CN115053397B - 移相器及天线 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种移相器及天线，属于通信技术领域。本发明的移相器，其包括相对设置的第一基板和第二基板，以及设置在第一基板和第二基板之间的第一介质层；所述第一基板包括：第一基底，设置在第一基底靠近所述第一介质层一侧的传输线；所述第二基板包括：第二基底，设置在第二基底靠近第一介质层一侧的参考电极，且所述参考电极与所述传输线在所述第一基底上的正投影至少部分重叠；其中，所述参考电极上设置有第一开口，且所述第一开口在第一方向的长度不小于所述传输线的线宽。

Description

移相器及天线
技术领域
本发明属于通信技术领域，具体涉及一种移相器及天线。
背景技术
移相器是用来改变电磁波信号相位的器件。理想的移相器有很小的插入损耗，而且在不同的相位状态有几乎相同的损耗，以达到幅度的平衡。移相器有电控、光控、磁控、机械控制等几种类型。移相器的基本功能是借助于控制偏压来改变微波信号的传输相位。移相器分为数字式和模拟式，是相控阵天线中重要部件，用于控制天线阵中各路信号的相位，可使辐射波束进行电扫描；也常用于在数字通信系统，作为相位调制器。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种移相器及天线。
第一方面，本公开实施例提供一种移相器，其包括相对设置的第一基板和第二基板，以及设置在第一基板和第二基板之间的第一介质层；所述第一基板包括：第一基底，设置在第一基底靠近所述第一介质层一侧的传输线；所述第二基板包括：第二基底，设置在第二基底靠近第一介质层一侧的参考电极，且所述参考电极与所述传输线在所述第一基底上的正投影至少部分重叠；其中，
所述参考电极上设置有第一开口，且所述第一开口在第一方向的长度不小于所述传输线的线宽。
其中，所述传输线具有第一传输端、第二传输端和传输主体部；其中，所述第一传输端和所述第二传输端均具有相对设置的第一端点和第二端点；所述第一传输端的第一端点和所述第二传输端的第一端点分别连接在所述传输主体部的两相对端；且由所述第一传输端的第一端点指向其第二端点的方向与由所述第二传输端的第一端点指向其第二端点的方向相同。
其中，所述第二传输端在所述第一基底上的正投影的延伸方向贯穿所述第一开口在所述第一基底的正投影的中心。
其中，所述传输主体部包括，与所述第一传输端和所述第二传输端电连接的至少一条蜿蜒线；
所述至少一条蜿蜒线在所述第一基底上的正投影具有与所述第一传输端在所述第一基底上的正投影的延伸方向相交的部分。
其中，所述蜿蜒线为多条，且多条所述蜿蜒线中至少部分形状不同。
其中，所述第一开口在所述第一基底上的正投影与所述至少一条蜿蜒线在所述第一基底上的正投影无交叠。
其中，所述第一开口在所述第一方向的长度与所述第一开口在第二方向的长度比为1.7:1～2.3:1；
所述第一方向与所述第二方向垂直设置。
其中，所述参考电极上还设置有第二开口，且所述第二开口在所述第一方向的长度不小于所述传输线的线宽；
所述第二开口在所述第一基底上的正投影与所述第一开口在所述第一基底上的正投影无交叠。
其中，所述第一传输端在所述第一基底上的正投影与所述第二开口在所述第一基底上的正投影至少部分重叠；
所述第一传输端在所述第一基底上的正投影的延伸方向贯穿所述第二开口在所述第一基底的正投影的中心。
其中，所述第二开口在所述第一方向的长度与所述第一开口在第一方向的长度相同，所述第二开口在所述第二方向的长度与所述第一开口在第二方向的长度相同。
其中，所述第二开口在所述第一基底上的正投影与所述传输线的传输主体部在所述第一基底上的正投影无交叠。
其中，所述移相器还包括：第一波导结构和第二波导结构；所述第一波导结构被配置为，通过所述第二开口与所述传输线的第一传输端采用耦合的方式传输微波信号；所述第二波导结构被配置为，通过所述第一开口与所述传输线的第二传输端采用耦合的方式传输微波信号。
其中，所述第一波导结构的第一端口设置在所述第一基底背离所述第一介质层的一侧；所述第二波导的第一端口设置在所述第二基底背离所述第一介质层的一侧；
所述第一传输端在所述第一基底上的正投影的延伸方向贯穿所述第一波导结构的第一端口在所述第一基底的正投影的中心；和/或，
所述第二传输端在所述第二基底上的正投影的延伸方向贯穿所述第二波导结构的第一端口在所述第二基底的正投影的中心。
其中，所述第一传输端在所述第一基底上的正投影与所述第一波导结构的第一端口在所述第一基底的正投影的中心之间的距离小于预设值；和/或，
所述第二传输端在所述第二基底上的正投影与所述第二波导结构的第一端口在所述第二基底的正投影的中心之间的距离小于预设值。
其中，所述第一波导结构包括矩形波导结构，且其横截面长宽比为1.7～2.3:1和/或，所述第二波导结构包括矩形波导结构，且其横截面长宽比为1.7:1～2.3:1。
其中，所述第一波导结构的第一端口在所述第一基底上的正投影与所述第一开口在所述第一基底上的正投影完全重叠；
所述第二波导结构的第一端口在所述第二基底上的正投影与所述第二开口在所述第二基底上的正投影完全重叠。
其中，所述移相器具有微波传输区和环绕所述微波传输区的周边区；所述第二基板还包括设置在第二基底上的隔离结构；所述隔离结构位于周边区，且环绕所述微波传输区。
其中，所述隔离结构位于所述参考电极靠近所述第二基底的一侧，且所述参考电极延伸至所述周边区并与所述隔离结构搭接。
其中，所述参考电极具有开槽，所述开槽位于所述周边区，且与所述隔离结构与所述开槽在所述第二基底上的正投影存在交叠。
其中，对于所述传输线上具有法线、且法线与所述传输线的其它部分具有交点的点，该点到其法线和所述传输线的其它部分的交点中最近的一者的距离为100μm-2mm。
其中，所述第一波导结构的中空腔体的内壁和/或所述第二波导结构的中空腔体的内壁形成有保护层。
