CN115133782A - 一种有源钳位反激电路及其控制方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种有源钳位反激电路及其控制方法，包括控制器、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第一储能模块、第二储能模块、第三储能模块、第四储能模块、单向传输电路、第一二极管、变压器和第一电源；变压器包括原边绕组、励磁电感、漏感和副边绕组；励磁电感的第一端与原边绕组的同名端和输入电源的正极电连接；通过增设第四储能模块使得第三储能模块存储的电量减少，并且在第三储能模块向励磁电感和漏感放电至流经漏感电流为零时控制第一MOS管断开，使得第三储能模块所在的电路均为断路，励磁电感和漏感无法再次向第三储能模块充电，从而停止振荡，即该有源钳位反激电路向负载供电过程中仅振荡一次，大幅降低了功率损耗，并有效提高了EMC性能。

Description

一种有源钳位反激电路及其控制方法

技术领域

本发明涉及电力电子技术领域，尤其涉及一种有源钳位反激电路及其控制方法。

背景技术

有源钳位反激电路相较于普通的反激电路由于具有更高的输出效率和功率密度而被广泛适用于反激式电源开关中。

但现有的有源钳位线路上有一些如下不足：若有源钳位开关管在变压器向副边释放能量期间一直导通，就会使变压器的漏感和有源钳位电容一直振荡，损耗较大，同时会影响电路的EMC（电磁兼容性）；若有源钳位开关管只在主开关管开通前的较短时间导通，虽然不再反复振荡，有源钳位电容在开通时无法零电压导通且导通时机较难把握，造成损耗较大。

发明内容

本发明提供了一种有源钳位反激电路及其控制方法，以降低电路功耗并提升EMC性能。

根据本发明的一方面，提供了一种有源钳位反激电路，包括：控制器、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第一储能模块、第二储能模块、第三储能模块、第四储能模块、单向传输电路、第一二极管、变压器和第一电源；

所述变压器包括原边绕组、励磁电感、漏感和副边绕组；

所述励磁电感的第一端与所述原边绕组的同名端和输入电源的正极电连接；所述励磁电感的第二端与所述原边绕组的异名端和漏感的第一端电连接；所述输入电源的正极还通过所述第一储能模块与所述输入电源的负极电连接；

所述漏感的第二端与所述第二储能模块的第一端电连接于第一节点；所述第二储能模块的第二端与所述输入电源的负极电连接；

所述单向传输电路的输入端与所述第一MOS管的第一极、所述第三储能模块的第一端电连接，所述单向传输电路的输出端通过所述第四储能模块与所述输入电源的负极电连接；所述第一MOS管的第二端与所述输入电源的负极电连接；所述第三储能模块的第二端与所述第二MOS管的第一极电连接，所述第二MOS管的第二极与所述第三MOS管的第一极电连接于所述第一节点；所述第三MOS管的第二极与所述输入电源的负极电连接；

