CN115203759B - 一种密钥销毁电路 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种密钥销毁电路，包括：销毁电源、继电器、防反灌电路、熔断器、存储器、电源保护电路和存储器电源，适用于系统中存在单路或多路存储器，销毁电源和系统电源独立，且销毁电源只有在存储器需要紧急销毁时才会启动供电的系统。该电路结构简洁，有效降低了密钥销毁电路的实现成本，减小了密钥销毁电路的体积和复杂度，提高了密钥销毁电路的可靠性。

Description

一种密钥销毁电路
技术领域
本发明涉及计算机安全技术领域，具体涉及一种密钥销毁电路。
背景技术
随着信息技术的快速发展，无论军用或民用领域，越来越多的民用设备或军用装备中使用大容量存储器进行数据存储，而存储的数据很多时候涉及到秘密数据，当数据遇到紧急情况时就需要对存储介质进行紧急擦除软件销毁或物理损坏硬销毁。
软件销毁主要采用软件进行数据擦除或格式化，该销毁方法需要的时间随着物理介质容量的增加而增加，销毁时间较长；同时软件或电路运行不稳定时，容易造成销毁不彻底。硬销毁采用过压击穿或高压烧毁电路，但物理销毁电路一般都设计两种电源，采用工作电源进行销毁电路控制，销毁电源进行存储介质销毁。
现有技术中，往往电路设计复杂，需要销毁控制电路和执行电路；成本高，需要增加单独控制器或者需要增加隔离电路设计；控制器启动需要软件参与，可靠性需要软硬件的结合设计。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种低成本高可靠性密钥销毁电路，适用于销毁电源和系统电源独立，且销毁电源只有在存储器需要紧急销毁时才会启动供电的系统。
本公开提供的低成本高可靠性密钥销毁电路，包括：
销毁电源、熔断器、存储器、电源保护电路和存储器电源，其中：
所述销毁电源依次连接相互串联的熔断器和存储器，用于当遇到紧急情况时对存储器进行电气硬销毁；
正常情况下存储器由对应的存储器电源经过电源保护电路为其供电；
熔断器用于当销毁电源工作时，当存储器销毁失效出现短路的情况时及时熔断，进而保护销毁电源不会损坏；
电源保护电路用于当销毁电源工作时，防止销毁电源流入存储器电源，导致存储器电源损坏。
进一步地，所述销毁电路还包括：继电器，销毁电源通过继电器依次连接相互串联的熔断器和存储器。
进一步地，当系统中有多路存储器及存储器电源时，所述销毁电路还包括防反灌电路：
防反灌电路与熔断器和存储器依次串联，组成一条电路分支；销毁电源经继电器，连接相互并联的多条防反灌电路分支；各条分支电路对应各自的存储器电源；
防反灌电路用于在非销毁状态下，防止多个存储器电源之间通过继电器端形成回路，造成多路存储器电源之间相互反灌，导致存储器损坏。
进一步地，所述销毁电源由存储器系统外部提供，存储器电源为系统内部为存储器提供的工作电源。
进一步地，所述防反灌电路由任意具有单向导通功能的二极管实现。
进一步地，所述电源保护电路用MOSFET或二极管实现。
与现有技术相比，本公开的有益效果是：①有效降低了密钥销毁电路的实现成本；②减小了密钥销毁电路的体积和复杂度；③提高了密钥销毁电路的可靠性。
附图说明
图1为根据本公开的一种示例性实施例总体结构示意图。
图2为根据本公开的一种示例性实施例电路结构图。
具体实施方式
下面结合附图并举实施例，对本发明进行详细描述。
本发明提供了一种低成本高可靠密钥销毁电路。适用于销毁电源和系统电源独立，且销毁电源只有在存储器需要紧急销毁时才会启动供电的系统。该电路可应用在系统中存在单路或多路存储器的情况下。
一种实施方式下的总体结构如附图1所示，包括：销毁电源、继电器、防反灌电路、熔断器、存储器、电源保护电路和存储器电源，其中毁钥电源一般由存储器系统外部提供，存储器适合各种类型存储器，如SSD、FLASH等物理存储器。存储器电源为系统内部为存储器提供的工作电源。
当存储系统遇到紧急情况需要对存储器进行电气硬销毁时，销毁电源启动开始工作，控制继电器打开，将销毁电源引入存储系统，销毁电源经过防反灌电路和熔断器进入存储器；防反灌电路主要用在多存储器应用情况下，防止销毁电源不工作时，多个不同存储器电源之间通过继电器端形成回路，造成多路存储器电源之间相互反灌，导致存储器非销毁状态下损坏；熔断器作用是当销毁电源工作时，当存储器销毁失效出现短路的情况时，可以及时熔断，进而保护销毁电源不会损坏，或者避免销毁电源电压被拉低，导致无法将其他存储器有效销毁。电路正常工作时，存储器电源经过电源保护电路进入存储器，使存储器正常工作，当销毁电源工作时，电源保护电路用于保护销毁电源不会流入存储器电源，导致存储器电源损坏。
当板上空间有限时，继电器可以省略，销毁电源与系统直接相连。
当系统中只有一路存储器和一路存储器电源时，防反灌电路可以省略，销毁电源可以直接接入熔断器。
防反灌电路可以用任意具有单向导通功能的二极管实现；电源保护电路可以用MOSFET实现或二极管实现。
附图2给出了一种实施方式下的电路示意图。