其中，所述第一波导结构的中空腔体和/或所述第二波导结构的中空腔体内具有填充介质；所述填充介质包括聚四氟乙烯。
其中，第一介质层的材料包括液晶。
第二方面，本公开实施例提供一种天线，其包括上述的任意一种移相器。
其中，所述天线还包括设置在第二基底背离第一介质层一侧的贴片电极，且所述贴片电极与所述第一开口在所述第二基底上的正投影存在交叠。
附图说明
图1为本公开实施例的一种液晶移相器的结构示意图。
图2为图1所示的移相器的A-A'的剖面图。
图3为图1所示的移相器中的第一基板的俯视图(传输线侧)。
图4为图1所示的移相器中的第二基板的俯视图(接地电极侧)。
图5为液晶移相器的空气隙高度与插入损耗的变化曲线图。
图6为本公开实施例的另一种移相器的示意图。
图7为图6所示的移相器的B-B'的剖视图。
图8为图6所示的移相器中的第一基板的俯视图(传输线侧)。
图9为图6所示的移相器中的第二基板的俯视图(接地电极侧)。
图10为本公开实施例的一种第一波导结构的示意图。
图11为图6所示的移相器的主视图。
图12为图6所示的移相器的侧视图(由左侧或者右侧观看)。
图13为本公开实施例的另一种移相器的示意图。
图14为图13所示的移相器的C-C'的剖面图。
图15为图13所示的移相器中的第二基板的俯视图(传输线侧)。
图16为图13所示的移相器的移相角度和直流偏压实测曲线。
图17为本公开实施例的另一种移相器的示意图。
图18为图17所示的移相器的D-D'的剖视图。
图19为图17所示的移相器中的第一基板的俯视图(传输线侧)。
图20为图17所示的移相器中的第二基板的俯视图(接地电极侧)。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
在描述下述实施例之前，需要说明的是，在下述实施例中所提供移相器中的第一介质层包括但不限于液晶层，仅以第一介质层为液晶层为例进行说明。移相器中的参考电极包括但不限于接地电极，只要能够与传输线形成电流回路即可，在本发明实施例中仅以参考电极为接地电极为例进行说明。当传输线的第一传输端作为接收端时，传输线的第二传输端则作为发送端；当传输线的第二传输端作为接收端时，传输线的第一传输端则作为发送端。在以下描述中为便于理解以传输线的第一传输端为作为接收端，第二传输端作为发送端为例进行说明。
另外，在本公开实施例中传输线可以是延时线，也可以是带状传输线等。为便于描述，在本公开实施例中均以传输线采用延时线为例，其中，延时线的形状包括但不限于弓字形、波浪形、锯齿形中的任意一种或者多种的组合。
图1为本公开实施例的一种液晶移相器的结构示意图；图2为图1所示的移相器的A-A'的剖面图，如图1和2所示，该液晶移相器包括相对设置的第一基板和第二基板，以及设置在第一基板和第二基板之间的液晶层30。其中，第一基板包括第一基底10，设置在第一基底10靠近液晶层30一侧的传输线11和偏置线12，设置在传输线11和偏置线12背离第一基底10一侧的第一配向层13。第二基板包括第二基底20，设置在第二基底20靠近液晶层30一侧的接地电极21，设置在接地电极21设置靠近液晶层30一侧的第二配向层22。当然，如图1所示，移相器不仅包括上述结构，而且还包括用于维持液晶盒盒厚(第一基板和第二基板之间的盒厚)的支撑结构40，以及用于对液晶盒进行密封的封框胶50等结构，在此不一一说明。
图3为图1所示的移相器中的第一基板的俯视图(传输线11侧)；如图3所示，传输线11具有第一传输端11a、第二传输端11b以及传输主体部；其中，第一传输端11a、第二传输端11b以及传输主体部11c均具有第一端点和第二端点；第一传输端11a的第一端点和传输主体部11c的第一端点电连接，第二传输端11b的第一端点和传输主体部11c的第二端点电连接。在此需要说明的是，第一端点和第二端点为相对概念，若第一端点为首端，则第二端点则为末端，否则反之。另外，在本公开实施例中，第一传输端11a的第一端点和传输主体部11c的第一端点电连接，此时第一传输端11a的第一端点和传输主体部11c的第一端点可以共端点。相应的，第二传输端11b的第一端点和传输主体部11c的第二端点电连接，第二传输端11b的第一端点和传输主体部11c的第二端点共端点。
传输主体部11c包括但不限于蜿蜒线，且蜿蜒线的数量可以为一条也可以为多条。蜿蜒线的形状包括但不限于弓字形、波浪形等。
在一些示例中，传输主体部11c所包括的蜿蜒线的数量为多条时，各蜿蜒线的形状至少部分不同。也就是说，多条蜿蜒线中可以存在部分形状相同，也可以是所有的蜿蜒线的形状都不相同。
在一些示例中，传输线11的第一传输端11a的第一端点指向第二端点的方向与第二传输端11b的第一端点指向第二端点的方向相同。在该种情况下，连接在第一传输端11a和第二传输端11b之间的传输主体部11c势必会存在绕线的部分，从而可以缩小传输线11的所占空间。在此需要说明的是，传输主体部11c虽然会存在绕线的部分，但这部分不出出现交叠。
在一些示例中，传输线11的传输主体部11c包括与所述第一传输端11a和第二传输端11b电连接的至少一条蜿蜒线；且至少一条蜿蜒线在第一基底上的正投影具有与第一传输端11a在第一基底10上的正投影的延伸方向相交的部分。在该种情况下，可以减小传输线11的所占空间，以使移相器的体积减小。
在一些示例中，当传输线11的传输主体部11c包括至少一条蜿蜒线时，接地电极21的第一开口211在第一基底10上的正投影与至少一条蜿蜒线在第一基底10上的投影无重叠，例如：接地电极21的第一开口211在第一基底10上的正投影与各蜿蜒线在第一基底10上的投影均无重叠。从而避免微波信号的损失。
在一些示例中，当第一传输端11a用作微波信号的接收端，则第二传输端11b用作微波信号的发送端；相应的，当第二传输端11b用作微波信号的接收端，则第一传输端11a则用作微波信号的发送端。偏置线12与传输线11电连接，被配置为给传输线11加载直流偏置信号，以使传输线11与接地电极21之间形成直流稳态电场。微观上液晶层30的液晶分子由于受到电场力，轴取向发生偏转。宏观上即改变了液晶层30的介电常数，当有微波信号在传输线11和接地电极21之间传输时，液晶层30的介电常数改变使得微波信号的相位发生相应的变化。具体的，微波信号的相位变化量的大小与液晶分子的偏转角度、电场强度正相关，即施加直流偏置电压可以改变微波信号的相位，此为液晶移相器的工作原理。
