CN115232385B - 一种高填充屏蔽材料及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种高填充屏蔽材料及其制备方法。一种高填充屏蔽材料包括如下重量份数的原料：基体材料2～10份；中子屏蔽功能助剂1～50份；γ屏蔽功能助剂60～90份；第一改性剂0～10份；其他功能助剂0.1～10份；增强体系0.5～15份。本发明的高填充屏蔽材料的力学性能及稳定性有明显的提升。同时，本发明采用模压成型工艺制备屏蔽材料，制备工艺简单、成熟，制品的表观及尺寸稳定。

Description

一种高填充屏蔽材料及其制备方法
技术领域
本发明实施例涉及辐射防护技术领域，具体涉及一种高填充屏蔽材料及其制备方法。
背景技术
核能与核技术应用的开发一直是世界各国特别是发达国家研究的重点，各种射线的应用领域不断拓宽，但随之产生的辐射安全问题也受到了世界各国的重视，混凝土、重金属、含硼聚乙烯等屏蔽材料被相继开发并广泛应用。近些年来，随着国防军事工业、航空航天工业、医疗装备等领域向更高水平发展的要求，传统的针对单一辐射场进行防护的屏蔽材料已经满足不了现代科技发展的要求，因此，对辐射混合场屏蔽材料的研究成为了一个重要方向。
对于能量较高的辐射可通过提高屏蔽材料厚度的方法进行有效地吸收，但从实际工程的角度出发，尺寸的增大会限制屏蔽材料的应用范围。因此，通常会采用增加屏蔽功能助剂的方式来获取更好的屏蔽效果。但是，常用的屏蔽功能助剂多为无机物或金属材料，与高分子材料基材的相容性差，此外，过高的添加量导致材料中的树脂基材的含量大大降低、熔体流动性变差，这些会对材料的力学强度和成型加工产生负面影响。通常的办法是在材料中加入纤维增强体系及界面改性剂，提高材料的力学性能的同时，改善功能助剂与基材之间的相容性，但是，随着功能助剂添加量的增大，材料的性能会出现波动。
发明内容
为此，本发明实施例提供一种高填充屏蔽材料及其制备方法，以解决现有屏蔽材料不能兼顾力学性能和性能稳定性的缺陷。
为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：
根据本发明实施例的第一方面，本发明提供一种高填充屏蔽材料，包括如下重量份数的原料：
第一基体材料2～10份；
中子屏蔽功能助剂1～50份；
γ屏蔽功能助剂60～90份；
第一改性剂0～10份；
其他功能助剂0.1～10份；
增强体系0.5～15份。
在一些优选的实施例中，所述增强体系包括碳纤维、玻璃纤维、纳米蒙脱土中的一种或多种；
所述增强体系的制备方法如下：
(1)将硅烷偶联剂溶于85～95％乙醇中，匀速搅拌3～8min，之后静置10～30min，配制成浓度为1～5％的硅烷偶联剂处理液；
(2)将所述碳纤维、玻璃纤维或纳米蒙脱土加入所述硅烷偶联剂处理液中，均匀搅拌10～25min，静置1～2h，过滤后，在80～100℃下干燥8～16h。
在另一些优选的实施例中，所述增强体系包括第二基体材料，及碳纤维和/或玻璃纤维，所述碳纤维和/或玻璃纤维的长度不超过5mm；
所述增强体系的制备方法如下：
(1)将硅烷偶联剂溶于85～95％乙醇中，匀速搅拌3～8min，之后静置10～30min，配制成浓度为1～5％的硅烷偶联剂处理液；
(2)将所述的碳纤维和/或玻璃纤维加入所述硅烷偶联剂处理液中，均匀搅拌10～25min，静置1～2h，过滤后，在80～100℃下干燥8～16h，得处理后的碳纤维和/或玻璃纤维；
(3)将第二基体材料40～80份、第二改性剂4～8份、所述处理后的碳纤维和/或玻璃纤维20～50份、硬脂酸钙0.5～2份、抗氧剂0.3～1.0份，依次加入到开炼机中，混炼均匀后下片、切碎，投入双螺杆挤出机，进行造粒，得所述增强体系。
在一些优选的实施例中，所述开炼机温度为140℃～220℃，混炼时间为20～40min，下片厚度为2～3mm；
