CN115213809A - 晶片研磨方法 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种晶片研磨方法。晶片研磨方法包括以下依次进行的步骤：S1：从晶片的表面开始，使得研磨轮的工作面对所述晶片向下研磨第一厚度d1，所述晶片在第一厚度位置处形成在前研磨面；S2：使得所述研磨轮的工作面抬起离开所述晶片的在前研磨面，使用冲洗液冲洗所述研磨轮的工作面；S3：使得所述研磨轮下降，所述研磨轮的工作面从所述晶片的所述在前研磨面位置处继续向下研磨第二厚度d2，使得所述晶片形成在后研磨面；S4：重复循环n次所述步骤S2和S3，直至对所述晶片的总研磨厚度d达到预设阈值。本申请提供的晶片研磨方法，可以解决相关技术中出现碎屑堵塞研磨轮齿缝的问题，不利于后续的研磨进程的问题。
Description
技术领域
本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种晶片研磨方法。
背景技术
随着IC技术的进步日新月异的发展，对芯片的集成度、速度和可靠性的要求越来越高，这便要求芯片要更小更薄。同时为了降低单颗芯片的生产成本及更好的产品性能控制考虑，越来越多的芯片类型开始采用12寸的硅片进行生产。
12寸晶圆背面减薄技术在功率器件领域的典型工艺为太鼓(Taiko)减薄工艺，对IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)等功率器件，在研磨时要求晶片的总厚度变化较小，因此要求晶片在研磨时具有较小的倾斜程度，使得研磨产生的碎屑被太鼓环阻挡更难以排除，进而出现碎屑堵塞研磨轮齿缝的问题，不利于后续的研磨进程。
发明内容
本申请提供了一种晶片研磨方法，可以解决相关技术中出现碎屑堵塞研磨轮齿缝的问题，不利于后续的研磨进程的问题。
为了解决背景技术中所述的技术问题，本申请提供一种晶片研磨方法，所述晶片研磨方法包括以下依次进行的步骤：
S1：从晶片的表面开始，使得研磨轮的工作面对所述晶片向下研磨第一厚度d1，所述晶片在第一厚度位置处形成在前研磨面；
S2：使得所述研磨轮的工作面抬起离开所述晶片的在前研磨面，使用冲洗液冲洗所述研磨轮的工作面；
S3：使得所述研磨轮下降，所述研磨轮的工作面从所述晶片的所述在前研磨面位置处继续向下研磨第二厚度d2，使得所述晶片形成在后研磨面；
S4：重复循环n次所述步骤S2和S3，直至对所述晶片的总研磨厚度d达到预设阈值。
可选地，所述第一厚度d1与n个第二厚度d2之和等于所述总研磨厚度d。
可选地，所述步骤S1：从晶片的表面开始，使得研磨轮的工作面对所述晶片向下研磨第一厚度d1，所述晶片在第一厚度位置处形成在前研磨面中的第一厚度d1范围为40微米至60微米。
可选地，所述步骤S2：使得所述研磨轮的工作面抬起离开所述晶片的在前研磨面，包括：
使得所述研磨轮的工作面抬起离开所述晶片的在前研磨面第一高度；
使用冲洗液冲洗所述研磨轮的工作面。
可选地，所述步骤使得所述研磨轮的工作面抬起离开所述晶片的在前研磨面第一高度中，所述第一高度的范围为8微米至15微米。
可选地，所述步骤S3：使得所述研磨轮下降，所述研磨轮的工作面从所述晶片的所述在前研磨面位置处继续向下研磨第二厚度d2，使得所述晶片形成在后研磨面中的第二厚度d2的范围为8微米至15微米。
可选地，所述步骤S4：重复循环n次所述步骤S2和S3，直至对所述晶片的总研磨厚度d达到预设阈值中，总研磨厚度d大于100微米。
本申请技术方案，至少包括如下优点：本实施例使得研磨轮的工作面先下降，对所述晶片向下研磨第一厚度后形成研磨面；然后在研磨轮的工作面对所述晶片向下研磨第一厚度后，研磨轮的工作面抬起离开该在前研磨面一定高度以便冲洗液冲洗该研磨轮的工作面；研磨轮的工作面再向下研磨第二厚度，如此往复循环直至研磨至所需厚度，能够包保证晶片在研磨时具有较小的倾斜程度的同时及时排出研磨轮齿缝中以及位于研磨面上的碎屑，保证晶片的总厚度变化较小的同时利于后续的研磨进程。
附图说明
为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了本申请一实施例提供的晶片研磨方法流程图；
图2a示出了步骤S1完成后的示意图；
图2b示出了在图2a所示示意图的基础上，研磨轮抬起后的示意图；
图2c示出了步骤S3完成后的示意图；
图3示出了步骤S4完成后的研磨轮工作路线图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