图4为图1所示的移相器中的第二基板的俯视图(接地电极21侧)；如图4所示，接地电极21上具有第一开口211，该第一开口211用作微波信号的辐射，且该第一开口211在第一方向上的长度不小于延时线的线宽。其中，第一方向指与传输线11的第二传输端11b的延伸方向垂直的方向，即图4中的X方向。接地电极21上的第一开口211的在第一方向上的长度是指图4中第一开口211在X方向上最大长度。继续参照图1，传输线11与接地电极21在第一基底10上的正投影至少部分重叠，且传输线11的第二传输端11b与接地电极21上的第一开口211在第一基底10上的正投影至少部分重叠。通过上述设置，可以使微波信号通过接地电极21上的第一开口211耦合馈出液晶移相器或者由接地电极21上的第一开口211耦合馈入液晶移相器。
在相关技术中，微波信号馈入液晶移相器和馈出液晶移相器，采用的方式是液晶移相器中的传输线11与印制电路板(Printed Circuit Board，PCB)上的金属微带线耦合，在工程实际中PCB板与液晶移相器的玻璃基底之间组装时，因金属微带线的高度等因素会引入空气隙，且不同位置上空气隙的高度也会有所不同。该耦合结构属于电容性结构，对空气隙厚度比较敏感，气隙厚度的随机微小变化会造成耦合效率的变化，使微波信号幅度发生较大变化，即插入损耗发生较大幅度的变化，图5为液晶移相器的空气隙高度与插入损耗的变化曲线图；如图5所示，插入损耗的最大为3.7dB。因高增益天线采用阵列化设计，也即液晶移相器为阵列化排布，各个液晶移相器间的幅度差异会使天线性能下降(即主瓣增益下降，副瓣升高)。
针对上述问题，在本公开实施例还提供一种移相器，图6为本公开实施例的另一种移相器的示意图；图7为图6所示的移相器的B-B'的剖视图；图8为图6所示的移相器中的第一基板的俯视图(传输线侧)；图9为图6所示的移相器中的第二基板的俯视图(接地电极侧)；如图6-9所示，该移相器具有微波传输区和环绕微波传输区的周边区。该移相器包括相对设置的第一基板和第二基板，以及设置在第一基板和第二基板之间、且位于微波传输区的液晶层30；而且在本公开实施例的液晶移相器中还包括位于微波传输区的第一波导结构60和第二波导结构70；其中，第一波导结构60位于第一基板背离液晶层30的一侧，第二波导结构70位于第二基板背离液晶层30的一侧。本公开实施例中的第一基板和第二基板可以与图1中的液晶移相器的第一基板和第二基板的结构相同，也即在第一基板包括第一基底10，设置在第一基底10上的传输线11、偏置线12和第一配向层13，第二基板包括第二基底20，设置在第二基底20上的接地电极21和第二配向层。其中，第一波导结构60被配置为与传输线11的第一传输端11a采用耦合的方式传输微波信号；第二波导结构70被配置为通过接地电极21上的第一开口211与传输线11的第二传输端11b采用耦合的方式传输微波信号。
具体的，当传输线11的第一传输端11a为作为接收端，第二传输端11b作为发送端时，第一波导结构60通过耦合的方式将微波信号传输至传输线11的第一传输端11a，此时微波信号在传输线11和接地电极21之间传输，而由于偏置线12上被加载直流偏置电压，此时在传输线11和接地电极21之间形成直流稳态电场，以使液晶分子偏转，液晶层30的介电常数发生改变，这样一来，微波信号在传输线11和接地电极21之间传输，由于液晶层30的介电常数发生改变微波信号的相位将会相应的改变。在微波信号移相之后，经由传输线11的第二传输端11b，并通过接地电极21上的第一开口211耦合至第二波导结构70，将移相后的微波信号辐射出移相器。
在一些示例中，接地电极21上的第一开口211第一开口在X方向的长度与其在Y方向上的长度比为1.7:1～2.3:1。当然，第一开口的211在X方向的长度与其在Y方向上的长度也可以根据传输线11的第一传输端11a的线宽，以及与第一基板连接的第一波导结构60的第一端口的尺寸进行具体设定。需要说明的是，在本公开实施例中，该移相器还包括第一接线板和第二接线板；其中，第一接线板与第一基板绑定连接，且配置为向偏置线12提供直流偏置电压。第二接线板与第二基板绑定连接，且配置为向接地电极21提供接地信号。第一接线板和第二接线板均可以包括多种类型的接线板，例如柔性电路板(Flexible PrintedCircuit，FPC)或印刷电路板(Printed Circuit Board，PCB)等，在此不做限制。第一接线板上可以具有至少一个第一焊盘，偏置线12的一端连接第一焊盘(即与第一焊盘邦定)，偏置线12的另一端传输线11；第二接线板上也可以具有至少一个第二焊盘，第二接线板通过第二连接焊盘与接地电极21电连接。
在本公开实施例中，通过第一波导结构60将微波信号馈入至传输线11和接地电极21之间进行移相，并通过第二波导结构70将移相后的微波信号辐射出移相器，也即采用第一波导结构60和第二波导结构70作为移相器的馈电结构，而由于第一波导结构60和第二波导结构70通常为金属中空结构，在与移相器装配过程中不易产生空气隙，因此可以有效的提高微波信号的耦合效率，同时在将本公开实施例中的移相器应用至液晶相控阵天线中时，可以提高天线各通道之间的幅度的一致性，降低插入损耗。
