KR102119341B1 - 데이터 정보 유출 방지 솔리드 스테이트 드라이브 - Google Patents

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    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
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Abstract

본 발명은 데이터 저장용 플래시 메모리와, 호스트(host)와의 데이터 통신을 위한 데이터 인터페이스와, 상기 데이터 인터페이스를 통해 상기 플래시 메모리와 호스트간의 데이터 교환 작업을 제어하는 디바이스 컨트롤러와, 상기 디바이스 컨트롤러가 상기 플래시 메모리로부터 독출한 데이터와 상기 플래시 메모리에 기록할 데이터를 일시 저장하는 버퍼메모리로 구성되는 솔리드 스테이트 드라이브(solid state drive)에 있어서, 솔리드 스테이트 드라이브(solid state drive)에는 상기 디바이스 컨트롤러와 별개로 사용자가 스위치를 동작시킬 때 메모리 셀의 제어 게이트 유전막을 파괴할 수 있는 제어게이트 절연파괴전압(DC 60V~240V 범위의 고전압 펄스)를 발생하여 출력할 수 있는 고전압 펄스 발생장치를 마련하고, 상기 플래시 메모리의 메모리 컨트롤러에는 메모리 셀 어레이의 워드라인에 상기 고전압 펄스 발생장치의 고전압 펄스 선택하여 투입할 수 있는 전압선택회로(volatge selector)를 마련하고, 사용자가 상기 스위치를 온(on) 시키면 상기 메모리 컨트롤러는 모든 워드라인 및 비트라인에 대하여 순차적으로 어드레싱하면서 메모리 셀 어레이의 워드라인에 제어게이트 절연파괴전압을 인가하는 것을 특징으로 한다.

Description

데이터 정보 유출 방지 솔리드 스테이트 드라이브{SOLID STATE DRIVE FOR DATA INFORMATION LEAKAGE PREVENTION}
본 발명은 데이터 정보 유출 방지 솔리드 스테이트 드라이브에 관한 것으로, 더 상세하게는 사용 종료되어 폐기 처리되는 SSD(solid-state drive)에 저장된 데이터의 유출 방지를 위해 사용자가 직접 플래시 메모리 모듈 내부의 개별 메모리 셀의 제어 게이트를 전기적으로 손상시켜 자체 파괴할 수 있는 데이터 정보 유출 방지 솔리드 스테이트 드라이브에 관한 것이다.
조직 또는 개인의 정보보호를 위해서, 컴퓨터를 사용하는 기업, 공공기관, 군부대, 금융회사, 단체 또는 개인은, 컴퓨터의 사용 종료시, 컴퓨터의 저장 매체에 저장된 데이터를 완전히 삭제한 후, 폐기, 중고매매, 기증 등을 하는 관리적 측면과 기술적 측면의 활동이 매우 중요하다. 학교, 관공서 및 기업체, 금융기간, 군부대 등에서 사용 만료된 컴퓨터들이, 폐기되거나 중고로 매매되는 과정에서 각종 정보들이 유출되는 사례가 빈번하기 때문이다.
