CN115197715A - 液晶介质 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及包含至少一种式I的化合物的液晶介质，
其中R1和R1*各自彼此独立地表示具有1‑15个C原子的烷基或烷氧基，其中，这些基团中的一个或多个CH2基团也可以各自彼此独立地被‑C≡C‑、‑CF2O‑、‑OCF2‑、‑CH＝CH‑、式(II)、式(III)、‑O‑、‑CO‑O‑、‑O‑CO‑以O原子不彼此直接连接的方式替代，和其中，一个或多个H原子也可以被卤素替代，L1和L2各自彼此独立地表示F、Cl、CF3或CHF2，并涉及其用于有源矩阵显示器，特别是基于VA‑、PSA‑、PA‑VA‑、PS‑VA‑、PALC‑、IPS‑、PS‑IPS‑、FFS‑或PS‑FFS效应的有源矩阵显示器的用途。
Description
本申请是申请日为2015年3月12日，申请号为201580013596.1，发明名称为“液晶介质”的分案申请。
技术领域
本发明涉及包含至少一种式I的化合物的液晶介质，
其中
R1和R1*各自彼此独立地表示具有1-15个C原子的烷基或烷氧基，其中，这些基团中的一个或多个CH2基团也可以各自彼此独立地被-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-CH＝CH-、
-O-、-CO-O-、-O-CO-以O原子不彼此直接连接的方式替代，和其中一个或多个H原子也可以被卤素替代。
L1和L2各自彼此独立地表示F、Cl、CF3或CHF2。
该类型介质特别可用于基于ECB效应的具有有源矩阵寻址的电光显示器和IPS(面内切换)显示器或FFS(边缘场切换)显示器。
背景技术
电控双折射，即ECB效应亦或DAP(配向相变形)效应的原理首次描述于1971年(M.F.Schieckel和K.Fahrenschon,"Deformation of nematic liquid crystals withvertical orientation in electrical fields",Appl.Phys.Lett.19(1971),3912)中。紧随其后的是J.F.Kahn(Appl.Phys.Lett.20(1972),1193)和G.Labrunie和J.Robert(J.Appl.Phys.44(1973),4869)的论文。
J.Robert和F.Clerc(SID 80Digest Techn.Papers(1980),30),J.Duchene(Displays 7(1986),3)以及H.Schad(SID 82 Digest Techn.Papers(1982),244)的论文显示液晶相必须具有高数值的弹性常数K3/K1比、高数值的光学各向异性Δn和Δε≤-0.5的介电各向异性值以适用于在基于ECB效应的高信息显示器元件中使用。基于ECB效应的电光显示器元件具有垂直边缘配向(VA技术＝verticallyaligned垂直配向)。负介电液晶介质也可用于使用所谓的IPS或FFS效应的显示器。
除了IPS(in-plane switching面内切换)显示器(例如：Yeo,S.D.,论文15.3："ALC Display for the TV Application",SID 2004 International Symposium,Digest ofTechnical Papers,XXXV,Book II,pp.758&759)和长久已知的TN(twisted nematic扭转向列)显示器之外，使用ECB效应的显示器，如例如MVA(multi-domain vertical alignmen多筹垂直配向，例如：Yoshide,H.等,论文3.1："MVA LCD for Notebook or Mobile PCs...",SID 2004International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book I,pp.6-9，和Liu,C.T.等,论文15.1："A 46-inch TFT-LCD HDTV Technology...",SID2004International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book II,pp.750-753)、PVA(patterned vertical alignment图案化垂面配向，例如：Kim,Sang Soo,论文15.4："Super PVA Sets New State-of-the-Art for LCD-TV",SID 2004 InternationalSymposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book II,pp.760-763)、ASV(advancedsuper view先进超视觉，例如：Shigeta,Mitzuhiro和Fukuoka,Hirofumi,论文15.2："Development of High Quality LCDTV",SID 2004International Symposium,Digest ofTechnical Papers,XXXV,Book II,pp.754-757)模式的所谓的VAN(vertically alignednematic垂直配向向列)显示器，自身已确立为当今最重要的三种较新型液晶显示器之一，特别是对于电视应用而言。以一般形式比较了这些技术，例如，在Souk,Jun,SID Seminar2004,seminar M-6："Recent Advances in LCD Technology",Seminar Lecture Notes,M-6/1至M-6/26，和Miller,Ian,SID Seminar 2004,seminar M-7："LCD-Television",Seminar Lecture Notes,M-7/1至M-7/32中。虽然现代ECB显示器的响应时间已通过带有过驱动的寻址方法得以显著改进，例如：Kim,Hyeon Kyeong等,论文9.1："A 57-in.Wide UXGATFT-LCD for HDTV Application",SID 2004 International Symposium,Digest ofTechnical Papers,XXXV,Book I,pp.106-109，但获得视频兼容响应时间，特别是基于灰度切换的视频兼容相应时间，仍为尚未得到满意解决的问题。
该效应在电光显示器元件中的工业应用要求LC相，其必须满足多种要求。此处尤为重要的是对湿、空气和物理影响，例如热、红外线、可见光和紫外辐射以及直流和交流电场的化学抗性。
此外，要求工业可用LC相具有在适合的温度范围内的液晶中间相和低粘度。
迄今公开的具有液晶中间相的系列化合物均不包括符合全部这些要求的单一化合物。因此，通常制备2-25种，优选3-18种化合物的混合物以获得可用作LC相的物质。然而，还没有可能以该方式容易地制备最优相，因为目前还没有可用的具有显著负介电各向异性和适当长期稳定性的液晶材料。
已知矩阵液晶显示器(MLC显示器)。可用于单像素单转换的非线性元件为，例如，有源元件(即晶体管)。随后使用术语“有源矩阵”，其中以下两种类型可存在区别：
1.位于硅晶片(作为基板)上的MOS(金属氧化物半导体)晶体管
2.位于玻璃板(作为基板)上的薄膜晶体管(TFT)。
在类型1的情况下，所用的电光效应通常为动态散射或宾主效应。使用单晶硅作为基板材料限制了显示器的尺寸，因为即使多个部分显示器的模块化组装也会在接合处引起问题。
在更加有前景的类型2(其为优选的)的情况下，所用的电光效应通常为TN效应。
两种技术之间存在区别：包含化合物半导体(如例如，CdSe)的TFT，或基于多晶或无定形硅的TFT。后一技术正于全球范围内集中研发中。
将TFT矩阵施加至显示器一个玻璃板的内侧，同时另一个玻璃板在其内侧上带有透明反电极。与像素电极的尺寸相比，TFT非常小并且对影像几乎没有不利影响。该技术也可扩展至全色可行的显示器，其中红、绿和蓝色过滤器的镶嵌以使得过滤器元件在每个可转换像素的对面的方式设置。
本文术语“MLC显示器”覆盖具有集成非线性元件的任何矩阵显示器，即除了有源矩阵外，还有具有无源元件的显示器，例如可变电阻或二极管(MIM＝金属-绝缘体-金属)。
该类型MLC显示器特别适用于TV应用(例如袖珍TV)或汽车或飞行器构造中的高信息显示器。除了关于响应时间和对比度的角度依赖性的问题之外，由于液晶混合物不足够高的比电阻，MLC显示器中也存在难题[TOGASHI,S.,SEKIGUCHI,K.,TANABE,H.,YAMAMOTO,E.,SORIMACHI,K.,TAJIMA,E.,WATANABE,H.,SHIMIZU,H.,Proc.Eurodisplay 84,Sept.1984:A 210-288Matrix LCD Control led by Double Stage Diode Rings,pp.141ff.,Paris；STROMER,M.,Proc.Eurodisplay 84,Sept.1984:Design of Thin FilmTransistors for Matrix Addressing of Television Liquid Crystal Displays,第145页,Paris]。随着电阻的降低，MLC显示器的对比度变差。由于在MLC显示器的生命周期中液晶混合物的比电阻通常由于显示器内表面的相互作用而下降，因而高(初始)电阻对于经长运行周期后必须具有可接受的电阻值的显示器而言非常重要。
因而仍然非常需要具有非常高的比电阻同时具有宽工作温度范围、短响应时间和低阈值电压的MLC显示器，借助其可产生多种灰阶。
经常使用的MLC-TN显示器的缺点是由于它们比较低的对比度、相对高的视角依赖性和难于在这些显示器中产生灰阶。
VA显示器具有显著更好的视角依赖性并因此主要用于电视和监控器。然而，此处仍然需要改进响应时间，特别是考虑到用于具有大于60Hz帧速度(图像改变频率/重复率)的电视的用途。然而，必须同时不损害例如低温稳定性的性能。
