不同，如图3所示；
S11、利用磁控溅射或者化学气相沉积的方法，在图形化后的种子层13上依次设置压电层8，将压电层8的上表面沉积为与转移衬底12的上表面平行的平面，此时，所述压电层8包括第一子压电层9和第二子压电层10，所述第一子压电层9的厚度和所述第二子压电层10的厚度不同，如图4所示；
S12、在压电层8上制备第一金属材料层16，如图5所示；
S13、通过光刻、刻蚀等工艺，对第一金属材料层16进行图形化，得到第一电极层，所述第一电极层包括相互分离的第一子电极层4和第二子电极层5，如图6所示；
S14、通过光刻、刻蚀工艺在衬底1上开设第一凹槽2和第二凹槽3，其中，第一凹槽2与第二凹槽3的具体尺寸参数和分布可根据体声波双工器的应用条件等实际情况进行设置调整，第一凹槽2与第二凹槽3具体可为立方形、柱形或楔形等，如图7所示，第一凹槽2与第二凹槽3均为楔形，而且，衬底1与转移衬底12的材质可相同，可不相同；
S15、使所述第一子电极层4位于所述第一凹槽2内，并使所述第二子电极层5位于所述第二凹槽3内，并将所述衬底1与转移衬底12进行晶圆键合，如图8所示；
S16、去除所述转移衬底12和所述图形化后的种子层13，如图9所示；
S16、通过沉积、光刻、刻蚀等工艺，在所述压电层8上设置第三子电极层6和第四子电极层7；其中，所述第一子电极层4与所述第三子电极层6相对设置在所述第一子压电层9的两侧，所述第二子电极层5和所述第四子电极层7相对设置在第二子压电层10的两侧，其中，第三子电极层6和第四子电极层7的厚度可相等，或不相等，如图10所示；
S17、在所述第三子电极层6和所述第四子电极层7上覆设钝化层11，得到如图1所示的一种同芯集成的体声波双工器。
如图11所示，本发明实施例的一种用于制备上述任一项所述的一种同芯集成的体声波双工器的制备方法，包括如下步骤：
S20、在转移衬底12上依次设置种子层13、压电材料层17和第二金属材料层18；
S21、对所述第二金属材料层18进行图形化，得到第一电极层，所述第一电极层包括相互分离的第一子电极层4和第二子电极层5；
S22、在衬底1上开设第一凹槽2和第二凹槽3，使所述第一子电极层4位于所述第一凹槽2内，并使所述第二子电极层5位于所述第二凹槽3内，并将所述衬底1与转移衬底12进行晶圆键合；
S23、去除所述转移衬底12和所述种子层13，对压电材料层17进行处理，得到压电层8，所述压电层8包括第一子压电层9和第二子压电层10，所述第一子压电层9的厚度和所述第二子压电层10的厚度不同；
S24、在所述第一子压电层9上，并与所述第一子电极层4相对设置第三子电极层6；在所述第二子电极层5上，并与所述第二子电极层5相对设置第四子电极层7；
S25、在所述第三子电极层6和所述第四子电极层7上覆设钝化层11。
由于第一子压电层9的厚度和第二子压电层10的厚度不同，从而实现将工作频带不同的发射滤波器和接收滤波器集成在同一芯片中，制备工艺简单，且制备出的一种同芯集成的体声波双工器体积小，生产成本低，能够促进小型化的进程。
其中，第一子电极层4和第二子电极层5和第三子电极层6和第四子电极层的厚度可相同，也可不相同。
通过如下实施例对上述S20至S25的一种薄膜体声波谐振器的制备方法进行详细阐述，具体地：
S200、在转移衬底12上制备一层用于生长压电材料的种子层13，如图12所示；
S201、利用磁控溅射或者化学气相沉积的方法，生长一定厚度的压电材料层17，如图13所示；
S202、在压电材料层17上制备第二金属材料层18，如图14所示；
S203、通过光刻、刻蚀等工艺，对所述第二金属材料层18进行图形化，得到第一电极层，所述第一电极层包括相互分离的第一子电极层4和第二子电极层5，第一子电极层4和第二子电极层5的厚度可一致，可不一致，如图15所示；
S204、通过光刻、刻蚀工艺在衬底1上开设第一凹槽2和第二凹槽3，其中，第一凹槽2与第二凹槽3的具体尺寸参数和分布可根据体声波双工器的应用条件等实际情况进行设置调整，第一凹槽2与第二凹槽3具体可为立方形、柱形或楔形等，如图16所示，第一凹槽2与第二凹槽3均为楔形，而且，衬底1与转移衬底12的材质可相同，可不相同；
