CN115116816A - 基片支承部和基片处理装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供能够提高基片温度的可控性的基片支承部和基片处理装置。其包括：基座；第一流路，其在上述基座的中央部于上述基座的下表面开口；第二流路，其包围上述第一流路的周围，在上述基座的下表面开口；第三流路，其被配置成与上述第一流路连通并从上述基座的中央部去往外周部；和第四流路，其被配置成与上述第二流路连通并从上述基座的中央部去往外周部，并且构成为在上述基座的外周部与上述第三流路连通。
Description
技术领域
本发明涉及基片支承部和基片处理装置。
背景技术
例如，专利文献1公开了一种载置台，其包括形成有冷却介质用流路的基座，和设置于流路内的突起部件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2019-41024号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种能够提高基片温度的可控性的技术。
用于解决技术问题的技术方案
依照本发明的一个方面，包括：基座；第一流路，其在上述基座的中央部于上述基座的下表面开口；第二流路，其包围上述第一流路的周围，在上述基座的下表面开口；第三流路，其被配置成与上述第一流路连通并从上述基座的中央部去往外周部；和第四流路，其被配置成与上述第二流路连通并从上述基座的中央部去往外周部，并且构成为在上述基座的外周部与上述第三流路连通。
发明效果
依照本发明的一个方面，能够提高基片温度的可控性。
附图说明
图1是表示一个实施方式的等离子体处理系统之一例的截面示意图。
图2是表示一个实施方式的等离子体处理装置之一例的图。
图3是将一个实施方式的基片支承部的基座内的流路放大的截面图。
图4是在图3的A-A面剖切得到的截面图。
图5是表示一个实施方式的基片支承部的基座内的流路的立体图。
图6是表示一个实施方式的设置在流路中的扩散部件的图。
图7是表示一个实施方式的设置在流路中的扩散部件的图。
附图标记说明
1 等离子体处理装置
2 控制部
2a 计算机
2a1 处理部
2a2 存储部
2a3 通信接口
10 等离子体处理腔室
11 基片支承部
13 喷淋头
21 气体源
20 气体供给部
30 电源
31 RF电源
31a 第一RF生成部
31b 第二RF生成部
32a 第一DC生成部
32b 第二DC生成部
40 排气系统
50 流路
51 第一流路
52 第二流路
53 第三流路
54 第四流路
55a、55b 隔热空间
111 基座
112 环状组件。
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。各图中，对相同的结构部分标注相同的附图标记，有时会省略重复的说明。
[等离子体处理系统]
在一个实施方式中，图1所示的等离子体处理系统包括等离子体处理装置1和控制部2。等离子体处理装置1包括等离子体处理腔室10、基片支承部11和等离子体生成部12。等离子体处理腔室10具有等离子体处理空间。等离子体处理腔室10具有：用于对等离子体处理空间供给至少一个处理气体的至少一个气体供给口；和用于从等离子体处理空间排出气体的至少一个气体排出口。气体供给口与后述的气体供给部20连接，气体排出口与后述的排气系统40连接。基片支承部11配置在等离子体处理空间内，具有用于支承基片的基片支承面。
等离子体生成部12构成为，从供给到等离子体处理空间内的至少一个处理气体生成等离子体。在等离子体处理空间中形成的等离子体可以是电容耦合等离子体(CCP，Capacitively Coupled Plasma)、电感耦合等离子体(ICP，Inductively CoupledPlasma)、ECR等离子体(Electron-Cyclotron-resonance plasma：电子回旋共振等离子体)、螺旋波激发等离子体(HWP：Helicon Wave Plasma)或表面波等离子体(SWP：SurfaceWave Plasma)等。而且，可以使用包含AC(Alternating Current：直流)等离子体生成部和DC(Direct Current：交流)等离子体生成部在内的各种类型的等离子体生成部。在一个实施方式中，AC等离子体生成部中使用的AC信号(AC电功率)具有100kHz～10GHz范围内的频率。因此，AC信号包含RF(Radio Frequency：高频)信号和微波信号。在一个实施方式中，RF信号具有200kHz～150MHz范围内的频率。