在一些示例中，第一波导结构60和第二波导结构70可以采用中空的金属壁构成，具体地，第一波导结构60可以具有至少一个第一侧壁，至少一个第一侧壁相连形成第一波导结构60的波导腔体，和/或，第二波导结构70具有至少一个第二侧壁，至少一个第二侧壁相连形成第二波导结构70的波导腔体。若第一波导结构60仅具有一个第一侧壁，则第一波导结构60为圆形波导结构，第一侧壁围出圆形的中空管道形成第一波导结构60的波导腔体。第一波导结构60还可以包括多个第一侧壁，形成多种形状的波导腔体，例如，图10为本公开实施例的一种第一波导结构60的示意图，第一波导结构60可以包括四个侧壁分别为第一侧壁60a、第二侧壁60b、第三侧壁60c和第四侧壁60d，第一侧壁60a与第二侧壁60b相对设置，第三侧壁60c与第四侧壁60d相对设置，四个侧壁相连围处矩形波导腔体601，则第一波导结构60为矩形波导。需要说明的是，在第一波导结构60的第二端口处，可以包括一个底面60e，底面60e覆盖整个第二端口，底面60e具有一个开孔0601，开孔601与信号连接器的一端相匹配，信号连接器通过开孔插入第一波导结构6060中，另一端连接外部信号线，以将信号输入第一波导结构60中。当然，第二波导结构70的第二端口还可以是设置任意一个侧壁上，也即，开孔0601可以形成在第一侧壁60a、第二侧壁60b、第三侧壁60c和第四侧壁60d中的任意一者上，对此在本公开实施例中并进行限定。
第二波导结构70的结构同第一波导结构60，若第二波导结构70仅具有一个侧壁，则第二波导结构70为圆形波导结构，若第二波导结构70包括多个侧壁，多个侧壁围出对应形状的第二波导结构70。以下皆以第一波导结构60、第二波导结构70为矩形波导为例进行说明，在此不做限定。
在一些示例中，当第一波导结构60和第二波导结构70均采用矩形波导时，各自横截面积的长度比均可以在1.7～2.3:1范围，例如：矩形波导的长宽比为2:1，对于Ku波导的长度在12mm-19mm左右。需要说明的是，第一波导结构60的第一侧壁的厚度可以为移相器传输的微波信号的趋肤深度的4～6倍；第二波导结构70的第二侧壁的厚度可以为移相器传输的微波信号的趋肤深度的4～6倍，在此不做限定。
在一些示例中，第一波导结构60和/或第二波导结构70的中空结构(例如：波导腔体601)的内壁上形成有保护层。例如：通过电镀工艺在中空结构的内壁形成薄金层作为保护层，以防止中空结构的内壁被氧化。
在一些示例中，第一波导结构60和/或第二波导结构70的中空结构内具有填充介质，该填充介质为高介电常数的介质，以缩小波导结构的尺寸。该填充介质包括但不限于聚四氟乙烯、陶瓷，当然，填充介质还可以是空气。
在一些示例中，图11为图6所示的移相器的主视图；第一波导结构60和第二波导结构70的尺寸和形状可以均相同。在该种情况下，可以使得微波信号的输入和输出的耦合效率保持一致。当然，在一些示例中，第一波导结构60和第二波导结构70的尺寸和形状中的至少一者也可以不同。
在一些示例中，第一波导结构60的第一端口固定在第一基底10背离液晶层30的一侧，且第一波导结构60的第一端口与传输线11的第一传输端11a在第一基底10上的正投影存在交叠，以使第一波导结构60和传输线11的第一传输端11a之间可以采用耦合的方式传输微波信号；和/或，第二波导结构70的第一端口固定在第一基底10背离液晶层30的一侧，且第二波导结构70的第一端口、接地电极21上的第一开口211与传输线11的第二传输端11b在第二基底20上的正投影存在交叠，以使第二波导结构70和传输线11的第二传输端11b之间可以采用耦合的方式传输微波信号。
例如：图12为图6所示的移相器的侧视图(由左侧或者右侧观看)；如图12所示，第一波导结构60与第二波导结构70可以设置在对侧，即第一波导结构60设置在第一基底10背离液晶层30一侧，第二波导结构70设置在第二基底20背离液晶层30一侧。在这种情况下，第一波导结构60在第二基底20上的正投影，与第二波导结构70在第二基底20上的正投影无重叠，以保证第一波导结构60与第二波导结构70的结构互相独立，互不影响。
在一个示例中，第二波导结构70的第一端口可以与接地电极21上的第一开口211完全重叠，以使微波信号精准传输。当然，在本公开实施例中，也可以是第二波导结构70的第一端口在第二基底20上正投影，覆盖接地电极21上的第一开口211在第二基底20上的正投影，在该种情况下，接地电极21上的第一开口211的面积小于第二波导结构70的第一端口的面积。
在一些示例中，继续参照图6，延时线的第一传输端11a在第一基底10上的正投影的延伸方向贯穿第一波导结构60的第一端口在第一基底10上的正投影的中心。例如：延时线的第一传输端11a在Y方向上延伸，且贯穿第一波导结构60的第一端口的中心。其中，当第一波导结构60的第一端口为矩形第一开口211时，该第一波导结构60的第一端口的中心是指该第一端口的两条对角线的交点。当第一波导结构60的第一端口为圆形时，该第一波导结构60的第一端口的中心则是指该第一端口的圆心。在该种情况下，延时线的第一传输端11a在第一基底10上的正投影是插入至第一波导结构60的第一端口内的，这样一来，有助于第一波导结构60的第一端口输出的微波信号辐射至延时线的第一传输端11a，以使微波信号在延时线和接地电极21之间传输。相应的，在本公开实施例中，延时线的第二传输端11b在第二基底20上的正投影的延伸方向贯穿第二波导结构70的第一端口在第一基底10上的正投影的中心。例如：延时线的第二传输端11b沿Y方向延伸，且贯穿第二波导结构70的第一端口的中心。在该种情况下，延时线的第二传输端11b在第二基底20上的正投影是插入第二波导结构70的第一端口内的，这样一来，微波信号通过延时线的第二传输端11b耦合至第二波导结构70，以将微波信号辐射出移相器。