发明内容
本发明的目的在于提供液晶混合物，特别是用于基于ECB效应或IPS或FFS效应的监控器和TV应用的液晶混合物，所述液晶混合物不具有以上所述缺点，或仅具有减少程度的以上所述缺点。特别地，对于监控器和电视必须确保它们在非常高和非常低的温度下也能工作并同时具有非常短的响应时间以及同时具有改进的可靠性行为，特别是在长运行时间后不表现出显著降低的图像残留。
令人惊讶地，如果将通式I的极性化合物用于液晶混合物中，特别是具有负介电各向异性、优选用于VA和FFS显示器的LC混合物中，可以改进旋转粘度值并因此改进响应时间。
因此，本发明涉及包含至少一种式I的化合物的液晶介质。本发明同样涉及式I的化合物。
式I的化合物被WO 02/055463 A1中通式(I)所覆盖。
根据本发明的混合物优选地显示非常宽的向列相范围和≥70℃、优选≥75℃、特别是≥80℃的清亮点、非常有利的电容阈值的值、相对高的保持率的值和同时非常好的在-20℃和-30℃下的低温稳定性、以及非常低的旋转粘度值和短的响应时间。此外，根据本发明的混合物的特征还在于：除了改进旋转粘度γ1，可观察到用以改善响应时间相对高的弹性常数值K33。在LC混合物中、优选在具有负介电各向异性的LC混合物中使用式I的化合物，旋转粘度γ1和弹性常数Ki之比降低。
根据本发明的混合物的一些优选实施方案阐述于下。
在式I的化合物中，R1和R1*优选各自彼此独立地表示直链烷氧基，特别是OCH3、n-C2H5O、n-OC3H7、n-OC4H9、n-OC5H11、n-OC6H13，以及烯基，特别是CH2＝CH2、CH2CH＝CH2、CH2CH＝CHCH3、CH2CH＝CHC2H5，支链烷氧基，特别是OC3H6CH(CH3)2，和烯氧基，特别是OCH＝CH2、OCH2CH＝CH2、OCH2CH＝CHCH3、OCH2CH＝CHC2H5。
R1和R1*特别优选各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的直链烷氧基，特别是甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基。
L1和L2优选均表示F。
优选的式I的化合物为式I-1至I-10的化合物，
其中
alkyl和alkyl*各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的直链烷基，alkenyl和alkenyl*各自彼此独立地表示具有2-6个C原子的直链烯基，alkoxy和alkoxy*各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的直链烷氧基，和L1和L2各自彼此独立地表示F或Cl。
在式I-1至I-10的化合物中，L1和L2优选各自彼此独立地表示F或Cl，特别是L1＝L2＝F。特别优选式I-2和I-6的化合物。在式I-2和I-6的化合物中，优选L1＝L2＝F。
根据本发明的混合物非常特别优选包含至少一种式I-1A、I-2A、I-4A、I-6A和/或I-6B的化合物，
非常特别优选的混合物包含至少一种式I-2.1至I-2.49和I-6.1至I-6.28的化合物，
在化合物I-2.1至I-2.49和I-6.1至I-6.28中，L1和L2优选均表示氟。
此外，优选包含至少一种选自式I-1.1至I-1.28和式I-6B.1至I-6B.3的化合物的化合物的液晶混合物：
其中L1和L2各自彼此独立地具有权利要求1中所给出的含义。在式I-1.1至I-1.28和I-6B.1至I-6B.3的化合物中，优选L1＝L2＝F。
式I的化合物可以如例如在WO 02/055463 A1中所描述的制备。
式I的化合物优选如下制备：
非常特别优选的混合物包含至少一种以下提及的化合物：
式I的化合物可以例如如在US 2005/0258399或WO 02/055463 A1中所描述的制备。
式I的化合物优选如下制备：
方案1:
R和R'各自彼此独立地表示直链或支链的烷基或烯基
方案2：
R1和R2各自彼此独立地表示直链或支链的烷基或烯基
方案3：
R1和R2各自彼此独立地表示直链或支链的烷基或烯基
方案4：
R1和R2各自彼此独立地表示直链或支链的烷基、烷氧基或烯基，
本发明同样涉及式I-6B的化合物。
根据本发明的介质优选包含一种、两种、三种、四种或更多种，优选一种、两种或三种式I的化合物。
式I的化合物优选以基于整个混合物≥1，优选≥3wt％的量用于液晶介质中。特别优选包含1-40wt％，非常特别优选2-30wt％的一种或多种式I的化合物的液晶介质。
根据本发明的液晶介质的优选实施方案阐述于下：
a)额外包含一种或多种选自式IIA、IIB和IIC化合物的化合物的液晶介质，
其中
R2A、R2B和R2C各自彼此独立地表示H、具有至多15个C原子的烷基或烯基，其为未取代的、被CN或CF3单取代的或被卤素至少单取代的，其中，这些基团中的一个或多个CH2基也可以被-O-、-S-、
-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-OC-O-或-O-CO-以O原子不彼此直接连接的方式替代，
L1-4各自彼此独立地表示F、Cl、CF3或CHF2，
Z2和Z2’各自彼此独立地表示单键、-CH2CH2-、-CH＝CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-CF＝CF-、-CH＝CHCH2O-，
p表示0、1或2，
q表示0或1，和
v表示1至6。
在式IIA和IIB的化合物中，Z2可以具有相同或不同含义。在式IIB的化合物中，Z2和Z2'可具有相同或不同含义。
在式IIA、IIB和IIC的化合物中，R2A、R2B和R2C各自优选表示具有1-6个C原子的烷基，特别是CH3、C2H5、n-C3H7、n-C4H9、n-C5H11。
在式IIA和IIB化合物中，L1、L2、L3和L4优选表示L1＝L2＝F和L3＝L4＝F，以及L1＝F和L2＝Cl，L1＝Cl和L2＝F，L3＝F和L4＝Cl，L3＝Cl和L4＝F。式IIA和IIB中的Z2和Z2'优选各自彼此独立地表示单键、以及-C2H4-桥。
如果在式IIB中，Z2＝-C2H4-或-CH2O-，则Z2'优选为单键，或者如果Z2'＝-C2H4-或-CH2O-，则Z2优选为单键。在式IIA和IIB的化合物中，(O)CvH2v+1优选表示OCvH2v+1以及CvH2v+1。在式IIC的化合物中，(O)CvH2v+1优选表示CvH2v+1。在式IIC的化合物中，L3和L4优选各自表示F。
优选的式IIA、IIB和IIC的化合物阐述于下：
其中alkyl和alkyl*各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的直链烷基。
特别优选的根据本发明的混合物包含一种或多种式IIA-2、IIA-8、IIA-14、IIA-26、II-28、IIA-33、IIA-39、IIA-45、IIA-46、IIA-47、IIA-50、IIB-2、IIB-11、IIB-16和IIC-1的化合物。
在整个混合物中式IIA和/或IIB的化合物的比例优选为至少20wt％。
根据本发明的特别优选的介质包含至少一种式IIC-1的化合物，
其中alkyl和alkyl*具有以上所指定的含义，优选以>3wt％，特别是>5wt％和特别优选5-25wt％的量。
b)额外包含一种或多种式III的化合物的液晶介质，
其中
R31和R32各自彼此独立地表示具有至多12个C原子的直链烷基、烷氧基、烯基、烷氧基烷基或烷氧基，和
Z3表示单键、-CH2CH2-、-CH＝CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、
-COO-、-OCO-、-C2F4-、-C4H8-、-CF＝CF-。
优选的式III的化合物阐述于下：
其中
alkyl和alkyl*各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的直链烷基。
根据本发明的介质优选包含至少一种式IIIa和/或式IIIb的化合物。
在整个混合物中式III的化合物的比例优选为至少5wt％。
c)额外包含下式的化合物的液晶介质
优选以≥5wt％，特别是≥10wt％的总量。
此外优选包含以下化合物(缩写：CC-3-V1)的根据本发明的混合物
优选以2-15wt％的量。
优选的混合物包含5-60wt％、优选10-55wt％、特别是20-50wt％的下式化合物(缩写：CC-3-V)
此外优选的是包含下式化合物(缩写：CC-3-V)
和下式化合物(缩写：CC-3-V1)的混合物
优以10-60wt％的量。
d)额外包含一种或多种下式的四环化合物的液晶介质
其中
R7-10各自彼此独立地具有对于权利要求3中的R2A所指定的含义之一，和
w和x各自彼此独立地表示1至6。
特别优选包含至少一种式V-9的化合物的混合物。
e)额外包含一种或多种式Y-1至Y-6的化合物的液晶介质，
其中R14-R19各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的烷基或烷氧基；z和m各自彼此独立地表示1-6；x表示0、1、2或3。
根据本发明的介质特别优选包含一种或多种式Y-1至Y-6的化合物，优选以≥5wt％的量。
f)额外包含一种或多种式T-1至T-21的氟化三联苯的液晶介质，
其中，
R表示具有1-7个C原子的直链烷基或烷氧基，和m＝0、1、2、3、4、5或6以及n表示0、1、2、3或4。
R优选表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基。
根据本发明的介质优选以2-30wt％，特别是5-20wt％的量包含式T-1至T-21的三联苯。
特别优选式T-1、T-2、T-4、T-20和T-21的化合物。在这些化合物中，R优选表示各自具有1-5个C原子的烷基以及烷氧基。在式T-20的化合物中，R优选表示烷基或烯基，特别是烷基。在式T-21的化合物中，R优选表示烷基。