所述副边绕组的异名端与所述第一二极管的阳极电连接，所述第一二极管的阴极与负载的正极端电连接，所述副边绕组的同名端与所述负载的负极端电连接；

所述第一MOS管的控制极、所述第二MOS管的控制极和所述第三MOS管的控制极均与所述控制器电连接。

可选的，所述第一储能模块包括第一电容；

所述第二储能模块包括第二电容；

所述第三储能模块包括第三电容；

所述第四储能模块包括第四电容。

可选的，所述第三MOS管包括输出寄生电容；

所述输出寄生电容复用为所述第二电容。

可选的，所述单向传输电路包括：第二二极管；

所述第二二极管的阳极与所述第一MOS管的第一极和所述第三储能模块的第一端电连接；所述第二二极管的阴极与所述第一电源电连接。

可选的，所述有源钳位反激电路还包括：第一电源；

所述第一电源与所述单向传输电路的输出端、所述控制器的供电端电连接，所述第一电源还通过所述第四储能模块与所述输入电源的负极电连接。

可选的，所述有源钳位反激电路还包括：第五电容；

所述第五电容的一端与所述第一二极管的阴极和所述负载的正极端电连接，所述第五电容的另一端与所述副边绕组的同名端和所述负载的负极端电连接。

根据本发明的一方面，提供了一种有源钳位反激电路的控制方法，由上述的有源钳位反激电路中的控制器执行，包括：

在所述第一二极管导通的过程中，实时获取流经所述漏感的第一电流信号；

在确定所述第一电流信号沿第一方向降低至第一电流阈值时，控制所述第一MOS管断开；其中，所述第一方向为电流由所述漏感流向所述第三储能模块的流动方向；

在所述第一MOS管断开后，实时获取流经所述第一MOS管的第二电流信号；

在根据所述第二电流信号确定所述第一MOS管的体二极管导通时，控制所述第一MOS管导通；

在所述第一MOS管导通后，实时获取所述第一电流信号；

在确定所述第一电流信号沿第二方向降低至第二电流阈值时，控制所述第一MOS管断开；其中，所述第二方向为电流由所述第三储能模块流向所述漏感的流动方向。

可选的，在第一二极管导通之前，还包括：

在所述第三MOS管处于导通状态时，实时获取流经所述漏感的第一电流信号；

在确定所述第一电流信号沿所述第一方向增大到第三电流阈值时，控制所述第三MOS管断开；

在所述第三MOS管断开后，实时获取流经所述第二MOS管的第三电流信号；

在根据所述第三电流信号确定所述第二MOS管的体二极管导通时，控制所述第二MOS管导通。

可选的，在确定所述第一电流信号沿第二方向降低至第二电流阈值时，控制所述第一MOS管断开后，还包括：

在所述第一MOS管处于断开的过程中，实时获取流经所述第一MOS管的第二电流信号；

在根据所述第二电流信号确定所述第一MOS管的体二极管导通时，控制所述第一MOS管导通；

在所述第一MOS管导通后，实时获取所述第一电流信号；

在所述第一电流信号沿所述第二方向降低至第四电流阈值时，控制所述第二MOS管断开；

在所述第二MOS管断开后，实时获取所述第三MOS管两端的第三电压信号；

在确定所述第三电压信号为零时，控制所述第三MOS管导通；并执行在所述第三MOS管处于导通状态时，实时获取流经所述漏感的第一电流信号的步骤。

可选的，在确定所述第一电流信号沿第二方向降低至第二电流阈值时，控制所述第一MOS管断开后，还包括：

控制所述第二MOS管断开，并实时获取所述第三MOS管两端的第三电压信号；

在确定所述第三电压信号增大到第一电压阈值时，控制所述第一MOS管导通；

在确定所述第三电压信号达到最大电压值时，控制所述二MOS管导通；

在所述第一MOS管导通后，实时获取所述第一电流信号；

在确定所述第一电流信号沿所述第二方向增大至第五电流阈值时，控制所述第二MOS管断开；

在所述第二MOS管断开的过程中，实时获取所述第三MOS管两端的第三电压信号；

在确定所述第三电压信号为零时，控制所述第三MOS管导通，并执行在所述第三MOS管处于导通状态时，实时获取流经所述漏感的第一电流信号的步骤。

本发明实施例提供的有源钳位反激电路，在需要为第三储能模块储能时设置第一MOS管和第二MOS管处于导通状态，并在第三储能模块存储的能量达到一定值时控制第一MOS管断开，从而单向传输电路导通，使得励磁电感和漏感上的电流通过第三储能模块和第四储能模块放电，在励磁电感和漏感上的电流为零时单向传输电路断开，此时控制第一MOS管导通，使得第三储能模块向励磁电感和漏感反向充电，直至励磁电感和漏感为零时控制第一MOS管断开。通过增设第四储能模块使得第三储能模块存储的电量减少，因此在励磁电感和漏感电流为零后，第三储能模块反过来向励磁电感和漏感放电后剩余的电量较少，并且在第三储能模块向励磁电感和漏感放电至流经漏感电流为零时控制第一MOS管断开，使得第三储能模块所在的电路均为断路，励磁电感和漏感无法再次向第三储能模块充电，从而停止振荡，因此相较于现有技术中不设置第一MOS管、单向传输电路以及第三储能模块有源钳位反激电路，本发明实施例提供的有源钳位反激电路向负载供电的过程中仅振荡了一次，大幅降低了功率损耗，并有效提高了EMC性能。

应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种有源钳位反激电路的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的另一种有源钳位反激电路的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的又一种有源钳位反激电路的结构示意图；

图4是本发明实施例提供的一种有源钳位反激电路的控制方法的流程图；

图5是本发明实施例提供的一种流经漏感的电流信号的波形图；

图6是本发明实施例提供的一种流经励磁电感的电流信号波形图；

图7是本发明实施例提供的另一种有源钳位反激电路的控制方法的流程图；

图8是本发明实施例提供的又一种有源钳位反激电路的控制方法的流程图；

图9是本发明实施例提供的又一种有源钳位反激电路的控制方法的流程图；

图10是本发明实施例提供的另一种流经漏感的电流信号波形图；

图11是本发明实施例提供的另一种流经励磁电感的电流信号波形图；

图12是本发明实施例提供的一种第三电压信号的波形图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

图1是本发明实施例提供的一种有源钳位反激电路的结构示意图，如图1所示，该有源钳位反激电路包括控制器U1、第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第一储能模块10、第二储能模块20、第三储能模块30、第四储能模块40、单向传输电路50、第一二极管D1和变压器T0；变压器T0包括原边绕组L1、励磁电感Lm、漏感Lr和副边绕组L2；励磁电感Lm的第一端与原边绕组L1的同名端和输入电源的正极Vin+电连接；励磁电感Lm的第二端与原边绕组L1的异名端和漏感Lr的第一端电连接；输入电源的正极Vin+还通过第一储能模块10与输入电源的负极Vin-电连接；漏感Lr的第二端与第二储能模块20的第一端电连接于第一节点a；第二储能模块20的第二端与输入电源的负极Vin-电连接；单向传输电路50的输入端与第一MOS管Q1的第一极、第三储能模块30的第一端电连接，单向传输电路50的输出端通过第四储能模块40与输入电源的负极Vin-电连接；第一MOS管Q1的第二端与输入电源的负极Vin-电连接；第三储能模块30的第二端与第二MOS管Q2的第一极电连接，第二MOS管Q2的第二极与第三MOS管Q3的第一极和电连接于第一节点a；第三MOS管Q3的第二极与输入电源的负极Vin-电连接；副边绕组L2的异名端与第一二极管D1的阳极电连接，第一二极管D1的阴极与负载00的正极端“+”电连接，副边绕组L2的同名端与负载00的负极端“-”电连接；第一MOS管Q1的控制极、第二MOS管Q2的控制极和第三MOS管Q3的控制极均与控制器U1电连接。

