CN115117184B - 一种待回收异质结太阳电池结构的确定方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种待回收异质结太阳电池结构的确定方法，包括以下步骤：对预处理后的异质结太阳电池进行研磨；对研磨后的电池粉末颗粒进行元素成分和含量初步表征分析；通过对电池元素成分和含量的初步表征分析，确定电池的表面电极元素；通过对除表面电极元素的其他元素成分和含量的初步表征分析，初步确定电池TCO层的种类；对比现有的异质结电池结构，确定电池的结构。本发明能够方便异质结太阳电池结构的确定，且该方法操作简单，准确率高。

Description

一种待回收异质结太阳电池结构的确定方法
技术领域
本发明属于太阳能电池资源回收技术领域，涉及一种待回收异质结太阳电池结构的确定方法。
背景技术
自本世纪初以来，太阳能光伏的部署以前所未有的速度增长。截至到2020年底，全球光伏装机容量达到672 GW，预计到2050年将超过4500 GW。预计到2025年，每年产生的光伏废物将占据该年安装电池板总量的4%；到2050年，每年产生的光伏废物垃圾数量(550万吨)将与新安装的太阳能电池板所含的垃圾数量(670万吨)相当。不断增长的光伏垃圾带来了新的环境挑战，但也带来了前所未有的经济价值和寻求新的经济途径的机遇。
全球布局晶硅异质结太阳电池的企业逐年递增，相较于2019年，2020年，全球的晶硅异质结装机容量为5.1 GW，2021年将达到10.6 GW，到2025年目标装机容量达到28.2 GW。根据ITRPV机构统计，2017年HJT电池的市场占有量约为2%，2020年占有量约为5%。预计到2025年左右，HJT太阳电池的占有量将达到10%, 2028年达到15%。
随着异质结电池技术的迭代更新，市场上出现了多种结构的晶体硅异质结太阳能电池。常见的N型晶体硅异质结电池包括三洋公司经典三明治结构电池（HIT）、Al背场异质结(Al-BSF)太阳电池及叉指背接触异质结（IBC-HIT）太阳电池，三种异质结电池均包含TCO膜层并与银电极连结。对于异质结太阳能电池，无法确定其结构和元素含量，从而影响回收工艺的制定。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种待回收异质结太阳电池结构的确定方法，能够方便异质结太阳电池结构的确定，且该方法操作简单，准确率高。
为达到上述目的，本发明是采用下述技术方案实现的：
一种待回收异质结太阳电池结构的确定方法，包括以下步骤：
对预处理后的异质结太阳电池进行研磨；
对研磨后的电池粉末颗粒进行元素成分和含量初步表征分析；
通过对电池元素成分和含量的初步表征分析，确定电池的表面电极元素；
通过对除表面电极元素的其他元素成分和含量的初步表征分析，初步确定电池TCO层的种类；
对比现有的异质结电池结构，确定电池的结构。
可选的，还包括：对研磨后的电池粉末颗粒进行X射线衍射，分析其金属元素化合物形式。
可选的，预处理异质结太阳电池包括：将异质结太阳电池通过去离子水清洗。
可选的，预处理异质结太阳电池还包括：将清洗后的异质结太阳电池进行真空干燥。
可选的，通过X射线荧光光谱分析仪对电池的元素成分和含量进行表征分析。
可选的，进行X射线荧光光谱分析时，将研磨后的电池粉末颗粒平铺在样品室，通过测角器以1：2的速度转动分析晶体和探测器，在不同的布拉格角位置上测得不同波长的X射线，从而作元素的定性定量分析。
与现有技术相比，本发明所达到的有益效果：
本发明提供的一种待回收异质结太阳电池结构的确定方法，能够方便异质结太阳电池结构的确定，且该方法操作简单，准确率高，利于异质结太阳电池的回收。
附图说明
图1所示为本发明的工艺流程图；
图2所示为HIT电池结构图；
图3所示为Al-BSF异质结电池结构图；
图4所示为IBC-HIT电池结构图；
图5所示为本发明实施例的XRD表征分析谱图；
图6所示为本发明实施例确定的电池结构图。
实施方式
下面结合附图对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
实施例
如图1至图6所示，一种待回收异质结太阳电池结构的确定方法，包括以下步骤：
S1，将一种异质结太阳电池通过去离子水清洗；
S2，将清洗后的异质结太阳电池进行真空干燥；
S3，对干燥后的异质结太阳电池置于研磨仪中，研磨成颗粒状；
S4，通过X射线荧光光谱分析仪对研磨后的电池粉末颗粒的元素成分和含量进行表征分析；进行X射线荧光光谱分析时，将研磨后的电池粉末颗粒平铺在样品室，通过测角器以1：2的速度转动分析晶体和探测器，在不同的布拉格角位置上测得不同波长的X射线，从而作元素的定性定量分析；