S205、使所述第一子电极层4位于所述第一凹槽2内，并使所述第二子电极层5位于所述第二凹槽3内，并将所述衬底1与转移衬底12进行晶圆键合，如图17所示；
S206、去除所述转移衬底12和所述种子层13，如图18所示；
S207、对压电材料层17进行处理，具体地，在压电材料层17的部分表面上覆设光刻胶19，将未覆设光刻胶19的表面进行减薄，得到压电层8，具体地，压电层8包括第一子压电层9和第二子压电层10，所述第一子压电层9的厚度和所述第二子压电层10的厚度不同，如图19所示；
S208、在所述第一子压电层9上，并与所述第一子电极层4相对设置第三子电极层6；在所述第二子电极层5上，并与所述第二子电极层5相对设置第四子电极层7；即得到包括第三子电极层6和第四子电极层7的第二电极层，如图20所示；
S209、在所述第三子电极层6和所述第四子电极层7上覆设钝化层11，得到如图1所示的一种同芯集成的体声波双工器。
在另外一个实施例中，在转移衬底12上制备一层用于生长压电材料的种子层13，利用单晶薄膜的切割技术，在转移衬底12上转移即粘附一定厚度的压电材料层17，然后结合S202至S209制备如图1所示的一种同芯集成的体声波双工器。
本发明提供的一种用于制备同芯集成的体声波双工器的制备方法。利用单晶高质量压电薄膜的生长及转移技术，可以省去传统FBAR工艺流程中衬底1刻槽先填充牺牲层后释放的工艺步骤，即省去了牺牲层的使用，大大减少了工艺步骤，也改变了“三明治”结构自下而上依次堆叠的沉积顺序，优化FBAR的整个工艺流程。同时将不同工作频率的Tx和Rx集成在同一颗芯片上形成双工器，可以大大缩小双工器的尺寸，降低生产成本。而且单晶压电薄膜的晶格质量更高，且形貌可控，有助于对制备出的同芯集成的体声波双工器的质量进行把控。
与现有的双工器制备技术相比，本申请可以直接在同一颗芯片上制备出双工器中用到的Tx和Rx滤波器，避免了单独制备带来的浪费，缩小了双工器的体积；同时转移单晶压电薄膜的方法，不仅可以保证谐振器边缘的晶格质量，还省去了空气腔先填充后释放的工艺流程，制备工艺简单。
在上述各实施例中，虽然对步骤进行了编号S1、S2等，但只是本申请给出的具体实施例，本领域的技术人员可根据实际情况调整S1、S2等的执行顺序，此也在本发明的保护范围内，可以理解，在一些实施例中，可以包含如上述各实施方式中的部分或全部。
本申请实施例的一种电子设备，包括上述任一项权利要求所述的一种同芯集成的体声波双工器，电子设备为电脑或手机等。在本发明中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。
在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (8)
1.一种同芯集成的体声波双工器，其特征在于，包括衬底、第一电极层、压电层、第二电极层和钝化层；
所述衬底上设有第一凹槽和第二凹槽；
所述第一电极层包括相互分离的第一子电极层和第二子电极层；
所述第二电极层包括相互分离的第三子电极层和第四子电极层；
所述压电层包括第一子压电层和第二子压电层，所述第一子压电层的厚度和所述第二子压电层的厚度不同，所述第一子压电层覆设在所述第一凹槽的开口上，所述第二子压电层覆设在所述第二凹槽的开口上；
所述第一子电极层与所述第三子电极层相对设置在所述第一子压电层的两侧，且所述第一子电极层位于所述第一凹槽内；
所述第二子电极层和所述第四子电极层相对设置在第二子压电层的两侧，且所述第二子电极层位于所述第二凹槽内；
钝化层覆设在所述第三子电极层和所述第四子电极层上。
2.根据权利要求1所述的一种同芯集成的体声波双工器，其特征在于，所述衬底的材质为硅、锗、蓝宝石、石英或碳化硅。
3.根据权利要求1所述的一种同芯集成的体声波双工器，其特征在于，所述钝化层的材质为二氧化硅或氮化铝。
4.根据权利要求1所述的一种同芯集成的体声波双工器，其特征在于，所述压电层的材质为氮化铝、铌酸锂或钽酸锂。