具体的，有源钳位反激电路向负载传输电能的过程可以分为储能阶段和放电阶段，在储能阶段，可以首先控制第三MOS管Q3和第一MOS管Q1导通，第三MOS管Q3为有源钳位反激电路的主开关管，此时输入电源的正极Vin+、励磁电感Lm、漏感Lr、第三MOS管Q3和输入电源的负极Vin-构成电流回路，使励磁电感Lm和漏感Lr储能，在储存的能量达到一定值时，控制第三MOS管Q3断开，并控制第二MOS管Q2导通，此时输入电源提供的电流由其正极Vin+流经励磁电感Lm、漏感Lr、第二MOS管Q2、第三储能模块30和第一MOS管Q1回到输入电源的负极Vin-，且该电流还由输入电源提供的正极Vin+流经励磁电感Lm、漏感Lr和第二储能模块20回到输入电源的负极Vin-，即此时在使励磁电感Lm、漏感Lr储能的同时，也为第三储能模块30和第二储能模块20也充电，直至励磁电感Lm输出的电压能够使副边绕组L2所连接的第一二极管D1导通时开始进入放电阶段，为负载00供电，此时流经励磁电感Lm和漏感Lr的电流开始线性减小，当该电流降低至第一电流阈值时，控制第一MOS管Q1断开，则此时单向传输电路50导通，此时输入电源提供的电流由其正极Vin+流经励磁电感Lm、漏感Lr、第二MOS管Q2、第三储能模块30、单向传输电路50和第四储能模块40回到输入电源的负极Vin-，即此时同时为第二储能模块20、第三储能模块30和第四储能模块40充电，此后，在该电流降低至零时，单向传输电路50断开，此时控制第一MOS管Q1导通，使得第三储能模块30通过第一MOS管Q1和励磁电感Lm、漏感Lr向第一储能模块10放电，第三储能模块30的存储的能量持续减小，流经漏感Lr的电流在第三储能模块30放电的过程中先增大后减小，直至减小至接近于零时，控制第一MOS管Q1断开，此时第三储能模块30停止放电，即，在变压器T0的副边绕组L2向负载00供电的过程中，由于流经励磁电感Lm和漏感Lr的电流在线性减小的过程中同时为第三储能模块30和第四储能模块40充电，使得第三储能模块30存储的能量较少，因此在励磁电感Lm和漏感Lr电流为零后，第三储能模块30反过来向励磁电感Lm和漏感Lr放电后剩余的电量较少，并且在第三储能模块30向励磁电感Lm和漏感Lr放电至流经漏感Lr电流为零时控制第一MOS管Q1断开，使得第三储能模块30所在的电路均为断路，励磁电感Lm和漏感Lr无法再次向第三储能模块30充电，从而停止振荡，因此相较于现有技术中不设置第一MOS管Q1、单向传输电路50以及第三储能模块30的设置，该有源钳位反激电路向负载00供电的过程中仅振荡了一次，大幅降低了功率损耗并改善了EMC。其中，可以根据第四电容C4的容值确定第一电流阈值，例如若第四电容C4的容值较大，可以设置第一电流阈值较大，若第四电容C4的容值较小，可以设置第一电流阈值较小。

示例性的，控制器U1可以分别针对第一MOS管Q1、第二MOS管Q2和第三MOS管Q3设置三个输出端（第一输出端VO1、第二输出端VO2和第三输出端VO3），例如可以设置第一输出端VO1与第一MOS管Q1的控制极电连接以向第一MOS管Q1输出第一开关控制信号，设置第二输出端VO2与第二MOS管Q2的控制极电连接以向第二MOS管Q2输出第二开关控制信号，设置第三输出端VO3与第三MOS管Q3的控制极电连接以向第三MOS管Q3输出第三开关控制信号。其中，第一MOS管Q1、第二MOS管Q2和第三MOS管Q3均优选为N型MOS管，且各MOS管的第一极为漏极、第二极为源极、控制极为栅极，则各开关控制信号的使能电平为高电平，非使能电平为低电平，即各开关控制信号为高电平时，对应控制的MOS管导通。

本发明实施例提供的有源钳位反激电路，在需要为第三储能模块储能时设置第一MOS管和第二MOS管处于导通状态，并在第三储能模块存储的能量达到一定值时控制第一MOS管断开，从而单向传输电路导通，使得励磁电感和漏感上的电流通过第三储能模块和第四储能模块放电，在励磁电感和漏感上的电流为零时单向传输电路断开，此时控制第一MOS管导通，使得第三储能模块向励磁电感和漏感反向充电，直至励磁电感和漏感为零时控制第一MOS管断开。通过增设第四储能模块使得第三储能模块存储的电量减少，因此在励磁电感和漏感电流为零后，第三储能模块反过来向励磁电感和漏感放电后剩余的电量较少，并且在第三储能模块向励磁电感和漏感放电至流经漏感电流为零时控制第一MOS管断开，使得第三储能模块所在的电路均为断路，励磁电感和漏感无法再次向第三储能模块充电，从而停止振荡，因此相较于现有技术中不设置第一MOS管、单向传输电路以及第三储能模块有源钳位反激电路，本发明实施例提供的有源钳位反激电路向负载供电的过程中仅振荡了一次，大幅降低了功率损耗，并有效提高了EMC性能。

可选的，图2是本发明实施例提供的另一种有源钳位反激电路的结构示意图，如图2所示，第一储能模块10包括第一电容C1；第二储能模块20包括第二电容C2；第三储能模块30包括第三电容C3；第四储能模块40包括第四电容C4。

具体的，第三电容C3的容值和第四电容C4的容值远大于第二电容C2的容值，如此在第一MOS管Q1断开后，如此第二电容C2仅能存储较少的能量，如此，在第一MOS管Q1断开后为第二电容C2、第三电容C3充电时，以及单向传输电路50导通后为第二电容C2、第三电容C3和第四电容C4充电时，为第四电容C4所充的电能可以忽略不计。

可选的，参考图2，第三MOS管Q3包括输出寄生电容Cr；输出寄生电容Cr复用为第二电容C2。

具体的，第三MOS管Q3具有输出寄生电容，其容值较小，因此可以将该输出寄生电容复用为容值较小的第二电容C2，即在第三MOS管Q3断开后以及第二MOS管Q2导通之前，流经励磁电感Lm和漏感Lr的电流可以通过第三MOS管Q3的输出寄生电容Cr传输至输入电源的负极Vin-。

可选的，单向传输电路50包括：第二二极管D2；第二二极管D2的阳极与第一MOS管Q1的第一极和第三储能模块30的第一端电连接；第二二极管D2的阴极通过第四储能模块40与输入电源的负极Vin-电连接。

具体的，可以设置单向传输电路50包括第二二极管D2，当第二二极管D2两端的电压大于其导通阈值时，第二二极管D2导通，输入电源提供的电流能够由其正极Vin+流经励磁电感Lm、漏感Lr、第二MOS管Q2、第三储能模块30、单向传输电路50和第四储能模块40回到输入电源的负极Vin-，则能够在为第二电容C2和第三电容C3充电的同时，还能够通过第二二极管D2为第四电容C4充电。

可选的，继续参考图2，有源钳位反激电路还包括第五电容C5；第五电容C5的一端与第一二极管D1的阴极和负载00的正极端“+”电连接，第五电容C5的另一端与副边绕组L2的同名端和负载00的负极端“-”电连接。