S5，XRF表征结果如下表，
XRF对实验太阳电池测试的元素分析结果
元素 Ag Al In Sn Si C O p
质量(%) 2.15 0.012 0.109 0.013 86.8 2.58 8.31 0.006
Ag为占比最高的金属元素，其次为In，而Al的占比和Sn相近，根据Al在电池中的占比，其含量极低，分析Al可能为电池制造过程清洗不彻底而残留的杂质金属，因此排除Al作为金属导电极，可确定实验所用电池金属导电极为Ag，也可以排除Al-BSF电池；
非金属元素中，硅元素占比最高，其次为氧、碳、磷，且没有氮元素。非金属元素O与金属元素构成金属氧化物，C元素则可能为表面电极的树脂等有机材料构成元素，而非金属磷（P）则可能是作为N型掺杂层的掺杂源气体磷烷，与电池形成p-n结。由于表征测试结果中不包含氮元素，可以判定电池结构中不包含氮化硅膜层，可以排除IBC-HIT电池；
S6，TCO膜层具有高透过率和低电阻，能够减少光反射，是光生载流子收集和传输的关键材料，锡掺杂氧化铟（ITO）、Al掺杂氧化锌（AZO）、氧化铟钨（IWO）为TCO层中常用的三种材料；
上表中金属元素质量比分析计算，得到In/Sn=8.6:1，接近ITO理论值中In2O3:Sn2O=9:1的比值，因此可以初步判断透明导电氧化膜（TCO）主要由铟和锡构成，为锡掺杂氧化铟（ITO）。
S7，利用XRD方法分析异质结太阳电池中金属元素的组成，如附图5所示；XRD分析结果显示氧化铟和氧化锡的组合构成了所用电池主要的金属氧化物，证实TCO膜层为ITO的推断；
S8，结合图2中三种异质结太阳电池结构特点，可确定本实验中所用电池结构依次为银正电极、TCO层、掺杂本征非晶硅层、单晶硅层、掺杂层、TCO层、银背电极结构，如附图5所示。
实施例
XRF表征实验结果中铝元素的含量与金属银的含量持平，甚至超过银的元素含量，由此可以判断为Al-BSF电池。
实施例
XRF表征实验结果中包含氮元素，可以判定电池结构中包含氮化硅膜层，由此可以判断为IBC-HIT电池。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种待回收异质结太阳电池结构的确定方法，其特征在于，包括以下步骤：
对预处理后的异质结太阳电池进行研磨；
对研磨后的电池粉末颗粒进行元素成分和含量初步表征分析；
通过对电池元素成分和含量的初步表征分析，确定电池的表面电极元素；
通过对除表面电极元素的其他元素成分和含量的初步表征分析，初步确定电池TCO层的种类；
对研磨后的电池粉末颗粒进行X射线衍射，分析其金属元素化合物形式，证实电池TCO层的种类；
与具有双面异质结结构的非晶硅/晶体硅异质结太阳电池、Al 背场异质结太阳电池、包括 SiNx减反射膜的叉指背接触异质结太阳电池进行对比，确定电池的结构。
2.根据权利要求1所述的一种待回收异质结太阳电池结构的确定方法，其特征在于，预处理异质结太阳电池包括：将异质结太阳电池通过去离子水清洗。
3.根据权利要求2所述的一种待回收异质结太阳电池结构的确定方法，其特征在于，预处理异质结太阳电池还包括：将清洗后的异质结太阳电池进行真空干燥。
4.根据权利要求1所述的一种待回收异质结太阳电池结构的确定方法，其特征在于：通过X射线荧光光谱分析仪对电池的元素成分和含量进行表征分析。
5.根据权利要求4所述的一种待回收异质结太阳电池结构的确定方法，其特征在于：进行X射线荧光光谱分析时，将研磨后的电池粉末颗粒平铺在样品室，通过测角器以1：2的速度转动分析晶体和探测器，在不同的布拉格角位置上测得不同波长的X射线，从而作元素的定性定量分析。
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Citations (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002116160A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Matsushita Battery Industrial Co Ltd テルル化カドミウム粉末の不純物濃度の測定方法、およびテルル化カドミウム膜の製造方法
KR20100122613A (ko) * 2009-05-13 2010-11-23 (주)미래컴퍼니 Ｘ선을 이용한 태양전지의 전극 검사 장치 및 방법
