CN115104102A - 有多层式电抗型连接带的射频识别器件及相关系统和方法 - Google Patents

有多层式电抗型连接带的射频识别器件及相关系统和方法 Download PDF

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Abstract

在一些实施例中，射频识别(RFID)器件可包括：一种多层式电抗型连接带，其具有第一基底、第一导体部、第二导体部、和第一连接。所述第一导体部可包围第一区域，并可布置在所述第一基底的第一侧。所述第二导体部可包围第二区域，并可布置在所述第一基底的第二侧。所述第一连接可将所述第一导体部与所述第二导体部耦合在一起，并且可由此形成一个包括所述第一导体部和所述第二导体部两者的多匝式线圈。

Description

有多层式电抗型连接带的射频识别器件及相关系统和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求享有在2019年12月28日提交的美国临时专利申请号62/954,476的权益，该美国临时专利申请的全部内容通过引用纳入本文。
背景技术
融合了无线通信方法(包括射频识别技术在内)的器件被广泛用于众多应用，包括将其整合到商品标贴(labels)或标签(tags)以用于追踪和安全目的。这类系统在零售业已众所周知，包括联系物品(比如服装)的库存控制和防盗以及防止其他损失。
整合到商品标贴或标签的射频识别器件可具有各种集成部件，其中射频识别芯片包含数据(比如产品类型的识别码、甚至与唯一识别码相关联的确切物品的识别码)。其他部件可包括与该射频识别芯片电连接的天线，该天线负责向另一射频识别器件发送信号和/或从其接收信号，例如，射频识别读取器系统。
服装标贴或标签有时可能包括射频识别器件。在衣物被穿戴和使用时，射频识别器件可能会受到应力(stress)，比如当相关联的衣物被清洗、折叠或以其他方式处理时。此外，整合了无线通信射频识别器件的标贴或标签可能会影响用户的舒适度。因此，可对传统系统进行改进，比如提高耐用性或舒适性。
发明内容
本主题有几个方面，这些方面可单独或一起体现在本文所描述和要求保护的无线通信器件和系统中。这些方面可单独使用或与本文描述的主题的其他方面相结合地使用，并且，对这些方面的共同描述并非意在排除这些方面的单独使用、或这些方面的单独的或以不同组合方式的(如本文随发明要求保护范围中所可能载明的)保护要求。
在一些实施例中，一些设计成耦合到天线并形成远场射频识别标签的电抗型(reactive)射频识别连接带(straps)，可通过使用两层或更多层来增大在给定区域内的电感量(inductance)，这可能使给定谐振频率的电抗型连接带可更小。更小的尺寸可提供一些优势。例如，更小的电抗型射频识别连接带在用于服装的织物射频识别标贴中可较不显眼。此外，更小的电抗型射频识别连接带可更坚固，并为控制该电抗型连接带与天线之间的耦合提供额外的选项(options)。
在一些实施例中，射频识别器件可包括：一种多层式(multilayer)电抗型连接带，其具有第一基底、第一导体部、第二导体部、和第一连接。所述第一导体部可包围第一区域，并且可布置在所述第一基底的第一侧。所述第二导体部可包围第二区域，并且可布置在所述第一基底的第二侧。所述第一连接可将所述第一导体部与所述第二导体部耦合在一起，由此形成一个包括所述第一导体部和所述第二导体部两者的多匝式线圈(multiturncoil)。
在一些实施例中，所述第一基底可至少部分地由电介质(dielectric)形成。所述射频识别器件可包括：射频识别(RFID)芯片，其耦合到所述第一导体部。所述射频识别器件可包括：天线，其被配置成电抗式耦合到所述多层式电抗型连接带。所述射频识别器件可包括：器件基底，其具有第一侧，所述器件基底的所述第一侧附接到所述多层式电抗型连接带和所述天线。所述射频识别器件可包括：第二连接，其将所述第一导体部与所述第二导体部耦合在一起。所述第一连接可延伸穿过所述第一基底。所述第一电介质基底可包括一种柔性材料。