SSD는 전원이 끊어져도 저장된 데이터가 없어지지 않고 유지되는 불휘발성(non-volatile) 기억장치인 플래시 메모리 모듈(낸드플래시 메모리 모듈)을 포함한다. 플래시 메모리 모듈은 종래 소비전력이 작고, 정보의 입출력이 자유로워 디지털카메라, 휴대폰, PDA 등 이동 기기에 주로 사용되어 왔지만, 근래에는 컴퓨터의 하드디스크와 동일한 입출력 인터페이스를 채용하는 대용량 저장장치인 SSD(Solid-State Drive)로 만들어지고 있으며, 빠른 처리속도, 무소음, 저발열, 저전력 소모 등의 장점 때문에 컴퓨터 데이터 영구 저장 장치로 하드디스크를 급속하게 대체하고 있다. 이와 같이, 하드디스크가 SSD로 저장매체가 전환되는 상황에서 SSD를 위한 데이터 정보유출 방지 및 저장매체의 파괴시스템이 전무한 상태이다. 반면, 사용 종료 된 SSD탑재 정보기기들의 중고매매 등으로 SSD내에 저장된 정보유출이 우려되고 있는 상황이다. SSD의 사용 종료 후 폐기를 위하여 종래 하드디스크의 폐기에 사용된 디가우저, 파쇄기, 또는 천공기를 사용하는 것을 고려할 수 있다. 그러나, 디가우저는 원형 파괴가 아닌 강력한 자기장을 기록된 데이터만을 파괴시키는 하드디스크용 전용장치로써 SSD에는 사용 불가능하다. 파쇄기는 원형파괴를 통한 파쇄로 현재 하드디스크용 전용장치로 사용되고 있으며 SSD 파쇄도 사용 가능할 수도 있겠으나, 1개당 처리되는 시간이 빠르면 10초 정도 소요되므로 대량의 SSD를 처리하기엔 비효율적이다. 또한 파쇄된 각종 혼합 스크랩별 선별, 분리작업이 필요하므로 이에 따른 환경적 문제가 발생할 수 있으며, 렌탈 또는 별도의 장비 구입이 필요하고 장비가 없을 시 위탁처리로 인한 100% 파쇄가 불확실하며, 그에 따른 정보유출 위험성에 노출될 수 있다. 천공기는 하드디스크에 구멍을 뚫어 원형파괴를 하는 하드디스크용 전용장치로 SSD내 패키징 된 플래쉬 메모리 천공에는 적합하지 않다. 더구나, 기업, 공공기관, 군부대, 금융회사, 단체 등에서 이들 SSD 데이터 영구 소거 장치를 렌탈 또는 매입하여 직접 운용하는 것은 비용과 작업시간이 많이 소요되기 때문에 비효율적이다. 외부 업체에 위탁 처리시에는 폐기 확인서, 리포트 등을 통해 처리 상태를 확인하고 있으나, 100% 파쇄의 확실성을 담보하기 어렵고, 실제로 컴퓨터 사용자가 데이터 저장 영역이 복구 불가능할 정도로 처리되었는지 사후적으로 점검하기 어렵다. 따라서, 위탁처리시에는 항상 정보유출의 위험성이 있는 것이다.
1. 한국 공개특허공보 10-2006-0118384(2006. 11. 23) 2. 한국 공개특허공보 10-2009-0023787(2009. 03. 06) 3. 한국 등록특허공보 10-1447424 (2014.09.29) 4. 한국 등록특허공보 10-0932300 (2009.12.08) 5. 한국 등록특허공보 10-0902310 (2009.06.04)
본 발명은 상술한 바와 같이 SSD 사용 종료 후 SSD의 플래시 메모리 모듈에 남아 있는 데이터를 소거하여 데이터 정보가 유출되는 것을 방지하기 위해 이루어진 것으로, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, SSD 자체에 설치된 장치를 통해 사용자 및 관리자가 SSD 플래시 메모리 모듈의 데이터 저장 영역에 대한 복구 불가능한 파괴를 직접 선택하여 실행할 수 있는 데이터 정보 유출 방지 솔리드 스테이트 드라이브를 제공하는 데 있다.
상술한 본 발명의 과제는, 데이터 저장용 플래시 메모리 모듈과, 호스트(host)와의 데이터 통신을 위한 데이터 인터페이스와, 상기 데이터 인터페이스를 통해 상기 플래시 메모리 모듈과 호스트간의 데이터 교환 작업을 제어하는 디바이스 컨트롤러와, 상기 디바이스 컨트롤러가 상기 플래시 메모리 모듈로부터 독출한 데이터와 상기 플래시 메모리 모듈에 기록할 데이터를 일시 저장하는 버퍼메모리로 구성되는 솔리드 스테이트 드라이브(solid state drive)에 있어서, 솔리드 스테이트 드라이브(solid state drive)에는 상기 디바이스 컨트롤러와 별개로 사용자가 스위치를 동작시킬 때 플래시 메모리 모듈을 구성하는 개별 메모리 셀의 제어 게이트 유전막을 파괴할 수 있는 제어게이트 절연파괴전압(DC 60V~240V 범위의 고전압 펄스)를 발생하여 출력할 수 있는 고전압 펄스 발생장치를 마련하고, 상기 플래시 메모리 모듈의 메모리 컨트롤러에는 메모리 셀 어레이의 워드라인에 상기 고전압 펄스 발생장치의 고전압 펄스를 선택하여 투입할 수 있는 전압선택회로를 마련하고, 사용자가 상기 스위치를 온(on) 시키면 상기 메모리 컨트롤러는 모든 워드라인 및 비트라인에 대하여 순차적으로 어드레싱하면서 메모리 셀 어레이의 워드라인에 제어게이트 절연파괴전압을 인가하게 함으로써 해결할 수 있다.