具体的，第五电容C5为有源钳位反激电路的输出电容，同时具有滤波作用，其容值可以根据设计需求自行设置。

示例性的，变压器T0的原边绕组L1与副边绕组L2的匝数比可以为N：1，并且第一二极管D1的导通阈值电压较小，可以忽略不计，由于励磁电感Lm和原边绕组L1并联连接，因此，当励磁电感Lm两端的电压为第五电容C5两端的电压的N倍时，第一二极管D1导通，该有源钳位反激电路可以向负载00供电，此时流经励磁电感Lm和漏感Lr的电流开始线性减小，且此时原边绕组L1和励磁电感Lm两端的电压被钳位在第五电容C5两端电压的N倍，此时电流通路为：输入电源的正极Vin+、励磁电感Lm、漏感Lr、第二MOS管Q2、第三储能模块30和第一MOS管Q1至输入电源的负极Vin-，当流经励磁电感Lm电流降低至第一电流阈值时，控制第一MOS管Q1断开，则单向传输电路50导通，此时电流通路为：输入电源的电正极Vin+、励磁电感Lm、漏感Lr、第二MOS管Q2、第三储能模块30、单向传输电路50、第四储能模块40至输入电源的负极Vin-，即第二MOS管为有源钳位开关管，第三电容C3为钳位电容。

可选的，图3是本发明实施例提供的又一种有源钳位反激电路的结构示意图，如图3所示，有源钳位反激电路还包括第一电源VCC；第一电源VCC与单向传输电路50的输出端、控制器U1的供电端VCC1电连接，第一电源VCC还通过第四储能模块40与输入电源的负极Vin-电连接。

具体的，第一电源VCC可以为控制器U1供电，或者，在本发明其他可行的实施例中，可以在控制器U1的供电端VCC1和第一电源VCC之间设置电源芯片（图中未示出），此时第一电源VCC为电源芯片供电，电源芯片能够将第一电源VCC转换为稳定性较好的以为电压控制器U1供电。当有源钳位反激电路包括第一电源VCC时，可以根据第一电源VCC当前的电压确定第一电流阈值，第一电源VCC在使用过程中输出的电压会逐渐减小，过小会不足以向外供电，因此可以在第一电源VCC的电压较小时，设置第一电流阈值较大，在第一电源VCC的电压较大时，可以设置第一电流阈值较小，以能够适当的为第一电源VCC充电，使第一电源VCC可以继续向外供电。

以上仅根据本发明实施例提供的有源钳位反激电路为基础，对各MOS管的导通或断开的控制进行了示例性的说明，为了实现功耗更小以及EMC性能更为良好的效果，还可以提供一种有源钳位反激电路的控制方法，该控制方法由本发明任一实施例提供的有源钳位反激电路中的控制器执行。

图4是本发明实施例提供的一种有源钳位反激电路的控制方法的流程图，如图4所示，该有源钳位反激电路的控制方法包括：

S110、在第一二极管导通的过程中，实时获取流经漏感的第一电流信号。

具体的，参考图1、图2或图3，在第一二极管D1导通的过程中，有源钳位反激电路处于放电阶段，即向负载00供电的阶段，此时电流由输入电源的正极Vin+、励磁电感Lm、漏感Lr、第二MOS管Q2、第三储能模块30（即第三电容C3）和第一MOS管Q1至输入电源的负极Vin-，且此时流经漏感Lr的第一电流信号沿第一方向开始线性减小，图5是本发明实施例提供的一种流经漏感的电流信号波形图（即第一电流信号的波形图），图6是本发明实施例提供的一种流经励磁电感的电流信号波形图，流经漏感Lr的第一电流信号沿第一方向线性减小的时段如图5中t2～t3阶段），且由于励磁电感Lm容量远大于漏感Lr容量，因此励磁电感Lm上的电流信号的减小速度相较于流经漏感Lr的第一电流信号的减小速度较慢，在此过程中实时获取流经漏感Lr的第一电流信号，以根据第一电流信号控制第一MOS管的开关状态。其中，第一方向为电流由漏感Lr流向第三储能模块30的流动方向。

S120、在确定第一电流信号沿第一方向降低至第一电流阈值时，控制第一MOS管断开。

具体的，在获取到第一电流信号后，判断第一电流信号的电流值是否降低至第一电流阈值，即判断是否等于第一电流阈值，若是，则控制器U1控制其第一输出端VO1输出的第一开关控制信号为非使能电平，以控制第一MOS管断开。

示例性的，参考图1或图2，可以根据第四电容C4的容值确定第一电流阈值，例如若第四电容C4的容值较大，可以设置第一电流阈值较大，若第四电容C4的容值较小，可以设置第一电流阈值较小；或者，参考图3，当有源钳位反激电路包括第一电源VCC时，可以根据第一电源VCC当前的电压确定第一电流阈值，第一电源VCC在使用过程中输出的电压会逐渐减小，过小会不足以向外供电，因此可以在第一电源VCC的电压较小时，设置第一电流阈值较大，在第一电源VCC的电压较大时，可以设置第一电流阈值较小，以能够适当的为第一电源VCC充电，使第一电源VCC可以继续向外供电。

S130、在第一MOS管断开后，实时获取流经第一MOS管的第二电流信号。

具体的，输入电源提供的电压大于第一电源VCC的电压，示例性的，输入电源提供的电压可以为超过300V的电压，第一电源提供的电压可以为12V或5V的电压，因此当有源反激电路包括第一电源VCC时，在第一MOS管断开后，第二二极管D2阳极和阴极的电压差大于其导通阈值，第二二极管D2导通，此时输入电源提供的电流由其正极Vin+流经励磁电感Lm、漏感Lr、第二MOS管Q2、第三电容C3、第二二极管D2和第四电容C4至输入电源的负极Vin-，在此过程中，第一电流信号沿第一方向持续降低，直至第一电流信号降低至零时，第二二极管D2反向截止，第三电容C3由于持续的充电其电压较大，第二二极管D2关断后，第一MOS管Q1的体二极管导通，该体二极管导通后会有微弱电流流经第一MOS管Q1，因此可以获取流经第一MOS管Q1的第二电流信号，具体可以获取其第一极（漏极）的电流信号，以判断确定第一MOS管Q1的体二极管是否导通。

