CN115175879A

CN115175879A - 玻璃之激光刻纹

Info

Publication number: CN115175879A
Application number: CN202180017392.0A
Authority: CN
Inventors: 大卫·奥古斯特·斯尼泽克·洛伯; 巴拉达·凯塔·纳亚克; 迈克尔·吉弥·西本
Original assignee: Corning Inc
Current assignee: Corning Inc
Priority date: 2020-01-27
Filing date: 2021-01-25
Publication date: 2022-10-11
Also published as: WO2021154620A1; JP2023511605A; KR20220134593A; TW202138330A

Abstract

用于制备并处理玻璃制品的方法包括：将至少一个激光源之射束引导到玻璃制品之至少一主表面上，使得所述射束在所述主表面上赋予多个刻纹特征，所述多个刻纹特征具有在约5纳米至约40纳米范围内的峰谷高度H。

Description

玻璃之激光刻纹

技术领域

本申请案请求2020年1月27日申请之美国临时申请案第62/966,324序列号之权益，该申请案之内容被依赖并以全文引用之方式并入本文，如同在下文被完全阐述一样。

本公开总体上涉及玻璃基板的刻纹，且更特定而言涉及玻璃基板的激光刻纹。

背景技术

薄玻璃基板通常在平板显示器(flat panel display；FPD)装置(诸如液晶显示器(liquid crystal display；LCD)及有机发光二极管(organic light emitting diode；OLED)显示器)中利用。在FPD装置中使用的基板通常具有薄膜晶体管在其上制造的功能A侧表面及与A侧表面相背对的非功能背侧或B侧表面。在制造FPD装置期间，玻璃基板之B侧表面可与具有各种材料(诸如金属、陶瓷、聚合材料及类似物)的输送和处置设备接触。在基板与这些材料之间的相互作用通常通过摩擦带电效应或接触带电而产生电荷。因此，电荷被转移到玻璃表面且可累积在基板上。随着电荷累积在玻璃基板之表面上，玻璃基板之表面电压也改变。

FPD装置中使用的玻璃基板之B侧表面之静电起电(Electrostatic charging；ESC)可降低玻璃基板之性能且/或损坏玻璃基板。例如，B侧表面之静电起电可通过介电崩溃或电场感应起电对沉积在玻璃基板之A侧表面上的薄膜晶体管(thin film transistor；TFT)装置造成闸极损坏。此外，玻璃基板之B侧表面的起电可吸引颗粒(诸如灰尘或其他颗粒碎屑)，这可损坏玻璃基板或降低玻璃基板之表面质量。在任一种情况下，玻璃基板之静电起电可降低FPD装置制造产率，从而增加制造工艺的总成本。

进一步地，玻璃基板与处置及/或输送设备之间的摩擦接触可致使此类设备磨损，从而降低设备之使用寿命。修复或更换经磨损设备导致产生工艺停工时间，从而降低制造产率并增加FPD装置制造工艺的总成本。

解决这些问题的一种方法涉及向玻璃基板之至少B侧施加湿蚀刻化学物质。示范性湿蚀刻化学物质是包含NaF及H₃PO₄的水溶液。在典型的工艺中，湿蚀刻化学溶液循环用于处理多个玻璃板，在该工艺期间此类溶液最终经历劣化并需要更换。此外，此类工艺通常在用于处置危险副产物(诸如HF)的安全设备方面涉及附加加工步骤、相当大的加工占有面积以及显著投资。另外，湿蚀刻工艺不太适于针对不同玻璃类型或所要表面特性进行调整，而无需工艺停工时间及/或对加工材料或设备进行实质性改造。

因此，存在对解决这些问题中的一或多个的玻璃基板加工方法的需要。

发明内容

本文公开之实施方式包括一种制备玻璃制品之方法。该方法包括将原料熔化到熔融玻璃中。该方法还包括由该熔融玻璃形成该玻璃制品。该玻璃制品包括第一主表面及该玻璃制品的与该第一主表面相背对的一侧上的第二主表面。此外，该方法包括将至少一个激光源的射束引导到该玻璃制品的至少该第二主表面上，使得该射束在该第二主表面上赋予多个刻纹特征。该多个刻纹特征具有在约5纳米至约40纳米范围内的峰谷高度H。