在一些实施例中，所述第一导体部和所述第二导体部中的至少一者可包括多匝式线圈。所述第一导体部和所述第二导体部中的每一者都可包括多匝式线圈或单匝式线圈(single-turn coil)。相连接的所述第一导体部和所述第二导体部的所述多匝式线圈可提供给定区域内——比包围相同区域的单匝式导体(conductor having a singleturn)——更多的电感量。所述第一导体部和所述第二导体部包括不同匝数。
在各种(various)实施例中，所述第一导体部与所述第二导体部之间的匝数的均衡、以及所述第一导体部和所述第二导体部的相对位置，可影响所述多层式电抗型连接带的近磁场和所述多层式连接带与天线的耦合。所述第一导体部和所述第二导体部的匝数可均匀地分布在所述第一电介质基底的第一侧和第二侧。
在一些实施例中，所述第一导体部可通过压接、焊接、或创建电镀通孔这些方式的一种或多种而连接到所述第二导体部。所述第一导体部可通过使用所述第一电介质基底两侧的两个金属区域之间的耦合电容而连接到所述第二导体部。所述射频识别芯片可具有的电容小于所述耦合电容。
在一些实施例中，所述射频识别器件包括：第二基底、和第三导体部。所述第二导体部可包括与所述第一基底之第二侧接触的第一侧，并且所述第二导体部可包括与所述第二基底之第一侧接触的第二侧。所述第三导体部可包括与所述第二基底之第二侧接触的第一侧。所述射频识别器件可包括：第三基底、和第四导体部。所述第三导体部可包括与所述第三基底之第一侧接触的第二侧，并且所述第四导体部可包括与所述第三基底之第二侧接触的第一侧。所述射频识别器件可包括：天线，其被布置在器件基底上并且被配置成电抗式耦合到所述多层式电抗型连接带。所述器件基底可形成：所述第一基底、所述第二基底、或所述第三基底中的一者。
在各种实施例中，一种形成射频识别器件的方法可包括通过以下方式形成一种多层式电抗型连接带，所述方式即：在第一基底之第一侧布置包围第一区域的第一导体部，在所述第一基底之第二侧布置包围第二区域的第二导体部，以及，使用第一连接将所述第一导体部与所述第二导体部耦合在一起，由此形成一个包括所述第一导体部和所述第二导体部两者的多匝式线圈。
在各种实施例中，所述第一基底可至少部分由电介质形成。所述方法可包括：将射频识别(RFID)芯片耦合到所述第一导体部。所述方法可包括：将天线附接到器件基底，以及，将所述多层式电抗型连接带附接到所述器件基底。所述天线可被配置成电抗式耦合到所述多层式电抗型连接带。所述多层式电抗型连接带和所述天线都可被附接到所述器件基底之第一侧。所述方法可包括：使用第二连接，将所述第一导体部与所述第二导体部耦合在一起。
在一些实施例中，所述第一导体部和所述第二导体部中的至少一者可包括多匝式线圈。所述第一导体部和所述第二导体部中的每一者都可包括多匝式线圈。所述第一导体部和所述第二导体部可包括不同匝数。所述第一导体部和所述第二导体部的匝数可均匀地分布在所述第一电介质基底的第一侧和第二侧。所述第一导体部可通过压接、焊接、或创建电镀通孔这些方式中的一种或多种而连接到所述第二导体部。所述第一导体部可通过使用电容而连接到所述第二导体部。
在一些实施例中，所述方法可包括：将第二基底的第一侧附接到所述第二导体部的第二侧，以及，将第三导体部的第一侧附接到所述第二基底的第二侧。所述方法可包括：将第三基底的第一侧附接到所述第三导体部的第二侧，以及，将第四导体部的第一侧附接到所述第三导体部的第二侧。所述器件基底可形成：所述第一基底、所述第二基底、或所述第三基底中的一者。
附图说明
图1是一种具有单层的现有技术电抗型连接带的示意图，其为比较之用而提供；
图2是根据一些实施例的一种多层式电抗型连接带的一部分的示意图；
图3A和图3B是示意图，示出：根据一些实施例，多层式电抗型连接带——相对于单层式电抗型连接带——所占用的面积减少；
图4A和图4B是示意图，示出：根据一些实施例，多层式电抗型连接带——相对于单层式电抗型连接带——所占用的面积减少；
