CN210720940U - 一种液晶盒、液晶天线单元和液晶相控阵天线 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种液晶盒、液晶天线单元和液晶相控阵天线。液晶天线单元包括对盒设置的第一基板和第二基板，以及设置在所述第一基板和第二基板之间的液晶层，其特征在于，所述第一基板朝向所述液晶层的一侧上和/或所述第二基板朝向所述液晶层的一侧上设置有用于容纳液晶的凹槽，所述第一基板的朝向所述液晶层的一侧表面上设置有微波信号延迟线，所述凹槽与所述微波信号延迟线相对应。该液晶天线单元，使得与微波信号延迟线相对应位置的液晶层厚度增大，当微波信号在液晶层中沿着微波信号延迟线传输时，可以降低液晶天线单元的损耗；另外，实现了在不增加整体盒厚的情况下获得高厚度的液晶层，避免了液晶天线单元盒厚增加。

Description

一种液晶盒、液晶天线单元和液晶相控阵天线

技术领域

本实用新型涉及液晶技术领域，具体涉及一种液晶盒、液晶天线单元和液晶相控阵天线。

背景技术

液晶天线包括对盒的第一基板和第二基板，以及设置在第一基板和第二基板之间的液晶层。为了降低液晶天线的损耗，需要高厚度的液晶层。现有技术中，为了增加液晶层的厚度，通常是直接增大第一基板和第二基板之间的间隙以增大液晶层的厚度，然而，这样的液晶天线使得液晶天线的整体厚度增加，不利于液晶天线的使用。

发明内容

本实用新型实施例的目的是，提供一种液晶盒、液晶天线单元和液晶相控阵天线，以获得高厚度的液晶层，降低液晶相控阵天线的损耗。

为了解决上述技术问题，本实用新型实施例提供了一种液晶盒，包括对盒设置的第一基板和第二基板，以及设置在所述第一基板和第二基板之间的液晶层，所述第一基板朝向所述液晶层的一侧上和/或所述第二基板朝向所述液晶层的一侧上设置有用于容纳液晶的凹槽。

可选地，

所述第一基板包括第一基底，所述凹槽设置在所述第一基底的朝向所述液晶层的一侧上；或者，

所述第二基板包括第二基底，所述凹槽设置在所述第二基底的朝向所述液晶层的一侧上；或者，

所述第一基板包括第一基底，所述第二基板包括第二基底，所述凹槽包括第一子凹槽和第二子凹槽，所述第一子凹槽设置在所述第一基底的朝向所述液晶层的一侧上，所述第二子凹槽设置在所述第二基底的朝向所述液晶层的一侧上。

为了解决上述技术问题，本实用新型实施例还提供了一种液晶天线单元，包括对盒设置的第一基板和第二基板，以及设置在所述第一基板和第二基板之间的液晶层，其特征在于，所述第一基板朝向所述液晶层的一侧上和/或所述第二基板朝向所述液晶层的一侧上设置有用于容纳液晶的凹槽，所述第一基板的朝向所述液晶层的一侧表面上设置有微波信号延迟线，所述凹槽与所述微波信号延迟线相对应。

可选地，所述凹槽的深度为10nm～1mm，所述深度为在垂直于所述液晶天线单元方向上的尺寸。

可选地，所述第一基板包括第一基底，所述第二基板包括第二基底，

所述凹槽设置在所述第一基底的朝向所述液晶层的一侧上，所述微波信号延迟线设置在所述凹槽的朝向所述液晶层一侧的底面上；或者，

所述凹槽设置在所述第二基底的朝向所述液晶层的一侧上；或者，

所述凹槽包括第一子凹槽和第二子凹槽，所述第一子凹槽设置在所述第一基底的朝向所述液晶层的一侧上，所述第二子凹槽设置在所述第二基底的朝向所述液晶层的一侧上，所述微波信号延迟线设置在所述第一子凹槽的朝向所述液晶层一侧的底面上，所述第一子凹槽和所述第二子凹槽均与所述微波信号延迟线相对应。

可选地，从平行于所述液晶天线单元的平面上看，

所述凹槽为一体凹槽；或者，所述凹槽沿所述微波信号延迟线设置。

可选地，所述第一基板朝向所述液晶层一侧表面上还设置有偏置电极，所述偏置电极与所述微波信号延迟线电连接，所述偏置电极自凹槽区域内延伸至凹槽区域外。

可选地，所述第二基板的朝向所述液晶层一侧表面上设置有地电极层，在平行于液晶天线单元的平面上，所述微波信号延迟线具有起始端和末端，所述地电极层开设有第一耦合槽和第二耦合槽，所述第一耦合槽和所述第二耦合槽分别与所述微波信号延迟线的起始端和末端相对应。