本文公开之实施方式还包括一种处理玻璃制品之方法。该方法包括将至少一个激光源的射束引导到该玻璃制品的至少一主表面上，使得该射束在该主表面上赋予多个刻纹特征。该多个刻纹特征具有在约5纳米至约40纳米范围内的峰谷高度H。

本文公开之实施方式的附加特征及优点将在以下实施方式中阐述，并部分内容将根据该描述被熟悉此项技术者容易地了解或者通过实践如本文所描述的公开实施方式(包括以下实施方式、发明权利要求书以及附图)来认识。

应理解，前述一般描述及以下实施方式两者都呈现了旨在提供用于理解所请求保护的实施方式之性质及特性的概述或框架的实施方式。附图被包括以提供进一步的理解且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图例示本公开之各种实施方式且与描述一起用于解释其原理及操作。

附图说明

图1是示范性熔合下拉式玻璃制备设备及工艺之示意图；

图2是玻璃板之立体图；

图3是熔合拉制玻璃的示范性激光刻纹之示意性侧视图；

图4是包括多个刻纹特征的示范性玻璃板的一部分之示意性横截面图；且

图5是包括多个刻纹特征的示范性玻璃板的一部分之示意性顶视图。

具体实施方式

现将详细参考本公开之当前较佳实施方式，该等实施方式之实例说明于附图中。无论何时，贯穿附图，相同附图标号将用于是指相同或相似部件。然而，本公开可以许多不同形式体现且不应解释为限于本文阐述之实施方式。

范围在本文中可表达为从“约”一个特定值及/或到“约”另一个特定值。当表达此范围时，另一个实施方式包括从一个特定值及/或到另一个特定值。类似地，当例如藉助于使用先行词“约”将值表达为近似值时，将理解特定值形成另一个实施方式。进一步将理解，每个范围的端点与另一个端点相关及独立于另一个端点都是重要的。

本文所使用的方向术语——例如上、下、右、左、前、后、顶部、底部——仅参考所绘制附图进行且并不旨在暗示绝对取向。

除非另外明确说明，否则决不旨在将本文阐述的任何方法解释为要求以特定顺序执行其步骤，也不需要以任何设备特定的取向进行解释。因此，在方法权利要求并未实际上叙述其步骤要遵循的顺序，或者任何设备权利要求并未实际上叙述单个部件的顺序或取向，或者在发明权利要求书或描述中并未另外特别声明步骤受限于特定顺序，或者并未陈述设备组件的特定顺序或取向的情况下，在任何方面绝不旨在推断顺序或取向。这适用于任何可能的非表达的解释基础，包括：关于步骤安排、操作流程、部件顺序或组件取向的逻辑问题；源自语法组织或标点符号的简洁含义；以及说明书中描述的实施方式的数量或类型。

除非上下文另外清楚指示，否则如本文所用，单数形式“一个”、“一种”及“该”包括多个参考对象。因此，例如，除非上下文另外明确指示，否则对“一个”组件的参考包括具有二或更多个此类组件的方面。

如本文所用，术语“玻璃制品”是指可处于各种加工状态的一定量的玻璃，诸如玻璃带或其一部分及/或玻璃板或其一部分。本文公开之实施方式包括其中玻璃制品包含第一主表面及相背对的第二主表面的彼等实施方式。在一些实施方式中，第一主表面可与第二主表面实质上平行。

图1中示出的是示范性玻璃制造设备10。在一些实例中，玻璃制造设备10可包含玻璃熔化炉12，该玻璃熔化炉12可包括熔化容器14。除熔化容器14之外，玻璃熔化炉12可视情况包括一或多个附加部件，诸如加热原料并将原料转化为熔融玻璃的加热元件(例如，燃烧灯或电极)。在另外的实例中，玻璃熔化炉12可包括减少从熔化容器附近损失的热量的热管理装置(例如，绝缘部件)。在另外的实例中，玻璃熔化炉12可包括有利于将原料熔化为玻璃熔体的电子装置及/或电机装置。更进一步地，玻璃熔化炉12可包括支撑结构(例如，支撑底盘、支撑构件等)或其他部件。

玻璃熔化容器14通常包含耐火材料，诸如耐火陶瓷材料(例如包含氧化铝或氧化锆的耐火陶瓷材料)。在一些实例中，玻璃熔化容器14可由耐火陶瓷砖构成。玻璃熔化容器14的具体实施方式将在下文更详细地描述。