控制部2用于处理计算机可执行的命令，该命令使等离子体处理装置1执行本发明中说明的各种步骤。控制部2可构成为，对等离子体处理装置1的各要素进行控制以执行在此说明的各种步骤。在一个实施方式中，控制部2的一部分或全部可以包含于等离子体处理装置1。控制部2例如可以包括计算机2a。计算机2a例如可以包括处理部(CPU：CentralProcessing Unit，中央处理器)2a1、存储部2a2和通信接口2a3。处理部2a1可构成为，基于保存在存储部2a2中的程序进行各种控制动作。存储部2a2可以包含RAM(Random AccessMemory：随机存取存储器)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)、HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)、SSD(Solid State Drive：固态驱动器)或它们的组合。通信接口2a3可以经由LAN(Local Area Network：局域网)等通信线路与等离子体处理装置1之间进行通信。
接着，参照图2，对作为等离子体处理装置1之一例的电容耦合型的等离子体处理装置1的结构例进行说明。等离子体处理装置1是基片处理装置之一例。等离子体处理装置1包括等离子体处理腔室10、气体供给部20、电源30和排气系统40。此外，等离子体处理装置1包括基片支承部11和气体导入部。气体导入部构成为能够将至少一个处理气体导入等离子体处理腔室10内。气体导入部包括喷淋头13。基片支承部11配置在等离子体处理腔室10内。喷淋头13配置在基片支承部11的上方。在一个实施方式中，喷淋头13构成等离子体处理腔室10的顶部(ceiling)的至少一部分。等离子体处理腔室10具有由喷淋头13、等离子体处理腔室10的侧壁10a和基片支承部11规定的等离子体处理空间10s。侧壁10a接地。喷淋头13和基片支承部11与等离子体处理腔室10的壳体电绝缘。
基片支承部11包括基座111、静电吸盘和环状组件112。静电吸盘配置在基座111上。静电吸盘的上表面包括：用于支承基片(晶片)W的中央区域(基片支承面)111a；和用于支承环状组件112的环状区域(环状组件支承面)111b。静电吸盘的环状区域111b在俯视时包围静电吸盘的中央区域111a。基片W配置在静电吸盘的中央区域111a上，环状组件112以包围静电吸盘的中央区域111a上的基片W的方式配置在静电吸盘的环状区域111b上。在一个实施方式中，基座111包括导电性部件，基座111的导电性部件作为下部电极发挥作用。环状组件112包括一个或多个环状部件。一个或多个环状部件中至少一者是边缘环。此外，虽然省略了图示，但基片支承部11还可以包括温度调节模块，其构成为能够将静电吸盘、环状组件112和基片W中的至少一者调节为目标温度。温度调节模块可以包括加热器、传热介质、流路或它们的组合。此外，基片支承部11还可以包括传热气体供给部，其构成为能够对基片W的背面与基片支承面111a之间供给传热气体。
喷淋头13构成为能够将来自气体供给部20的至少一个处理气体导入等离子体处理空间10s内。喷淋头13包括至少一个气体供给口13a、至少一个气体扩散室13b和多个气体导入口13c。被供给至气体供给口13a的处理气体通过气体扩散室13b而从多个气体导入口13c被导入等离子体处理空间10s内。此外，喷淋头13包含导电性部件。喷淋头13的导电性部件作为上部电极发挥作用。气体导入部除了喷淋头13以外，还可以包括一个或多个侧方气体注入部(SGI：Side Gas Injector)，其安装在形成于侧壁10a上的一个或多个开口部。