如果混合物的Δn值要≥0.1，则优选在根据本发明的混合物中采用三联苯。优选的混合物包含2-20wt％的一种或多种选自化合物T-1至T-21的三联苯化合物。
g)额外包含一种或多种式B-1至B-3联二苯的液晶介质，
其中
alkyl和alkyl*各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的直链烷基，和
alkenyl和alkenyl*各自彼此独立地表示具有2-6个C原子的直链烯基。
在整个混合物中式B-1至B-3的联二苯的比例优选为至少3wt％，特别是≥5wt％。
式B-1至B-3的化合物中，特别优选式B-2的化合物。
特别优选的联二苯为
其中alkyl*表示具有1-6个C原子的烷基。根据本发明的介质特别优选包含一种或多种式B-1a和/或B-2c的化合物。
h)包含至少一种式Z-1至Z-7的化合物的液晶介质，
其中R和alkyl具有上文所指定的含义。
i)额外包含至少一种式O-1至O-18化合物的液晶介质，
其中R1和R2具有对于R2A所指定的含义。R1和R2优选各自彼此独立地表示直链烷基或烯基。
优选的介质包含一种或多种式O-1、O-3、O-4、O-6、O-7、O-10、O-11、O-12、O-14、O-15、O-16和/或O-17的化合物。
根据本发明的混合物非常特别优选包含式O-10、O-12、O-16和/或O-17的化合物，特别是以5-30％的量。
优选的式O-10和O-17的化合物阐述于下：
根据本发明的介质特别优选包含式O-10a和/或式O-10b的三环化合物以及一种或多种式O-17a至O-17d的双环化合物。式O-10a和/或O-10b的化合物以及一种或多种选自式O-17a至O-17d的双环化合物的化合物的总比例为5-40％，非常特别优选为15-35％。
非常特别优选的混合物包含化合物O-10a和O-17a：
化合物O-10a和O-17a优选以基于整个混合物15-35％、特别优选15-25％和尤其优选18-22％的浓度存在于混合物中。
非常特别优选的混合物包含化合物O-10b和O-17a：
化合物O-10b和O-17a优选以基于整个混合物15-35％、特别优选15-25％和尤其优选18-22％的浓度存在于混合物中。
非常特别优选的混合物包含以下三种化合物：
化合物O-10a、O-10b和O-17a优选以基于整个混合物15-35％、特别优选15-25％和尤其优选18-22％的浓度存在于混合物中。
优选的混合物包含至少一种选自以下化合物的化合物
其中R1和R2具有上文所指定的含义。优选在化合物O-6、O-7和O-17中，R1表示分别具有1-6或2-6个C原子的烷基或烯基和R2表示具有2-6个C原子的烯基。
优选的混合物包含至少一种式O-6a、O-6b、O-7a、O-7b、O-17e、O-17f、O-17g和O-17h的化合物：
其中alkyl表示具有1-6个C原子的烷基。
式O-6、O-7和O-17e-h的化合物优选以1-40wt％、优选2-35wt％和非常特别优选2-30wt％的量存在于根据本发明的混合物中。
j)优选的根据本发明的液晶介质包含一种或多种含有四氢化萘基或萘基单元的物质，例如式N-1至N-5的化合物，
其中R1N和R2N各自彼此独立地具有对于R2A所指定的含义，优选表示直链烷基、直链烷氧基或直链烯基，和
Z1和Z2各自彼此独立地表示-C2H4-、-CH＝CH-、-(CH2)4-、-(CH2)3O-、-O(CH2)3-、-CH＝CHCH2CH2-、-CH2CH2CH＝CH-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-CF＝CF-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2-或单键。
k)优选的混合物包含一种或多种选自式BC的二氟二苯并色满化合物、式CR的色满、式PH-1和PH-2的氟化菲、式BF-1和BF-2的氟化二苯并呋喃的化合物，
其中
RB1、RB2、RCR1、RCR2、R1、R2各自彼此独立地具有R2A的含义。c为1或2。R1和R2优选彼此独立地表示具有1-6个C原子的烷基或烷氧基。
根据本发明的混合物优选以3-20wt％的量、特别是以3-15wt％的量包含式BC、CR、PH-1、PH-2和/或BF的化合物。
特别优选的式BC和CR的化合物为化合物BC-1至BC-7和CR-1至CR-5，
其中
alkyl和alkyl*各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的直链烷基，和
alkenyl和alkenyl*各自彼此独立地表示具有2-6个C原子的直链烯基。
非常特别优选包含一种、两种或三种式BC-2、BF-1和/或BF-2的化合物的混合物。
l)优选的混合物包含一种或多种式In的茚满化合物，
其中
R11、R12、R13各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的直链烷基、烷氧基、烷氧基烷基或烯基，
R12和R13额外表示卤素，优选F，
i表示0、1或2。
优选的式In化合物为阐述于下的式In-1至In-16的化合物：
特别优选式In-1、In-2、In-3和In-4的化合物。
式In和子式In-1至In-16的化合物优选以≥5wt％、特别是5-30wt％和非常特别优选5-25wt％的浓度用于根据本发明的混合物中。m)优选的混合物额外包含一种或多种式L-1至L-11的化合物，
其中
R、R1和R2各自彼此独立地具有对于权利要求5中的R2A所指定的含义，和alkyl表示具有1-6个C原子的烷基。s表示1或2。
特别优选式L-1和L-4、特别是L-4的化合物。
式L-1至L-11的化合物优选以5-50wt％、特别是5-40wt％和非常特别优选10-40wt％的浓度使用。
特别优选的混合物概念阐述于下：(所用缩写解释于表A中。此处n和m各自彼此独立地表示1-15，优选1-6)。
根据本发明的混合物优选包含
-一种或多种式I的化合物，其中L1＝L2＝F和R1＝R1*＝烷氧基；
-CPY-n-Om，特别是CPY-2-O2、CPY-3-O2和/或CPY-5-O2，优选以基于整个混合物>5％、特别是10-30％的浓度，
和/或
-CY-n-Om，优选CY-3-O2、CY-3-O4、CY-5-O2和/或CY-5-O4，优选以基于整个混合物>5％、特别是15-50％的浓度，
和/或
-CCY-n-Om，优选CCY-4-O2、CCY-3-O2、CCY-3-O3、CCY-3-O1和/或CCY-5-O2，优选以基于整个混合物>5％、特别是10-30％的浓度，
和/或
-CLY-n-Om，优选CLY-2-O4、CLY-3-O2和/或CLY-3-O3，优选以基于整个混合物>5％、特别是10-30％的浓度，
和/或
-CK-n-F，优选CK-3-F、CK-4-F和/或CK-5-F，优选基于整个混合物>5％、特别是5-25％。
此外，优选根据本发明的包含以下混合物概念的混合物：(n和m各自彼此独立地表示1-6)
-CPY-n-Om和CY-n-Om，优选以基于整个混合物10-80％的浓度，
和/或
-CPY-n-Om和CK-n-F，优选以基于整个混合物10-70％的浓度，和/或
-CPY-n-Om和PY-n-Om，优选CPY-2-O2和/或CPY-3-O2和PY-3-O2，优选以基于整个混合物10-45％的浓度，
和/或
-CPY-n-Om和CLY-n-Om，优选以基于整个混合物10-80％的浓度，
和/或
-CCVC-n-V，优选CCVC-3-V，优选以基于整个混合物2-10％的浓度，
和/或
-CCC-n-V，优选CCC-2-V和/或CCC-3-V，优选以基于整个混合物2-10％的浓度，
和/或
-CC-V-V，优选以基于整个混合物5-50％的浓度。
本发明还涉及基于ECB-、VA-、PS-VA-、PA-VA-、IPS-、PS-IPS-、FFS-或PS-FFS-效应的具有有源矩阵寻址的电光显示器，特征在于其包含根据权利要求1-15的一项或多项的液晶介质作为电介质。
根据本发明的液晶介质优选具有≤-20℃至≥70℃、特别优选≤-30℃至≥80℃、非常特别优选≤-40℃至≥90℃的向列相。
本文表述“具有向列相”表示一方面在相应温度下在低温下未观察到近晶相和结晶和另一方面自向列相加热未变得清亮。在低温下的研究在相应温度下在流动粘度计中进行并通过储存于具有相应于至少100小时电光用途的层厚度的测试盒中检验。如果在-20℃的温度下在相应测试盒中的储存能力为1000小时或更多，则该介质被称为在该温度下稳定。在-30℃或-40℃的温度下，相应的时间分别为500小时或250小时。在高温下，在毛细管中通过传统方法测量清亮点。
液晶混合物优选具有至少60K的向列相范围和在20℃下最高30mm2·s-1的流动粘度ν20。
液晶混合物中双折射值Δn通常为0.07-0.16，优选0.08-0.13。
根据本发明的液晶混合物具有-0.5至-8.0、特别是-2.5至-6.0的Δε，其中Δε表示介电各向异性。在20℃下旋转粘度γ1优选为≤150mPa·s，特别是≤120mPa·s。
根据本发明的液晶介质具有相对低的阈值电压值(V0)。其优选为1.7V-3.0V，特别优选≤2.5V和非常特别优选≤2.3V。
对于本发明，术语“阈值电压”涉及电容阈值(V0)，也称作Freedericks阈值，除非另有明确说明。
另外，根据本发明的液晶介质在液晶盒中具有高电压保持率值。
通常，具有低寻址电压或阈值电压的液晶介质显示比具有更高寻址电压或阈值电压的那些更低的电压保持率，反之亦然。
对于本发明，术语“正介电化合物”表示具有Δε>1.5的化合物，术语“中性介电化合物”表示具有-1.5≤Δε≤1.5的那些和术语“负介电化合物”表示具有Δε<-1.5的那些。本文化合物的介电各向异性通过在至少一个测试盒中将10％的化合物溶于液晶主体中并测定所得混合物的电容而确定，在每种情况下测试盒具有20μm的层厚度并在1kHz下具有垂面和沿面的表面取向。测量电压通常为0.5V-1.0V，但总是低于所研究的各液晶混合物的电容阈值。
本发明所述全部温度值以℃表示。