图5A和图5B是示意图，示出：根据一些实施例，使用多层式电抗型连接带的器件——相对于使用单层式电抗型连接带的器件——在尺寸上可能的差异；
图6A和图6B是根据一些实施例的用于多层式电抗型连接带的安装配置示意图；
图7A至图7C是根据一些实施例的多层式电抗型连接带的局部横截面示意图；以及
图8是横截面示意图，示出根据一些实施例的射频识别器件的部件。
具体实施方式
本文按要求公开了本发明的一些详细实施例；然而，应理解，所公开的实施例仅是本发明的示例，其可以体现呈各种形式。因此，本文所公开的具体细节不应被解释为限制性的，而是仅作为权利要求的基础，和作为代表性的基础用于教导本领域技术人员以几乎任何适当方式来各种不同地运用本发明。
图1是示出一种现有技术的电抗型连接带1的形式的示意图，用于建立一些基本参数。该现有技术的电抗型连接带1包括：耦合到射频识别芯片3的、呈环路(loop)形式的导体2。该导体2具有导体宽度w和直径d。所述环路可被认为包括：一条具有取决于导体宽度w的单位长度电感量α的曲线。所述环路的长度在简单圆形情况下为πd。将所述单位长度电感量与所述环路的长度相结合，得到：将与射频识别芯片3的电容在所需频率上产生共振时的电感量。当所述环路耦合到天线时，可提供射频识别响应。
在各种实施例中，比如在图2中，一种多层式电抗型连接带10包括射频识别芯片12。该多层式电抗型连接带10可包括：第一电介质基底14(例如，至少一个薄的电介质基准基底)；至少第一层16，其包括布置在第一基底14之第一侧的第一导体部18；以及，至少第二层20，其包括布置在第一基底14之第二侧的第二导体部22。第一导体部18和第二导体部22中的一者或两者可至少包围封闭的区域56。第一导体部18和第二导体部22所包围的区域可相同或不同。
第一导体部18和第二导体部22可经由第一连接58和第二连接60中的一者或两者而耦合，以形成多匝式线圈或以形成更大的多匝式线圈。例如，第一导体部18和第二导体部22中的一者或两者可为或包括多匝式线圈，并且第一导体部18与第二导体部22之间的连接可产生更大的多匝式线圈。第一导体部18和第二导体部22中的一者或两者可具有：大体圆形形状，或能够包围封闭区域56的任何其他形状，比如三角形、正方形、六边形、八边形、圆形、和任何其他平面形状。
在图2中，该两层式电抗型连接带10包括：第一层16和第二层20的第一导体部18和第二导体部22。在此示例中，电感量按照图1取决于单位长度电感量α'和直径d'，但也取决于当第一导体部18和第二导体部22结合时线圈中的匝数n。因此，电感量L可通过公式L＝α'·π·d'·n而确定。电感量L可基于第一导体部18和第二导体部22的形状而有所变化。
在各种实施例中，所需的匝数n可分布在所述两层之中，例如，如果需要四匝，则该匝数可均匀地分布成在基准基底(base substrate)14的每一侧布置两匝，或者不对称地分布成在一侧布置三匝而在另一侧布置一匝。匝数的均衡和相对于彼此的位置会影响所述多层式电抗型连接带10的近磁场的性质，因此会影响它与天线的耦合。因此，应领会，第一导体部和第二导体部中的至少一者可包括多匝式线圈，第一导体部和第二导体部可包括不同匝数和/或第一导体部和第二导体部两者都可包括多匝式线圈。因此，第一导体部和第二导体部的匝数可均匀地分布在基准基底的第一侧和第二侧，或者可不对称地分布在基准基底的第一侧和第二侧。
图3A和图3B提供了分别包含天线Aa和天线Ab的示例器件La和器件Lb(例如织物标贴、射频识别标签)的示意图。该天线Aa、Ab可由导体材料构成，比如铝箔、导电油墨、石墨烯、或其他合适的导电材料(比如其他金属)。图3A中的示意图还示出一种具有相对较大面积和/或直径d的传统的单层式电抗型连接带110a。在一些实施例中，比如图3B中，多层式电抗型连接带110b可占用更小的面积和/或直径d'，而其可提供与单层式电抗型连接带110a相同或更好的电感量。