可选地，所述第二基板的背离所述液晶层的一侧上设置有射频发射/接收电极，所述射频发射/接收电极与所述微波信号延迟线的起始端相对应。

为了解决上述技术问题，本实用新型实施例还提供了一种液晶相控阵天线，包括阵列排布的多个如上所述的液晶天线单元。

本实用新型实施例的液晶天线单元，第一基板朝向液晶层的一侧上和/或第二基板朝向液晶层的一侧上设置有用于容纳液晶的凹槽，凹槽与微波信号延迟线相对应，这就使得液晶层在与微波信号延迟线相对应位置的厚度增大，从而，当微波信号在液晶层中沿着微波信号延迟线传输时，可以降低液晶天线单元的损耗；另外，该液晶天线单元，通过设置凹槽使得液晶层厚度增大，不再需要增加第一基板和第二基板之间的间隙，实现了在不增加整体盒厚的情况下获得高厚度的液晶层，不仅降低了液晶天线单元的损耗，而且避免了液晶天线单元盒厚增加。

本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本实用新型技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本实用新型的技术方案，并不构成对本实用新型技术方案的限制。

图1为本发明第一实施例液晶盒的结构示意图；

图2a和图2b分别为第一基板中沉积金属薄膜后的截面结构示意图和平面结构示意图；

图3a和图3b分别为第一基板中形成光刻胶图案层后的截面结构示意图和平面结构示意图；

图4a和图4b分别为第一基板中形成金属掩膜层后的截面结构示意图和平面结构示意图；

图5a和图5b分别为第一基板中形成凹槽后的截面结构示意图和平面结构示意图；

图6a和图6b分别第一基板中形成取向层后的截面结构示意图和平面结构示意图；

图7a为第二基板的截面结构示意图；

图7b为第二基板的朝向液晶层一侧的平面结构示意图；

图7c为第二基板的背离液晶层一侧的平面结构示意图；

图8a为在第一基板上滴注液晶后的截面结构示意图；

图8b为图8a的平面结构示意图；

图9a和图9b分别为另一个实施例第一基板中形成微波信号延迟线后的截面结构示意图和平面结构示意图。

附图标记说明：

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

下面将通过具体的实施例详细介绍本实用新型的技术内容。

第一实施例：

图1为本发明第一实施例液晶盒的结构示意图。如图1所示，该液晶盒包括对盒设置的第一基板10和第二基板20，以及设置在第一基板10和第二基板20之间的液晶层30。第一基板10朝向液晶层30的一侧上和/或第二基板20朝向液晶层30的一侧上设置有用于容纳液晶的凹槽40。

本实用新型实施例的液晶盒，第一基板10朝向液晶层30的一侧上和/或第二基板20朝向液晶层30的一侧上设置有用于容纳液晶的凹槽40，凹槽的设置使得液晶层30在与凹槽对应位置的厚度大大增加，从而，不需要增加第一基板10和第二基板20之间的间隙，便可以增大液晶层30的厚度，实现了在不增加整体盒厚的情况下获得高厚度的液晶层。当将该结构的液晶盒应用在以液晶移相器为核心的液晶相控阵天线上时，不仅可以降低液晶相控阵天线的损耗，而且还避免了液晶相控阵天线盒厚增加。

在本实施例中，如图1所示，凹槽40的深度d为10nm～1mm。在以液晶移相器为核心的液晶相控阵天线中，为了降低损耗一般采用高厚度的液晶层的微带线形式，典型的液晶层厚度为50μm～200μm，将凹槽40的深度设定为10nm～1mm，可以满足液晶相控阵天线的需求，方便了本实用新型实施例液晶盒在液晶相控阵天线领域的应用。

在一个实施例中，第一基板10包括第一基底11，凹槽40设置在第一基底11的朝向液晶层30的一侧上。

在另一个实施例中，第二基板20包括第二基底21，凹槽可以设置在第二基底21的朝向液晶层30的一侧上。

在其它实施例中，凹槽可以包括第一子凹槽和第二子凹槽，第一基板10包括第一基底11，第二基板20包括第二基底21。第一子凹槽设置在第一基底11的朝向液晶层30的一侧上，第二子凹槽设置在第二基底21的朝向液晶层30的一侧上。此时，凹槽的深度为第一子凹槽和第二子凹槽的深度之和。

如图1所示，液晶盒还包括封框胶51，封框胶51设置在第一基板10和第二基板20之间，且封框胶51围设在液晶层30的外围，封框胶51中可以包含有隔垫物。包含有隔垫物的封框胶，可以更充分地保证第一基板和第二基板之间的间隙，从而可以减少封框胶内侧起支撑作用的隔离柱数量，节约成本。