在一个示例中，延时线的第一传输端11a在第一基底10上的正投影与第一波导结构60的第一端口在第一基底10上的正投影的中心之间的距离小于预设值，该预设值为2.5mm。优选的，第一传输端11a在第一基底10上的正投影与第一波导结构60的第一端口在第一基底10上的正投影的中心之间距离为0；也即，第一传输端11a的端点在第一基底10上的正投影位于第一波导结构60的第一端口在第一基底10上的正投影的中心。之所以如此设置，是因为在该种情况下，第一波导结构60和延时线的耦合效率最高，微波信号的插入损耗最小。相应的，延时线的第二传输端11b在第二基底20上的正投影与第二波导结构70的第一端口在第二基底20上的正投影的中心之间的距离同样小于预设值2.5mm。优选的，第二传输端11b在第二基底20上的正投影与第二波导结构70的第一端口在第二基底20上的正投影的中心的之间的距离为0,；也即，第二传输端11b在第二基底20上的正投影与第二波导结构70的第一端口在第二基底20上的正投影的中心重合。之所以如此设置，是因为在该种情况下，第二波导结构70和延时线的耦合效率最高，微波信号的插入损耗最小。在一些示例中，本实施例还包括信号连接器，信号连接器的一端连接外部信号线，另一端连接第一波导结构60的第二端口，向第一波导结构60输入微波信号，第一波导结构60再将微波信号耦合至传输线11，信号连接器可以为多种类型的连接器，例如SMA连接器等，在此不做限制。当然，本公开实施例的移相器还可以包括第三基板，第三基板连接第一波导结构60的第二端口。第三基板包括第三基底和馈电传输线11，第三基底连接在第一波导结构60的第二端口，馈电传输线11设置在第三基底靠近第一波导结构60一侧，，馈电传输线11的第一端延伸至第三基底的边缘以连接外部信号线，具体地，信号连接器可以设置在第三基底的边缘，一端与馈电传输线11连接，另一端连接外部信号线，向馈电传输线11输入信号。馈电传输线11的第二端延伸至第一波导结构60的第二端口处，以将信号馈入第一波导结构60的波导腔体中，第一波导结构60再由其第一端口将信号耦合至第一馈电结构。具体地，馈电传输线11的第二端可以延伸至第一波导结构60的第二端口内，也就是说，馈电传输线11的第二端在第一基底10上的正投影，位于第一波导结构60的第二端口在第一基底10上的正投影中。
在一些示例中，图13为本公开实施例的另一种移相器的示意图；图14为图13所示的移相器的C-C'的剖面图；图15为图13所示的移相器中的第二基板的俯视图(传输线11侧)；如图13-15所示，该第二基板不仅包括图9中的接地电极21和第二配向层，还包括设置在周边区的隔离结构80，且该隔离结构80环绕微波传输区。在本公开实施例中通过设置隔离结构80，以防止外部射频信号对微波传输区中所传输的微波信号造成干扰。
图16为图13所示的移相器的移相角度和直流偏压实测曲线；如图16所示，当偏置线12上所加载的电压在8V及8V以上时，该移相器可以实现大于360°的移相角度，因此本公开实施例的移相器满足相控阵天线的需求。
在一些示例中，由于隔离结构80需要对外部直流信号起到隔离作用，故隔离结构80可以采用高阻材料，该高阻材料包括但不限于氧化铟锡(ITO)，镍(Ni)，氮化钽(TaN)，铬(Cr)，氧化铟(In2O3)，氧化锡(Sn2O3)中的任意一种。优选的，采用ITO材料。隔离结构80的厚度在30nm-2000nm左右，宽度在01.mm-5mm左右，隔离结构80的具体厚度和宽度等尺寸参数可以根据移相器的尺寸、接地电极21的尺寸等进行具体设置。
在一个示例中，参照图15，隔离结构80采用一闭环结构，该隔离结构80位于接地电极21背离液晶层30的一侧，且接地电极21与隔离结构80搭接，也即隔离结构80和接地电极21短接在一起。其中，接地电极21的侧边处具有一开槽212，且该开槽212与隔离结构80在第二基底20上的至少部分重叠，这样一来，可以通过隔离结构80与开槽212对应的位置与第二接线板上的第二连接焊盘绑定，以为接地电极21和隔离结构80提供接地信号。
例如：接地电极21的轮廓为矩形，其具有依次连接第一侧边、第二侧边、第三侧边、第四侧边，此时可以在第一侧边(左)、第二侧边(上)、第三侧边(右)、第四侧边(下)中的任意一者上形成开槽212，在图15中，以在第三侧边上形成开槽212为例。
在一些实施例中，接地电极21采用金属材料，例如铜、铝、金、银中的任一种材料。接地电极21的厚度在01.μm-100μm左右。对于接地电极21的具体材料和厚度等参数可以根据移相器的尺寸和性能要求具体设置。
在一些示例中，该移相器不仅包括上述结构，而且还包括支撑结构40和封框胶50等结构；其中，封框胶50设置在第一基板和第二基板之间，其位于周边区，且环绕微波传输区，用于对移相器的液晶盒进行密封；支撑结构40设置在第一基板和第二基板之间，且其数量可以为多个，各个支撑结构40间隔设置在微波传输区，用于维持液晶盒的盒厚。
在一些示例中，本公开实施例中的支撑结构40可以采用有机材料制备，且具有一定的弹性，以此可以防止在移相器收到挤压时，在外力的作用下导致第一基底10和第二基底20出现破损的问题。进一步的，可以在支撑结构40中添加适当的球状颗粒，通过球状颗粒来保证支撑结构40在维持盒厚时的稳定性。
在一些示例中，偏置线12采用的是高阻材料，在给偏置线12施加直流偏压时，其与接地电极21所形成的电场仅用于驱动液晶层30的液晶分子偏转，而对于移相器所传输的微波信号而言，相当于开路，也就是说，微波信号仅沿着传输线11进行传输。其中，偏置线1224的电导率小于14500000siemens/m(西门子/米)，而根据移相器的尺寸等选用电导率值越低的偏置线12越好。在一些示例中，偏置线12的材料包括但不限于氧化铟锡(ITO)，镍(Ni)，氮化钽(TaN)，铬(Cr)，氧化铟(In2O3)，氧化锡(Sn2O3)中的任意一种。优选的，偏置线12采用ITO材料。
在一些示例中，传输线11采用金属材料，具体的传输线11的材料但不限于采用铝、银、金、铬、钼、镍或铁等金属制成。传输线11的线间距是指传输线11上具有法线、且法线与传输线11的其它部分具有交点的点，该点到其法线和传输线11的其它部分的交点中最近的一者的距离，也即如图8所示的d1则代表传输线11的线间距。在一些示例中，传输线11的线宽在100μm-3000μm左右，传输线11的线间距在100μm-2mm左右，传输线11的厚度在0.1μm-100μm左右。
