CN115215880A - 空穴传输材料、电致发光器件及显示设备 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例提供了一种空穴传输材料、电致发光器件及显示设备。该空穴传输材料的分子结构沿第一方向的尺寸为a、沿第二方向的尺寸为b和沿第三方向的尺寸为c，其中a>b>c，且c与a的比值不大于0.6；材料的分子结构的HOMO与LUMO的重叠程度不大于0.7，第一方向与第二方向在同一平面内且互相垂直，第三方向垂直于第一方向和第二方向。本申请实施例的空穴传输材料的分子结构更加扁平，能够有利于分子呈水平排列，进而有利于提高分子的纵向迁移率和降低分子的横向迁移率，从而能够利于改善或消除在通电时出现的电流的横向漂移的现象。

Description

空穴传输材料、电致发光器件及显示设备
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种空穴传输材料、电致发光器件及显示设备。
背景技术
电致发光器件有自发光、广视角、短反应时间、高效率和广色域等特性而备受关注。电致发光器件是通过施加电流或电压施加到两个电极的主要表面，阴极和空穴被注入到发光功能层，负电子被注入到发光功能层中，当注入的空穴和电子相遇时，形成激子，激子下降到基态并发光。
为节省生产成本，发光层中的不同颜色的色阻采用共同层的形式以节约蒸镀掩膜版的数量，但是电致发光器件在通电时会出现电流的横向漂移的现象，导致颜色串扰的问题。
发明内容
本申请针对相关技术方式的缺点，提出一种空穴传输材料、电致发光器件及显示设备，用以解决相关技术电致发光器件在通电时出现电流的横向漂移的现象或出现颜色串扰的技术问题。
第一个方面，本申请实施例提供了一种空穴传输材料，所述空穴传输材料的分子结构沿第一方向的尺寸为a、沿第二方向的尺寸为b和沿第三方向的尺寸为c，其中a>b>c，且c与a的比值不大于0.6；所述材料的分子结构的HOMO与LUMO的重叠程度不大于0.7，所述第一方向与所述第二方向在同一平面内且互相垂直，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向。
可选地，在5000平方厘米/伏迁移率的条件下，采用空间电荷受限电流法测得所述材料的载流子的迁移率不小于10-6平方厘米/(伏·秒)。
可选地，空穴传输材料包括如下通式：
Figure BDA0003756428440000021
所述通式中，X1-X4分别为CR1～CR4，其中R1～R4各自独立地为取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的杂芳基中任意一种；或者，所述R1和所述R2通过直接键或其它基团键合成环，所述R3和所述R4通过直接键或其它基团键合成环。
可选地，所述其它基团包括氧原子和硫原子中任意一种。
可选地，所述空穴传输材料包括如下任意一种：
Figure BDA0003756428440000022
第二个方面，本申请实施例提供了一种电致发光器件，包括：发光功能层，所述发光功能层包括空穴注入层和设置在所述空穴注入层一侧的空穴传输层，所述空穴传输层包括如第一个方面所述的空穴传输材料，所述空穴注入层包括掺杂P型掺杂剂的如第一个方面所述的空穴传输材料。
可选地，所述P型掺杂剂包括如下化合物任意一种：
Figure BDA0003756428440000023
可选地，所述发光功能层还包括发光层，所述发光层设置在所述空穴传输层远离所述空穴注入层的一侧，所述发光层包括第一颜色发光结构、第二颜色发光结构和第三颜色发光结构。
可选地，所述空穴传输层包括层叠设置的第一空穴传输层和第二空穴传输层，所述第二空穴传输层设置在所述第一空穴传输层靠近所述发光层的一侧；
所述第二空穴传输层包括第一空穴传输结构、第二空穴传输结构和第三传输结构，所述第一颜色发光结构、所述第二颜色发光结构、所述第三颜色发光结构分别设置于所述第一传输结构、所述第二空穴传输结构、所述第三空穴传输结构远离所述第一空穴传输层的一侧。