气体供给部20可以包括至少一个气体源21和至少一个流量控制器22。在一个实施方式中，气体供给部20构成为，能够将至少一个处理气体从与之分别对应的气体源21经由与之分别对应的流量控制器22供给到喷淋头13。各流量控制器22例如可以包括质量流量控制器或压力控制式的流量控制器。此外，气体供给部20还可包括对至少一个处理气体的流量进行调制或使其脉冲化的至少一个流量调制设备。
电源30包括经由至少一个阻抗匹配电路与等离子体处理腔室10耦合的RF电源31。RF电源31构成为，能够对基片支承部11的导电性部件和/或喷淋头13的导电性部件供给如生成源RF信号和偏置RF信号的至少一个RF信号(RF电功率)。由此，从被供给到等离子体处理空间10s的至少一个处理气体形成等离子体。于是，RF电源31作为等离子体生成部12的至少一部分发挥作用。此外，通过对基片支承部11的导电性部件供给偏置RF信号，能够在基片W产生偏置电位，将将所形成的等离子体中的离子成分吸引到基片W。
在一个实施方式中，RF电源31包括第一RF生成部31a和第二RF生成部31b。第一RF生成部31a构成为，经由至少一个阻抗匹配电路与基片支承部11的导电性部件和/或喷淋头13的导电性部件耦合，能够生成等离子体生成用的生成源RF信号(生成源RF电功率)。在一个实施方式中，生成源RF信号具有13MHz～150MHz范围内的频率。在一个实施方式中，第一RF生成部31a可以构成为，能够生成具有不同频率的多个生成源RF信号。所生成的一个或多个生成源RF信号被供给到基片支承部11的导电性部件和/或喷淋头13的导电性部件。第二RF生成部31b构成为，经由至少一个阻抗匹配电路与基片支承部11的导电性部件耦合，能够生成偏置RF信号(偏置RF电功率)。在一个实施方式中，偏置RF信号具有比生成源RF信号低的频率。在一个实施方式中，偏置RF信号具有400kHz～13.56MHz范围内的频率。在一个实施方式中，第二RF生成部31b也可以构成为，能够生成具有不同频率的多个偏置RF信号。所生成的一个或多个偏置RF信号被供给到基片支承部11的导电性部件。此外，在各种实施方式中，生成源RF信号和偏置RF信号中的至少一者可以被脉冲化。
另外，电源30可以包括与等离子体处理腔室10耦合的DC电源32。DC电源32包括第一DC生成部32a和第二DC生成部32b。在一个实施方式中，第一DC生成部32a构成为与基片支承部11的导电性部件连接，能够生成第一DC信号。所生成的第一DC信号被施加到基片支承部11的导电性部件。在一个实施方式中，第一DC信号也可以被施加到如静电吸盘内的电极这样的其他电极。在一个实施方式中，第二DC生成部32b构成为与喷淋头13的导电性部件连接，能够生成第二DC信号。所生成的第二DC信号被施加到喷淋头13的导电性部件。在各种实施方式中，第一DC信号和第二DC信号可以被脉冲化。此外，第一DC生成部和第二DC生成部32a、32b既可以与RF电源31一并设置，也可以由第一DC生成部32a代替第二RF生成部31b而设置。
排气系统40例如能够与设置在等离子体处理腔室10的底部的气体排出口10e连接。排气系统40可以包括压力调节阀和真空泵。利用压力调节阀，能够调节等离子体处理空间10s内的压力。真空泵可以包括涡轮分子泵、干式泵或它们的组合。
[流路]
基座111由铝构成，在其内部形成有流路50。流路50以圆盘状的基座111的中心轴Ax为中心，轴对称地构成。基座111的中心轴与圆筒状的等离子体处理腔室10的中心轴共轴。
流路50的入口和出口均配置于基座111的中央部。流路50的入口和出口与冷却单元60连接。盐水等热交换介质在冷却单元60中被控制成所希望的温度，从设置于基座111的中央部的入口流入流路50内。热交换介质从中央部向外侧流动，在外周部折返而从外周部向中央部流动，并从设置于中央部的出口流出，返回冷却单元60。像这样，热交换介质在冷却单元60和流路50中循环。