在各种实施例中，器件La可具有沿Y轴延伸的宽度62a和沿X轴延伸的长度64a。单层式电抗型连接带110a可与天线Aa隔开一段按沿Y轴测得的距离52a，并且可基本上与沿X轴测量的天线Aa的中间对齐。单层式电抗型连接带110a可被布置在天线Aa与器件La的沿X轴延伸且远离天线Aa的边缘之间，并且可离该边缘一段距离54a。
在各种实施例中，多层式电抗型连接带110b可离天线Ab有一段相同于或小于距离52a的距离52b。多层式电抗型连接带110b可被布置在天线Ab与器件Lb的沿X轴延伸且远离天线Ab的边缘之间(例如，沿Y轴测量)。多层式电抗型连接带110b可离该边缘一段距离54b。在一些实施例中，鉴于多层式电抗型连接带110b——相对于单层式电抗型连接带110a所占用面积——占用面积减少，距离54b可大于距离54a。
在一些实施例中，多层式电抗型连接带110b所占面积和/或直径的减少可允许器件La的尺寸为器件Lb的对应尺寸的分数(fraction)，比如为器件La的尺寸的100％-90％、90％-80％、80％-70％、70％-60％、60％-40％、40％-20％、20％-5％之间。例如，基于从单层式电抗型连接带110a所占面积到多层式电抗型连接带110b所占面积在尺寸上减少，宽度62b可为宽度62a的分数，并且/或者长度64b可为长度64a的分数。同样，直径d'可为直径d的分数，并且/或者多层式电抗型连接带110b所占面积可为单层式电抗型连接带110a所占面积的分数。
如果织物标贴打算置于服装内，则较小的多层式电抗型连接带110b可提供一种益处：即有助于构建一种较少可能引起不适(discomfort)或不满(irritation)的较小标贴。在一些实施例中，多层式电抗型连接带110b可比单层式电抗型连接带110a更厚和/或更刚硬(stiffer)，这可能有助于抵御磨损或洗涤带来的损坏。在一些实施例中，相对于图3A的器件La而言，多层式电抗型连接带110b所占的减少的面积可降低图3b的器件Lb的整体刚度。器件Lb的刚度(stiffness)——相对于器件La的刚度——可在围绕XY平面的X轴、Y轴、或其他轴的弯曲刚度方面减小。器件La和器件Lb可分别包括：由塑料、金属、织物、网、玻璃、陶瓷、纸、或纸板中的一种或多种所构成的基底44a或基底44b。
在一些实施例中，距离52b可在0.8mm-1.2mm、0.6mm-1.4mm、0.4mm-1.6mm、0mm-1.8mm、1.8mm-3mm、3mm-6mm、6mm-10mm、0mm至高达两倍直径d'、或更大距离之间。在一些实施例中，多层式电抗型连接带110b可与天线Ab重叠和/或直接接触于0mm-0.3mm、0.3mm-0.7mm、0.7mm-1.1mm、1.1mm-3mm之间。
图4A和图4B提供了分别包含天线Aa'和天线Ab'的各替代示例器件La'和器件Lb'(例如，织物标贴)的示意图。天线Aa'、Ab'可由与图3A和图3B中的天线类似的导体材料构建。图4A中的示意图也示出具有相对较大面积或直径的传统的单层式电抗型连接带110a，而图4B示出由于较小直径的多匝式线圈而具有相对较小面积的多层式电抗型连接带110b。在此示例中，器件La'、Lb'为竖立式，可领会，该多层式电抗型连接带提供了一种更窄标贴结构的益处，这可使器件Lb'可比器件La'用于更大应用范围。
图5A和图5B是示出根据一些实施例的多层式电抗型连接带(例如连接带10、连接带110b)——相对于单层式电抗型连接带(例如连接带110a)——在尺寸上的差异的示意图。例如，图5A提供了图3A中所示的传统器件La的简化图示。当标贴La受到弯曲力F并围绕轴(例如Y轴或X轴)弯曲时，有偏离平面状态(planar state)的相对较大偏转(deflection)。图5B提供了图3B所示器件Lb的简化图示。相对比地，当器件Lb受到相同的弯曲力F并围绕轴(例如Y轴或X轴)弯曲时，鉴于器件Lb的尺寸可被减小，因此有偏离平面状态的减小的偏转。结果是，传给(impart)较小的多层式电抗型连接带的应力可能比传给较大的单层式电抗型连接带的应力小，这可使器件Lb更坚固、并且更好地承受诸如洗涤或粗放处理(rough handling)过程。此外，通过具有更多匝数的导体，较小的多匝线圈的电感量可等于或超过较宽的单层线圈的电感量。此外，通过具有在电介质的对立两面的两个导体部，所述多层式电抗型连接带的整体物理强度、坚固性、和/或刚度可得到改善。