根据本发明的混合物适用于全部VA-TFT应用，如例如VAN、MVA、(S)-PVA、ASV、PSA(聚合物稳定的VA)和PS-VA(聚合物稳定化的VA)。它们还适用于具有负Δε的IPS(in-planeswitching面内切换)和FFS(fringe field switching边缘场切换)应用。
根据本发明的显示器中的向列液晶混合物通常包含两种组分A和B，其本身由一种或多种单独的化合物组成。
组分A具有显著负介电各向异性并给予向列相≤-0.5的介电各向异性。除了一种或多种式I的化合物，其优选还包含式IIA、IIB和/或IIC的化合物、以及一种或多种式O-17的化合物。
组分A的比例优选为45-100％，特别是60-100％。
对于组分A，优选选择具有Δε≤-0.8值的一种(或多种)单独的化合物。在整个混合物中A的比例越小，则该值一定越负。
组分B具有显著的向列性(nematogeneity)和在20℃下不大于30mm2·s-1、优选不大于25mm2·s-1的流动粘度。
本领域技术人员自文献可知多种适合的材料。特别优选式O-17的化合物。
特别优选的组分B中的单个化合物为粘性非常低的向列液晶，其具有在20℃下不大于18mm2·s-1、优选不大于12mm2·s-1的流动粘度。
组分B为单变性或互变性向列的，不具有近晶相并在液晶混合物中降至非常低温时能够防止近晶相的出现。例如，如果将多种高向列性材料加入到近晶液晶混合物中，则这些材料的向列性可通过所实现的近晶相的抑制程度来比较。
混合物也可任选包含组分C，其包含具有Δε≥1.5介电各向异性的化合物。这些所谓的正性化合物通常以基于整个混合物≤20wt％的量存在于负介电各向异性混合物中。
如果根据本发明的混合物包含一种或多种具有Δε≥1.5介电各向异性的化合物，则它们优选为一种或多种选自式P-1至P-4化合物的化合物，
其中
R表示各自分别具有1或2至6个C原子的直链烷基、烷氧基或烯基，和
X表示F、Cl、CF3、OCF3、OCHFCF3或CCF2CHFCF3，优选F或OCF3。
式P-1至P-4的化合物优选以2-15％、特别是2-10％的浓度用于根据本发明的混合物中。
特别优选下式的化合物
其优选以2-15％的量用于根据本发明的混合物中。
另外，这些液晶相也可以包含多于18种组分，优选18-25种组分。
除一种或多种式I的化合物之外，该相还优选包含4-15种、特别是5-12种和特别优选<10种式IIA、IIB和/或IIC的化合物和任选一种或多种式O-17的化合物。
除式I的化合物和式IIA、IIB和/或IIC以及任选O-17化合物之外，也可以存在其它组分，例如以整个混合物的至多45％，但优选至多35％，特别是至多10％的量。
其它组分优选选自向列或向列性物质，特别是来自氧化偶氮苯、苄叉基苯胺、联二苯、三联苯、苯基苯甲酸酯或环己基苯甲酸酯、苯基环己烷羧酸酯或环己基环己烷羧酸酯、苯基环己烷、环己基联二苯、环己基环己烷、环己基萘、1,4-双环己基联二苯或环己基嘧啶、苯基-或环己基二
烷、任选卤化的
苄基苯基醚、二苯乙炔和取代的肉桂酸酯的已知物质。
适合作为该类型液晶相成分的最重要化合物可以通过式IV表征
R20-L-G-E-R21 IV
其中L和E各自表示选自1,4-二取代苯和环己烷环、4,4’-二取代联二苯、苯基环己烷和环己基环己烷体系、2,5-二取代嘧啶和1,3-二
烷环、2,6-二取代萘、二-和四氢化萘、喹唑啉和四氢化喹唑啉的碳环或杂环体系，
G表示-CH＝CH-、-N(O)＝N-、-CH＝CQ-、-CH＝N(O)-、-C≡C-、-CH2-CH2-、-CO-O-、-CH2-O-、-CO-S-、-CH2-S-、-CH＝N-、-COO-Phe-COO-、-CF2O-、-CF＝CF-、-OCF2-、-OCH2-、-(CH2)4-、-(CH2)3O-或C-C单键，Q表示卤素，优选氯，或-CN，和R20和R21各自表示具有至多18个、优选至多8个碳原子的烷基、烯基、烷氧基、烷氧基烷基或烷氧基羰基氧基，或这些基团之一替代地表示CN、NC、NO2、NCS、CF3、SF5、OCF3、F、Cl或Br。
在这些化合物的大多数中，R20和R21彼此不同，这些基团之一通常为烷基或烷氧基。所提出的取代基的其它变体也是常见的。许多该类物质或其混合物为可商购的。全部这些物质可通过文献已知方法制备。
对于本领域技术人员不言而喻的是根据本发明的VA、IPS或FFS混合物也可以包含其中例如H、N、O、Cl和F已被相应的同位素替代的化合物。
可聚合化合物，所谓的反应性介晶(RM)，例如U.S.6,861,107中所公开的，还可以以基于混合物优选0.01-5wt％、特别优选0.2-2wt％的浓度加入到根据本发明的混合物中。这些混合物也可以任选包含引发剂，如例如U.S.6,781,665中所描述的。引发剂，例如来自BASF的Irganox-1076，优选以0-1％的量加入到包含可聚合化合物的混合物中。该类型混合物可用于所谓的聚合物稳定化的VA模式(PS-VA)或PSA(聚合物稳定的VA)，其中反应性介晶的聚合会在液晶混合物中发生。其前提是液晶混合物自身不包含任何可聚合组分。
在本发明的优选实施方案中，可聚合化合物选自式M的化合物
RMa-AM1-(ZM1-AM2)m1-RMb M
其中各基团具有以下含义：
RMa和RMb各自彼此独立地表示P、P-Sp-、H、卤素、SF5、NO2、烷基、烯基或炔基，其中基团RMa和RMb的至少一个优选表示或含有基团P或P-Sp-，
P表示可聚合基团，
Sp表示间隔基团或单键，
AM1和AM2各自彼此独立地表示芳基、杂芳基、脂环基或杂环基，优选具有4-25个环原子，优选C原子，其也包括或可以含有稠合环，和其可以任选被L单-或多取代，
L表示P、P-Sp-、OH、CH2OH、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(＝O)N(Rx)2、-C(＝O)Y1、-C(＝O)Rx、-N(Rx)2、任选取代的甲硅烷基、具有6-20个C原子的任选取代的芳基、或具有1-25个C原子的直链或支链烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，其中，一个或多个H原子也可以被F、Cl、P或P-Sp-替代，优选P、P-Sp-、H、OH、CH2OH、卤素、SF5、NO2、烷基、烯基或炔基，
Y1表示卤素，
ZM1表示-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-OCO-、-O-CO-O-、-OCH2-、-CH2O-、-SCH2-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-SCF2-、-(CH2)n1-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-(CF2)n1-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-C≡C-、-CH＝CH-、-COO-、-OCO-CH＝CH-、CR0R00或单键，
R0和R00各自彼此独立地表示H或具有1-12个C原子的烷基，
Rx表示P、P-Sp-、H、卤素、具有1-25个C原子的直链、支链或环状烷基，其中，另外，一个或多个不相邻的CH2基团可以被-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以O和/或S原子不彼此直接连接的方式替代，和其中，一个或多个H原子也可以被F、Cl、P或P-Sp-替代，具有6-40个C原子的任选取代的芳基或芳氧基，或具有2-40个C原子的任选取代的杂芳基或杂芳氧基，
m1表示0、1、2、3或4和
n1表示1、2、3或4，
其中所存在的基团RMa、RMb和取代基L的至少一个，优选一个、两个或三个，特别优选一个或两个表示基团P或P-Sp-或含有至少一个基团P或P-Sp-。
特别优选的式M的化合物为以下其中的那些
RMa和RMb各自彼此独立地表示P、P-Sp-、H、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、SF5或具有1-25个C原子的直链或支链烷基，其中，一个或多个不相邻的CH2基团也可以各自彼此独立地被-C(R0)＝C(R00)-、-C≡C-、-N(R00)-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以O和/或S原子不彼此直接连接的方式替代，和其中，一个或多个H原子也可以被F、Cl、Br、I、CN、P或P-Sp-替代，其中基团RMa和RMb的至少一个优选表示或含有基团P或P-Sp-，
AM1和AM2各自彼此独立地表示1,4-亚苯基、萘-1,4-二基、萘-2,6-二基、菲-2,7-二基、蒽-2,7-二基、芴-2,7-二基、香豆素、黄酮，其中，这些基团中的一个或多个CH基团也可以被N替代，环己烷-1,4-二基，其中，一个或多个不相邻的CH2基团也可以被O和/或S替代，1,4-亚环己烯基、二环[1.1.1]戊烷-1,3-二基、二环[2.2.2]辛烷-1,4-二基、螺[3.3]庚烷-2,6-二基、哌啶-1,4-二基、十氢萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基、茚满-2,5-二基或八氢-4,7-桥亚甲基茚满-2,5-二基，其中全部这些基团可以为未取代的或被L单-或多取代，
L表示P、P-Sp-、OH、CH2OH、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(＝O)N(Rx)2、-C(＝O)Y1、-C(＝O)Rx、-N(Rx)2、任选取代的甲硅烷基、具有6-20个C原子的任选取代的芳基、或具有1-25个C原子的直链或支链烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，其中，一个或多个H原子也可以被F、Cl、P或P-Sp-替代，
P表示可聚合基团，
Y1表示卤素，