接着，参照图3～图5，对基座111内的流路50的细节进行说明。图3是将一个实施方式的基座111内的流路50放大的截面图。如图3所示，流路50形成在基座111的内部，包括第一流路51、第二流路52、第三流路53和第四流路54。第一流路51在基座111的中央部于基座111的下侧开口。第一流路51大致垂直地配置于基座111的中央部。不过，第一流路51也可以呈锥状或倾斜地配置在基座111的中央部。第二流路52以包围第一流路51的周围的方式构成。第二流路52在基座111的中央部以包围第一流路51的开口的周围方式，于基座111的下侧开口。
第三流路53被配置成与第一流路51连通并从基座111的中央部去往外周部。第四流路54被配置成与第二流路52连通并沿着第三流路53从基座111的中央部去往外周部，并且构成为在基座111的外周部与第三流路53连通。第三流路53配置在基座111的上表面侧，第四流路54配置在第三流路53的下侧。在热交换介质从第一流路51流入的情况下，第三流路53为去路，第四流路54为归路，第二流路52成为热交换介质的出口。在热交换介质从第二流路52流入的情况下，第四流路54为去路，第三流路53为归路，第一流路51成为热交换介质的出口。
第一流路51的开口和第二流路52的开口经由未图示的配管与冷却单元60连接。既能够以第一流路51的开口作为热交换介质的入口，也能够以第二流路52的开口作为热交换介质的入口。
在以第一流路51的开口作为热交换介质的入口，以第二流路52的开口作为热交换介质的出口时，在基片W侧即基座111的上表面侧或基座111的中央部侧能够得到更高的冷却效果。另一方面，在以第二流路52的开口作为热交换介质的入口，以第一流路51的开口作为热交换介质的出口时，在基片W的外周部侧即基座111的下表面侧或基座111的外周部侧能够得到更高的冷却效果。
在第一流路51和第二流路52与冷却单元60之间可以设置切换阀61。利用切换阀61，能够切换以第一流路51和第二流路52中的任一者作为热交换介质的入口，并以另一者作为出口。不过，也可以不设置切换阀61。
图4表示在图3的A-A面剖切得到的截面。如图4所示，第一流路51和第二流路52被配置于同轴上。本说明书中的“配置于同轴上”不仅包括第一流路51的中心轴与第二流路52的中心轴完全一致的情况，还包括制造上可能包含的错位量。
例如，如图4所示，令第一流路51的中心轴为Ix，第二流路52的中心轴为Ox。在第一流路51的中心轴Ix与第二流路52的中心轴Ox的错位量为直线距离1mm以内的情况下，1mm是制造上可能包含的错位量，可以说第一流路51和第二流路52被配置于同轴上。此外，第一流路51的中心轴Ix和第二流路52的中心轴Ox还与基座111的中心轴Ax配置于同轴上。
另外，在将配置于同轴上的第一流路51和第二流路52沿与流向垂直的方向剖切时，第二流路52的截面积S2与第一流路51的截面积S1的比例为0.8～1.2。
另外，第二流路52只要以包围第一流路51的方式配置于同轴上即可，第二流路52的截面形状可以不是圆环状。例如，第二流路52的截面形状可以是三角形、四边形等多边形的环状，也可以是其他形状。同样地，第一流路51的截面形状也可以不是正圆。例如，第一流路51的截面形状可以是椭圆、三角形、四边形等多边形，也可以是其他形状。
像这样，流路50在基座111的中央部具有作为热交换介质的入口和出口发挥作用的第一流路51和第二流路52，第一流路51和第二流路52具有同轴结构。此外，基座111的中央部指的是将基座111的半径三等分时的最内周的区域，基座111的外周部指的是将基座111的半径三等分时的最外周的区域，基座111的中间部是内周部与外周部之间的区域。
回到图3，在第一流路51与第二流路52之间配置有隔热空间55a。热交换介质从第一流路51和第二流路52中的一者流入，并且热交换介质从另一者流出。热交换介质在流路50中流动的期间吸收基片W的热，因此流出时的热交换介质的温度变高，与流入时的热交换介质之间产生温度差。出于上述原因，在第一流路51与第二流路52之间，为了尽可能减小在彼此的流路中流动的热交换介质之间的热干扰的影响而配置了隔热空间55a。同样地，在第三流路53与第四流路54之间，为了尽可能减小在彼此的流路中流动的热交换介质之间的热干扰的影响而配置了隔热空间55b。