图6A和图6B是根据一些实施例的用于多层式电抗型连接带的安装配置示意图。例如，图6A示出与——基准基底14以及第一导体部18'和第二导体部22'相对于天线Aa”的分隔——有关的示意顶视图和侧视图，而图6B示出与——基准基底以及第一导体部18'和第二导体部22'相对于天线Aa”的分隔——有关的示意顶视图和侧视图。此示例示出：对于多层式电抗型连接带，由于各层中的匝数和垂直位置，可有至少两种方式将所述多层式电抗型连接带定向(orient)和/或配置在相对于天线的竖立位置或关联位置。例如，多层式电抗型连接带可具有在XY平面中形成的层，并被配置成在XY平面上与天线耦合。鉴于所述多层式电抗型连接带的不同层可能有差异(比如每层中的线圈的匝数不同)，所述层的顺序可以改变，以产生相关于天线的各不相同的效果(varying effects)。此外，鉴于可能存在与所述多层式电抗型连接带的层叠(stack of layers)相关联的高度，不同的层可置于相对于天线的不同高度处，或者整个多层式电抗型连接带可——相对于天线被形成所在的XY平面——在Z轴方向升高或降低(比如通过将器件基底整合到所述多层式电抗型连接带的层叠内的较高或较低层级(level))。在各种实施例中，多层式电抗型连接带内的层数可为3、5、7、9、11或更多，比如在11-20、20-50、或50-100层之间。在一些实施例中，每层可包括电介质和/或至少一个导体线圈。
图7A至图7C是根据一些实施例的多层式电抗型连接带的局部横截示意图。第一导体部18和第二导体部22在图7A中示出为在基底14的对立两侧。图7A示出了第一导体部18与第二导体部22之间的、经由焊接处(weld)30或过孔(via)提供的结构连接(structuralconnection)(例如，第一连接58或第二连接60)，但应领会，所述连接可通过诸如压接、焊接、创建电镀通孔、或其他合适的已知连接方法形成。在各种实施例中，随着不同层的创建，所述过孔可通过导电油墨(比如对于相对较薄的层)或经由其他机制形成。例如，一个或多个箔层可填充电介质层中的孔，以提供第一导体部18与第二导体部22之间的电连接。其他导电材料可代替、补充、或作为焊接处30的一部分，比如各种形式的金属、石墨烯、和/或导电油墨。
图7B示出侧视图，而图7C示出特别适用于UHF(超高频)射频识别标签的一种替代连接方法的顶视图。这种连接是基于利用两个金属区域之间的电容进行的一种从上到下的连接，比如在基准基底14的对立两侧的、定位呈重叠关系的第一导体部18的一部分与对应的第二导体部22之间。例如，重叠区域可存在于：第一导体部18所占区域向下通过Z轴的投影与第二导体部22之一部分相重叠之处。
所述耦合电容可取决于平行的和/或重叠的板面积(plate area)、边缘电容(fringing capacitance)、基底厚度、基底介电常数、和射频识别芯片电容。在一些实施例中，为了改善或优化性能，所述耦合电容可大于射频识别芯片电容。在一些实施例中，多层式电抗型连接带的基底14可包括：包括柔性材料的至少一个薄的电介质基准基底。
在一些实施例中，比如图8中，器件Lc包括：天线Aa”'、器件基底44、和多层式电抗型连接带110c。天线Aa”'和多层式电抗型连接带110c可附接到器件基底44。天线Aa”'和多层式电抗型连接带110c可分开一段距离42，或可重叠至关于图3B的距离52b所描述的相同程度。
多层式电抗型连接带110c可包括多于两层。在一些实施例中，比如图8中，多层式电抗型连接带110c可包括：多个电介质基底66、68和70、第一导体部32、第二导体部34、第三导体部36、第四导体部38、和连接40。