在一些实例中，玻璃熔化炉可被并入为玻璃制造设备的部件以制造玻璃板，例如具有连续长度的玻璃带。在一些实例中，本公开的玻璃熔化炉可被并入为玻璃制造设备的部件，该玻璃制造设备包含狭槽拉制设备、浮浴设备、下拉设备(诸如熔合工艺)、上拉设备、压轧设备、管拉制设备或将受益于本文公开之方面的任何其他玻璃制造设备。通过实例的方式，图1示意性地将玻璃熔化炉12例示为熔合下拉玻璃制造设备10的部件，该熔合下拉玻璃制造设备10用于熔合拉制玻璃带以供随后加工为单个玻璃板。

玻璃制造设备10(例如，熔合下拉设备10)可视情况包括相对于玻璃熔化容器14定位在上游的上游玻璃制造设备16。在一些实例中，上游玻璃制造设备16的一部分或整个上游玻璃制造设备16可被并入为玻璃熔化炉12的一部分。

如所例示的实例所示，上游玻璃制造设备16可包括储存仓18、原料递送装置20及连接到原料递送装置的电机22。储存仓18可经组配来储存一定量的原料24，该一定量的原料24可被馈送到玻璃熔化炉12的熔化容器14中，如箭头26所指示。原料24通常包含一或多种形成玻璃的金属氧化物及一或多种改性剂。在一些实例中，原料递送装置20可由电机22供电，使得原料递送装置20将预定量的原料24从储存仓18递送至熔化容器14。在另外的实例中，电机22可基于在熔化容器14的下游感测到的熔融玻璃的液位来给原料递送装置20供电以便以受控速率引入原料24。此后可加热熔化容器14内的原料24以形成熔融玻璃28。

玻璃制造设备10还可视情况包括相对于玻璃熔化炉12定位在下游的下游玻璃制造设备30。在一些实例中，下游玻璃制造设备30的一部分可被并入为玻璃熔化炉12的一部分。在一些情况下，下游玻璃制造设备30的下文论述的第一连接导管32或其他部分可被并入为玻璃熔化炉12的一部分。下游玻璃制造设备的元件(包括第一连接导管32)可由贵金属形成。合适的贵金属包括选自由铂、铱、铑、锇、钌及钯或它们的合金组成的金属之群的铂族金属。例如，玻璃制造设备之下游部件可由铂-铑合金形成，该铂-铑合金包括约70重量％至约90重量％的铂及约10重量％至约30重量％的铑。然而，其他合适的金属可包括钼、钯、铼、钽、钛、钨及其合金。

下游玻璃制造设备30可包括位于熔化容器14的下游且通过上述第一连接导管32耦接到熔化容器14的第一调节(即，加工)容器，诸如澄清容器34。在一些实例中，可将熔融玻璃28通过第一连接导管32从熔化容器14重力馈送至澄清容器34。例如，重力可致使熔融玻璃28穿过第一连接导管32的从熔化容器14到澄清容器34的内部路径。然而，应理解，其他调节容器可定位在熔化容器14的下游，例如定位在熔化容器14与澄清容器34之间。在一些实施方案中，可在熔化容器与澄清容器之间采用调节容器，其中将来自初级熔化容器的熔融玻璃进一步加热以继续熔化工艺，或者冷却至低于熔化容器中熔融玻璃的温度的温度，之后进入澄清容器。

可通过各种技术从澄清容器34内的熔融玻璃28移除气泡。例如，原料24可包括多价化合物(即，澄清剂)(诸如氧化锡)，该多价化合物在被加热时经历化学还原反应并释放氧气。其他合适的澄清剂包括但不限于砷、锑、铁及铈。将澄清容器34加热至高于熔化容器温度的温度，从而加热熔融玻璃及澄清剂。由一或多种澄清剂的温度诱导的化学还原产生的氧气泡穿过澄清容器内的熔融玻璃上升，其中在熔化炉中产生的熔融玻璃中的气体可扩散或聚结到由澄清剂产生的氧气泡中。然后，扩大的气体气泡可上升到澄清容器中熔融玻璃的自由表面，且然后从澄清容器排出。氧气泡可进一步诱导澄清容器中熔融玻璃的机械混合。