Rx表示P、P-Sp-、H、卤素、具有1-25个C原子的直链、支链或环状烷基，其中，一个或多个不相邻的CH2基团也可以被-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以O和/或S原子不彼此直接连接的方式替代，和其中，一个或多个H原子也可以被F、Cl、P或P-Sp-替代，具有6-40个C原子的任选取代的芳基或芳氧基，或具有2-40个C原子的任选取代的杂芳基或杂芳氧基。
非常特别优选其中RMa和RMb之一或均表示P或P-Sp-的式M的化合物。
用于根据本发明的液晶介质和PS-VA显示器或PSA显示器的合适并优选的RM或单体或共聚单体选自例如下式：
其中各基团具有以下含义：
P1、P2和P3各自相同或不同地表示可聚合基团，优选地具有上下文对于P所指定的含义之一，特别优选丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、氟丙烯酸酯基、氧杂环丁基、乙烯氧基或环氧基，
Sp1、Sp2和Sp3各自彼此独立地表示单键或间隔基团，优选具有上下文对于Spa所指定的含义之一，和特别优选-(CH2)p1-、-(CH2)p1-O-、-(CH2)p1-CO-O-或-(CH2)p1-O-CO-O-，其中p1为1-12的整数，和其中在最后提及的基团中与相邻环的连接经由O原子发生，
其中基团P1-Sp1-、P2-Sp2-和P3-Sp3-的一个或多个也可以表示Raa，条件是所存在的基团P1-Sp1-、P2-Sp2-和P3-Sp3-的至少一个不表示Raa，
Raa表示H、F、Cl、CN或具有1-25个C原子的直链或支链烷基，其中，一个或多个不相邻的CH2基团也可以各自彼此独立地被C(R0)＝C(R00)-、-C≡C-、-N(R0)-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以O和/或S原子不彼此直接连接的方式替代，和其中，一个或多个H原子也可以被F、Cl、CN或P1-Sp1-替代，特别优选具有1-12个C原子的直链或支链的任选单-或多氟化的烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基或烷基羰基氧基(其中烯基和炔基具有至少两个C原子和支链基团具有至少三个C原子)，
R0、R00各自彼此独立且每次出现时相同或不同地表示H或具有1-12个C原子的烷基，
Ry和Rz各自彼此独立地表示H、F、CH3或CF3，
X1、X2和X3各自彼此独立地表示-CO-O-、O-CO-或单键，
Z1表示-O-、-CO-、-C(RyRz)-或-CF2CF2-，
Z2和Z3各自彼此独立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CH2O-、-OCH2-、-CF2O-、-OCF2-或-(CH2)n-，其中n为2、3或4，
L每次出现时相同或不同地表示F、Cl、CN、SCN、SF5或具有1-12个C原子的直链或支链的任选单-或多氟化的烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，优选F，
L'和L"各自彼此独立地表示H、F或Cl，
r表示0、1、2、3或4，
s表示0、1、2或3，
t表示0、1或2，
x表示0或1。
在式M1-M44的化合物中，
其中L每次出现时相同或不同地具有以上含义之一并优选表示F、Cl、CN、NO2、CH3、C2H5、C(CH3)3、CH(CH3)2、CH2CH(CH3)C2H5、OCH3、OC2H5、COCH3、COC2H5、COOCH3、COOC2H5、CF3、OCF3、OCHF2、OC2F5或P-Sp-，特别优选F、Cl、CN、CH3、C2H5、OCH3、COCH3、OCF3或P-Sp-，非常特别优选F、Cl、CH3、OCH3、COCH3或OCF3，特别是F或CH3。
合适的可聚合化合物列于例如表D中。
根据本申请的液晶介质优选包含总计0.1-10％，优选0.2-4.0％，特别优选0.2-2.0％的可聚合化合物。
特别优选式M和式RM-1至RM-94的可聚合化合物。
根据本发明的混合物还可以包含常规辅料或添加剂例如稳定剂、抗氧剂、UV吸收剂、纳米颗粒、微粒等。
根据本发明的液晶显示器的结构符合通常的几何学，如例如EP-OS 0 240 379中所描述的。
以下实例意图解释本发明而非对其进行限制。上下文中，百分数数据表示重量百分数；全部温度以摄氏度表示。
贯穿本申请，1,4-亚环己基环和1,4-亚苯基环描绘于下：
亚环己基环为反式-1,4-亚环己基环。
具体实施方式
贯穿本申请和工作实施例中，液晶化合物的结构通过缩写的方式表示。除非另有说明，根据表1-3转变为化学式。全部基团CnH2n+1、CmH2m+1和Cm‘H2m‘+1或CnH2n和CmH2m为在每种情况下分别具有n、m、m‘或z个C原子的直链烷基基团或烯基基团。n,m,m‘,z各自彼此独立地表示1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12，优选1、2、3、4、5或6。表1中将各化合物的环单元编码，表2中列出桥元和表3中阐明化合物左手侧链或右手侧链的符号含义。
表1：环单元
表2：桥元
表3：侧链
除式I的化合物之外，根据本发明的混合物优选还包含一种或多种以下所述的表A中所提及的化合物的化合物。
表A
使用以下缩写：
(n、m、m’、z：各自彼此独立地为1、2、3、4、5或6；
(O)CmH2m+1指OCmH2m+1或CmH2m+1)
可以根据本发明使用的液晶混合物以本身常规的方式制备。通常，将所需量的以较少量使用的成份溶于构成主要成分的组分中，有利地在升高的温度下进行。也可以将组分的溶液混合于有机溶剂中，例如在丙酮、氯仿或甲醇中，并在充分混合之后再移除溶剂，例如通过蒸馏。
通过合适的添加剂，根据本发明的液晶相可以以它们可以用于任意类型的，例如，迄今已经公开的ECB-、VAN-、IPS-、GH-或ASM-VA LCD显示器的方式来改良。
电介质也可以还包含本领域技术人员已知的和描述于文献中的添加剂，如例如，UV吸收剂、抗氧剂、纳米颗粒和自由基清除剂。例如，可以加入0-15％的多色性染料、稳定剂或手性掺杂剂。用于根据本发明混合物的合适的稳定剂特别为表B中所列的那些。
例如，可以加入0-15％的多色性染料、以及导电盐，优选乙基二甲基十二烷基4-己氧基苯甲酸铵、四丁基四苯基硼烷酸铵或冠醚的复合盐(参见，例如，Haller等,Mol.Cryst.Liq.Cryst.,Volume 24,pages 249-258(1973))，以改进导电性或可以加入物质以改变介电各向异性、粘度和/或向列相的配向。该类型物质描述于，例如，DE-A 22 09127、22 40 864、23 21 632、23 38 281、24 50 088、26 37 430和28 53 728中。
表B显示了可以加入到根据本发明的混合物中的可能掺杂剂。如果混合物包含掺杂剂，其以0.01-4wt％、优选0.1-1.0wt％的量使用。
表B
表B阐明了通常加入到根据本发明混合物中的可能掺杂剂。混合物优选包含0-10wt％、特别是0.01-5wt％和特别优选0.01-3wt％的掺杂剂。
表C
可以例如以0-10wt％的量加入到根据本发明混合物中的稳定剂示于下。
表D
表D显示了可优选用作根据本发明的LC介质中的反应性介晶化合物的示例化合物。如果根据本发明的混合物包含一种或多种反应性化合物，则它们优选以0.01-5wt％的量使用。任选地需要加入引发剂或两种或更多种引发剂的混合物用于聚合。引发剂或引发剂混合物优选以基于混合物0.001-2wt％的量加入。合适的引发剂为例如Irgacure(BASF)或Irganox(BASF)。
在优选实施方案中，根据本发明的混合物包含一种或多种可聚合化合物，优选选自式RM-1至RM-94的可聚合化合物。该类型介质是适合的，特别是用于PS-FFS和PS-IPS应用。表D所示的反应性介晶中，特别优选化合物RM-1、RM-2、RM-3、RM-4、RM-5、RM-11、RM-17、RM-35、RM-41、RM-44、RM-62和RM-81。
工作实施例：
以下实施例意图解释本发明而非对其进行限制。实施例中，m.p.表示熔点和C表示液晶物质以摄氏度表示的清亮点；通过m.p表示沸腾温度。此外：C表示结晶固态，S表示近晶相(指数表示相类型)，N表示向列相，Ch表示胆甾相，I表示各向同性相，Tg表示玻璃化转变温度。两符号之间的数字表示以摄氏度表示的转变温度。
用于测定式I的化合物的光学各向异性Δn的主体混合物为商购混合物ZLI-4792(Merck KGaA)。介电各向异性Δε使用商购混合物ZLI-2857测定。待研究化合物的物理数据获自主体混合物在加入待研究化合物之后介电常数的改变并外推至100％所用化合物。通常，取决于溶解度，将10％的待研究化合物溶于主体混合物中。
除非另有说明，份数或百分数数据表示重量份数或重量百分数。
上下文中：
Vo 表示在20℃下的电容性阈值电压[V]，
ne 表示在20℃和589nm下的非寻常折射率，
no 表示在20℃和589nm下的寻常折射率，
Δn 表示在20℃和589nm下的光学各向异性，
ε⊥ 表示在20℃和1kHz下垂直于指向矢的介电常数，
ε|| 表示在20℃和1kHz下平行于指向矢的介电常数，
Δε 表示在20℃和1kHz下的介电各向异性，
cl.p.,T(N,I) 表示清亮点[℃]，
γ1表示在20℃下的旋转粘度[mPa·s]，通过磁场中旋转方法测定，
K1 表示弹性常数，在20℃下的“展曲”变形[pN]，
K2 表示弹性常数，在20℃下的“扭曲”变形[pN]，
K3 表示弹性常数，在20℃下的“弯曲”变形[pN]。
LTS 表示低温稳定性(向列相)，在测试盒中测定。
除非另有明确说明，在本申请中指明的所有温度的值，如熔点T(C,N)，从近晶(S)相到向列(N)相的转变T(S,N)以及清亮点T(N,I)，都以摄氏温度(℃)表示。M.p.表示熔点，cl.p.＝清亮点。此外，Tg＝玻璃态，C＝结晶态，N＝向列相，S＝近晶相和I＝各向同性相。这些符号之间的数字表示转变温度。
所有物理性能是并已经依据“Merck Liquid Crystals,Physical Properties ofLiquid Crystals”，Status November 1997,Merck KGaA,Germany测定的并且适用于20℃的温度，且Δn在589nm下和Δε在1kHz下测定，除非在每种情况下另外明确指出。