第三个方面，本申请实施例提供了另一种电致电致发光器件，包括发光功能层，所述发光功能层包括依次层叠设置的第一共用层、辅助发光层、第二共用层、显色层和第三共用层；所述第一共用层包括第一空穴传输层，所述第一空穴传输层包括如第一个方面所述的空穴传输材料；所述第二共用层包括第二空穴传输层，所述第二空穴传输层包括如第一个方面所述的空穴传输材料。
可选地，所述第一共用层还包括空穴注入层，所述空穴注入层设置在所述第一空穴传输层远离所述辅助发光层的一侧，所述空穴注入层包括掺杂P型掺杂剂的如第一个方面所述的空穴传输材料。
可选地，所述第一空穴传输层靠近所述辅助发光层的一侧设置电子阻挡层，所述电子阻挡层包括第一颜色电子阻挡结构、第二颜色电子阻挡结构和第三颜色电子阻挡结构；
所述辅助发光层包括第一颜色辅助发光结构、第二颜色辅助发光结构和第三颜色辅助发光结构，所述第一颜色辅助发光结构、所述第二颜色辅助发光结构和所述第三颜色辅助发光结构分别设置在所述第一颜色电子阻挡结构、所述第二颜色电子阻挡结构和所述第三颜色电子阻挡结构远离所述第一空穴传输层的一侧。
可选地，所述第二共用层与所述显色层之间设置空穴阻挡层，所述空穴阻挡层包括第一颜色空穴阻挡结构、第二颜色空穴阻挡结构和第三颜色空穴阻挡结构；
所述显色层包括第一颜色显示结构、第二颜色显色结构和第三颜色显色结构，所述第一颜色显示结构、所述第二颜色显色结构和所述第三颜色显色结构分别设置在所述第一颜色空穴阻挡结构、所述第二颜色空穴阻挡结构和所述第三颜色空穴阻挡结构远离所述第二共用层的一侧。
可选地，所述电致发光器件包括下述至少一项：
所述第二共用层包括依次层叠设置的第一空穴阻挡层、第一电子传输层、第一电荷产生层、第二电荷产生层和所述第二空穴传输层，所述第二空穴传输层设置在所述第二电荷产生层靠近所述显色层的一侧；
所述第三共用层包括第二空穴阻挡层、第二电子传输层和电子注入层，所述第二空穴阻挡层设置在所述第二电子传输层靠近所述显色层的一侧。
可选地，所述电致发光器件还包括基板、阳极层和阴极层，所述发光功能层设置在所述阳极层和所述阴极层之间，所述基板设置在所述阳极层远离所述发光功能层的一侧；
所述发光器件还包括依次层叠设置在所述阴极层远离所述发光功能层一侧的光学覆盖层和封装层。
第四个方面，本申请实施例提供了一种显示设备，包括第二个方面或第三个方面所述的电致发光器件。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：
空穴传输材料的分子结构沿第一方向的尺寸为a、沿第二方向的尺寸为b和沿第三方向的尺寸为c，其中a>b>c，且c与a的比值不大于0.6，即分子结构的高度与长度的比值不大于0.6，在这个范围内，能够利于分子结构更加扁平，能够有利于分子呈水平排列，进而有利于提高分子的纵向迁移率和降低分子的横向迁移率，从而能够利于改善或消除在通电时出现的电流的横向漂移的现象，横向漂移指的是电致发光器件的空穴传输层中的载流子(或空穴)在不同像素区域之间产生漂移。
通过设置材料的分子结构的HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital，最高占据分子轨道)与LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，最低未占分子轨道)的重叠程度不大于0.7，在这个重叠程度范围内，能够利于大大减少完全水平的分子发生横向串扰的几率或避免横向串扰，以及能够保证分子的迁移率。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为相关技术的空穴传输材料分子为无序排列方式的膜层结构示意图；
图2为相关技术的空穴传输材料分子为垂直排列方式的膜层结构示意图；
图3为本申请的空穴传输材料分子为水平排列方式的膜层结构示意图；
图4为本申请实施例提供的空穴传输材料的分子结构的尺寸示意图；
图5为本申请实施例提供的测试空穴传输层的电阻的膜层结构示意图；
图6为本申请实施例提供的一种电致发光器件的膜层结构示意图；
图7为本申请实施例提供的另一种电致发光器件的膜层结构示意图。
附图标记说明：
1-电致发光器件；10-发光功能层；11-阳极；12-空穴注入层；13-第一空穴传输层；14-第二空穴传输层；15-发光层；151-第一颜色发光结构；152-第二颜色发光结构；153-第三颜色发光结构；16-第二电子传输层；17-第一电子传输层；18-电子注入层；19-阴极；20-光取出层；