下游玻璃制造设备30可进一步包括另一个调节容器，诸如用于混合熔融玻璃的混合容器36。混合容器36可位于澄清容器34的下游。混合容器36可用于提供均质玻璃熔体组合物，从而减少可原本存在于离开澄清容器的已澄清熔融玻璃内的化学或热非均质性帘线。如图所示，澄清容器34可通过第二连接导管38耦接到混合容器36。在一些实例中，可将熔融玻璃28通过第二连接导管38从澄清容器34重力馈送至混合容器36。例如，重力可致使熔融玻璃28穿过第二连接导管38的从澄清容器34到混合容器36的内部路径。应注意，虽然示出混合容器36位于澄清容器34的下游，但是混合容器36可定位在澄清容器34的上游。在一些实施方式中，下游玻璃制造设备30可包括多个混合容器，例如在澄清容器34上游的混合容器及在澄清容器34下游的混合容器。这些多个混合容器可具有相同设计，或者它们可具有不同设计。

下游玻璃制造设备30可进一步包括另一个调节容器，诸如可位于混合容器36下游的递送容器40。递送容器40可调节熔融玻璃28以馈送到下游形成装置中。例如，递送容器40可用作蓄积器及/或流量控制器以调整熔融玻璃28且/或通过出口导管44将恒定流量的熔融玻璃28提供至形成主体42。如图所示，混合容器36可通过第三连接导管46耦接到递送容器40。在一些实例中，可将熔融玻璃28通过第三连接导管46从混合容器36重力馈送至递送容器40。例如，重力可驱动熔融玻璃28穿过第三连接导管46的从混合容器36到递送容器40的内部路径。

下游玻璃制造设备30可进一步包括形成设备48，该形成设备48包含上述形成主体42及入口导管50。出口导管44可定位成将熔融玻璃28从递送容器40递送至形成设备48之入口导管50。例如，出口导管44可嵌套在入口导管50之内表面内并与该内表面间隔开，从而提供熔融玻璃之定位在出口导管44之外表面与入口导管50之内表面之间的自由表面。熔合下拉玻璃制备设备中的形成主体42可包含槽52，该槽52定位在形成主体之上表面中；以及会聚形成表面54，该会聚形成表面54沿着形成主体之底部边缘56在拉制方向上会聚。通过递送容器40、出口导管44及入口导管50递送至形成主体槽的熔融玻璃溢出槽之侧壁，且作为熔融玻璃之单独流沿着会聚形成表面54下降。熔融玻璃之单独流在底部边缘56下方并沿着底部边缘56汇合以产生通过例如由重力、边缘辊72及拉辊82向玻璃带施加张力而在拉制或流动方向60上从底部边缘56拉制的单一玻璃带58，以便在玻璃冷却并玻璃粘度增加时控制玻璃带之尺寸。因此，玻璃带58经历粘弹性转变且获得给予玻璃带58稳定尺寸特性的机械性质。在一些实施方式中，玻璃带58可通过玻璃分离装置100在玻璃带之弹性区域中分离成单个玻璃板62。然后，机器人64可使用夹持工具65将单个玻璃板62转移至输送机系统，随后可进一步加工单个玻璃板。

图2示出玻璃板62之立体图，该玻璃板62具有第一主表面162；第二主表面164，该第二主表面164在与第一主表面162大体平行的方向上延伸(在玻璃板62的与第一主表面相背对的一侧上)；及边缘表面166，该边缘表面166在第一主表面162与第二主表面164之间延伸且在大体垂直于第一主表面162及第二主表面164的方向上延伸。

图3标出熔合拉制玻璃的激光刻纹的示范性实施方式之示意性侧视图。如图3所示，熔融玻璃之单独流作为熔融玻璃之单独流沿着会聚形成表面54下降，该熔融玻璃之单独流在形成主体42之底部边缘56下方并沿着该底部边缘56汇合以产生在拉制或流动方向60上拉制的单一玻璃带58。当玻璃带58在拉制或流动方向60上拉制时，将至少一个激光源150之射束152引导到玻璃带58的一侧，诸如旨在成为玻璃板62的B侧表面或第二主表面164的那侧。

在一个实施方式中，激光源150之射束152聚焦在玻璃带58之表面上。在另一个实施方式中，激光源150之射束152以玻璃带58之厚度聚焦在玻璃带58之表面下方。激光源150通常以防止玻璃从玻璃带58显著烧蚀并防止激光源150之射束152穿透玻璃带58的波长及功率操作。然而，在一些实施方式中，当玻璃带处于粘性状态时，玻璃带58之表面可发生轻微烧蚀，而不会从玻璃带58之表面形成相关联颗粒碎屑。在这些实施方式中，在激光射束152撞击之后玻璃带58的回流导致形成多个刻纹特征。