在一些示例中，传输线11为延时线，该延时线的拐角不等于90°，从而避免微波信号在延时线的拐角位置发生反射，而造成微波信号的损失。
在一些示例中，第一基底10可以采用多种材料制成，例如，若第一基底10为柔性基底，则第一基底10的材料可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene glycolterephthalate，PET)和聚酰亚胺(Polyimide，PI)中的至少一种，若第一基底1011为刚性基底，第一基底10的材料也可以为玻璃等。第一基底10的厚度可以在0.1mm-1.5mm左右。第二基底20也可以采用多种材料制成，例如，若第二基底20为柔性基底，则第二基底20的材料可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene glycol terephthalate，PET)和聚酰亚胺(Polyimide，PI)中的至少一种，若第二基底20为刚性基底，第二基底20的材料也可以为玻璃等。第二基底20的厚度可以在0.1mm-1.5mm左右。当然，第一基底10和第二基底20的材料也可以采用其他材料，在此不做限定。对于第一基底10和第二基底20的具体厚度也可以根据电磁波(射频信号)的趋肤深度来设置。
在一些示例中，液晶层30的厚度在1μm-1mm左右。当然，液晶层30的厚度可以根据移相器的尺寸和移相角度的要求进行具体设定。另外，本公开实施例中的液晶层30选用微波液晶材料。例如：液晶层30中的液晶分子为正性液晶分子或负性液晶分子，需要说明的是，当液晶分子为正性液晶分子时，本公开实施例中的液晶分子长轴方向与第二电极之间的夹角大于0°小于等于45°。当液晶分子为负向液晶分子时，本发明具体实施例液晶分子长轴方向与第二电极之间的夹角大于45°小于90°，保证了液晶分子发生偏转后，改变液晶层30的介电常数，以达到移相的目的。
在一些示例中，第一配向层13和第二配向层均可以采用聚酰亚胺类材料制备。第一配向层13和第二配层的厚度在30nm-2μm左右。
在一些示例中，图17为本公开实施例的另一种移相器的示意图；图18为图17所示的移相器的D-D'的剖视图；图19为图17所示的移相器中的第一基板的俯视图(传输线侧)；图20为图17所示的移相器中的第二基板的俯视图(接地电极侧)；参照图17-20所示，该移相器不仅包括上述的第一基板、第二基板、第一波导结构60和第二波导结构70，而且还包括第一反射结构90和第二反射结构100。另外，参照图17和图20，第二基板上的接地电极21不仅包括第一开口211而且还包括第二开口213，第二开口213在X方向上的长度不小于传输线11的线宽，且第二开口213与第一开口211在第一基底10上的正投影无重叠。在一些示例中，传输线11的第一传输端11a在第一基底10上的正投影与第二开口213在第一基底10上的正投影至少部分重叠，且第一传输端11a在第一基底10上的正投影的延伸方向贯穿第二开口213在第一基底10的正投影的中心。继续参照图17，第一反射结构90设置在第二基底20背离液晶层30的一侧，且第一反射结构90在第一基底10上的正投影至少覆盖第二开口213在第一基底10上的正投影，第二反射结构100在第一基底10上的正投影至少覆盖第一开口211在第一基底10上的正投影。在该种情况，当第一波导结构90将微波信号通过耦合的方式馈入至传输线11的第一传输端11a，以使微波信号在传输线11和接地电极21之间传输，并经由第二传输端11b与第二波导结构70采用耦合的方式馈出移相器。而且在本公开实施例中，在第二基底20背离液晶层30的一侧设置有第二反射结构100，当微波信号经由第一传输端11a馈入为时，第二反射结构100能够将微波信号反射，以保证微波信号在移相器中传播，避免微波信号造成损失。同理，当第二传输端11b作为微波信号的输入端，第一传输端11a作为微波信号的输出端时，第一反射结构90同样可以使得微波信号在移相器中传输，而避免微波信号造成损失。
在一些示例中，第一反射结构90可以采用波导结构，第一反射结构90的波导腔体具有第一端口和第二端口，第一反射结构90的第一端口正对第二波导结构的第一端口，则第一反射结构90的第一端口在第一基底上的正投影，与第二波导结构70的第一端口在第一基底10上的正投影至少部分重叠或完全重叠；第二反射结构100也可以采用波导结构，第二反射结构100的波导腔体具有第一端口和第二端口，第二反射结构100的第一端口正对第一波导结构60的第一端口，则第二反射结构100的第一端口在第二基底20上的正投影，与第一波导结构60的第一端口在第二基底20上的正投影至少部分重叠或完全重叠。在此需要说明的是，在本公开实施例中，第一反射结构90的第一端口也可以覆盖第一基板，第二反射结构100的第一端口也可以覆盖第二基板，也就是说，第一反射结构90和第二反射结构100对盒可以将移相器限定在其内。另外，只要是第一反射结构90的第一端口在第二基底20上的正投影覆盖接地电极21的第二开口213在第二基底20上的正投影，以及第二反射结构100的第一端口在第一基底10上的正投影覆盖接地电极21的第一开口211在第一基底10上的正投影均在本公开实施例的保护范围内。
在一些示例中，接地电极21的第一开口211与第二开口213的尺寸一致，也即第一开口211在X方向上的长度与第二开口213在X方向的长度相等，第一开口211在Y方向上的长度与第二开口213在Y方向上的长度相等。
在一些示例中，接地电极的第二开口213与第一波导结构60的第一端口在第一基底10上的正投影完全重合。需要说明的是，只要是第二波导结构70的第一端口在第一基底10上的正投影能够覆盖接地电极21的第二开口211在第一基底10上的正投影均在本公开实施例的保护范围内，以此降低微波信号的插入损耗。