对于本发明，术语“阈值电压”指的是电容性阈值(V0)，也称为Freedericksz阈值，除非另外明确指出。在实施例中，如一般通常的那样，也可以给出对于10％相对对比度的光学阈值(V10)。
用于测量电容性阈值电压的显示器由间隔为20μm的两个平面平行的玻璃外板组成，所述外板各自具有在内侧上的电极层以及位于顶部的未经摩擦的聚酰亚胺配向层，其导致液晶分子的垂面边缘取向。
用于测量倾斜角的显示器或测试盒由间隔为4μm的两个平面平行的玻璃外板构成，所述外板各自具有在内侧上的电极层以及位于顶部的聚酰亚胺配向层，其中所述两个聚酰亚胺层彼此反向平行地(antiparallel)经摩擦并导致液晶分子的垂面边缘取向。
通过用一定强度的UVA光(通常365nm)辐照预定时间，同时向显示器施加电压(通常为10V～30V交流电，1kHz)使可聚合化合物在显示器或测试盒中聚合。在实施例中，除非另外说明，采用50mW/cm2汞蒸气灯，和使用装配有365nm带通滤波器的标准UV计(makeUshio UNI meter)测量强度。
通过旋转晶体实验(Autronic-Melchers TBA-105)测定倾斜角。低的值(即相对于90°角的大的偏离)在此对应于大的倾斜。
VHR值按照如下进行测量：将0.3％的可聚合单体化合物加入到LC主体混合物中，并将得到的混合物引入到TN-VHR测试盒中(在90°方向摩擦的，配向层TN聚酰亚胺，层厚度d≈6μm)。在1V，60Hz,64μs脉冲下UV曝光(日光测试)2h之前和之后在100℃下于5分钟后测定HR值(测量仪器：Autronic-Melchers VHRM-105)。
为了研究低温稳定性，也称作“LTS”，即LC混合物向单个成分在低温下自发结晶析出的稳定性，将含有1g的LC/RM混合物的瓶子储存于-10℃下，并有规律地检验混合物是否已结晶析出。
所谓的“HTP”表示光学活性或手性物质在LC介质中的螺旋扭转能力(以μm计)。除非另外说明，在可商购向列LC主体混合物MLD-6260(Merck KGaA)中在20℃下测量HTP。
除非另有明确说明，本申请中所有浓度以重量百分数表示并相对于整个相应混合物，包含全部固体或液晶成分，不包括溶剂。全部物理性能根据“Merck Liquid Crystals,Physical Properties of Liquid Crystals”,Status November 1997,Merck KGaA,Germany测定，并适用于20℃的温度，除非另外明确说明。
混合物实施例
实施例M1
实施例M2
实施例M3
实施例M4
实施例M5
实施例M6
实施例M7
实施例M8
实施例M9
实施例M10
实施例M11
实施例M12
实施例M13
实施例M14
实施例M15
实施例M16
实施例M17
实施例M18
实施例M19
实施例M20
实施例M21
实施例M22
实施例M23
实施例M24
实施例M25
实施例M26
实施例M27
实施例M28
实施例M29
实施例M30
实施例M31
实施例M32
为了制备PS-VA混合物,将99.7％的根据实施例M1的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M33
为了制备PS-VA混合物,将99.75％的根据实施例M1的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M34
为了制备PS-VA混合物，将99.8％的根据实施例M1的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合
实施例M35
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M1的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M36
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M1的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M37
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M1的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M38
为了制备PS-VA混合物，将99.8％的根据实施例M1的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合
实施例M39
为了制备PS-VA混合物，将99.8％的根据实施例M1的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合
实施例M40
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M2的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M41
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M2的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M42
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M2的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M43
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M2的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M44
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M2的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M45
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M2的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M46
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M2的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M47
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M2的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M48
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M3的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M49
为了制备PS-VA混合物，将99.8％的根据实施例M3的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M50
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M3的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M51
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M3的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M52
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M3的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M53
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M3的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M54
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M4的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M55
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M4的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M56
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M17的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M57
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M21的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M58
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M25的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M59
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M28的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M60