图4示出示范性玻璃板62的一部分之示意性横截面图，该玻璃板62具有第一主表面162及包括多个刻纹特征166的第二主表面164。刻纹特征166从玻璃板62之第二主表面164或B侧表面延伸。刻纹特征166之峰谷高度在图4中示出为H且相邻刻纹特征166之间的中心对中心间距在图4中示出为P。如本文所使用，“峰谷高度”是指在厚度方向(例如，正交于第一主表面或第二主表面中的至少一者的方向)上在刻纹特征的最接近玻璃板主表面(例如，第二主表面164)之平面的部分与刻纹特征的与玻璃板主表面之平面相距最远的部分之间的距离。如本文所使用，“相邻刻纹特征之间的中心对中心间距”是指相邻刻纹特征的与玻璃板主表面(例如，第二主表面164)之平面相距最远的部分之间的最短距离。

图5标出包括多个刻纹特征166的示范性玻璃板62的一部分之示意性顶视图。相邻刻纹特征之间的中心对中心间距在图5中示出为P。图5中示出的玻璃板62的部分之表面积是尺寸X与Y的乘积，且刻纹特征166在该表面积内的密度可通过对表面积内观察到的刻纹特征进行计数(图5中示出为五个刻纹特征)并除以表面积来获得。

本文公开之实施方式包括将至少一个激光源之激光射束引导到玻璃制品(诸如玻璃带)之至少第二主表面上，使得该射束在该第二主表面上赋予多个刻纹特征，该多个刻纹特征具有在约5纳米至约40纳米，诸如约10纳米至约35纳米，且进一步诸如约15纳米至约30纳米范围内的峰谷高度H。

在某些示范性实施方式中，该第二主表面上的该多个刻纹特征的密度是至少约0.1个/平方微米，诸如至少约0.2个/平方微米，且进一步诸如至少约0.5个/平方微米，且再进一步诸如至少约1个/平方微米，诸如约0.1个/平方微米至约100个/平方微米，诸如约0.2个/平方微米至约50个/平方微米且进一步诸如约0.5个/平方微米至约10个/平方微米。

在某些示范性实施方式中，该第二主表面上的相邻刻纹特征之间的中心对中心间距P在至少一个方向上在约0.1微米至约20微米，诸如在至少一个方向上在约0.2微米至约10微米，且进一步诸如在至少一个方向上在约0.5微米至约5微米的范围内。

在某些示范性实施方式中，该第二主表面之表面粗糙度Ra是至少约0.5纳米，诸如至少约0.6纳米，且进一步诸如至少约0.7纳米，诸如约0.5纳米至约1.0纳米，如通过原子力显微术(atomic force microscopy；AFM)所测量。Ra被计算为表面轮廓之算术平均离差。

在某些示范性实施方式中，当将该至少一个激光源之该激光射束引导到该玻璃制品之至少该第二主表面上时该玻璃制品之粘度小于约10¹³泊(退火点)，诸如介于约10⁴泊(工作点)与约10¹³泊之间，且进一步诸如介于约10^7.6泊(软化点)与约10¹³泊之间。

在某些示范性实施方式中，当将该至少一个激光源之该激光射束引导在该玻璃制品之至少该第二主表面上时，该玻璃制品之温度是至少约800℃，诸如约800℃至约1,000℃。

在某些示范性实施方式中，该玻璃制品在该第一主表面与该第二主表面之间的厚度小于或等于约0.5毫米，诸如约0.1毫米至约0.5毫米且进一步诸如约0.2毫米至约0.4毫米。

在某些示范性实施方式中，该激光源包含CO₂激光，该CO₂激光操作来引导一激光射束，该激光射束包含约1瓦至约5瓦，诸如约2瓦至约4瓦的功率。该激光射束能够跨越该玻璃制品之整个尺寸，例如该玻璃带之宽度在正交于拉制方向的方向上以约1厘米/秒至约5厘米/秒，诸如约2厘米/秒至约4厘米/秒的扫描速率进行扫描。该激光射束的扫描能够例如通过使用沿着预定路径引导该激光射束的电流计驱动的光学器件(例如，镜)来完成。