2-测试空穴注入层；21-测试阳电极；22-测试阴电极；
3-电致发光器件；31-基板；32-阳极层；33-发光功能层；331-第一共用层；3311-空穴注入层；3312-第一空穴传输层；332-电子阻挡层；333-辅助发光层；334-第二共用层；3341-第一空穴阻挡层；3342-第一电子传输层；3343-第一电荷产生层；3344-第二电荷产生层；3345-第二空穴传输层；335-空穴阻挡层；336-显色层；337-第三共用层；3371-第二空穴阻挡层；3372-第二电子传输层；3373-电子注入层；34-阴极层；35-光学覆盖层；36-封装层。
具体实施方式
下面结合本申请中的附图描述本申请的实施例。应理解，下面结合附图所阐述的实施方式，是用于解释本申请实施例的技术方案的示例性描述，对本申请实施例的技术方案不构成限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除实现为本技术领域所支持其他特征、信息、数据、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合等。这里使用的术语“和/或”指该术语所限定的项目中的至少一个，例如“A和/或B”可以实现为“A”，或者实现为“B”，或者实现为“A和B”。
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
本申请的研发思路包括：电致发光器件有自发光、广视角、短反应时间、高效率和广色域等特性而备受关注。电致发光器件是通过施加电流或电压施加到两个电极的主要表面，阴极和空穴被注入到发光功能层，负电子被注入到发光功能层中，当注入的空穴和电子相遇时，形成激子，激子下降到基态并发光。在这种情况下，用于发光功能层的材料可以分为空穴注入材料，空穴传输材料、发光材料、电荷传输材料和电荷注入材料等。
为了优化电压和载流子的注入，常常采用空穴传输(Hole-Transport,HT)材料的p型掺杂技术，即通过对HT材料的p型掺杂，构成空穴注入层，增加空穴从阳极的注入，增加迁移率以改善电致发光器件的电压。为节省生产成本，部分功能层采用共同层的形式以节约蒸镀掩膜版的数量；但是因为共同功能层的存在，在通电时会出现电流的横向漂移的现象，比如在低灰阶下，纯色的绿色像素工作时，会看到红色像素发光，由此导致颜色串扰的问题，即横向漂移指的是电致发光器件的空穴传输层中的载流子(或空穴)在不同像素区域之间产生漂移。
通过真空蒸镀空穴传输材料，分子沉积在基板上，分子的排列方式如图1和图2所示。如图1所示，分子为无序排列，在无序排列的方式下，分子可以纵向迁移，也可以横向迁移，造成纵向迁移率降低，不利于电荷传输。如图2所示，分子为垂直排列，在垂直排列的方式下，横向迁移率大于纵向迁移率，此情况下极易发生颜色串扰的情况。
需要说明的是，图2和图3中箭头表示分子迁移的主要方向。
本申请提供的一种空穴传输材料、电致发光器件及显示设备，旨在解决相关技术的如上技术问题。
下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。需要指出的是，下述实施方式之间可以相互参考、借鉴或结合，对于不同实施方式中相同的术语、相似的特征以及相似的实施步骤等，不再重复描述。
本申请实施例提供了一种空穴传输材料，该空穴传输材料的分子结构沿第一方向的尺寸为a、沿第二方向的尺寸为b和沿第三方向的尺寸为c，其中a>b>c，且c与a的比值不大于0.6；材料的分子结构的HOMO与LUMO的重叠程度不大于0.7，第一方向与第二方向在同一平面内且互相垂直，第三方向垂直于第一方向和第二方向。
如图3所示，空穴传输材料的分子为水平排列，在水平排列的方式下，分子的纵向迁移率大于横向迁移率，能够有利于电荷传输，所以本申请尽量使得分子水平排列。
需要说明的是，分子结构沿第一方向的尺寸代表该分子结构的长度，分子结构沿第二方向的尺寸代表该分子结构的宽度，分子结构沿第三方向的尺寸代表该分子结构的高度。
空穴传输材料的分子结构的长度、宽度和高度的定义如下，如图4所示：