参照图1，其示出了本申请一实施例提供的晶片研磨方法流程图，从图1中可以看出，该晶片研磨方法包括以下依次进行的步骤S1至步骤S4：
步骤S1：从晶片的表面开始，使得研磨轮的工作面对所述晶片向下研磨第一厚度d1，所述晶片在第一厚度位置处形成在前研磨面。
参照图2a，其示出了步骤S1完成后的示意图。从图2a中可以看出，该研磨轮210的工作面211对所述晶片200向下研磨第一厚度d1后形成研磨面，该研磨面为步骤S1中所述的在前研磨面201。
可选地，从晶片的表面开始，使得研磨轮的工作面对所述晶片向下研磨第一厚度d1，所述晶片在第一厚度位置处形成在前研磨面中的第一厚度d1范围为40微米至60微米。
步骤S2：使得所述研磨轮的工作面抬起离开所述晶片的在前研磨面，使用冲洗液冲洗所述研磨轮的工作面。
其中，步骤S2包括以下步骤S21和步骤S22：
步骤S21：使得所述研磨轮的工作面抬起离开所述晶片的在前研磨面第一高度。
该第一高度的范围为8微米至15微米。
步骤S22：使用冲洗液冲洗所述研磨轮的工作面。
参照图2b，其示出了在图2a所示示意图的基础上，研磨轮抬起后的示意图，从图2b中可以看出，在研磨轮210的工作面211对所述晶片200向下研磨第一厚度d1后形成在前研磨面201后，研磨轮210的工作面211抬起离开该在前研磨面201一定高度。然后再使用冲洗液冲洗该研磨轮210的工作面211，以使得堵塞在研磨轮210工作面211齿缝中的碎屑被清除。
步骤S3:使得所述研磨轮下降，所述研磨轮的工作面从所述晶片的所述在前研磨面位置处继续向下研磨第二厚度d2，使得所述晶片形成在后研磨面。
参照图2c，其示出了步骤S3完成后的示意图。从图2c中可以看出，研磨轮210的工作面211从图2b所示的位置处下降，且在与图2b所示的在前研磨面201接触后，继续向下研磨从晶片200的在前研磨面201位置处向下研磨第二厚度d2，研磨完成后形成图2c所示的在后研磨面202。
其中，使得所述研磨轮下降，所述研磨轮的工作面从所述晶片的所述在前研磨面位置处继续向下研磨第二厚度d2，使得所述晶片形成在后研磨面中的第二厚度d2的范围为8微米至15微米。
步骤S4：重复循环n次所述步骤S2和S3，直至对所述晶片的总研磨厚度d达到预设阈值。
参照图3，其示出了步骤S4完成后的研磨轮工作路线图，从图3中可以看出，该研磨轮210的工作面211先下降，对所述晶片200向下研磨第一厚度d1后形成研磨面；然后在研磨轮210的工作面211对所述晶片200向下研磨第一厚度d1后，研磨轮210的工作面211抬起离开该在前研磨面201一定高度以便冲洗液冲洗该研磨轮210的工作面211；研磨轮210的工作面211再向下研磨第二厚度d2，如此往复循环n次直至对所述晶片的总研磨厚度d达到预设阈值。
其中，第一厚度d1与n个第二厚度d2之和等于所述总研磨厚度d。
另外，重复循环n次所述步骤S2和S3，直至对所述晶片的总研磨厚度d达到预设阈值中，总研磨厚度d大于100微米。
由以上可以看出，本实施例使得研磨轮的工作面先下降，对所述晶片向下研磨第一厚度后形成研磨面；然后在研磨轮的工作面对所述晶片向下研磨第一厚度后，研磨轮的工作面抬起离开该在前研磨面一定高度以便冲洗液冲洗该研磨轮的工作面；研磨轮的工作面再向下研磨第二厚度，如此往复循环直至研磨至所需厚度，能够包保证晶片在研磨时具有较小的倾斜程度的同时及时排出研磨轮齿缝中以及位于研磨面上的碎屑，保证晶片的总厚度变化较小的同时利于后续的研磨进程。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请创造的保护范围之中。
Claims (7)
1.一种晶片研磨方法，其特征在于，所述晶片研磨方法包括以下依次进行的步骤：
S1：从晶片的表面开始，使得研磨轮的工作面对所述晶片向下研磨第一厚度d1，所述晶片在第一厚度位置处形成在前研磨面；
S2：使得所述研磨轮的工作面抬起离开所述晶片的在前研磨面，使用冲洗液冲洗所述研磨轮的工作面；
S3：使得所述研磨轮下降，所述研磨轮的工作面从所述晶片的所述在前研磨面位置处继续向下研磨第二厚度d2，使得所述晶片形成在后研磨面；
S4：重复循环n次所述步骤S2和S3，直至对所述晶片的总研磨厚度d达到预设阈值。
2.如权利要求1所述的晶片研磨方法，其特征在于，所述第一厚度d1与n个第二厚度d2之和等于所述总研磨厚度d。
3.如权利要求1所述的晶片研磨方法，其特征在于，所述步骤S1：从晶片的表面开始，使得研磨轮的工作面对所述晶片向下研磨第一厚度d1，所述晶片在第一厚度位置处形成在前研磨面中的第一厚度d1范围为40微米至60微米。