所述的双螺杆挤出机的温度设定为：1区130℃～150℃、2区150℃～160℃、3区160℃～175℃、4区160℃～170℃、5区160℃～170℃、6区150℃～160℃、7区150℃～155℃，主机转速为210～250rpm，机头压力控制在6～12MPa，切粒电机转速为80～110rpm。
在一些优选的实施例中，所述第一基体材料/第二基体材料为高密度聚乙烯、低密度聚乙烯或超高分子量聚乙烯。
在一些优选的实施例中，所述中子屏蔽功能助剂选自碳化硼、氧化硼、氮化硼、硼酸、氟化锂、溴化锂、氢氧化锂、碳酸锂、硫酸锂中的一种或多种。
在一些优选的实施例中，所述γ屏蔽功能助剂选自铅砂、铅粉、钨粉、铁粉、氧化钆、铜中的一种或多种。
在一些优选的实施例中，所述第一改性剂/第二改性剂为马来酸酐或硅烷偶联剂。
在一些优选的实施例中，所述其他功能助剂选自硬脂酸钙、抗氧剂1010、抗氧剂7910中的一种或多种。
根据本发明实施例的第二方面，本发明提供如上所述的高填充屏蔽材料的制备方法，包括：
将第一基体材料、中子屏蔽功能助剂、γ屏蔽功能助剂、增强体系、第一改性剂和其他功能助剂按照顺序投入密炼机中进行混炼，之后将熔融混合料放入模具中模压冷却定型，得所述高填充屏蔽材料。
在一些优选的实施例中，所述混炼温度150℃～220℃，混炼时间30～60min；成型模具初始温度140℃～190℃，成型压力10～25MPa，冷却时间4～8h。
本发明实施例具有如下优点：
本发明提供的高填充屏蔽材料具有良好的屏蔽中子及γ射线的能力，首先通过选择增强纤维的种类、合适的增强助剂及改性剂为原料，经挤出造粒工序，制备得到增强体系，该增强体系再与基体树脂、屏蔽功能助剂等原料进行混合，制得的屏蔽材料样品的力学性能及稳定性有明显的提升。同时，本发明采用模压成型工艺制备屏蔽材料，制备工艺简单、成熟，制品的表观及尺寸稳定。通过本发明的改进，可进一步拓宽高填充屏蔽材料的应用领域。
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例中所用原料均为市售产品。若未具体指明，本发明实施例中所用的技术手段均为本领域技术人员所熟知的常规手段。
实施例1
本实施例提供一种增强体系的制备方法包括：
(1)定量称取硅烷偶联剂KH550加入到90％乙醇中，利用搅拌器匀速搅拌5min后静置15min，配制成浓度为2％的硅烷偶联剂处理液；
(2)将长度不超过5mm的玻璃纤维加入到步骤(1)的硅烷偶联剂处理液中，利用搅拌器匀速搅拌15min，静置1h之后过滤取出，并放入80℃烘箱中，干燥10h。
实施例2
本实施例提供一种增强体系的制备方法包括：
(1)定量称取硅烷偶联剂KH550加入到90％乙醇中，利用搅拌器匀速搅拌5min后静置15min，配制成浓度为2％的硅烷偶联剂处理液；
(2)将长度不超过5mm的玻璃纤维加入到步骤(1)的硅烷偶联剂处理液中，利用搅拌器匀速搅拌15min，静置1h之后过滤取出，并放入80℃烘箱中，干燥10h，得处理后的玻璃纤维；
(3)开炼机温度控制在155℃，先加入高密度聚乙烯75份，融化后，依次加入马来酸酐5份、处理后的玻璃纤维20份、硬脂酸钙1份、抗氧剂10100.5份，混炼均匀后下片，用粉碎机切碎，制得增强体系。挤出机温度设定：1区135℃、2区150℃、3区162℃、4区165℃、5区165℃、6区155℃、7区150℃。主机转速220rpm，机头压力控制在6MPa，切粒电机转速设定值100rpm。
实施例3
本实施例提供一种增强体系的制备方法包括：
(1)定量称取硅烷偶联剂KH550加入到90％乙醇中，利用搅拌器匀速搅拌5min后静置15min，配制成浓度为2％的硅烷偶联剂处理液；
(2)将长度不超过5mm的玻璃纤维加入到步骤(1)的硅烷偶联剂处理液中，利用搅拌器匀速搅拌15min，静置1h之后过滤取出，并放入80℃烘箱中，干燥10h，得处理后的玻璃纤维；