在各种实施例中，第一导体部32的第一侧可暴露于空气、环境、或一个或多个覆盖层(未示出)(比如塑料、织物、或其他材料)。第一导体部32的第二侧可附接到第一基底66的第一侧。第一基底66的第二侧可附接到第二导体部34的第一侧。第一导体部32和第二导体部34可通过1个、2个、或更多个连接40而连接，比如焊接处30、过孔、导电油墨、或其他连接方法，如上面关于图2和图7A所讨论的。
在各种实施例中，第二导体部34的第二侧可附接到第二基底68的第一侧。第二基底68的第二侧可附接到第三导体部36的第一侧。第二导体部34和第三导体部36可使用1个、2个、或更多个连接40通过多种方法而连接，如上所讨论的。
在各种实施例中，第三导体部36的第二侧可附接到第三基底70的第一侧。第三基底70的第二侧可附接到第四导体部38的第一侧。第三导体部36和第四导体部38可使用1个、2个、或更多个连接40通过多种方法而连接，如上所讨论的。
第四导体部38的第二侧可附接到器件基底44的第一侧。在各种实施例中，可按需使用更多层或更少层的导体部、基底、和连接。在一些实施例中，器件基底44可被用作中间层从而分隔两个导体部，使得在器件基底44的对立侧各一个导体部。
从对各种实施例的以上描述，本领域普通技术人员将领会，由第一导体部与第二导体部的组合形成的多匝式线圈可提供给定区域内——比具有单匝和一般圆形形状的导体——更多的电感量。此外，第一导体部和第二导体部中每者的匝数的均衡以及第一导体部和第二导体部的相对位置，可影响所述多层式电抗型连接带的近磁场和耦合。此外，多层式电抗型连接带可耦合到导电式天线，以提供一种可作为远场射频识别标签使用的无线通信器件。
以上所描述实施例是说明本发明的原理的一些应用。在不偏离所要求保护的主题(包括本文所逐个公开或要求保护的那些特征的组合)的精神和范围的情况下，本领域技术人员可进行大量修改。出于这些原因，本发明的范围不限于以上描述、而是如随附发明要求保护范围所载明，并且，应理解，发明要求保护范围可针对本发明的特征，包括本文所逐个公开或要求保护的特征的组合。

Claims (36)

1.一种射频识别器件，包括：多层式电抗型连接带，其具有：
第一基底；
第一导体部，其包围第一区域，并且被布置在所述第一基底的第一侧；
第二导体部，其包围第二区域，并且被布置在所述第一基底的第二侧，以及
第一连接，其将所述第一导体部与所述第二导体部耦合在一起、由此形成一个包括所述第一导体部和所述第二导体部两者的多匝式线圈。
2.如权利要求1所述的射频识别器件，其中，所述第一基底至少部分由电介质形成。
3.如权利要求1-2中任一项所述的射频识别器件，进一步包括：射频识别芯片，其耦合到所述第一导体部。
4.如权利要求1-3中任一项所述的射频识别器件，进一步包括：天线，其被配置成电抗式耦合到所述多层式电抗型连接带。
5.如权利要求1-4中任一项所述的射频识别器件，进一步包括：器件基底，其具有第一侧，所述器件基底的所述第一侧附接到所述多层式电抗型连接带和所述天线。
6.如权利要求1-5中任一项所述的射频识别器件，进一步包括：第二连接，其将所述第一导体部与所述第二导体部耦合在一起。
7.如权利要求1-6中任一项所述的射频识别器件，其中，所述第一连接延伸穿过所述第一基底。
8.如权利要求1-7中任一项所述的射频识别器件，其中，所述第一电介质基底进一步包括一种柔性材料。
9.如权利要求1-8中任一项所述的射频识别器件，其中，所述第一导体部和所述第二导体部中的至少一者包括多匝式线圈。
10.如权利要求1-9中任一项所述的射频识别器件，其中，所述第一导体部和所述第二导体部中的每一者都包括多匝式线圈。
11.如权利要求1-10中任一项所述的射频识别器件，其中，相连接的所述第一导体部和所述第二导体部的所述多匝式线圈提供给定区域内比包围相同区域的单匝式导体更多的电感量。
12.如权利要求1-11中任一项所述的射频识别器件，其中，所述第一导体部和所述第二导体部包括不同匝数。
13.如权利要求1-12中任一项所述的射频识别器件，其中，所述第一导体部与所述第二导体部之间的匝数的均衡、以及所述第一导体部和所述第二导体部的相对位置，影响所述多层式电抗型连接带的近磁场和所述多层式电抗型连接带与天线的耦合。