图5的(a)是表示将一个实施方式的基座111从中心轴Ax以90°的角度切取1/4时的基座111内的流路50的立体图。在图5的(a)的例子中，热交换介质从第一流路51的入口51a流入，在大致垂直方向上自下而上地向基座111的上表面流动。不过，热交换介质也可以从第二流路52流入。
第一流路51从基座111的中央部向外侧顺滑地弯曲大致90°而改变方向，与第三流路53连通，并辐射状地扩展。将第一流路51中流动的热交换介质的方向改变为从基座111的中央部去往外侧，沿着基座111的上表面在呈辐射状形成的第三流路53中流动。
第二流路52从基座111的中央部向外侧顺滑地弯曲大致90°而改变方向，与第四流路54连通，并辐射状地扩展。第四流路54在基座111的外周部折返大致180°而改变方向，并与第三流路53连接。
热交换介质在第三流路53中从中央部向外周部辐射状地流动，在外周部折返，在第四流路54中从外周部向中央部在第三流路53的下侧沿着第三流路53流动。热交换介质在中央部弯曲大致90°而改变方向，在第二流路52中在大致垂直方向上自上而下地流动，从第二流路52的出口52a流出。
图5的(b)是俯视图5的(a)的基座111的图。在基座111的内部形成有大致扇形的第三流路53，呈辐射状地配置。第四流路54以与第三流路53重合的方式，在第三流路53的下方形成为与第三流路53同一形状的大致扇形，呈辐射状地配置。因此，在图5的(b)中，第四流路54与第三流路53重合，无法看到。
如图5的(a)所示，第三流路53的高度方向的距离随着去往外周部而变短。例如，图5所示的第三流路53的外周部处的高度H2相对于第三流路53的中央部的高度H1，具有H2＜H1的关系。第三流路53的高度方向的距离可以随着去往外周部而连续变短，也可以阶段性地变短。例如可以是，在第三流路53中，第三流路53的上表面形成为与基座111的上表面水平，第三流路53的下表面形成为具有随着去往外周部而向上的倾斜度的坡面状或上升台阶状。此外，也可以是，在第三流路53中，第三流路53的下表面形成为与基座111的上表面水平，第三流路53的上表面形成为具有随着去往外周部而向下的倾斜度的坡面状或下降台阶状。
由此，第三流路53的高度方向的距离随着去往外周部而变短，与第三流路53高度不变的情况相比，第三流路53的截面积减小。因此，第三流路53中流动的热交换介质在从中央部向外侧流动时流速不会降低。由此，能够抑制热交换介质从中央部向外周部流动时的传热效率的降低，能够在基片W的温度控制中得到所希望的热均匀性。
尤其是，在本发明的流路50的结构中，当热交换介质在第三流路53中流动时主要吸收基片W所具有的热量，热交换介质的温度上升。为此，如图6所示将排气系统40连接至隔热空间55b，使用排气系统40的真空泵对隔热空间55b抽真空。由此，能够使隔热空间55b为真空隔热空间，能够提高隔热效果。由此，能够抑制因在第三流路53和第四流路54中流动的热交换介质间的热干扰的影响而导致吸热效率降低。同样地，也可以将排气系统40连接至隔热空间55b，对隔热空间55b抽真空来提高隔热效果。由此，能够抑制因在第一流路51和第二流路52中流动的热交换介质间的热干扰的影响而导致吸热效率降低。
回到图5，第三流路53和第四流路54各自配置有多个，在多个第三流路53之间形成有用于分隔各第三流路53的多个散热片56。此外，在多个第四流路54之间形成有用于分隔各第四流路54的多个散热片56。分隔各第三流路53和第四流路54的多个散热片56以从基座111的中央部去往外周部呈辐射状遍及360°的方式等间隔地配置有多个，将各第三流路53和各第四流路54分隔成大致扇形的流路。由此，通过在各第三流路53和各第四流路54中流动的热交换介质与散热片56接触，能够提高排热性。
散热片56构成为，随着从中央部去往外周部而变粗，散热片56的截面积随着去往外周部而变大。由此，能够减小第三流路53的外周部的截面积与中央部的截面积之差，并能够减小第四流路54的外周部的截面积与中央部的截面积之差。因此，能够通过抑制在第三流路53和第四流路54中流动的热交换介质的流速降低，得到所希望的热均匀性，能够避免在流路内产生温度的奇点。