CN101976746A (zh) * 2010-11-10 2011-02-16 河海大学常州校区 Rfid电池追踪回收系统及电池追踪回收方法
CN102347520A (zh) * 2011-10-08 2012-02-08 佛山市邦普循环科技有限公司 新能源车用动力电池回收方法
CN202307807U (zh) * 2011-11-01 2012-07-04 宁波市鑫友光伏有限公司 硅太阳电池废片的回收利用系统
JP2014054593A (ja) * 2012-09-12 2014-03-27 Terumu:Kk 太陽電池パネルのリサイクル装置およびリサイクル方法
JP2014203924A (ja) * 2013-04-03 2014-10-27 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法及び太陽電池
CN104465990A (zh) * 2014-11-21 2015-03-25 广西智通节能环保科技有限公司 一种有机太阳能电池及其制备方法
CN104900730A (zh) * 2015-04-29 2015-09-09 江南大学 一种基于金纳米颗粒表面等离子激元的晶硅hit太阳能电池
CN106744972A (zh) * 2016-12-15 2017-05-31 中山市得高行知识产权中心（有限合伙） 一种太阳能电池片碎片回收方法
CN107170850A (zh) * 2017-05-25 2017-09-15 君泰创新（北京）科技有限公司 一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池
JP2018021774A (ja) * 2016-08-01 2018-02-08 東芝環境ソリューション株式会社 太陽電池モジュールの含有金属成分濃度の測定方法
CN109943728A (zh) * 2019-05-08 2019-06-28 河海大学常州校区 一种钙钛矿太阳电池中铅的回收方法
CN110016566A (zh) * 2019-05-17 2019-07-16 河海大学常州校区 一种回收废弃光伏组件中铟的方法
CN110140223A (zh) * 2016-12-12 2019-08-16 洛桑联邦理工学院 硅异质结太阳能电池以及制造方法
CN110273069A (zh) * 2019-07-23 2019-09-24 河海大学常州校区 一种hit太阳电池回收预处理方法
CN110967363A (zh) * 2018-10-01 2020-04-07 盛达欧米科有限公司 硬x射线光电子能谱设备和系统
CN111584669A (zh) * 2020-05-29 2020-08-25 中威新能源(成都)有限公司 一种硅异质结shj太阳能电池及其制备方法
CN111650022A (zh) * 2020-07-20 2020-09-11 河海大学常州校区 一种hit太阳电池中氮化硅薄膜的确定方法
CN112662884A (zh) * 2020-12-16 2021-04-16 中国科学院电工研究所 一种回收晶硅异质结太阳电池中金属银的方法
CN113740320A (zh) * 2021-09-26 2021-12-03 北京化工大学 一种废旧铅酸蓄电池回收过程中的铜杂质含量分析方法
CN114573008A (zh) * 2022-03-09 2022-06-03 江门市长优实业有限公司 一种废旧富镍型锂离子电池的回收方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120305059A1 (en) * 2011-06-06 2012-12-06 Alta Devices, Inc. Photon recycling in an optoelectronic device

Patent Citations (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002116160A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Matsushita Battery Industrial Co Ltd テルル化カドミウム粉末の不純物濃度の測定方法、およびテルル化カドミウム膜の製造方法
KR20100122613A (ko) * 2009-05-13 2010-11-23 (주)미래컴퍼니 Ｘ선을 이용한 태양전지의 전극 검사 장치 및 방법