상기 고전압 펄스 발생장치는 컴퓨터의 파워서플라이의 출력측에 전기적으로 연결되어 상기 파워서플라이로부터 직류 전원을 인가 받아 승압하는 직류변환기와, 상기 직류변환기의 출력측에 전기적으로 연결되어 상기 직류변환기의 출력 전류를 조절하는 저항과, 상기 저항에 직렬로 연결되어 상기 저항의 출력 전류를 단속하는 릴레이와, 상기 릴레이에 직렬로 연결되어 상기 릴레이를 통과한 전류를 일방향으로만 흐르게 하는 다이오드와, 상기 다이오드에 직렬로 연결되어 상기 다이오드를 통해 유입된 전류에 의하여 상기 플래시 메모리 모듈의 구성 메모리 셀을 손상시킬 수 있는 전압으로 충전되는 콘덴서와, 상기 콘덴서와 병렬로 연결되어 상기 콘덴서에 충전된 전류를 플래시 메모리 모듈의 전압선택회로(volatge selector)에 연결된 배선에 일방향 통전하는 사이리스터와, 사용자가 스위치를 닫으면 상기 릴레이를 일정시간 닫았다 열어 상기 콘덴서를 충전시키고, 상기 콘덴서가 충전된 상태에서 상기 사이리스터를 동작시켜 상기 콘덴서에 충전된 고전압이 상기 플래시 메모리 모듈에 연결된 배선에 인가되게 제어하는 펄스전압 컨트롤러를 포함하여 구성할 수 있다.
상기 릴레이는 무접점 릴레이인 것이 바람직하다.
상기 고전압 펄스 발생장치와 상기 플래시 메모리 모듈의 전압선택회로(volatge selector)에 사이에 연결된 배선에는 상기 고전압 펄스 발생장치가 고전압 펄스를 발생하여 상기 배선에 출력할 때 이를 표시하는 통전표시기를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면, SSD가 컴퓨터에 설치된 상태에서 컴퓨터 사용자 또는 관리자가 직접적인 선택 및 고전압 인가 조작을 통해 SSD의 메모리 셀을 직접 복구 불가능하게 파괴할 수 있으므로, 외부 업체에 대한 위탁 처리가 필요 없고, 별도의 장비를 렌탈하거나 구매하여 운영할 필요가 없다. 따라서, SSD 저장 데이터 폐기 처리의 비용 및 시간을 절약할 수 있을 뿐만 아니라, SSD 반출에 따른 정보유출을 원천적으로 예방할 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 데이터 정보 유출 방지 솔리드 스테이트 드라이브의 구성도이다.
도 2은 본 발명에 따른 고전압 펄스 발생장치의 일 예에 대한 회로도이다.
도 3은 도 2에 도시된 고전압 펄스 발생장치를 플래시 메모리 모듈에 인가하는 방법을 보여주는 구성도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 SSD 데이터 정보 유출 방지 보안장치에 대한 구체적인 실시 예를 상세히 설명한다.