Figure BDA0003756428440000081
在公式(1)中，I为转动惯量，m为空穴传输材料分子中原子的相对原子质量，x、y、z分别为空穴传输材料分子中原子对应的笛卡尔坐标。
通过公式(1)能够获得3*3矩阵的本征向量，本征向量对应分子的三个主轴，三个主轴彼此正交。将三个本征矢分别与笛卡尔坐标系中x轴、y轴、z轴对齐，即将两个坐标系重合，其中三个本征矢指的是公式1求得的本征向量。
在笛卡尔坐标系中，找到x坐标(即第一方向)中最小的原子，该原子减去其范德华半径，记为Xmin；找到x坐标中最大的原子，加上其范德华半径，记为Xmax，则第一方向的尺寸(该分子结构的长度a)为|Xmax-Xmin|，同理可求得第二方向的分子结构的尺寸，即分子结构的宽度b为|Ymax-Ymin|,以及第三方向的分子结构的尺寸，即分子结构的高度c为|Zmax-Zmin|。
本申请的空穴传输材料的分子结构沿第一方向的尺寸为a、沿第二方向的尺寸为b和沿第三方向的尺寸为c，其中a>b>c，且c与a的比值不大于0.6，即分子结构的高度与长度的比值不大于0.6，在这个范围内，能够利于分子结构更加扁平，能够有利于分子呈水平排列，进而有利于提高分子的纵向迁移率和降低分子的横向迁移率，从而能够利于改善或消除在通电时出现的电流的横向漂移的现象。
HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)表示已占有电子的能级最高的分子轨道；LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)表示未占有电子的能级最低的分子轨道，HOMO和LUMO统称为前线分子轨道。HOMO和LUMO重叠程度在一定程度上表征材料的分子结构的扭曲程度，扭曲程度越大表示分子的结构更立体，但是分子的载流子迁移率更低。以及在实际情况中，分子的排列不可能完全水平，完全水平的分子具有较大的纵向迁移率，但是完全水平的分子仍然会导致一定程度的横向串扰的问题，所以通过分子结构的扭曲来改善完全水平的分子发生横向串扰的现象。
本申请用密度泛函理论方法(Density Functional Theory，缩写为DFT)计算时，在泛函和基组部分设置参数为B3LYP/6-31G(d，p)，在此参数下获得分子的前线分子轨道的波函数，通过对波函数的HOMO和LUMO进行积分，得到分子的HUMO与LUMO的重叠程度，如下述公式(2)所示：
Figure BDA0003756428440000091
在公式(2)中，Overlap表示分子的HUMO与LUMO的重叠程度；
Figure BDA0003756428440000092
表示HOMO轨道的波函数，
Figure BDA0003756428440000093
表示LUMO轨道的波函数。
本申请通过设置材料的分子结构的HOMO与LUMO的重叠程度不大于0.7，在这个重叠程度范围内，能够利于改善完全水平的分子发生横向串扰的现象，以及能够保证分子的迁移率。
可选地，在5000平方厘米/伏迁移率的条件下，采用空间电荷受限电流法测得材料的载流子的迁移率不小于10-6平方厘米/(伏·秒)。
本实施例中，材料的载流子的迁移率不小于10-6平方厘米/(伏·秒)，载流子的迁移率在这个范围内能够保证分子在具有水平取向且没有横向串扰的情况下，有利于保证纵向迁移率不会因为大基团的引入而降低，从而能够保证材料分子具有一定的空穴传输能力，进而利于提高电致发光器件的发光效率。
可选地，空穴传输材料包括如下通式：
Figure BDA0003756428440000094
在通式中，X1-X4分别为CR1～CR4，其中R1～R4各自独立地为取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的杂芳基中任意一种；或者，R1和R2通过直接键或其它基团键合成环，R3和R4通过直接键或其它基团键合成环。
本实施例中，空穴传输材料的分子结构更加扁平，能够有利于分子呈水平排列，进而利于提高分子的纵向迁移率和降低分子的横向迁移率，从而能够利于改善或消除在通电时出现的电流的横向漂移的现象。
可选地，其它基团包括氧原子和硫原子中任意一种。
可选地，本申请实施例中的空穴传输材料包括如下任意一种：