S140、在根据第二电流信号确定第一MOS管的体二极管导通时，控制第一MOS管导通。

具体的，可以根据第一MOS管Q1处于断开状态且其体二极管导通时能够流经体二极管的电流的大小确定第五电流阈值，并判断获取的第二电流信号是否大于或等于第五电流阈值，当确定第二电流信号大于或等于第五电流阈值时，可以确定第一MOS管Q1的体二极管导通，则此时控制器U1控制其第一输出端VO1输出的第一开关控制信号为使能电平，以控制第一MOS管Q1导通。由于体二极管的导通阈值较小，因此体二极管导通时，第一MOS管两端的电压较小，此时控制第一MOS管导通能够降低开关损耗。

S150、在第一MOS管导通后，实时获取第一电流信号。

具体的，在第一MOS管导通后，第三电容C3通过第一MOS管Q1和励磁电感Lm、漏感Lr向第一储能模块10即第一电容C1放电，第三电容C3的电压持续减小，流经漏感Lr的第一电流信号在第三电容C3放电的过程中沿第二方向增大，并在第三电容C3放电完成后由于励磁电感Lm通过漏感Lr再次向第三电容C3充电，而使得第一电流信号沿第二方向减小（如图5中的t3～t5阶段），在此过程中再次实时获取第一电流信号，以根据第一电流信号控制第一MOS管断开，以使第三电容C3停止再次充电。其中，第二方向为电流由第三储能模块30流向漏感Lr的流动方向。

示例性的，为了降低开关损耗，还可以在步骤S140不控制第一MOS管导通，此时，第三电容C3通过第一MOS管Q1的体二极管、励磁电感Lm和漏感Lr向第一储能模块10即第一电容C1放电。

S160、在确定第一电流信号沿第二方向降低至第二电流阈值时，控制第一MOS管断开。

具体的，判断步骤S150获取的第一电流信号是否沿第二方向降低至第二电流阈值，第二电流阈值可以是接近于零的值（如图5中t4时刻对应的电流值），可根据设计需求自行设置，在确定第一电流信号沿第二方向降低至第二电流阈值时，控制器U1再次控制其第一输出端VO1输出的第一开关控制信号为非使能电平，以控制第一MOS管断开，由于在此前充电的过程中由第四电容C4分担了电量，使得第三电容C3总体储存的电能较少，因此在第三电容C3放电后电压较小，无法使第二二极管D2导通，同时第一MOS管Q1断路，因此第三电容C3所在的电路均为断路，无法继续充电，即在有源钳位反激电路为负载00供电的放电阶段，第三电容C3与漏感Lr构成的谐振电路仅振荡一次便停止振荡，大幅降低了线圈造成的大量功耗，并且有效改善了EMC性能。

本发明实施例提供的有源钳位反激电路的控制方法，在第一二极管导通的过程中实时获取流经漏感的第一电流信号，并在第一电流信号降低至第一电流阈值时，控制第一MOS管断开，使单向传输电路导通，以使得励磁电感和漏感上的电流流经第三储能模块和第四储能模块，同时为第三储能模块和第四储能模块充电，在第一MOS管断开后，实时获取流经第一MOS管的第二电流信号，以在根据第二电流信号确定第一MOS管的体二极管导通时，控制第一MOS管导通，在第一MOS管导通后，再次实时获取第一电流信号，在确定第一电流信号降低至第二电流阈值时控制第一MOS管断开，向负载供电的过程中仅振荡了一次，大幅降低了功率损耗，并有效提高了EMC性能。

可选的，图7是本发明实施例提供的另一种有源钳位反激电路的控制方法的流程图，如图7所示，该有源钳位反激电路的控制方法包括：

S211、在第三MOS管处于导通状态时，实时获取流经漏感的第一电流信号。

具体的，在有源钳位反激电路处于储能阶段的初始阶段，即励磁电感Lm和漏感Lr储能的初始阶段，可以控制第一MOS管Q1和第三MOS管Q3导通，电流由输入电源的正极Vin+流经励磁电感Lm、漏感Lr、第三MOS管Q3至输入电源的负极Vin-，使励磁电感Lm和漏感Lr储能，此时流经漏感Lr的第一电流信号沿第一方向线性增加（如图5中的t0～t1阶段），在此过程中实时获取流经漏感Lr的第一电流信号，以根据第一电流信号控制第三MOS管断开。

示例性的，可以在第三MOS管导通前先控制第一MOS管Q1导通，以使第一MOS管Q1的导通电压较小，降低第一MOS管Q1的开关损耗；使第一MOS管Q1提前导通，可以在后续第二MOS管Q2导通时，与第二MOS管Q2构成电流通路，以能够为第三电容C3进行充电。

S212、在确定第一电流信号沿第一方向增大到第三电流阈值时，控制第三MOS管断开。

具体的，可以根据负载情况设置第三电流阈值，例如，若负载00较大，则需要的电能较大，此时可以设置第三电流阈值较大，若负载00较小，需要的电能较小，此时可以设置第三电流阈值较小。判断获取的第一电流信号是否增大到第三电流阈值，即判断其是否等于第三电流阈值，在确定第一电流信号增大到第三电流阈值时，可以控制第三MOS管Q3断开。

S213、在第三MOS管断开后，实时获取流经第二MOS管的第三电流信号。

具体的，在第三MOS管Q3断开后，电流由输入电源的正极Vin+流经励磁电感Lm、漏感Lr、第二电容C2至输入电源的负极Vin-，由于第二电容C2与第三MOS管Q3并联连接，因此第三MOS管Q3两端的电压增大，直至增大至使得第二MOS管Q2的体二极管导通时，开始有微弱电流流经第二MOS管Q2，因此，可以在第三MOS管Q3断开后，实时获取流经第二MOS管Q2的第三电流信号，以根据第三电流信号判断第二MOS管Q2的体二极管是否导通。