일반적인 플래시 메모리 모듈의 메모리 셀(memory cell)은 이중 폴리(double poly-silicon) 구조로 된 단일 트랜지스터에 정보를 저장하고 지운다. 이중 폴리 구조의 메모리 셀은, 반도체 기판, 터널링 산화막(tunnel oxide), 부유 게이트(floating gate), 유전막, 제어 게이트(control gate), 소스 및 드레인 영역, 스페이서 등의 순서로 형성된다. 메모리 셀은 부유 게이트와 제어 게이트라는 두 개의 게이트를 지니고 있는데, 이 부유 게이트와 제어 게이트는 유전막에 의해 분리되어 있으며, 또한, 부유 게이트와 실리콘 기판은 터널링 산화막에 의해 분리된다. 이러한 메모리 셀의 데이터 저장은 통상 부유 게이트에 전자 또는 정공을 집어넣거나 소거함으로써 구현된다. 즉, 부유 게이트는 터널링 산화막과 유전막, 예컨대 NO(Nitride-Oxide) 또는 ONO(Oxide-Nitride-Oxide) 유전막에 의해 완전히 격리되어 있으므로, 일단 부유 게이트에 들어온 전자 혹은 정공은 전원이 공급되지 않는 경우에도 부유 게이트를 빠져나가지 못하므로 데이터가 소실되지 않는 것이다. 한편, 데이터의 기록 또는 소거를 위해서는 외부에서 접근 가능한 단자, 즉, 제어 게이트에 인가한 전압이 부유 게이트에 유도되어 터널링 산화막 양단에서 높은 전계가 형성될 수 있어야 한다. 제어 게이트에 인가한 전압이 부유 게이트에 유도되는 비율을 커플링 비(Coupling Ratio : CR)라 하며, 커플링 비가 클수록 메모리 셀에 대한 프로그램과 소거 동작 효율이 증가하고 외부에서 인가해야 하는 전압은 낮아질 수가 있다. 즉, 제어 게이트는 폴리실리콘 스택 구조를 갖는 비휘발성 메모리 중 실제적 게이트 역할을 하는 전극으로서, 이 전극의 바이어스 상태에 따라 소자의 프로그램 기록과 삭제가 수행된다. 그러나, 제어 게이트와 부유 게이트간의 유전막은 고집적화를 위하여 극히 얇게 형성되므로 제어 게이트에 유전막을 파괴하는 절연파괴전압이 가해지면 유전막은 손상되고 메모리 셀은 그 기능을 못하게 된다. 메모리 셀은 프로그램(program)과 이레이즈(erase)를 상대적으로 높은 바이어스(20V)에서 동작시키고 있지만, 유전막의 두께가 극히 얇기 때문에 정상 구동전압보다 3배 이상의 전압(60V 이상, 본원 발명에서는 이를 제어게이트 절연파괴전압이라고도 함)이 가해지면, 유전막이 파괴되고, 메모리 셀은 더이상 기능을 못하게 되는 것이다. 한편, 메모리 셀의 제어 게이트는 워드라인과 공통으로 사용된다. 출원인은 반복적인 테스트를 통하여, 제어 게이트 또는 워드라인에 60-240V 범위의 절연파괴전압이 가해지면 게이트의 유전막이 파괴되고 워드라인이 단락되는 것을 확인하였다. 본 발명은 과전압 차단회로를 우회하여 플래시 메모리 모듈의 메모리 셀을 인위적으로 손상시킬 수 있는 보안장치에 관한 것이다.
도 1에 도시된 실시 예는 고전압 펄스 발생장치(11)를 분리하여 필요할 때만 솔리드 스테이트 드라이브에 연결하여 사용할 수 있는 데이터 정보 유출 방지 보안장치이다. 고전압 펄스 발생장치(11)는 솔리드 스테이트 드라이브에 일체로 형성될 수도 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 솔리드 스테이트 드라이브(solid state drive)(1)는, 데이터 저장용 플래시 메모리 모듈(3)과, 호스트(host)와의 데이터 통신을 위한 데이터 인터페이스(31)와, 상기 데이터 인터페이스(31)를 통해 상기 플래시 메모리 모듈(3)과 호스트간의 데이터 교환 작업을 제어하는 디바이스 컨트롤러(7)와, 상기 디바이스 컨트롤러(7)가 상기 플래시 메모리 모듈(3)로부터 독출한 데이터와 상기 플래시 메모리 모듈(3)에 기록할 데이터를 일시 저장하는 버퍼메모리(9)를 포함한다. 