图5中示出了将散热片56按规定的角度均匀地配置，且随着去往外周部而使散热片56变粗的例子，但不限于此，也可以随着去往外部而增加散热片56的个数。例如，可以在图5的散热片56之间的外周部，进一步配置长度比图5的散热片56短的散热片。
随着相比中央部越去往外周部，越降低第三流路53的高度来抑制热交换介质的流速降低，并且越增加散热片56的数量或截面积而增大与热交换介质接触的接触面积，由此能够提高从热交换介质到散热片56的热传递效率。由此，在基片W的温度控制中能够在基片W的面内得到所希望的温度均匀性。此外，第四流路54的高度可以随着从中央部去往外周部而降低，也可以相同。
[扩散部件]
在第一流路51、第二流路52、第三流路53和第四流路54中的至少一个流路50配置有扩散部件。参照图6和图7对一个实施方式的设置在流路50的扩散部件进行说明。
流路50中存在关于温度的奇点。即，热交换介质的流速高的位置容易被冷却，而热交换介质的流速低的位置难以被冷却。因此，热交换介质的流动发生变化的位置容易成为温度的奇点。例如，在图5的区域B和区域C，热交换介质的流动的变化较大，其中，区域B是第三流路53与第四流路54的连通部分，区域C包含第一流路51与第三流路53的连通部分的流路部的顶面和第二流路52与第四流路54的连通部分。即，在区域B和区域C，热交换介质的流速发生变化，成为温度的奇点。
为此，优选在温度的奇点及其附近的流路50内配置扩散部件。作为扩散部件，例如可例举图6所示的凸部件57或图7所示的螺纹件58、椭圆部件59等。不过，扩散部件不限于此，只要是具有抑制热交换介质在流路50内的滞留，或调节热交换介质的流速的功能的部件即可。此外，可以在流路50本身设置凹部和/或凸部。
图6所示的凸部件57配置于温度的奇点或其附近的、流路50内的热交换介质的流速变慢的区域B。凸部件57的个数不限于此，可以配置一个以上的凸部件57。此外，图6的例子中，在流路50内的热交换介质的流速变慢的位置配置了凸部件57，但也可以在热交换介质的流速变快的位置配置凸部件57。
也可以代替图6所示的凸部件57而使用图7的(a)～(c)所示的扩散部件。即，图7的(a)所示的螺纹件58、图7的(b)所示的椭圆部件59、图7的(c)所示的升降螺纹件66是扩散部件的一个例子。
螺纹件58具有螺旋状的槽。椭圆部件59可绕轴59a旋转，能够根据热交换介质的流动而改变椭圆的长边和短边的方向。升降螺纹件66可升降。螺纹件58、椭圆部件59和升降螺纹件66调节热交换介质的流向和流速。由此能够通过改变排热响应性来修正温度的奇点。
上面说明的扩散部件仅为一例，扩散部件也可以是设置于流路50内的翅片、调节板、圆筒状的突起或圆筒状的凹陷、韧窝(dimple)状的凹部和/或凸部。螺纹件58、椭圆部件59、升降螺纹件66、翅片、调节板、圆筒状的突起和圆筒状的凹陷是扩散部件的凹部和/或凸部的一个例子。
通过在流路50内配置一个以上的扩散部件，能够增大传热面积、降低传热效率的降低。并且，能够通过调节热交换介质的流向和流速，改变排热响应性来修正奇点。只需在流路50内的温度的奇点配置扩散部件即可，无需改变流路50的设计，就能够简单地修正温度的奇点。
另外，上面说明的包括具有流路50的基座111的基片支承部11，也可以利用3D打印机通过金属层叠成形来制作。
[效果]
在现有的形成于基座111的流路中，将流路的入口和出口配置在基座111的外周部的一部分，随着从外周部去往中央部而螺旋状地形成流路，进而从中央部折返，随着去往外周部而螺旋状地形成流路。因此，流路的入口和出口作为温度的奇点在外周部的一部分发生偏差，温度的奇点难以修正。
对此，本发明的流路50在基座111的中央部具有作为热交换介质的入口和出口的第一流路51和第二流路52，并且第一流路51和第二流路52被设置于同轴上。由此，同轴上的温度控制变得容易，能够提高同轴上的温度分布的可控性，提高基片W的温度可控性和基片W的面内温度均匀性。