在一些示例中，当传输线11的传输主体部11c包括至少一条蜿蜒线时，接地电极21的第二开口213在第一基底10上的正投影与至少一条蜿蜒线在第一基底10上的投影无重叠，例如：接地电极21的第二开口213在第一基底10上的正投影与各蜿蜒线在第一基底10上的投影均无重叠。从而避免微波信号的损失。
第二方面，本公开实施例提供一种移相器的制备方法，该方法可以制备上述的移相器。该方法包括如下步骤。
S1、制备第一基板。
S2、制备第二基板。
S3、将第一基板和第二基板对盒，并在第一基板和第二基板之间灌注液晶分子，形成液晶层。
S4、在第一基板背离液晶层的一侧装配第一波导结构，以及在第二基板背离液晶层的一侧装配第二波导结构。
在一些示例中，步骤S1具体包括如下步骤。
S11、在第一基底上通过构图工艺形成包括偏置线图形。
具体的，对第一基底进行清洗、烘干，并采用磁控溅射方式，在第一基底上沉积第一高阻材料层，例如涂覆一层ITO材料，对第一高阻材料层进行涂胶、前烘、曝光、显影、后烘、干法或者湿法刻蚀、退火结晶后，形成包括偏置线的图像。
S12、在形成有偏置线的第一基底上，通过构图工艺形成包括传输线的图形。
具体的，对形成偏置线的第一基底进行清洗、烘干，并采用磁控溅射方式，在偏置线所在层背离第一基底上沉积第一金属材料层，例如涂覆一层铝材料，对第一金属层材料层进行涂胶、前烘、曝光、显影、后烘、干法或者湿法刻蚀后，形成包括传输线的图像。
S13、在形成有传输线的第一基底上，形成第一配向层。
具体的，对形成有传输线的第一基底进行清洗、烘干，并印刷PI液，之后加热蒸发溶剂，热固化，摩擦或光配向形成第一配向层。
S14、在形成有第一配向层的第一基底上，通过构图工艺形成包括支撑结构的图形。
具体的，在第一配向层背离第一基底的一侧采用旋涂或者喷涂的方式形成一层胶层，前烘、曝光、显影、后烘，形成包括支撑结构的图形。另外，还可以在胶层中喷洒球状颗粒。
至此完成第一基板的制备。
在一些示例中，步骤S2具体包括如下步骤。
S21、在第二基底上通过构图工艺形成包括隔离结构的图形。
具体的，对第二基底进行清洗、烘干，并采用磁控溅射方式，在第二基底上沉积第二高阻材料层，例如涂覆一层ITO材料，对第二高阻材料层进行涂胶、前烘、曝光、显影、后烘、干法或者湿法刻蚀、退火结晶后，形成包括隔离结构的图像。
S22、在形成有隔离结构的基底上，通过构图工艺形成包括接地电极的图形。
具体的，对形成隔离结构的第二基底进行清洗、烘干，并采用磁控溅射方式，在隔离结构所在层背离第一基底上沉积第二金属材料层，例如涂覆一层铝材料，对第二金属层材料层进行涂胶、前烘、曝光、显影、后烘、干法或者湿法刻蚀后，形成包括接地电极的图像。
S23、在形成有传输线的第二基底上，形成第二配向层。
具体的，对形成有接地电极的第二基底进行清洗、烘干，并印刷PI液，之后加热蒸发溶剂，热固化，摩擦或光配向形成第二配向层。
至此完成第二基板的制备。
在一些示例中，步骤S3具体可以包括如下步骤。
S31、在第一基板上形成封框胶，在第二基板上形成液晶层。
具体的，在第一基板的第一配向层的周边区形成封框胶；在第二基板的第二配向层上滴注液晶分子，形成液晶层。需要说明的是，也可以在第二基板的第二配向层的周边区形成封框胶，在第一基板的第一配向层上滴注液晶分子，形成液晶层。
S32、将形成有封框胶的第一基板和形成有液晶层的第二基板相对盒。
具体的，将形成有封框胶的第一基板和形成有液晶层的第二基板传送至真空对盒腔进行对位和真空压合，之后通过紫外固化，热固化形成液晶盒。
另外，步骤S3不仅可以采用上述的S31和S32实现。步骤S3还可以采用如下方式实现。将制备好的第一基板和第二基板对盒，利用封框胶在第一基板和第二基板之间支撑出一定空间形成液晶层，并在封框胶上保留灌晶口。通过灌晶口向第一基板和第二基板之间灌注液晶分子形成液晶层，之后进行灌晶口封口，形成液晶盒。
当然，在形成液晶盒之后还可以包括切割的步骤，将第一基底对应偏置线的位置裸露出来，以使第一接线板能够通过第一连接焊盘与偏置线绑定连接，以为传输线提供直流偏执电压。相应的，将第二基底对应隔离结构的部分位置裸露，以使第二接线板通过第二连接焊盘与隔离结构绑定连接，以为接地电极提供接地信号。
在一些示例中，步骤S4具体可以包括：采用数控机床加工(CNC)的方式，在金属铜或铝的锭上进行机械加工，得到中空的波导结构件，也即形成第一波导结构和第二波导结构。然后，可以对第一波导结构和第二波导结构的进行内壁电镀薄金层防氧化，也即在第一波导结构和第二波导结构的内壁形成保护层。最后，将形成第一波导结构固定在第一基底背离液晶层的一侧，将形成的第二波导结构固定在第二基底背离液晶层的一侧。
第三方面，本发明实施例提供一种天线，该天线可以为接收天线也可以发射天线。
在本公开实施例中，以该天线为接收天线为例进行说明。该天线包括上述的任意一种移相器，以及设置在第一基底背离接地电极一侧的贴片电极，在接地电极与贴片电极对应的位置设置有第一开口。贴片电极用于通过接地电极的第一开口将微波信号馈入移相器的液晶层中。
另外，在本公开实施例中，多个天线呈阵列排布则形成相控阵天线。对于每个天线，其通过第一波导结构将微波信号馈入至传输线和接地电极之间进行移相，并通过第二波导结构将移相后的微波信号辐射出移相器，也即采用第一波导结构和第二波导结构作为移相器的馈电结构，而由于第一波导结构和第二波导结构通常为金属中空结构，在与移相器装配过程中不易产生空气隙，因此可以有效的提高微波信号的耦合效率，同时在将本公开实施例中的移相器应用至液晶相控阵天线中时，可以提高天线各通道之间的幅度的一致性，降低插入损耗。可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (24)

1.一种移相器，其包括相对设置的第一基板和第二基板，以及设置在第一基板和第二基板之间的第一介质层；所述第一基板包括：第一基底，设置在第一基底靠近所述第一介质层一侧的传输线；所述第二基板包括：第二基底，设置在第二基底靠近第一介质层一侧的参考电极，且所述参考电极与所述传输线在所述第一基底上的正投影至少部分重叠；其中，