14.如权利要求1-13中任一项所述的射频识别器件，其中，所述第一导体部和所述第二导体部的匝数均匀地分布在所述第一电介质基底的第一侧和第二侧。
15.如权利要求1-14中任一项所述的射频识别器件，其中，所述第一导体部通过压接、焊接、或创建电镀通孔这些方式的一种或多种而连接到所述第二导体部。
16.如权利要求1-15中任一项所述的射频识别器件，其中，所述第一导体部通过使用所述第一电介质基底两侧的两个金属区域之间的耦合电容而连接到所述第二导体部。
17.如权利要求16中任一项所述的射频识别器件，其中，所述射频识别芯片具有的电容小于所述耦合电容。
18.如权利要求1-17中任一项所述的射频识别器件，进一步包括：
第二基底；以及
第三导体部，
其中，所述第二导体部包括与所述第一基底之第二侧接触的第一侧，并且所述第二导体部包括与所述第二基底之第一侧接触的第二侧，
其中，所述第三导体部包括与所述第二基底之第二侧接触的第一侧。
19.如权利要求18所述的射频识别器件，进一步包括：
第三基底；以及
第四导体部，
其中，所述第三导体部包括与所述第三基底之第一侧接触的第二侧，
其中，所述第四导体部包括与所述第三基底之第二侧接触的第一侧。
20.如权利要求19所述的射频识别器件，进一步包括：天线，其被布置在器件基底上并且被配置成电抗式耦合到所述多层式电抗型连接带。
21.如权利要求20所述的射频识别器件，其中，所述器件基底形成：所述第一基底、所述第二基底、或所述第三基底中的一者。
22.一种形成射频识别器件的方法，包括：
通过以下方式形成一种多层式电抗型连接带，
所述方式即：
在第一基底之第一侧布置包围第一区域的第一导体部；
在所述第一基底之第二侧布置包围第二区域的第二导体部；以及
使用第一连接将所述第一导体部与所述第二导体部耦合在一起，由此形成包括所述第一导体部和所述第二导体部两者的多匝式线圈。
23.如权利要求22所述的方法，其中，所述第一基底至少部分由电介质形成。
24.如权利要求22-23中任一项所述的方法，进一步包括：
将射频识别芯片耦合到所述第一导体部。
25.如权利要求22-24中任一项所述的方法，进一步包括：
将天线附接到器件基底；以及
将所述多层式电抗型连接带附接到所述器件基底，
其中，所述天线被配置成电抗式耦合到所述多层式电抗型连接带。
26.如权利要求25所述的方法，其中，所述多层式电抗型连接带和所述天线都被附接到所述器件基底之第一侧。
27.如权利要求22-26中任一项所述的方法，进一步包括：
使用第二连接，将所述第一导体部与所述第二导体部耦合在一起。
28.如权利要求22-27中任一项所述的方法，其中，所述第一导体部和所述第二导体部中的至少一者包括多匝式线圈。
29.如权利要求22-28中任一项所述的方法，其中，所述第一导体部和所述第二导体部中的每一者都包括多匝式线圈。
30.如权利要求22-29中任一项所述的方法，其中，所述第一导体部和所述第二导体部包括不同匝数。
31.如权利要求22-30中任一项所述的方法，其中，所述第一导体部和所述第二导体部的匝数均匀地分布在所述第一电介质基底的第一侧和第二侧。
32.如权利要求22-31中任一项所述的方法，其中，所述第一导体部通过压接、焊接、或创建电镀通孔这些方式中的一种或多种而连接到所述第二导体部。
33.如权利要求22-32中任一项所述的方法，其中，所述第一导体部通过使用耦合电容而连接到所述第二导体部。
34.如权利要求22-33中任一项所述的方法，进一步包括：
将第二基底的第一侧附接到所述第二导体部的第二侧；以及
将第三导体部的第一侧附接到所述第二基底的第二侧。
35.如权利要求34所述的方法，进一步包括：
将第三基底的第一侧附接到所述第三导体部的第二侧；以及
将第四导体部的第一侧附接到所述第三导体部的第二侧。
36.如权利要求35所述的方法，其中，所述器件基底形成：所述第一基底、所述第二基底、或所述第三基底中的一者。
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