图中包括：继电器、防反灌保护二极管、熔断电阻器、低压差P沟道 MOSFET、存储器。其中J1为电磁继电器，D1和Dn为防反灌保护二极管，RN1和RNn为熔断电阻器，Q1和Qn是低压差P沟道 MOSFET，U1和Un是第1路存储器和第n路存储器。
VCC28_HY是外部毁钥电源，一般为28V；VCC_FLASH1和VCC_FLASHn为第1路存储器供电电源和第n路存储器供电电源；GND_FLASH为存储器的电源地；GND为系统正常工作电源地；GND_HY为毁钥电源回流地；R0为限流电阻，主要作用为保护继电器在外部毁钥电源VCC_HY开启时不会损坏电磁继电器；J1为继电器，其中3脚和5脚、6脚和8脚默认为常闭状态，即电磁继电器不工作时，3脚和5脚、6脚和8脚为导通状态，3脚和4脚、7脚和8脚为常开状态，即电磁继电器工作时，3脚和5脚、6脚和8脚变为断开状态，3脚和4脚、7脚和8脚变为闭合导通状态；D1和Dn为防反灌保护二极管，主要作用为当电路中存在多个存储器，且存储器供电电压不同时，防止各存储器电源反灌，起保护作用，当电路中只有1路存储器时该保护二极管可不用；RN1和RNn为第1路存储器和第n路存储器电路上的熔断电阻器，当存储器烧毁时，可快速熔断，避免毁钥电源发生短路，损坏毁钥电源或将毁钥电源电压拉低，从而使其他存储器不能有效烧毁；Q1和Qn为低压差P沟道 MOSFET，毁钥电源不工作时，VCC_FLASH1和VCC_FLASHn分别流过第1路MOSFET Q1和第n路P沟道 MOSFET Qn，为存储器正常供电；R1和Rn为MOSFET栅极输入配置电阻，通过不同的外部输入，使MOSFET工作在预定的工作状态；U1和Un是第1路和第n路存储器。
第1路存储器U1和第n路存储器Un工作状态一致，因此只分析第1路存储器U1的工作和烧毁状态。当设备正常工作时，毁钥电源VCC28V_HY不加电，J1继电器工作在3脚和5脚、6脚和8脚闭合状态，存储器U1供电地GND_FLASH和系统供电地GND导通供地，存储器U1供电电源VCC_FLASH1经过MOSFET Q1体内二极管向存储器U1进行供电，且MOSFET Q1的栅极（1脚）电压为0，MOSFET Q1导通，存储器U1正常工作，同时由于防反灌二极管D1反相截止，因此存储器U1电源VCC_FLASH1无法向存储器Un供电，确保存储器U1供电电压VCC_FLASH1和存储器Un供电电压VCC_FLASHn不同时的防反灌保护功能；当系统遇到紧急情况需要对存储设备进行烧毁时，毁钥电源VCC28V_HY开启加电，电源经R0流入继电器J1，继电器J1加电工作在3脚和5脚、6脚和8脚断开，3脚和4脚、7脚和8脚闭合状态；此时毁钥电源VCC28V_HY流过二极管D1，流过熔断电阻RN1对存储器U1进行供电，存储器在毁钥电源的高压作用下销毁失效；MOSFET Q1栅极（1脚）和漏极（2脚）电压相同，因此MOSFET Q1关闭截止，毁钥电源无法流入存储器U1电源VCC_FLASH1，对存储器供电起到保护作用，防止毁钥电源VCC28V_HY流入系统，造成系统其他功能器件的失效；若存储器U1烧毁失效短路，此时熔断电阻RN1快速熔断，对毁钥电源VCC28V_HY进行保护，避免毁钥电源短路失效或将毁钥电源电压拉低，造成其他存储器无法有效烧毁。
同理，当电路中存在多个存储器时，工作原理与第一路相同。
可见，本公开有效降低了密钥销毁电路的实现成本，减小了密钥销毁电路的体积和复杂度，提高了密钥销毁电路的可靠性。
综上所述，以上仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种密钥销毁电路，其特征在于，包括：销毁电源、熔断器、存储器、电源保护电路和存储器电源，其中：
所述销毁电源依次连接相互串联的熔断器和存储器，用于对存储器进行电气硬销毁；
在正常情况下存储器由对应的存储器电源经过电源保护电路为其供电；
熔断器用于当销毁电源工作时，当存储器销毁失效出现短路的情况时及时熔断，保护销毁电源不会损坏；
电源保护电路用于当销毁电源工作时，防止销毁电源流入存储器电源，导致存储器电源损坏；
所述销毁电路还包括：继电器：
所述销毁电源通过所述继电器依次连接相互串联的熔断器和存储器；
当系统中有多路存储器及存储器电源时，所述销毁电路还包括防反灌电路：
防反灌电路与熔断器和存储器依次串联，组成一条电路分支；所述销毁电源经所述继电器，连接相互并联的多条防反灌电路分支；各条分支电路对应各自的存储器电源；
所述防反灌电路用于在非销毁状态下，防止多个存储器电源之间通过继电器端形成回路，造成多路存储器电源之间相互反灌，导致存储器损坏。
2.根据权利要求1所述的销毁电路，其特征在于，所述销毁电源由存储器系统外部提供，所述存储器电源为系统内部为存储器提供的工作电源。
3.根据权利要求2所述的销毁电路，其特征在于，所述防反灌电路由任意具有单向导通功能的二极管实现。
4.根据权利要求2所述的销毁电路，其特征在于，所述电源保护电路用MOSFET或二极管实现。
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