Figure BDA0003756428440000101
需要说明的是，o代表氧原子，s代表硫原子。
可选地，本申请实施例中的空穴传输材料还包括如下任意一种化合物：
Figure BDA0003756428440000102
下面以具体实施例说明本申请的空穴传输材料的性能。
如表1所示为实施例1、实施例2、对比例1、对比例2和对比例3的空穴传输材料的分子结构。
表1
Figure BDA0003756428440000103
Figure BDA0003756428440000111
将实施例1、实施例2、对比例1、对比例2和对比例3的材料掺杂3％的P型掺杂剂形成不同的测试空穴注入层2。分别对实施例1、实施例2、对比例1、对比例2和对比例3各自不同的测试空穴注入层2两侧的测试阳电极21和测试阴电极22，施加10V电压，进行横向电阻测试，如图5所示为对测试空穴注入层2进行电阻测试的膜层结构示意图。
分别测试实施例1、实施例2、对比例1、对比例2和对比例3的材料的分子结构的第三方向的尺寸与第一方向的尺寸的比值(H)。
在5000平方厘米/伏迁移率的条件下，采用空间电荷受限电流法分别测量实施例1、实施例2、对比例1、对比例2和对比例3分子结构的HOMO与LUMO的重叠程度(Overlap)。
以及迁移率的条件为：在5000平方厘米/伏迁移率的条件下，采用空间电荷受限电流法测得材料的载流子的迁移率应该不小于10-6平方厘米/(伏·秒)
以上结果见表2所示。
表2
Figure BDA0003756428440000121
通过表2可知，对比例1和对比例2的分子结构的HOMO与LUMO的重叠程度较高，以及对比例1和对比例2的横向电流较大，由此导致对比例1和对比例2的横向电阻较小，从而导致对比例1和对比例2容易发生横向串扰的问题。
通过表2可知，对比例3的横向电阻较大，第三方向的尺寸与第一方向的尺寸的比值小于6，而且分子结构的HOMO与LUMO的重叠程度不大于0.7，但是对比例3不满足迁移率条件，使用对比例3的电致发光器件的迁移率较低，影响发光效率。
通过表2可知，实施例1和实施例2的横向电阻均较小，第三方向的尺寸与第一方向的尺寸的比值小于6，而且分子结构的HOMO与LUMO的重叠程度不大于0.7，以及实施例1和实施例2也满足迁移率条件，即实施例1和实施例2具备较高的横向电阻的同时，满足合适的迁移率，使用实施例1和实施例2的电致发光器件的发光效率较高。
基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种电致发光器件1，如图6所示，包括发光功能层10，发光功能层10包括空穴注入层12和设置在空穴注入层12一侧的空穴传输层，空穴传输层包括上述实施例提供的空穴传输材料，空穴注入层12包括掺杂P型掺杂剂的上述实施例提供的空穴传输材料。
本实施例中，电致发光器件1包括有机电致发光器件，空穴传输材料的分子结构扁平度较高，能够有利于分子结构水平排列，能够有利于提升纵向迁移率和降低横向迁移率。
可选地，P型掺杂剂包括如下化合物任意一种：
Figure BDA0003756428440000131
需要说明的是，上述两个P型掺杂剂中F代表氟原子，CN-代表氰基。
可选地，发光功能层10还包括发光层15，发光层15设置在空穴传输层远离空穴注入层12的一侧，发光层15包括第一颜色发光结构151、第二颜色发光结构152和第三颜色发光结构153。
本实施例中，第一颜色发光结构151、第二颜色发光结构152和第三颜色发光结构153为同层设置，能够利于减小掩膜次数，进而降低成本。
需要说明的是，第一颜色发光结构151、第二颜色发光结构152和第三颜色发光结构153的颜色可以分别是红色、绿色和蓝色，或者可以分别是品红、黄和青。第一颜色发光结构151、第二颜色发光结构152和第三颜色发光结构153的颜色只要满足三原色的原理即可。
可选地，空穴传输层包括层叠设置的第一空穴传输层13和第二空穴传输层14，第二空穴传输层14设置在第一空穴传输层13靠近发光层15的一侧。第二空穴传输层14包括第一空穴传输结构、第二空穴传输结构和第三空穴传输结构，第一颜色发光结构151、第二颜色发光结构152和第三颜色发光结构153分别设置于第一空穴传输结构、第二空穴传输结构和第三空穴传输结构远离第一空穴传输层13的一侧。