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M29的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M61
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M30的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M62
为了制备PS-VA混合物，将99.8％的根据实施例M31的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合
实施例M63
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M19的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M64
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M20的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M65
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M27的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M66
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M27的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M67
实施例M68
实施例M69
实施例M70
实施例M71
实施例M72
实施例M73
实施例M74
实施例M75
实施例M76
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实施例M80
实施例M81
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实施例M90
实施例M91
实施例M92
实施例M93
实施例M94
实施例M95
实施例M96
实施例M97
实施例M98
实施例M99
实施例M100
实施例M101
实施例M102
为了制备PS-VA混合物，将99.9％的根据实施例M101的混合物与0.1％下式可聚合化合物混合
实施例M103
为了制备PS-VA混合物，将99.6％的根据实施例M101的混合物与0.4％下式可聚合化合物混合
实施例M104
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M101的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M105
为了制备PS-VA混合物，将99.8％的根据实施例M101的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合
实施例M106
实施例M107
为了制备PS-VA混合物，将99.6％的根据实施例M106的混合物与0.4％下式可聚合化合物混合
实施例M108
实施例M109
实施例M110
实施例M111
实施例M112
实施例M113
实施例M114
实施例M115
实施例M116
实施例M117
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M111的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M118
实施例M119
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M118的混合物与0.001％的Irganox 1076以及0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M120
实施例M121
为了制备PS-VA混合物，将99.6％的根据实施例M120的混合物与0.4％下式可聚合化合物混合
实施例M122
实施例M123
实施例M124
实施例M125
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M124的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M126
实施例M127
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M126的混合物与0.001％的Irganox 1076以及0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M128
实施例M129
实施例M130
实施例M131
实施例M132
实施例M133
实施例M134
实施例M135
实施例M136
实施例M137
实施例M138
实施例M139
实施例M140
实施例M141
实施例M142
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M140的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M143
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M140的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M144
为了制备PS-VA混合物，将99.8％的根据实施例M140的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合
实施例M145
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M141的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M146
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M141的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M147
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M141的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M148
为了制备PS-VA混合物，将99.8％的根据实施例M141的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合
实施例M149
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M141的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M150
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M141的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M151
实施例M152
实施例M153
实施例M154
实施例M155
实施例M156
实施例M157
实施例M158
实施例M159
实施例M160
实施例M161
实施例M162
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实施例M164
实施例M165
实施例M166
实施例M167
实施例M168
实施例M169
实施例M170
实施例M171
实施例M172
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M171的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M173
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M171的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M174
实施例M175
实施例M176
为了制备PS-VA混合物，将99.8％的根据实施例M174的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合
实施例M177
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M174的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M178
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M174的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M179
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M174的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M180
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M174的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M181