(3)开炼机温度控制在155℃，先加入高密度聚乙烯56份，融化后，依次加入马来酸酐4份、处理后的玻璃纤维40份、硬脂酸钙1份、抗氧剂10100.5份，混炼均匀后下片，用粉碎机切碎，制得增强体系。挤出机温度设定：1区135℃、2区150℃、3区162℃、4区165℃、5区165℃、6区155℃、7区150℃。主机转速220rpm，机头压力控制在8MPa，切粒电机转速设定值110rpm。
实施例4
本实施例提供一种高填充屏蔽材料，其原料包括：高密度聚乙烯7.5份、铅砂90份、碳化硼2份、抗氧剂79100.06份、硬脂酸钙0.06份、马来酸酐0.375份、实施例1的增强体系0.66份。
上述高填充屏蔽材料的制备方法如下：
将高密度聚乙烯、碳化硼、铅砂、增强体系、马来酸酐、抗氧剂7910和硬脂酸钙，依次投入密炼机中进行混炼，在155℃下混炼35min，之后将熔融混合料放入模具中模压冷却定型，成型模具初始温度150℃，成型压力15MPa，冷却时间5h，制得高填充屏蔽材料。
实施例5
本实施例提供一种高填充屏蔽材料，其原料包括：高密度聚乙烯7.5份、铅砂90份、碳化硼2份、抗氧剂79100.06份、硬脂酸钙0.06份、马来酸酐0.75份、实施例1的增强体系1.63份。
上述高填充屏蔽材料的制备方法如下：
将高密度聚乙烯、碳化硼、铅砂、增强体系、马来酸酐、抗氧剂7910和硬脂酸钙，依次投入密炼机中进行混炼，在155℃下混炼35min，之后将熔融混合料放入模具中模压冷却定型，成型模具初始温度150℃，成型压力15MPa，冷却时间5h，制得高填充屏蔽材料。
实施例6
本实施例提供一种高填充屏蔽材料，其原料包括：高密度聚乙烯7.5份、铅砂90份、碳化硼2份、抗氧剂79100.06份、硬脂酸钙0.06份、马来酸酐1.125份、实施例1的增强体系1.85份。
上述高填充屏蔽材料的制备方法如下：
将高密度聚乙烯、碳化硼、铅砂、增强体系、马来酸酐接、抗氧剂7910和硬脂酸钙，依次投入密炼机中进行混炼，在155℃下混炼35min，之后将熔融混合料放入模具中模压冷却定型，成型模具初始温度150℃，成型压力15MPa，冷却时间5h，制得高填充屏蔽材料。
实施例7
本实施例提供一种高填充屏蔽材料，其原料包括：高密度聚乙烯2.80份、铅砂87.15份、碳化硼4.30份、抗氧剂79100.06份、硬脂酸钙0.09份、实施例2的增强体系5.60份。
上述高填充屏蔽材料的制备方法如下：
将高密度聚乙烯、碳化硼、铅砂、增强体系、抗氧剂7910和硬脂酸钙，依次投入密炼机中进行混炼，在155℃下混炼35min，之后将熔融混合料放入模具中模压冷却定型，成型模具初始温度150℃，成型压力15MPa，冷却时间5h，制得高填充屏蔽材料。
实施例8
本实施例提供一种高填充屏蔽材料，其原料包括：高密度聚乙烯2.30份、铅砂85.26份、碳化硼3.80份、抗氧剂79100.06份、硬脂酸钙0.08份、实施例2的增强体系8.50份。
上述高填充屏蔽材料的制备方法如下：
将高密度聚乙烯、碳化硼、铅砂、增强体系、抗氧剂7910和硬脂酸钙，依次投入密炼机中进行混炼，在155℃下混炼35min，之后将熔融混合料放入模具中模压冷却定型，成型模具初始温度150℃，成型压力15MPa，冷却时间5h，制得高填充屏蔽材料。
实施例9
本实施例提供一种高填充屏蔽材料，其原料包括：高密度聚乙烯2.05份、铅砂84.79份、碳化硼3.20份、抗氧剂79100.08份、硬脂酸钙0.08份、实施例3的增强体系9.80份。
上述高填充屏蔽材料的制备方法如下：
将高密度聚乙烯、碳化硼、铅砂、增强体系、抗氧剂7910和硬脂酸钙，依次投入密炼机中进行混炼，在155℃下混炼35min，之后将熔融混合料放入模具中模压冷却定型，成型模具初始温度150℃，成型压力15MPa，冷却时间5h，制得高填充屏蔽材料。
测试例
对实施例4-9的高填充屏蔽材料的性能进行测试，结果见表1。
拉伸强度：执行标准《GB/T1040.2-2006塑料拉伸性能的测定第2部分：模塑和挤塑塑料的试验条件》；
弯曲强度：执行标准《GB/T9341-2008塑料弯曲性能的测定》；