本实施例中，第一空穴传输结构、第二空穴传输结构和第三空穴传输结构分别与第一颜色发光结构151、第二颜色发光结构152和第三颜色发光结构153对应设置，第一空穴传输层13包括上述实施例提供的空穴传输材料。
可选地，发光功能层10还包括电子传输层和电子注入层18，电子传输层设置在电子注入层18靠近发光层的一侧。可选地，电子传输层包括第一电子传输层17和第二电子传输层16，第一电子传输层17设置在第二电子传输层16远离发光层15的一侧。
可选地，电致发光器件1还包括阳极11和阴极19，发光功能层10设置在阳极11和阴极19之间。空穴注入层12靠近阳极11。
可选地，电致发光器件1还包括光取出层20，光取出层20设置在阴极19远离发光功能层10的一侧。
基于同一发明构思，本申请实施例提供了另一种电致电致发光器件3，如图7所示，电致电致发光器件3包括发光功能层33，发光功能层33包括依次层叠设置的第一共用层331、辅助发光层333、第二共用层334、显色层336和第三共用层337；第一共用层331包括第一空穴传输层3312，第一空穴传输层3312包括如第一个方面所述的空穴传输材料；第二共用层334包括第二空穴传输层3345，第二空穴传输层3345包括如上述实施例提供的空穴传输材料。
本实施例中，电致发光器件3包括有机电致发光器件，空穴传输材料的分子结构扁平度较高，能够有利于分子结构水平排列，能够有利于提升纵向迁移率和降低横向迁移率。
可选地，第一共用层331还包括空穴注入层3311，空穴注入层3311设置在第一空穴传输层3312远离辅助发光层333的一侧，空穴注入层3311包括掺杂P型掺杂剂上述实施例提供的如空穴传输材料。
可选地，第一空穴传输层3312靠近辅助发光层333的一侧设置电子阻挡层332，电子阻挡层332包括第一颜色电子阻挡结构、第二颜色电子阻挡结构和第三颜色电子阻挡结构；辅助发光层333包括第一颜色辅助发光结构、第二颜色辅助发光结构和第三颜色辅助发光结构，第一颜色辅助发光结构、第二颜色辅助发光结构和第三颜色辅助发光结构分别设置在第一颜色电子阻挡结构、第二颜色电子阻挡结构和第三颜色电子阻挡结构远离所述第一空穴传输层3312的一侧。
可选地，第二共用层334与显色层336之间设置空穴阻挡层335，空穴阻挡层335包括第一颜色空穴阻挡结构、第二颜色空穴阻挡结构和第三颜色空穴阻挡结构；显色层336包括第一颜色显示结构、第二颜色显色结构和第三颜色显色结构，第一颜色显示结构、第二颜色显色结构和第三颜色显色结构分别设置在第一颜色空穴阻挡结构、第二颜色空穴阻挡结构和第三颜色空穴阻挡结构远离第二共用层334的一侧。
可选地，第二共用层334包括依次层叠设置的第一空穴阻挡层3341、第一电子传输层3342、第一电荷产生层3343、第二电荷产生层3344和第二空穴传输层3345，第二空穴传输层3345设置在第二电荷产生层3344靠近所述显色层336的一侧。
可选地，第三共用层337包括第二空穴阻挡层3371、第二电子传输层3372和电子注入层3373，第二空穴阻挡层3371设置在第二电子传输层3372靠近显色层336的一侧。
可选地，电致发光器件3还包括基板31、阳极层32和阴极层34，发光功能层33设置在阳极层32和阴极层34之间，基板31设置在阳极层32远离发光功能层33的一侧；电致发光器件3还包括依次层叠设置在阴极层34远离发光功能层33一侧的光学覆盖层35和封装层36。
基于同一发明构思，本申请实施例提供一种显示设备，包括上述实施例提供的电致发光器件1或电致发光器件3。
本实施例中，显示设备包括上述实施例提供的电致发光器件1或电致发光器件3，所以显示设备的有益效果也包括电致发光器件1或电致发光器件3的有益效果，此处不再赘述。
应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：
1.本申请实施例提供的空穴传输材料的分子结构沿第一方向的尺寸为a、沿第二方向的尺寸为b和沿第三方向的尺寸为c，其中a>b>c，且c与a的比值不大于0.6，即分子结构的高度与长度的比值不大于0.6，在这个范围内，能够利于分子结构更加扁平，能够有利于分子呈水平排列，进而有利于提高分子的纵向迁移率和降低分子的横向迁移率，从而能够利于改善或消除在通电时出现的电流的横向漂移的现象。