상기 디바이스 컨트롤러(7)는 데이터 인터페이스(31) 및 플래시 메모리 모듈(3)에 전기적으로 연결되어 외부 호스트(컴퓨터의 중앙처리장치)와의 데이터 송수신 및 플래시 메모리 모듈(3)에 대한 데이터의 독출/기록을 제어한다. SSD의 데이터 인터페이스(31)는 일반적으로 하드디스크 인테페이스와 호환되는 SATA(Serial AT Attachment)를 사용한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 플래시 메모리 모듈(3)은 메모리 셀 어레이(49)와, 메모리 컨트롤러를 포함하고, 상기 메모리 콘트롤러는 워드라인 어드레스를 위한 로우 디코더(X Address Decoder)(45)와, 비트라인 어드레스를 위한 컬럼 디코더(Y Address Decoder)(47)와, 각종 제어신호를 발생시키는 메모리 컨트롤 로직(41) 등으로 이루어진다. 로우 디코더(45)는 메모리 컨트롤 로직(41)으로부터 워드라인 주소와 워드라인 디스에이블(Disable) 신호를 인가받아 워드라인을 선택한다. 컬럼 디코더(47)는 메모리 컨트롤 로직(41)으로부터 비트라인 주소와 비트라인 디스에이블(Disable) 신호를 인가받아 비트라인을 선택한다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 특징은, 솔리드 스테이트 드라이브(solid state drive)에, 상기 디바이스 컨트롤러(7)와 별개로 사용자가 스위치(27)를 동작시킬 때 메모리 셀의 제어 게이트 유전막을 파괴할 수 있는 제어게이트 절연파괴전압(DC 60V~240V 범위의 고전압 펄스)를 발생하여 출력할 수 있는 고전압 펄스 발생장치(11)를 마련하고, 상기 플래시 메모리 모듈(3)의 메모리 컨트롤러에는 메모리 셀 어레이(49)의 워드라인에 상기 고전압 펄스 발생장치(11)의 고전압 펄스를 선택하여 투입할 수 있는 전압선택회로(volatge selector)(43)를 마련한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 사용자가 상기 스위치(27)를 온(on) 시키면 상기 메모리 컨트롤 로직(41)은 상기 전압선택회로(43)를 제어하여 상기 고전압 펄스 발생장치(11)의 고전압 펄스 출력이 워드라인에 인가되게 하고, 상기 로우 디코더(45) 및 컬럼 디코더(47)를 제어하여 워드라인 및 비트라인에 의하여 메모리 셀 어레이(49)의 모든 메모리 셀에 대하여 순차적으로 어드레싱하면서 메모리 셀 어레이(49)의 워드라인에 제어게이트 절연파괴전압을 인가한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 이를 위해 본 발명은, 상기 디바이스 컨트롤러(7)를 우회하여 상기 플래시 메모리 모듈(3)의 셀 트랜지스터 워드라인에 고전압 펄스를 투입할 수 있는 배선(5)을 마련하고, 상기 배선(5)에는 사용자의 스위칭에 의하여 플래시 메모리 모듈(3)의 메모리 셀의 제어게이트의 유전막이 브레이크다운(break down)되는 정도의 고전압 펄스를 발생하여 배선에 출력하는 상기 고전압 펄스 발생장치(11)를 연결한다.
플래시 메모리 모듈(3)의 메모리 셀의 제어게이트가 브레이크다운(break down)되는 정도의 고전압 펄스는 DC 60V~240V 범위의 전압이다. 즉, 플래시 메모리 모듈(3)의 메모리 셀은 단일 트랜지스터로 구성되고, 각 트랜지스터의 워드라인 바이어스 정격 전압은 60V 미만(통상 15V-20V)이다. 따라서, DC 60V~240V 범위의 고전압 펄스가 워드라인에 바이어스 전압으로 가해지면 메모리 셀은 제어게이트 유전막에서 브레이크다운(break down)이 일어나고, 영구히 복구 불능이 되는 것이다. 