在此类功率范围及扫描速率内将该激光源操作到玻璃制品诸如玻璃带之至少该第二主表面上能够实现形成本文描述之关于例如峰谷高度H、密度、中心对中心间距P或表面粗糙度Ra中的一或多者的刻纹特征形貌，该玻璃制品具有小于约10¹³泊的粘度及/或至少约800℃的温度。

本文公开之实施方式能够与多种玻璃组合物一起使用。此类组合物能够例如包括玻璃组合物，诸如无碱玻璃组合物，该无碱玻璃组合物包含58-65重量％SiO₂、14-20重量％Al₂O₃、8-12重量％B₂O₃、1-3重量％MgO、5-10重量％CaO及0.5-2重量％SrO。此类组合物还能够包括玻璃组合物，诸如无碱玻璃组合物，该无碱玻璃组合物包含58-65重量％SiO₂、16-22重量％Al₂O₃、1-5重量％B₂O₃、1-4重量％MgO、2-6重量％CaO、1-4重量％SrO及5-10重量％BaO。此类组合物进一步能够包括玻璃组合物，诸如无碱玻璃组合物，该无碱玻璃组合物包含57-61重量％SiO₂、17-21重量％Al₂O₃、5-8重量％B₂O₃、1-5重量％MgO、3-9重量％CaO、0-6重量％SrO及0-7重量％BaO。此类组合物另外能够包括玻璃组合物，诸如无碱玻璃组合物，该无碱玻璃组合物包含55-72重量％SiO₂、12-24重量％Al₂O₃、10-18重量％Na₂O、0-10重量％B₂O₃、0-5重量％K₂O、0-5重量％MgO及0-5重量％CaO，该无碱玻璃组合物在某些实施方式中也能够包括1-5重量％K₂O及1-5重量％MgO。

本文公开之实施方式可导致玻璃基板的表面电压实质性降低，这进而可能够减少对沉积在玻璃基板之A侧表面上的TFT装置的闸极损坏以及减少玻璃基板之表面上的颗粒物质(诸如灰尘或其他颗粒碎屑)。特别地，与具有在该些范围之外的峰谷高度H、密度及/或中心对中心间距P的刻纹特征相比，具有在本文公开之实施方式的此等范围内的峰谷高度H、密度及/或中心对中心间距P的刻纹特征可实现足够的电场变化以实现改良的表面电压降低水平。

尽管已经参考熔合下拉工艺描述了上述实施方式，但是应理解，此类实施方式也适用于其他玻璃形成工艺，诸如浮式工艺、狭槽拉制工艺、上拉工艺、管拉制工艺及压轧工艺。

所属领域的技术人员将明白，在不脱离本公开之精神及范畴的情况下，可对本公开之实施方式做出修改及变化。因此，预期本公开涵盖此类修改及变化，只要它们在附随权利要求及其等效物之范畴内。

Claims

1.一种制备玻璃制品之方法，包含：

将原料熔化到熔融玻璃中；

由所述熔融玻璃形成所述玻璃制品，所述玻璃制品包含第一主表面及相背对的第二主表面；及

将至少一个激光源之射束引导到所述玻璃制品之至少所述第二主表面上，使得所述射束在所述第二主表面上赋予多个刻纹特征，所述多个刻纹特征具有在约5纳米至约40纳米范围内的峰谷高度H。

2.如权利要求1所述之方法，其中所述第二主表面上的所述多个刻纹特征之密度是至少约0.1个/平方微米。

3.如权利要求1所述之方法，其中所述第二主表面上的相邻刻纹特征之间的中心对中心间距P在至少一个方向上是在约0.1微米至约20微米的范围内。

4.如权利要求1所述之方法，其中所述第二主表面之表面粗糙度Ra是至少约0.5纳米。

5.如权利要求1所述之方法，其中当将所述至少一个激光源之所述射束引导到所述玻璃制品之至少所述第二主表面上时，所述玻璃制品之粘度小于约10¹³泊。

6.如权利要求1所述之方法，其中当将所述至少一个激光源之所述射束引导在所述玻璃制品之至少所述第二主表面上时，所述玻璃制品之温度是至少约800℃。

7.如权利要求1所述之方法，其中所述激光源包含CO₂激光，所述CO₂激光操作来以约1厘米/秒至约5厘米/秒的扫描速率引导所包含之功率为约1瓦至约5瓦的激光射束。

8.如权利要求1所述之方法，其中所述玻璃制品在所述第一主表面与所述第二主表面之间的厚度小于或等于约0.5毫米。

9.如权利要求1所述之方法，其中玻璃基板包含无碱玻璃组合物，所述无碱玻璃组合物包含58-65重量％SiO₂、14-20重量％Al₂O₃、8-12重量％B₂O₃、1-3重量％MgO、5-10重量％CaO及0.5-2重量％SrO。