基座111为圆盘状，作为温度控制对象的基片W也为圆形。此外外，配置在基座111中的加热器也与基片支承部11(基座111或静电吸盘)的中央部、中间部、外周部分离地配置于同轴上。等离子体处理腔室10也为圆筒状。即，基片W、加热器、等离子体处理腔室10的中心轴与基座111的中心轴Ax共轴，形成于同轴上。
于是，在本发明的流路50中，将第一流路51和第二流路52配置于同轴上。由此，由于流路50的结构采用与基片W、加热器、等离子体处理腔室10相同的同轴结构，同轴上的温度控制变得容易，能够提高同轴上的温度分布的可控性，提高基片W的温度可控性和基片W的面内温度均匀性。
本次公开的实施方式的基片支承部和基片处理装置在所有方面都只是例示而不应当认为是限制性的。实施方式可以在不脱离所附的权利要求及其思想的基础上，以各种方式实现变形和改进。上述多个实施方式中记载的内容在不产生矛盾的范围内能够采用其他结构，或能够在不产生矛盾的范围内相互组合。
本发明的基片处理装置能够应用于Atomic Layer Deposition(ALD，原子层沉积)装置、Capacitively Coupled Plasma(CCP，电容耦合等离子体)、Inductively CoupledPlasma(ICP，电感耦合等离子体)、Radial Line Slot Antenna(RLSA，径向线隙缝天线)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR，电子回旋共振)、Helicon Wave Plasma(HWP，螺旋波等离子体)中的任一类型的等离子体处理装置。
另外，作为基片处理装置之一例以等离子体处理装置为例进行了说明，但基片处理装置只要是对基片实施规定的处理(例如成膜处理、蚀刻处理等)的装置即可，不限于等离子体处理装置。
Claims (10)
1.一种基片支承部，其特征在于，包括：
基座；
第一流路，其在所述基座的中央部于所述基座的下表面开口；
第二流路，其包围所述第一流路的周围，在所述基座的下表面开口；
第三流路，其被配置成与所述第一流路连通并从所述基座的中央部去往外周部；和
第四流路，其被配置成与所述第二流路连通并从所述基座的中央部去往外周部，并且构成为在所述基座的外周部与所述第三流路连通。
2.如权利要求1所述的基片支承部，其特征在于：
所述第一流路和所述第二流路配置于同轴上。
3.如权利要求1或2所述的基片支承部，其特征在于：
所述第三流路和所述第四流路各自配置有多个，在多个所述第三流路之间形成有分隔各所述第三流路的多个散热片，在多个所述第四流路之间形成有分隔各所述第四流路的多个散热片，分隔各所述第三流路和所述第四流路的多个所述散热片的截面积随着去往所述基座的外周部而变大。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基片支承部，其特征在于：
在所述第一流路与所述第二流路之间配置有隔热空间。
5.如权利要求1～4中任一项所述的基片支承部，其特征在于：
在所述第三流路与所述第四流路之间配置有隔热空间。
6.如权利要求1～5中任一项所述的基片支承部，其特征在于：
所述第二流路的截面积与所述第一流路的截面积的比例为0.8～1.2。
7.如权利要求1～6中任一项所述的基片支承部，其特征在于：
所述第三流路的高度随着去往所述基座的外周部而变短。
8.如权利要求1～7中任一项所述的基片支承部，其特征在于：
在所述第一流路、所述第二流路、所述第三流路和所述第四流路中的至少一个流路内配置有扩散部件。
9.如权利要求8所述的基片支承部，其特征在于：
所述扩散部件具有凹部和/或凸部。
10.一种基片处理装置，其特征在于：
所述基片处理装置包括基片支承部，
所述基片支承部包括：
基座；
第一流路，其在所述基座的中央部于所述基座的下表面开口；
第二流路，其包围所述第一流路的周围，在所述基座的下表面开口；
第三流路，其被配置成与所述第一流路连通并从所述基座的中央部去往外周部；和
第四流路，其被配置成与所述第二流路连通并从所述基座的中央部去往外周部，并且构成为在所述基座的外周部与所述第三流路连通。
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