이러한 점은 제어 게이트 바이어스 전압 제어에 의한 플래시 메모리의 메모리 셀 저장 데이터의 정상적인 소거나 일괄소거와 다른 점이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 고전압 펄스 발생장치(11)와 상기 플래시 메모리 모듈(3)의 전압선택회로(volatge selector)을 연결하는 상기 배선(5)에는 상기 고전압 펄스 발생장치(11)가 고전압 펄스를 발생하여 상기 배선(5)에 출력할 때 이를 표시하는 LED 등의 통전표시기(39)를 더 포함한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 고전압 펄스 발생장치와 상기 플래시 메모리를 연결하는 배선(5)만 미리 SSD(1)에 형성하고 고전압 펄스 발생장치(11)는 분리 제작한 후, 고전압 펄스 발생장치(11)에 연결된 컨넥터(37)와 배선(5)에 연결된 소켓(35)을 이용하여 SSD(1)에 탈착할 수도 있다. 상기 고전압 펄스 발생장치(11)과 배선(5)은 SSD(1)에 일체형으로 제작할 수도 있다. 도 1에서 부호 33은 SATA 전원 단자이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 고전압 펄스 발생장치(11)는 컴퓨터(또는 호스트측)의 파워서플라이(13)의 출력측에 전기적으로 연결되어 상기 파워서플라이(13)로부터 직류 전원을 인가 받아 승압하는 직류변환기(15)와, 상기 직류변환기(15)의 출력측에 전기적으로 연결되어 상기 직류변환기(15)의 출력 전류를 조절하는 저항(29)과, 상기 저항(29)에 직렬로 연결되어 상기 저항(29)의 출력 전류를 단속하는 릴레이(17)와, 상기 릴레이(17)에 직렬로 연결되어 상기 릴레이(17)를 통과한 전류를 일방향으로만 흐르게 하는 다이오드(19)와, 상기 다이오드(19)에 직렬로 연결되어 상기 다이오드(19)를 통해 유입된 전류에 의하여 상기 플래시 메모리 모듈(3)의 메모리 셀을 손상시킬 수 있는 전압으로 충전되는 콘덴서(23)와, 상기 콘덴서와 병렬로 연결되어 상기 콘덴서(23)에 충전된 전류를 상기 플래시 메모리 모듈의 전압선택회로(volatge selector)에 연결된 배선(5)에 일방향 통전하는 사이리스터(21)와, 사용자가 스위치(27)를 닫으면 상기 릴레이(17)를 일정시간 닫았다 열어 상기 콘덴서(23)를 충전시키고, 상기 콘덴서(23)가 충전된 상태에서 상기 사이리스터(21)를 동작시켜 상기 콘덴서(23)에 충전된 고전압이 상기 플래시 메모리 모듈의 전압선택회로(volatge selector)에 연결된 배선(5)에 인가되게 제어하는 펄스전압 컨트롤러(25)를 포함하여 구성할 수 있다. 상기 릴레이(17)는 무접점 릴레이(SSR)인 것이 바람직하다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상술한 구성을 갖는 본 발명에 의하면, SSD가 컴퓨터에 설치된 상태에서 컴퓨터 사용자 또는 관리자가 스위치(27)에 의하여 고전압 펄스 발생장치(11)를 조작하여 SSD의 메모리 셀에 고전압 펄스를 가함으로써, 플래시 메모리의 메모리 셀을 직접 복구 불가능하게 파괴할 수 있으므로, 외부 업체에 대한 위탁 처리가 필요 없고, 별도의 장비를 렌탈하거나 구매하여 운영할 필요가 없다. 따라서, SSD 저장 데이터 폐기 처리의 비용 및 시간을 절약할 수 있을 뿐만 아니라, SSD 반출에 따른 정보유출을 원천적으로 예방할 수 있게 된다.
1 : SSD 3 : 플래시 메모리 모듈
5 : 배선 7 : 디바이스 컨트롤러
9 : 버퍼 메모리 11 : 고전압 펄스 발생장치
13 : 파워 서플라이 15 : 직류변환기
17 : 릴레이 19 : 다이오드
21 : 사이리스터 23 : 콘덴서
25 : 펄스전압 컨트롤러 27 : 스위치
29 : 저항 31 : 데이터 인터페이스
33 : 전원 포트 35 : 소켓
37 : 컨넥터 39 : 통전표시기
41 : 메모리 컨트롤 로직 43 : 전압선택회로
45 : 로어 디코더 47 : 컬럼 디코더
49 : 메모리 셀 어레이

Claims (3)

  1. 복수의 플래시 메모리 모듈을 포함하고, 각 플래시 메모리 모듈에 고전압을 인가하여 플래시 메모리 모듈을 물리적으로 파괴하는 데이터 정보 유출 방지 솔리드 스테이트 드라이브(solid state drive)에 있어서,