弯曲强度均匀性：弯曲强度测试数值中，取最大值和最小值的差值。
表1
样品 拉伸强度(MPa) 弯曲强度(MPa) 弯曲强度均匀性
实施例4 5.97 11.28 1.83
实施例5 6.89 12.37 2.23
实施例6 7.03 12.5 2.05
实施例7 7.03 15.6 0.38
实施例8 9.01 20.9 0.47
实施例9 10.89 19.45 0.58
结果显示，本发明实施例提供的高填充屏蔽材料具有较好的力学性能。其中，实施例7-9的屏蔽材料具有更优异的力学性能，并且其弯曲强度均匀性更小，性能稳定性更佳，说明实施例7-9使用的增强体系能够提高原材料之间的相容性及分散性，进而提高本发明屏蔽材料的综合性能。
虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施例对本发明作了详尽的描述，但在本发明基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本发明要求保护的范围。

Claims (6)

1.一种高填充屏蔽材料，其特征在于，由如下重量份数的原料组成：
第一基体材料2～10份；
中子屏蔽功能助剂1～50份；
γ屏蔽功能助剂60～90份；
第一改性剂0～10份；
其他功能助剂0.1～10份；
增强体系0.5～15份；
所述增强体系包括第二基体材料，及碳纤维和/或玻璃纤维，所述碳纤维和/或玻璃纤维的长度不超过5mm；
所述增强体系的制备方法如下：
(1)将硅烷偶联剂溶于85～95％乙醇中，匀速搅拌3～8min，之后静置10～30min，配制成浓度为1～5％的硅烷偶联剂处理液；
(2)将所述碳纤维和/或玻璃纤维加入所述硅烷偶联剂处理液中，均匀搅拌10～25min，静置1～2h，过滤后，在80～100℃下干燥8～16h，得处理后的碳纤维和/或玻璃纤维；
(3)将第二基体材料40～80份、第二改性剂4～8份、所述处理后的碳纤维和/或玻璃纤维20～50份、硬脂酸钙0.5～2份、抗氧剂0.3～1.0份，依次加入到开炼机中，混炼均匀后下片、切碎，投入双螺杆挤出机，进行造粒，得所述增强体系；
所述第一改性剂/第二改性剂为马来酸酐或硅烷偶联剂；
所述第一基体材料/第二基体材料为高密度聚乙烯、低密度聚乙烯或超高分子量聚乙烯。
2.根据权利要求1所述的高填充屏蔽材料，其特征在于，所述开炼机温度为140℃～220℃，混炼时间为20～40min，下片厚度为2～3mm；
所述双螺杆挤出机的温度设定为：1区130℃～150℃、2区150℃～160℃、3区160℃～175℃、4区160℃～170℃、5区160℃～170℃、6区150℃～160℃、7区150℃～155℃，主机转速为210～250rpm，机头压力控制在6～12MPa，切粒电机转速为80～110rpm。
3.根据权利要求1或2所述的高填充屏蔽材料，其特征在于，所述中子屏蔽功能助剂选自碳化硼、氧化硼、氮化硼、硼酸、氟化锂、溴化锂、氢氧化锂、碳酸锂、硫酸锂中的一种或多种；
和/或，所述γ屏蔽功能助剂选自铅砂、铅粉、钨粉、铁粉、氧化钆、铜中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的高填充屏蔽材料，其特征在于，所述其他功能助剂选自硬脂酸钙、抗氧剂1010、抗氧剂7910中的一种或多种。
5.权利要求1所述的高填充屏蔽材料的制备方法，其特征在于，包括：
将第一基体材料、中子屏蔽功能助剂、γ屏蔽功能助剂、增强体系、第一改性剂和其他功能助剂按照顺序投入密炼机中进行混炼，之后将熔融混合料放入模具中模压冷却定型，得所述高填充屏蔽材料。
6.根据权利要求5所述的高填充屏蔽材料的制备方法，其特征在于，所述混炼温度150℃～220℃，混炼时间30～60min；成型模具初始温度140℃～190℃，成型压力10～25MPa，冷却时间4～8h。
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