10.如权利要求1所述之方法，其中所述玻璃基板包含无碱玻璃组合物，所述无碱玻璃组合物包含58-65重量％SiO₂、16-22重量％Al₂O₃、1-5重量％B₂O₃、1-4重量％MgO、2-6重量％CaO、1-4重量％SrO及5-10重量％BaO。

11.如权利要求1所述之方法，其中所述玻璃基板包含无碱玻璃组合物，所述无碱玻璃组合物包含57-61重量％SiO₂、17-21重量％Al₂O₃、5-8重量％B₂O₃、1-5重量％MgO、3-9重量％CaO、0-6重量％SrO及0-7重量％BaO。

12.如权利要求1所述之方法，其中所述玻璃基板包含玻璃组合物，所述玻璃组合物包含55-72重量％SiO₂、12-24重量％Al₂O₃、10-18重量％Na₂O、0-10重量％B₂O₃、0-5重量％K₂O、0-5重量％MgO及0-5重量％CaO、1-5重量％K₂O及1-5重量％MgO。

13.一种通过如权利要求1所述之方法制备的玻璃制品。

14.一种电子装置，包含如权利要求13所述之玻璃制品。

15.一种处理玻璃制品之方法，包含：

将至少一个激光源之射束引导到所述玻璃制品之主表面上，使得所述射束在所述主表面上赋予多个刻纹特征，所述多个刻纹特征具有在约5纳米至约40纳米范围内的峰谷高度H。

16.如权利要求15所述之方法，其中所述主表面上的所述多个刻纹特征之密度是至少约0.1个/平方微米。

17.如权利要求15所述之方法，其中所述主表面上的相邻刻纹特征之间的中心对中心间距P在至少一个方向上是在约0.1微米至约20微米的范围内。

18.如权利要求15所述之方法，其中所述主表面之表面粗糙度Ra是至少约0.5纳米。

19.如权利要求15所述之方法，其中当将所述至少一个激光源之所述射束引导到所述主表面上时，所述玻璃制品之粘度小于约10¹³泊。

20.如权利要求15所述之方法，其中当将所述至少一个激光源之所述射束引导在所述主表面上时，所述玻璃制品之温度是至少约800℃。

21.如权利要求15所述之方法，其中所述激光源包含CO₂激光，所述CO₂激光操作来以约1厘米/秒至约5厘米/秒的扫描速率引导所包含之功率为约1瓦至约5瓦的激光射束。

22.如权利要求15所述之方法，其中所述玻璃制品在所述主表面与相背对主表面之间的厚度小于或等于约0.5毫米。

23.如权利要求15所述之方法，其中玻璃基板包含无碱玻璃组合物，所述无碱玻璃组合物包含58-65重量％SiO₂、14-20重量％Al₂O₃、8-12重量％B₂O₃、1-3重量％MgO、5-10重量％CaO及0.5-2重量％SrO。

24.如权利要求15所述之方法，其中所述玻璃基板包含无碱玻璃组合物，所述无碱玻璃组合物包含58-65重量％SiO₂、16-22重量％Al₂O₃、1-5重量％B₂O₃、1-4重量％MgO、2-6重量％CaO、1-4重量％SrO及5-10重量％BaO。

25.如权利要求15所述之方法，其中所述玻璃基板包含无碱玻璃组合物，所述无碱玻璃组合物包含57-61重量％SiO₂、17-21重量％Al₂O₃、5-8重量％B₂O₃、1-5重量％MgO、3-9重量％CaO、0-6重量％SrO及0-7重量％BaO。

26.如权利要求15所述之方法，其中所述玻璃基板包含玻璃组合物，所述玻璃组合物包含55-72重量％SiO₂、12-24重量％Al₂O₃、10-18重量％Na₂O、0-10重量％B₂O₃、0-5重量％K₂O、0-5重量％MgO及0-5重量％CaO、1-5重量％K₂O及1-5重量％MgO。