    상기 솔리드 스테이트 드라이브(solid state drive)를 구성하는 각 플래시 메모리 모듈은, 다수의 메모리 셀로 이루어진 메모리 셀 어레이와, 메모리 셀의 워드라인 어드레스를 위한 로우 디코더(X Address Decoder)와, 메모리 셀의 비트라인 어드레스를 위한 컬럼 디코더(Y Address Decoder)와, 상기 로우 디코더 및 컬럼 디코더에 대한 제어신호를 발생시키는 메모리 컨트롤 로직을 포함하여 구성하고,
    상기 로우 디코더는 상기 메모리 컨트롤 로직으로부터 워드라인 주소와 워드라인 디스에이블(Disable) 신호를 인가받아 워드라인을 선택하게 하고, 상기 컬럼 디코더는 상기 메모리 컨트롤 로직으로부터 비트라인 주소와 비트라인 디스에이블(Disable) 신호를 인가받아 비트라인을 선택하게 하고,
    상기 메모리 셀은 전자 또는 정공을 수용하는 부유 게이트와 상기 부유 게이트와 유전막에 의해 분리되어 있고 외부에서 접근 가능하며 상기 워드라인과 공통인 단자인 제어 게이트를 포함하여 구성하되,
    상기 솔리드 스테이트 드라이브(solid state drive)에는, 사용자가 스위치를 동작시킬 때 상기 플래시 메모리 어레이를 구성하는 각 메모리 셀의 제어 게이트 유전막을 파괴할 수 있는 전압인 60V-240V 범위의 제어게이트 절연파괴전압을 발생하여 출력할 수 있는 고전압 펄스 발생장치를 마련하고, 상기 각 플래시 메모리 모듈의 메모리 컨트롤러 로직에는 메모리 셀 어레이의 워드라인에 상기 고전압 펄스 발생장치의 고전압 펄스를 선택하여 투입할 수 있는 전압선택회로(voltage selector)를 마련하고, 사용자가 상기 스위치를 온(on) 시키면 상기 메모리 컨트롤러 로직은 상기 워드라인 및 비트라인에 의하여 해당 플래시 메모리 모듈의 메모리 셀 어레이에 속하는 모든 메모리 셀을 순차적으로 어드레싱하면서 각 메모리 셀의 워드라인에 제어게이트 절연파괴전압을 인가하여 각 메모리 셀의 부유 게이트와 제어 게이트 사이의 유전막을 파괴하는 것을 특징으로 하는 데이터 정보 유출 방지 솔리드 스테이트 드라이브.
  2. 제 1 항에 있어서,
    고전압 펄스 발생장치는 컴퓨터의 파워서플라이의 출력측에 전기적으로 연결되어 상기 파워서플라이로부터 직류 전원을 인가 받아 승압하는 직류변환기와, 상기 직류변환기의 출력측에 전기적으로 연결되어 상기 직류변환기의 출력 전류를 조절하는 저항과, 상기 저항에 직렬로 연결되어 상기 저항의 출력 전류를 단속하는 릴레이와, 상기 릴레이에 직렬로 연결되어 상기 릴레이를 통과한 전류를 일방향으로만 흐르게 하는 다이오드와, 상기 다이오드에 직렬로 연결되어 상기 다이오드를 통해 유입된 전류에 의하여 상기 플래시 메모리의 메모리 셀을 손상시킬 수 있는 전압으로 충전되는 콘덴서와, 상기 콘덴서와 병렬로 연결되어 상기 콘덴서에 충전된 전류를 플래시 메모리 모듈의 전압선택회로(voltage selector)에 연결된 배선에 일방향 통전하는 사이리스터와, 사용자가 스위치를 닫으면 상기 릴레이를 일정시간 닫았다 열어 상기 콘덴서를 충전시키고, 상기 콘덴서가 충전된 상태에서 상기 사이리스터를 동작시켜 상기 콘덴서에 충전된 고전압이 상기 플래시 메모리 모듈의 전압선택회로(voltage selector)에 연결된 배선에 인가되게 제어하는 펄스전압 컨트롤러를 포함하는 데이터 정보 유출 방지 솔리드 스테이트 드라이브.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 플래시 메모리 모듈의 전압선택회로(voltage selector)에 연결된 배선에는 상기 고전압 펄스 발생장치가 고전압 펄스를 발생하여 상기 플래시 메모리에 연결된 배선에 출력할 때 이를 표시하는 통전표시기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 정보 유출 방지 솔리드 스테이트 드라이브.




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