5.根据权利要求4所述的一种同芯集成的体声波双工器，其特征在于，所述第一电极层和所述第二电极层的材质为钼、铜、钨、金、钛、铝或铂。
6.一种用于制备权利要求1至5任一项所述的一种同芯集成的体声波双工器的制备方法，其特征在于，包括：
在转移衬底上设置种子层，并对所述种子层进行图形化，图形化后的种子层包括第一子种子层和第二子种子层，且所述第一子种子层和所述第二子种子层的厚度不同；
在图形化后的种子层上依次设置压电层和第一金属材料层，并对所述第一金属材料层进行图形化，得到第一电极层，所述第一电极层包括相互分离的第一子电极层和第二子电极层，所述压电层包括第一子压电层和第二子压电层，所述第一子压电层的厚度和所述第二子压电层的厚度不同；
在衬底上开设第一凹槽和第二凹槽，使所述第一子电极层位于所述第一凹槽内，并使所述第二子电极层位于所述第二凹槽内，并将所述衬底与转移衬底进行晶圆键合；
去除所述转移衬底和所述图形化后的种子层，并在所述压电层上设置第三子电极层和第四子电极层；其中，所述第一子电极层与所述第三子电极层相对设置在所述第一子压电层的两侧，所述第二子电极层和所述第四子电极层相对设置在第二子压电层的两侧；
在所述第三子电极层和所述第四子电极层上覆设钝化层。
7.一种用于制备权利要求1至5任一项所述的一种同芯集成的体声波双工器的制备方法，其特征在于，包括：
在转移衬底上依次设置种子层、压电材料层和第二金属材料层；
对所述第二金属材料层进行图形化，得到第一电极层，所述第一电极层包括相互分离的第一子电极层和第二子电极层；
在衬底上开设第一凹槽和第二凹槽，使所述第一子电极层位于所述第一凹槽内，并使所述第二子电极层位于所述第二凹槽内，并将所述衬底与转移衬底进行晶圆键合；
去除所述转移衬底和所述种子层，对压电材料层进行处理，得到压电层，所述压电层包括第一子压电层和第二子压电层，所述第一子压电层的厚度和所述第二子压电层的厚度不同；
在所述第一子压电层上，并与所述第一子电极层相对设置第三子电极层；
在所述第二子电极层上，并与所述第二子电极层相对设置第四子电极层；
在所述第三子电极层和所述第四子电极层上覆设钝化层。
8.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至5任一项权利要求所述的一种同芯集成的体声波双工器。
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|---|---|---|---|
| CN202111268153.0A CN114006602A (zh) | 2021-10-29 | 2021-10-29 | 一种同芯集成的体声波双工器、制备方法和电子设备 |
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| CN114006602A true CN114006602A (zh) | 2022-02-01 |
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|---|---|
| CN (1) | CN114006602A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024066021A1 (zh) * | 2022-09-30 | 2024-04-04 | 见闻录(浙江)半导体有限公司 | 谐振器、谐振器组件、滤波器、电子设备及制作方法 |
| WO2024087399A1 (zh) * | 2022-10-26 | 2024-05-02 | 河源市艾佛光通科技有限公司 | 一种体声波滤波器及其制作方法 |
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2021
- 2021-10-29 CN CN202111268153.0A patent/CN114006602A/zh active Pending
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