4.如权利要求1所述的晶片研磨方法，其特征在于，所述步骤S2：使得所述研磨轮的工作面抬起离开所述晶片的在前研磨面，包括：
使得所述研磨轮的工作面抬起离开所述晶片的在前研磨面第一高度；
使用冲洗液冲洗所述研磨轮的工作面。
5.如权利要求4所述的晶片研磨方法，其特征在于，所述步骤使得所述研磨轮的工作面抬起离开所述晶片的在前研磨面第一高度中，所述第一高度的范围为8微米至15微米。
6.如权利要求1所述的晶片研磨方法，其特征在于，所述步骤S3：使得所述研磨轮下降，所述研磨轮的工作面从所述晶片的所述在前研磨面位置处继续向下研磨第二厚度d2，使得所述晶片形成在后研磨面中的第二厚度d2的范围为8微米至15微米。
7.如权利要求1所述的晶片研磨方法，其特征在于，所述步骤S4：重复循环n次所述步骤S2和S3，直至对所述晶片的总研磨厚度d达到预设阈值中，总研磨厚度d大于100微米。
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| CN (1) | CN115213809A (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101817162A (zh) * | 2004-01-26 | 2010-09-01 | Tbw工业有限公司 | 用于化学机械平面化的多步骤、原位垫修整系统 |
| CN204523079U (zh) * | 2015-04-01 | 2015-08-05 | 盐城九星粮食工业发展有限公司 | 石磨磨面粉装置 |
| CN206010720U (zh) * | 2016-07-27 | 2017-03-15 | 陕西彩虹电子玻璃有限公司 | 一种玻璃基板研磨时磨轮槽清洗装置 |
| CN206425965U (zh) * | 2017-01-25 | 2017-08-22 | 芜湖东旭光电科技有限公司 | 玻璃基板研磨机构 |
| CN110355683A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-10-22 | 和县华安玻璃制品有限公司 | 一种玻璃研磨清洗设备 |
| CN209754878U (zh) * | 2019-04-28 | 2019-12-10 | 青岛嘉星晶电科技股份有限公司 | 双面研磨机研磨盘面清洁装置 |
| CN113500516A (zh) * | 2021-07-13 | 2021-10-15 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种研磨装置的清洗方法及系统 |
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2022
- 2022-07-25 CN CN202210874903.7A patent/CN115213809A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101817162A (zh) * | 2004-01-26 | 2010-09-01 | Tbw工业有限公司 | 用于化学机械平面化的多步骤、原位垫修整系统 |
| CN204523079U (zh) * | 2015-04-01 | 2015-08-05 | 盐城九星粮食工业发展有限公司 | 石磨磨面粉装置 |
| CN206010720U (zh) * | 2016-07-27 | 2017-03-15 | 陕西彩虹电子玻璃有限公司 | 一种玻璃基板研磨时磨轮槽清洗装置 |
| CN206425965U (zh) * | 2017-01-25 | 2017-08-22 | 芜湖东旭光电科技有限公司 | 玻璃基板研磨机构 |
| CN209754878U (zh) * | 2019-04-28 | 2019-12-10 | 青岛嘉星晶电科技股份有限公司 | 双面研磨机研磨盘面清洁装置 |
| CN110355683A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-10-22 | 和县华安玻璃制品有限公司 | 一种玻璃研磨清洗设备 |
| CN113500516A (zh) * | 2021-07-13 | 2021-10-15 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种研磨装置的清洗方法及系统 |
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