所述参考电极上设置有第一开口，且所述第一开口在第一方向的长度不小于所述传输线的线宽；
所述传输线具有第一传输端、第二传输端和传输主体部；其中，所述第一传输端和所述第二传输端均具有相对设置的第一端点和第二端点；所述第一传输端的第一端点和所述第二传输端的第一端点分别连接在所述传输主体部的两相对端；且由所述第一传输端的第一端点指向其第二端点的方向与由所述第二传输端的第一端点指向其第二端点的方向相同。
2.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第二传输端在所述第一基底上的正投影的延伸方向贯穿所述第一开口在所述第一基底的正投影的中心。
3.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述传输主体部包括，与所述第一传输端和所述第二传输端电连接的至少一条蜿蜒线；
所述至少一条蜿蜒线在所述第一基底上的正投影具有与所述第一传输端在所述第一基底上的正投影的延伸方向相交的部分。
4.根据权利要求3所述的移相器，其中，所述蜿蜒线为多条，且多条所述蜿蜒线中至少部分形状不同。
5.根据权利要求3所述的移相器，其中，所述第一开口在所述第一基底上的正投影与所述至少一条蜿蜒线在所述第一基底上的正投影无交叠。
6.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第一开口在所述第一方向的长度与所述第一开口在第二方向的长度比为1.7:1~2.3:1；
所述第一方向与所述第二方向垂直设置。
7.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述参考电极上还设置有第二开口，且所述第二开口在所述第一方向的长度不小于所述传输线的线宽；
所述第二开口在所述第一基底上的正投影与所述第一开口在所述第一基底上的正投影无交叠。
8.根据权利要求7所述的移相器，其中，所述第一传输端在所述第一基底上的正投影与所述第二开口在所述第一基底上的正投影至少部分重叠；
所述第一传输端在所述第一基底上的正投影的延伸方向贯穿所述第二开口在所述第一基底的正投影的中心。
9.根据权利要求8所述的移相器，其中，所述第二开口在所述第一方向的长度与所述第一开口在第一方向的长度相同，所述第二开口在第二方向的长度与所述第一开口在第二方向的长度相同；所述第一方向与所述第二方向垂直设置。
10.根据权利要求9所述的移相器，其中，所述第二开口在所述第一基底上的正投影与所述传输线的传输主体部在所述第一基底上的正投影无交叠。
11.根据权利要求10所述的移相器，其中，所述移相器还包括：第一波导结构和第二波导结构；所述第一波导结构被配置为，通过所述第二开口与所述传输线的第一传输端采用耦合的方式传输微波信号；所述第二波导结构被配置为，通过所述第一开口与所述传输线的第二传输端采用耦合的方式传输微波信号。
12.根据权利要求11所述的移相器，其中，所述第一波导结构的第一端口设置在所述第一基底背离所述第一介质层的一侧；所述第二波导的第一端口设置在所述第二基底背离所述第一介质层的一侧；
所述第一传输端在所述第一基底上的正投影的延伸方向贯穿所述第一波导结构的第一端口在所述第一基底的正投影的中心；和/或，
所述第二传输端在所述第二基底上的正投影的延伸方向贯穿所述第二波导结构的第一端口在所述第二基底的正投影的中心。
13.根据权利要求12所述的移相器，其中，所述第一传输端在所述第一基底上的正投影与所述第一波导结构的第一端口在所述第一基底的正投影的中心之间的距离小于预设值；和/或，
所述第二传输端在所述第二基底上的正投影与所述第二波导结构的第一端口在所述第二基底的正投影的中心之间的距离小于预设值。
14.根据权利要求11-13中任一项所述的移相器，其中，所述第一波导结构包括矩形波导结构，且其横截面长宽比为1.7~2.3:1和/或，所述第二波导结构包括矩形波导结构，且其横截面长宽比为1.7:1~2.3:1。
15.根据权利要求11-13中任一项所述的移相器，其中，所述第一波导结构的第一端口在所述第一基底上的正投影与所述第一开口在所述第一基底上的正投影完全重叠；
所述第二波导结构的第一端口在所述第二基底上的正投影与所述第二开口在所述第二基底上的正投影完全重叠。
16.根据权利要求1-10中任一项所述的移相器，其中，所述移相器具有微波传输区和环绕所述微波传输区的周边区；所述第二基板还包括设置在第二基底上的隔离结构；所述隔离结构位于周边区，且环绕所述微波传输区。
17.根据权利要求16所述的移相器，其中，所述隔离结构位于所述参考电极靠近所述第二基底的一侧，且所述参考电极延伸至所述周边区并与所述隔离结构搭接。
18.根据权利要求17所述的移相器，其中，所述参考电极具有开槽，所述开槽位于所述周边区，且与所述隔离结构与所述开槽在所述第二基底上的正投影存在交叠。
19.根据权利要求1-10中任一项所述的移相器，其中，对于所述传输线上具有法线、且法线与所述传输线的其它部分具有交点的点，该点到其法线和所述传输线的其它部分的交点中最近的一者的距离为100μm-2mm。
20.根据权利要求15所述的移相器，其中，所述第一波导结构的中空腔体的内壁和/或所述第二波导结构的中空腔体的内壁形成有保护层。
21.根据权利要求20所述的移相器，其中，所述第一波导结构的中空腔体和/或所述第二波导结构的中空腔体内具有填充介质；所述填充介质包括聚四氟乙烯。
22.根据权利要求1-10中任一项所述的移相器，其中，第一介质层的材料包括液晶。
23.一种天线，其包括：权利要求1-22中任一项所述的移相器。
24.根据权利要求23所述的天线，其中，所述天线还包括设置在第二基底背离第一介质层一侧的贴片电极，且所述贴片电极与所述第一开口在所述第二基底上的正投影存在交叠。
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