S214、在根据第三电流信号确定第二MOS管的体二极管导通时，控制第二MOS管导通。

具体的，可以根据第二MOS管Q2处于断开状态且其体二极管导通时能够流经体二极管的电流的大小确定第六电流阈值，并判断获取的第三电流信号是否大于或等于第六电流阈值，当在此阶段确定第二电流信号大于或等于第六电流阈值时，可以确定第二MOS管Q2的体二极管导通，则此时控制器U1控制其第二输出端VO2输出的第二开关控制信号为使能电平，以控制第二MOS管Q2导通，在第二MOS管Q2导通后，励磁电感Lm和漏感Lr的电流同时为第三电容C3和第四电容C4充电，并且由于第四电容C4较小，可以忽略不计，即主要为第三电容C3充电，在此过程中励磁电感Lm两端的电压持续上升，直至上升至第五电容C5两端电压的N倍时（原边绕组L1与副边绕组L2的线圈匝数比为N:1），第一二极管D1导通，开始向负载00输出电能。

示例性的，参考图5和图6，由于励磁电感Lm的容量远大于漏感Lr的容量，因此流经漏感Lr的第一电流信号线增大至最大值，并保持最大值励磁电感Lm的电流达到最大值使得第一二极管D1导通向负载00输出电能的t2时刻。

S215、在第一二极管导通的过程中，实时获取流经漏感的第一电流信号。

S216、在确定第一电流信号沿第一方向降低至第一电流阈值时，控制第一MOS管断开。

S217、在第一MOS管断开后，实时获取流经第一MOS管的第二电流信号。

S218、在根据第二电流信号确定第一MOS管的体二极管导通时，控制第一MOS管导通。

S219、在第一MOS管导通后，实时获取第一电流信号。

S220、在确定第一电流信号沿第二方向降低至第二电流阈值时，控制第一MOS管断开。

可选的，图8是本发明实施例提供的又一种有源钳位反激电路的控制方法的流程图，如图8所示，该有源钳位反激电路的控制方法包括：

S311、在第三MOS管处于导通状态时，实时获取流经漏感的第一电流信号。

S312、在确定第一电流信号沿第一方向增大到第三电流阈值时，控制第三MOS管断开。

S313、在第三MOS管断开后，实时获取流经第二MOS管的第三电流信号。

S314、在根据第三电流信号确定第二MOS管的体二极管导通时，控制第二MOS管导通。

S315、在第一二极管导通的过程中，实时获取流经漏感的第一电流信号。

S316、在确定第一电流信号沿第一方向降低至第一电流阈值时，控制第一MOS管断开。

S317、在第一MOS管断开后，实时获取流经第一MOS管的第二电流信号。

S318、在根据第二电流信号确定第一MOS管的体二极管导通时，控制第一MOS管导通。

S319、在第一MOS管导通后，实时获取第一电流信号。

S320、在确定第一电流信号沿第二方向降低至第二电流阈值时，控制第一MOS管断开。

S321、在第一MOS管处于断开的过程中，实时获取流经第一MOS管的第二电流信号。

S322、在根据第二电流信号确定第一MOS管的体二极管导通时，控制第一MOS管导通。

具体的，对于负载较大的情况，在第一电流信号降低至第二电流阈值后，励磁电感Lm继续通过原边绕组L1和副边绕组L2向负载00供电，由于励磁电感Lm的容量远大于漏感Lr的容量，因此流经励磁电感Lm的电流减小速度相较于流经漏感Lr的第一电流信号的减小速度较慢，直至流经励磁电感Lm的电流降低至零时（即图5、图6中的t6时刻），副边绕组L2所电连接的第一二极管D1断开，不再向负载00输出电流，此时励磁电感Lm两端的电压回落下降，直至降低至第一MOS管Q1的体二极管导通时，第三电容C3可以通过第一MOS管Q1的体二极管、漏感Lr和励磁电感Lm与第一电容C1构成回路，第三电容C3储存的剩余电能可以反向向漏感Lr和励磁电感Lm充电，为了使第三电容C3能够充分放电，可以在确定第一MOS管Q1的体二极管导通后，控制第一MOS管Q1导通，因此在第一MOS管处于断开的过程中，实时获取流经第一MOS管的第二电流信号，在根据第二电流信号确定第一MOS管的体二极管导通时，控制器U1控制其第一输出端VO1输出的第一开关控制信号为使能电平，以控制第一MOS管导通。

S323、在第一MOS管导通后，实时获取第一电流信号。

S324、在第一电流信号沿第二方向增大至第四电流阈值时，控制第二MOS管断开。

具体的，在第一MOS管Q1导通后，再次实时获取第一电流信号，此时由于第三电容C3反向向漏感Lr和励磁电感Lm充电，流经漏感Lr的电流沿第二方向逐渐增大（如图5、图6中的t6～t7阶段），直至沿第二方向增大至第四电流阈值时，控制第二MOS管Q2断开。其中，第四电流阈值的设置需满足：在第二MOS管Q2断开后，流经励磁电感Lm和漏感Lr的第一电流信号通过第二电容C2续流回升至零前，第二电容C2的电压先降为零，以满足后续控制第三MOS管Q3导通时零电压导通，降低开关损耗。

S325、在第二MOS管断开后，实时获取第三MOS管两端的电压信号。

S326、在确定第三电压信号为零时，控制第三MOS管导通；执行步骤S311。

具体的，在第二MOS管断开后，第二电容C2将此前存储的电能通过漏感Lr和励磁电感Lm放电，第一电流信号依然沿第二方向逐渐增大直至第二电容C2的电压为零时（如图5、图6中的t7时刻），第三MOS管Q3两端的电压也为零，此时可控制第三MOS管Q3导通，即使得第三MOS管Q3，降低开关损耗，第三MOS管Q3导通后，流经漏感Lr的第一电流信号和流经励磁电感的电流信号沿第一方向逐渐增大，直至第一电流信号沿第一方向逐渐增大至零时（即图5和图6中的t7～t8阶段），此时有源钳位反激电路相当于完成一个完整的工作周期（即t8时刻相当于t0时刻），此时可重新执行步骤S311，即执行在第三MOS管处于导通状态时，实时获取流经漏感的第一电流信号的步骤，以进行下一个工作周期的储能阶段和放电阶段，如此进行循环。