2.本申请实施例提供的材料的分子结构的HOMO与LUMO的重叠程度不大于0.7，在这个重叠程度范围内，能够利于改善完全水平的分子发生横向串扰的现象，以及能够保证分子的迁移率。
3.本申请实施例提供的材料的载流子的迁移率不小于10-6平方厘米/(伏·秒)，载流子的迁移率在这个范围内能够保证分子在具有水平取向且没有横向串扰的情况下，有利于保证纵向迁移率不会因为大基团的引入而降低，从而能够保证材料分子具有一定的空穴传输能力，进而利于提高电致发光器件的发光效率。
4.本申请实施例提供的通式中，X1-X4分别为CR1～CR4，其中R1～R4各自独立地为取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的杂芳基中任意一种；或者，R1和R2通过直接键或其它基团键合成环，R3和R4通过直接键或其它基团键合成环，具备此通式的空穴传输材料的分子结构更加扁平，能够有利于分子呈水平排列，进而利于提高分子的纵向迁移率和降低分子的横向迁移率，从而能够利于改善或消除在通电时出现的电流的横向漂移的现象。
本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，相关技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
在本申请的描述中，词语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系，为基于附图所示的示例性的方向或位置关系，是为了便于描述或简化描述本申请的实施例，而不是指示或暗示所指的装置或部件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤的实施顺序并不受限于箭头所指示的顺序。除非本文中有明确的说明，否则在本申请实施例的一些实施场景中，各流程中的步骤可以按照需求以其他的顺序执行。而且，各流程图中的部分或全部步骤基于实际的实施场景，可以包括多个子步骤或者多个阶段。这些子步骤或者阶段中的部分或全部可以在同一时刻被执行，也可以在不同的时刻被执行在执行时刻不同的场景下，这些子步骤或者阶段的执行顺序可以根据需求灵活配置，本申请实施例对此不限制。
以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请的方案技术构思的前提下，采用基于本申请技术思想的其他类似实施手段，同样属于本申请实施例的保护范畴。

Claims (16)

1.一种空穴传输材料，其特征在于，所述空穴传输材料的分子结构沿第一方向的尺寸为a、沿第二方向的尺寸为b和沿第三方向的尺寸为c，其中a>b>c，且c与a的比值不大于0.6；所述材料的分子结构的HOMO与LUMO的重叠程度不大于0.7，所述第一方向与所述第二方向共面且互相垂直，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向。
2.根据权利要求1所述的空穴传输材料，其特征在于，在5000平方厘米/伏迁移率的条件下，采用空间电荷受限电流法测得所述材料的载流子的迁移率不小于10-6平方厘米每伏每秒。
3.根据权利要求1或2所述的空穴传输材料，其特征在于，包括如下通式：
Figure FDA0003756428430000011
所述通式中，X1-X4分别为CR1～CR4，其中R1～R4各自独立地为取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的杂芳基中任意一种；或者，所述R1和所述R2通过直接键或其它基团键合成环，所述R3和所述R4通过直接键或其它基团键合成环。
4.根据权利要求3所述的空穴传输材料，其特征在于，所述其它基团包括氧原子和硫原子中任意一种。
5.根据权利要求4所述的空穴传输材料，其特征在于，所述空穴传输材料包括如下任意一种：
Figure FDA0003756428430000021