CN101976746A (zh) * 2010-11-10 2011-02-16 河海大学常州校区 Rfid电池追踪回收系统及电池追踪回收方法
CN102347520A (zh) * 2011-10-08 2012-02-08 佛山市邦普循环科技有限公司 新能源车用动力电池回收方法
CN202307807U (zh) * 2011-11-01 2012-07-04 宁波市鑫友光伏有限公司 硅太阳电池废片的回收利用系统
JP2014054593A (ja) * 2012-09-12 2014-03-27 Terumu:Kk 太陽電池パネルのリサイクル装置およびリサイクル方法
JP2014203924A (ja) * 2013-04-03 2014-10-27 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法及び太陽電池
CN104465990A (zh) * 2014-11-21 2015-03-25 广西智通节能环保科技有限公司 一种有机太阳能电池及其制备方法
CN104900730A (zh) * 2015-04-29 2015-09-09 江南大学 一种基于金纳米颗粒表面等离子激元的晶硅hit太阳能电池
CN107677695A (zh) * 2016-08-01 2018-02-09 东芝环境解决方案株式会社 太阳能电池模组的所含金属成分浓度的测量方法
JP2018021774A (ja) * 2016-08-01 2018-02-08 東芝環境ソリューション株式会社 太陽電池モジュールの含有金属成分濃度の測定方法
CN110140223A (zh) * 2016-12-12 2019-08-16 洛桑联邦理工学院 硅异质结太阳能电池以及制造方法
CN106744972A (zh) * 2016-12-15 2017-05-31 中山市得高行知识产权中心（有限合伙） 一种太阳能电池片碎片回收方法
CN109463010A (zh) * 2017-05-25 2019-03-12 君泰创新（北京）科技有限公司 一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池
CN107170850A (zh) * 2017-05-25 2017-09-15 君泰创新（北京）科技有限公司 一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池
CN110967363A (zh) * 2018-10-01 2020-04-07 盛达欧米科有限公司 硬x射线光电子能谱设备和系统
CN109943728A (zh) * 2019-05-08 2019-06-28 河海大学常州校区 一种钙钛矿太阳电池中铅的回收方法
CN110016566A (zh) * 2019-05-17 2019-07-16 河海大学常州校区 一种回收废弃光伏组件中铟的方法
CN110273069A (zh) * 2019-07-23 2019-09-24 河海大学常州校区 一种hit太阳电池回收预处理方法
CN111584669A (zh) * 2020-05-29 2020-08-25 中威新能源(成都)有限公司 一种硅异质结shj太阳能电池及其制备方法
CN111650022A (zh) * 2020-07-20 2020-09-11 河海大学常州校区 一种hit太阳电池中氮化硅薄膜的确定方法
CN112662884A (zh) * 2020-12-16 2021-04-16 中国科学院电工研究所 一种回收晶硅异质结太阳电池中金属银的方法
CN113740320A (zh) * 2021-09-26 2021-12-03 北京化工大学 一种废旧铅酸蓄电池回收过程中的铜杂质含量分析方法
CN114573008A (zh) * 2022-03-09 2022-06-03 江门市长优实业有限公司 一种废旧富镍型锂离子电池的回收方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
匡海学.《中华医学百科全书（中药化学）》.中国协和医科大学出版社,2020,(第2020年2月第1版版),33. *
叉指背接触式铝扩散n型硅光伏电池研究;杨鲁月;叉指背接触式铝扩散n型硅光伏电池研究;2-41 *
李秋.《原子光谱原理分析与技术发展研究》.河海大学出版社,2022,(第2022年2月第1版版),143. *

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