可选的，图9是本发明实施例提供的又一种有源钳位反激电路的控制方法的流程图，如图9所示，该有源钳位反激电路的控制方法包括：

S411、在第三MOS管处于导通状态时，实时获取流经漏感的第一电流信号。

S412、在确定第一电流信号沿第一方向增大到第三电流阈值时，控制第三MOS管断开。

S413、在第三MOS管断开后，实时获取流经第二MOS管的第三电流信号。

S414、在根据第三电流信号确定第二MOS管的体二极管导通时，控制第二MOS管导通。

S415、在第一二极管导通的过程中，实时获取流经漏感的第一电流信号。

S416、在确定第一电流信号沿第一方向降低至第一电流阈值时，控制第一MOS管断开。

S417、在第一MOS管断开后，实时获取流经第一MOS管的第二电流信号。

S418、在根据第二电流信号确定第一MOS管的体二极管导通时，控制第一MOS管导通。

S419、在第一MOS管导通后，实时获取第一电流信号。

S420、在确定第一电流信号沿第二方向降低至第二电流阈值时，控制第一MOS管断开。

S421、控制第二MOS管断开，并实时获取第三MOS管两端的第三电压信号。

具体的，对于负载00较小的情况，由于电路中的电能较少，因此在第一电流信号降低至第二电流阈值以及控制第一MOS管断开后，控制第二MOS管Q2断开，以避免储存能量较多的第三电容C3与漏感Lr构成的谐振电路形成反复震荡。此时励磁电感Lm继续通过原边绕组L1和副边绕组L2向负载00供电，流经励磁电感Lm的电流信号持续减小，由于励磁电感Lm的容量远大于漏感Lr的容量，因此流经励磁电感Lm的电流的减小速度相较于流经漏感Lr的第一电流信号的减小速度较慢，直至流经励磁电感Lm的电流信号降低至零时，副边绕组L2所电连接的第一二极管D1断开，不再向负载00输出电流。图10是本发明实施例提供的另一种流经漏感的电流信号波形图（即第一电流信号的波形图），图11是本发明实施例提供的另一种流经励磁电感的电流信号波形图，如图11所示，在t6′时刻流经励磁电感Lm的电流降低至零。由于第二MOS管Q2处于断开状态，此时励磁电感Lm和漏感Lr与第二电容C2构成串联谐振电路，第二电容C2先向励磁电感Lm和漏感Lr放电，在放电过程中，流经漏感Lr的第一电流信号和流经励磁电感Lm的电流信号沿第二方向增大（如图10、图11中的t6′～t7′阶段），直至第二电容C2放电至电量为零时（图10或图11所示的t7′时刻），励磁电感Lm和漏感Lr再次向第二电容C2充电，在此阶段实时获取第三MOS管Q3两端的第三电压信号。

可以理解，本发明实施例中图10和图11所示的t1′～t6′阶段与上述实施例的t1～t6阶段相同。

S422、在确定第三电压信号增大到第一电压阈值时，控制第一MOS管导通。

S423、在确定第三电压信号达到第二电压阈值时，控制二MOS管导通。

具体的，图12是本发明实施例提供的一种第三电压信号的波形图，结合图10、图11和图12所示，励磁电感Lm和漏感Lr再次向第二电容C2充电的过程中（图10、图11中的t7′～t8′以及图12中的t01～t03阶段），第二电容C2的电压增大，使得第三MOS管Q3两端的第三电压信号增大，第一电压阈值小于第二电压阈值，如图12所示，可以设置V1为第一电压阈值，V2为第二电压阈值，即在第二MOS管Q2导通前，第三电压信号增大到第一电压阈值时，先控制第一MOS管Q1导通（例如图12中的t02时刻控制第一MOS管Q1导通），以使得在第三电压信号达到最大电压值时第二MOS管Q2导通（例如图12中的t03时刻控制第二MOS管Q2导通）后，能够使得第二MOS管Q2、第三电容C3、第一MOS管Q1、以及励磁电感Lm和漏感Lr构成电流通路，使得第三电容C3存储的电量通过励磁电感Lm和漏感Lr放电。

S424、在第一MOS管导通后，实时获取第一电流信号。

S425、在确定第一电流信号沿第二方向增大至第五电流阈值时，控制第二MOS管断开。

具体的，在第一MOS管Q1和第二MOS管Q2导通后，再次实时获取第一电流信号，此时由于第三电容C3向励磁电感Lm和漏感Lr放电，流经漏感Lr的第一电流信号和流经励磁电感的电流信号沿第一方向减小至零后沿第二方向逐渐增大（如图10、图11中t8′～t9′），直至沿第二方向增大至第五电流阈值时，控制第二MOS管断开。其中，第五电流阈值的设置需满足：在第二MOS管Q2断开后，流经励磁电感Lm和漏感Lr的第一电流信号通过第二电容C2续流回升至零前，第二电容C2的电压先降为零，以满足后续控制第三MOS管Q3导通时零电压导通，降低开关损耗。示例性的，第五电流阈值可以与第四电流阈值相等。

S426、在第二MOS管断开的过程中，实时获取第三MOS管两端的第三电压信号。

S427、在确定第三电压信号为零时，控制第三MOS管导通；执行S411。

具体的，在第二MOS管Q2断开后，第二电容C2将其剩余的存储电量通过漏感Lr和励磁电感Lm放电，第一电流信号沿第二方向继续增大至第二电容C2的电压为零，则此时第三MOS管Q3两端的电压也为零，此时可控制第三MOS管Q3导通，即使得第三MOS管Q3，降低开关损耗，第三MOS管Q3导通后，流经漏感Lr的第一电流信号和流经励磁电感的电流信号沿第一方向逐渐增大，直至第一电流信号沿第一方向逐渐增大至零时（即图10和图11中的t10′时刻），此时有源钳位反激电路相当于完成一个完整的放电周期，即可重新执行步骤S411，即执行在第三MOS管处于导通状态时，实时获取流经漏感的第一电流信号的步骤，以进行下一次的储能和放电，如此进行循环。