6.一种电致发光器件，其特征在于，包括发光功能层，所述发光功能层包括空穴注入层和设置在所述空穴注入层一侧的空穴传输层，所述空穴传输层包括如权利要求1-5中任一所述的空穴传输材料，所述空穴注入层包括掺杂P型掺杂剂的如权利要求1-5中任一所述的空穴传输材料。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述P型掺杂剂包括如下化合物任意一种：
Figure FDA0003756428430000022
8.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述发光功能层还包括发光层，所述发光层设置在所述空穴传输层远离所述空穴注入层的一侧，所述发光层包括第一颜色发光结构、第二颜色发光结构和第三颜色发光结构。
9.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述空穴传输层包括层叠设置的第一空穴传输层和第二空穴传输层，所述第二空穴传输层设置在所述第一空穴传输层靠近所述发光层的一侧；
所述第二空穴传输层包括第一空穴传输结构、第二空穴传输结构和第三传输结构；所述第一颜色发光结构、所述第二颜色发光结构、所述第三颜色发光结构分别设置于所述第一传输结构、所述第二空穴传输结构、所述第三空穴传输结构远离所述第一空穴传输层的一侧。
10.一种电致发光器件，其特征在于，包括发光功能层，所述发光功能层包括依次层叠设置的第一共用层、辅助发光层、第二共用层、显色层和第三共用层；所述第一共用层包括第一空穴传输层，所述第一空穴传输层包括如权利要求1-5中任一所述的空穴传输材料；所述第二共用层包括第二空穴传输层，所述第二空穴传输层包括如权利要求1-5中任一所述的空穴传输材料。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其特征在于，所述第一共用层还包括空穴注入层，所述空穴注入层设置在所述第一空穴传输层远离所述辅助发光层的一侧，所述空穴注入层包括掺杂P型掺杂剂的如权利要求1-5中任一所述的空穴传输材料。
12.根据权利要求10所述的发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输层靠近所述辅助发光层的一侧设置电子阻挡层，所述电子阻挡层包括第一颜色电子阻挡结构、第二颜色电子阻挡结构和第三颜色电子阻挡结构；
所述辅助发光层包括第一颜色辅助发光结构、第二颜色辅助发光结构和第三颜色辅助发光结构，所述第一颜色辅助发光结构、所述第二颜色辅助发光结构和所述第三颜色辅助发光结构分别设置在所述第一颜色电子阻挡结构、所述第二颜色电子阻挡结构和所述第三颜色电子阻挡结构远离所述第一空穴传输层的一侧。
13.根据权利要求10所述的发光器件，其特征在于，所述第二共用层与所述显色层之间设置空穴阻挡层，所述空穴阻挡层包括第一颜色空穴阻挡结构、第二颜色空穴阻挡结构和第三颜色空穴阻挡结构；
所述显色层包括第一颜色显示结构、第二颜色显色结构和第三颜色显色结构，所述第一颜色显示结构、所述第二颜色显色结构和所述第三颜色显色结构分别设置在所述第一颜色空穴阻挡结构、所述第二颜色空穴阻挡结构和所述第三颜色空穴阻挡结构远离所述第二共用层的一侧。
14.根据权利要求10所述的发光器件，其特征在于，包括下述至少一项：
所述第二共用层包括依次层叠设置的第一空穴阻挡层、第一电子传输层、第一电荷产生层、第二电荷产生层和所述第二空穴传输层，所述第二空穴传输层设置在所述第二电荷产生层靠近所述显色层的一侧；
所述第三共用层包括第二空穴阻挡层、第二电子传输层和电子注入层，所述第二空穴阻挡层设置在所述第二电子传输层靠近所述显色层的一侧。
15.根据权利要求10所述的发光器件，其特征在于，还包括基板、阳极层和阴极层，所述发光功能层设置在所述阳极层和所述阴极层之间，所述基板设置在所述阳极层远离所述发光功能层的一侧；
所述发光器件还包括依次层叠设置在所述阴极层远离所述发光功能层一侧的光学覆盖层和封装层。
16.一种显示设备，其特征在于，包括如权利要求6-9中任一项或者10-15中任一项所述的电致发光器件。
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