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M174的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M182
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M175的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M183
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M175的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M184
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M175的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M185
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M175的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M186
为了制备PS-VA混合物，将99.8％的根据实施例M175的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M187
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M166的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M188
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M167的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M189
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M167的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M190
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M167的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M191
实施例M192
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M191的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M193
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M191的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M194
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M191的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M195
实施例M196
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M195的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M197
为了制备PS-VA混合物，将99.7％的根据实施例M195的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合
实施例M198
实施例M199
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M198的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
实施例M200
为了制备PS-VA混合物，将99.75％的根据实施例M198的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合
Claims (20)
1.基于极性化合物的混合物的液晶介质，其特征在于其包含至少一种式I的化合物，和至少一种选自式IIA、IIB和IIC的化合物的化合物，
其中
R1和R1*各自彼此独立地表示具有1-15个C原子的烷基或烷氧基，其中，这些基团中的一个或多个CH2基团也可以各自彼此独立地被-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-CH＝CH-、
-O-、-CO-O-、-O-CO-以O原子不彼此直接连接的方式替代，和其中，一个或多个H原子也可以被卤素替代,
L1和L2各自彼此独立地表示F、Cl、CF3或CHF2,
其中
R2A、R2B和R2C各自彼此独立地表示H、具有至多15个C原子的烷基或烯基，其为未取代的、被CN或CF3单取代的或被卤素至少单取代的，其中，这些基团中的一个或多个CH2基团也可以被-O-、-S-、
-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-OC-O-或-O-CO-以O原子不彼此直接连接的方式替代，
L1-4各自彼此独立地表示F、Cl、CF3或CHF2，
Z2和Z2’各自彼此独立地表示单键、-CH2CH2-、-CH＝CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-CF＝CF-、-CH＝CHCH2O-，
p表示0、1或2，
q表示0或1，和
v表示1-6。
2.根据权利要求1的液晶介质，其特征在于该介质包含至少一种式I-1至I-10的化合物，
其中
alkyl和alkyl*各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的直链烷基，
alkenyl和alkenyl*各自彼此独立地表示具有2-6个C原子的直链烯基，
alkoxy和alkoxy*各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的直链烷氧基，和
L1和L2各自彼此独立地表示F、Cl、CF3或CHF2。
3.根据权利要求1或2的液晶介质，其特征在于该介质包含至少一种选自式I-2.1至I-2.49、I-6.1至I-6.28以及I-6B.1至I-6B.3的化合物的化合物，
其中L1和L2具有权利要求1中指定的含义。
4.根据权利要求1-3的一项或多项的液晶介质，其特征在于在式I中L1和L2各自表示F。
5.根据权利要求1-4的一项或多项的液晶介质，其特征在于该介质额外包含一种或多种式III的化合物，
其中
R31和R32各自彼此独立地表示具有至多12个C原子的直链烷基、烷氧基烷基或烷氧基，和
Z3表示单键、-CH2CH2-、-CH＝CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、
-COO-、-OCO-、-C2F4-、-C4H9-、-CF＝CF-。
6.根据权利要求1-5的一项或多项的液晶介质，其特征在于该介质额外包含一种或多种式L-1至L-11的化合物，
其中
R、R1和R2各自彼此独立地具有权利要求1中对于R2A所指定的含义，和alkyl表示具有1-6个C原子的烷基，以及
s表示1或2。
7.根据权利要求1-5的一项或多项的液晶介质，其特征在于该介质额外包含一种或多种式T-1至T-21的三联苯，
其中
R表示具有1-7个C原子的直链烷基或烷氧基，和m表示1-6。
8.根据权利要求1-7的一项或多项的液晶介质，其特征在于该介质额外包含一种或多种式O-1至O-18的化合物，
其中
R1和R2各自彼此独立地具有权利要求1中对于R2A所指定的含义。
9.根据权利要求1-8的一项或多项的液晶介质，其特征在于该介质额外包含一种或多种选自式O-6、O-7和O-17化合物的化合物，
其中
R1表示具有1-6个或2-6个C原子的烷基或烯基，和R2表示具有2-6个C原子的烯基。
10.根据权利要求1-9的一项或多项的液晶介质，其特征在于该介质额外包含一种或多种式In的茚满化合物，
其中
R11、R12、R13表示具有1-5个C原子的直链烷基、烷氧基、烷氧基烷基或烯基，
R12和R13还额外表示卤素，
i表示0、1或2。
11.根据权利要求1-10的一项或多项的液晶介质，其特征在于该介质额外包含一种或多种式BF-1和BF-2的化合物，
其中
R1和R2各自彼此独立地具有R2A含义，和
c表示1或2。
12.根据权利要求1-11的一项或多项的液晶介质，其特征在于在整个混合物中式I的化合物的比例为1-40wt％。
13.根据权利要求1-12的一项或多项的液晶介质，其特征在于该介质包含至少一种可聚合化合物。
14.根据权利要求1-13的一项或多项的液晶介质，其特征在于该介质包含一种或多种添加剂。
15.根据权利要求1-14的一项或多项的液晶介质，其特征在于该添加剂选自自由基清除剂、抗氧剂和/或UV稳定剂。
16.制备根据权利要求1-15的一项或多项的液晶介质的方法，其特征在于将至少一种式I的化合物与至少一种另外的液晶化合物混合，并且任选加入一种或多种添加剂和任选加入至少一种可聚合化合物。
17.根据权利要求1-15的一项或多项的液晶介质在电光显示器中的用途。
18.具有有源矩阵寻址的电光显示器，其特征在于其包含根据权利要求1-15的一项或多项的液晶介质作为电介质。
19.根据权利要求18的电光显示器，其特征在于其为VA-、PSA-、PA-VA-、PS-VA-、PALC-、IPS-、PS-IPS-、FFS-或PS-FFS-显示器。
20.式I-6B的化合物
其中
alkoxy表示具有1-6个C原子的直链烷氧基，和
L1和L2各自彼此独立地表示F、Cl、CF3或CHF2。
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