本发明实施例提供的有源钳位反激电路的控制方法，根据负载情况设置了两种具体的控制方式，以能够在大负载和小负载时均实现功耗较低和EMC性能较为良好的供电方式。

应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本发明中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本发明的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。

上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。

Claims (10)

1.一种有源钳位反激电路，其特征在于，包括：控制器、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第一储能模块、第二储能模块、第三储能模块、第四储能模块、单向传输电路、第一二极管和变压器；

所述变压器包括原边绕组、励磁电感、漏感和副边绕组；

所述励磁电感的第一端与所述原边绕组的同名端和输入电源的正极电连接；所述励磁电感的第二端与所述原边绕组的异名端和漏感的第一端电连接；所述输入电源的正极还通过所述第一储能模块与所述输入电源的负极电连接；

所述漏感的第二端与所述第二储能模块的第一端电连接于第一节点；所述第二储能模块的第二端与所述输入电源的负极电连接；

所述单向传输电路的输入端与所述第一MOS管的第一极、所述第三储能模块的第一端电连接，所述单向传输电路的输出端通过所述第四储能模块与所述输入电源的负极电连接；所述第一MOS管的第二端与所述输入电源的负极电连接；所述第三储能模块的第二端与所述第二MOS管的第一极电连接，所述第二MOS管的第二极与所述第三MOS管的第一极电连接于所述第一节点；所述第三MOS管的第二极与所述输入电源的负极电连接；

所述副边绕组的异名端与所述第一二极管的阳极电连接，所述第一二极管的阴极与负载的正极端电连接，所述副边绕组的同名端与所述负载的负极端电连接；

所述第一MOS管的控制极、所述第二MOS管的控制极和所述第三MOS管的控制极均与所述控制器电连接。

2.根据权利要求1所述的有源钳位反激电路，其特征在于，所述第一储能模块包括第一电容；

所述第二储能模块包括第二电容；

所述第三储能模块包括第三电容；

所述第四储能模块包括第四电容。

3.根据权利要求2所述的有源钳位反激电路，其特征在于，所述第三MOS管包括输出寄生电容；

所述输出寄生电容复用为所述第二电容。

4.根据权利要求1所述的有源钳位反激电路，其特征在于，所述单向传输电路包括：第二二极管；

所述第二二极管的阳极与所述第一MOS管的第一极和所述第三储能模块的第一端电连接；所述第二二极管的阴极通过所述第四储能模块与所述输入电源的负极电连接。

5.根据权利要求1所述的有源钳位反激电路，其特征在于，还包括：第一电源；

所述第一电源与所述单向传输电路的输出端、所述控制器的供电端电连接，所述第一电源还通过所述第四储能模块与所述输入电源的负极电连接。

6.根据权利要求1所述的有源钳位反激电路，其特征在于，还包括：第五电容；

所述第五电容的一端与所述第一二极管的阴极和所述负载的正极端电连接，所述第五电容的另一端与所述副边绕组的同名端和所述负载的负极端电连接。

7.一种有源钳位反激电路的控制方法，由权利要求1～6任一项所述的有源钳位反激电路中的控制器执行，其特征在于，包括：

在所述第一二极管导通的过程中，实时获取流经所述漏感的第一电流信号；

在确定所述第一电流信号沿第一方向降低至第一电流阈值时，控制所述第一MOS管断开；其中，所述第一方向为电流由所述漏感流向所述第三储能模块的流动方向；

在所述第一MOS管断开后，实时获取流经所述第一MOS管的第二电流信号；

在根据所述第二电流信号确定所述第一MOS管的体二极管导通时，控制所述第一MOS管导通；

在所述第一MOS管导通后，实时获取所述第一电流信号；

在确定所述第一电流信号沿第二方向降低至第二电流阈值时，控制所述第一MOS管断开；其中，所述第二方向为电流由所述第三储能模块流向所述漏感的流动方向。

8.根据权利要求7所述的有源钳位反激电路的控制方法，其特征在于，在第一二极管导通之前，还包括：

在所述第三MOS管处于导通状态时，实时获取流经所述漏感的第一电流信号；

在确定所述第一电流信号沿所述第一方向增大到第三电流阈值时，控制所述第三MOS管断开；

在所述第三MOS管断开后，实时获取流经所述第二MOS管的第三电流信号；

在根据所述第三电流信号确定所述第二MOS管的体二极管导通时，控制所述第二MOS管导通。

9.根据权利要求8所述的有源钳位反激电路的控制方法，其特征在于，在确定所述第一电流信号沿第二方向降低至第二电流阈值时，控制所述第一MOS管断开后，还包括：

在所述第一MOS管处于断开的过程中，实时获取流经所述第一MOS管的第二电流信号；

在根据所述第二电流信号确定所述第一MOS管的体二极管导通时，控制所述第一MOS管导通；

在所述第一MOS管导通后，实时获取所述第一电流信号；

在所述第一电流信号沿所述第二方向降低至第四电流阈值时，控制所述第二MOS管断开；

在所述第二MOS管断开后，实时获取所述第三MOS管两端的第三电压信号；

在确定所述第三电压信号为零时，控制所述第三MOS管导通；并执行在所述第三MOS管处于导通状态时，实时获取流经所述漏感的第一电流信号的步骤。

10.根据权利要求8所述的有源钳位反激电路的控制方法，其特征在于，在确定所述第一电流信号沿第二方向降低至第二电流阈值时，控制所述第一MOS管断开后，还包括：

控制所述第二MOS管断开，并实时获取所述第三MOS管两端的第三电压信号；

在确定所述第三电压信号增大到第一电压阈值时，控制所述第一MOS管导通；

在确定所述第三电压信号达到最大电压值时，控制所述二MOS管导通；

在所述第一MOS管导通后，实时获取所述第一电流信号；

在确定所述第一电流信号沿所述第二方向增大至第五电流阈值时，控制所述第二MOS管断开；

在所述第二MOS管断开的过程中，实时获取所述第三MOS管两端的第三电压信号；

在确定所述第三电压信号为零时，控制所述第三MOS管导通，并执行在所述第三MOS管处于导通状态时，实时获取流经所述漏感的第一电流信号的步骤。

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