第二实施例

基于前述实施例的发明构思，本实用新型第二实施例提供了一种液晶天线单元，如图1所示。液晶天线单元包括对盒设置的第一基板10和第二基板20，以及设置在第一基板10和第二基板20之间的液晶层。第一基板10朝向液晶层30的一侧上和/或第二基板20朝向液晶层30的一侧上设置有用于容纳液晶的凹槽40。第一基板10的朝向液晶层30的一侧表面上设置有微波信号延迟线12，凹槽40与微波信号延迟线12相对应。

本实用新型实施例的液晶天线单元，第一基板10朝向液晶层30的一侧上和/或第二基板20朝向液晶层30的一侧上设置有用于容纳液晶的凹槽40，凹槽40与微波信号延迟线相对应，这就使得液晶层在与微波信号延迟线相对应位置的厚度增大，从而，当微波信号在液晶层中沿着微波信号延迟线传输时，可以降低液晶天线单元的损耗；另外，该液晶天线单元，通过设置凹槽使得液晶层厚度增大，不再需要增加第一基板10和第二基板20之间的间隙，实现了在不增加整体盒厚的情况下获得高厚度的液晶层，不仅降低了液晶天线单元的损耗，而且避免了液晶天线单元盒厚增加。

在本实施例中，如图1所示，凹槽40的深度d为10nm～1mm。在以液晶移相器为核心的液晶相控阵天线中，当液晶层厚度小于40μm时，天线的损耗较大，为了降低损耗一般采用高厚度的液晶层的微带线形式，典型的液晶层厚度为50μm～200μm，将凹槽40的深度设定为10nm～1mm，再加上第一基板和第二基板之间的间隙，从而，液晶层的厚度可以满足液晶相控阵天线的需求，方便了本实用新型实施例液晶天线单元在液晶相控阵天线领域的应用。容易理解的是，深度为在垂直于液晶天线单元方向上的尺寸。

在本实施例中，第一基板10包括第一基底11，第二基板20包括第二基底21，凹槽40设置在第一基板10朝向液晶层30的一侧上和/或第二基板20朝向液晶层30的一侧上。

在一个实施例中，凹槽40设置在第一基底11的朝向液晶层30的一侧上，微波信号延迟线12设置在凹槽40的朝向液晶层一侧的底面上，如图1所示。

在另一个实施例中，凹槽可以设置在第二基底21的朝向液晶层30的一侧上。

在另一个实施例中，凹槽可以包括第一子凹槽和第二子凹槽，第一子凹槽设置在第一基底的朝向液晶层的一侧上，第二子凹槽设置在第二基底的朝向液晶层的一侧上，微波信号延迟线设置在第一子凹槽的朝向液晶层一侧的底面上，第一子凹槽和第二子凹槽均与微波信号延迟线相对应。此时，凹槽的深度为第一子凹槽和第二子凹槽的深度之和。

如图1所示，第一基板10还包括设置在第一基底11的朝向液晶层一侧上的偏置电极13，偏置电极13与微波信号延迟线12电连接。偏置电极12自凹槽40区域内延伸至凹槽40区域外。偏置电极13用来将微波信号延迟线12与外部电源电连接，以向微波信号延迟线提供所需电压。

如图1所示，第一基板10还包括设置在微波信号延迟线12和偏置电极13上的第一取向层14。

第二基板20包括第二基底21，第二基底21的朝向液晶层30的一侧表面上设置有地电极层22。在垂直于液晶天线单元的方向上，地电极层22所在的区域包含微波信号延迟线12所在的区域。地电极层22与微波信号延迟线12构成用于控制液晶层工作的上下电极。

在平行于液晶天线单元的平面上，微波信号延迟线12呈连续的迂回折线状或者螺旋环状等形状，微波信号延迟线具有起始端和末端，地电极层开设有第一耦合槽和第二耦合槽，第一耦合槽和第二耦合槽分别与微波信号延迟线的起始端和末端相对应。

第二基板20还包括设置在地电极层22的朝向液晶层30一侧上的第二取向层24。

第二基板20还包括设置在第二基底21的背离液晶层30一侧上的射频发射/接收电极23，射频发射/接收电极23与微波信号延迟线的起始端相对应。

本实用新型实施例的液晶天线单元，微波信号由射频发射/接受电极23和第一耦合槽进入液晶层30中，微波信号沿着微波信号延迟线传输，通过控制微波信号延迟线与地电极层之间的电压，控制微波信号的延迟相位，从而，从液晶天线单元的输出端获得理想相位的微波信号。

下面通过本实用新型实施例液晶天线的制备过程，详细说明本实用新型实施例的发明内容。本实施例中，以凹槽设置在第一基底上为例进行说明。

液晶天线的制备过程包括：

S1：制备第一基板10和第二基板20；

S2：采用封框胶将第一基板和第二基板对盒，第一基板和第二基板之间设置有液晶层。

S1可以包括：

制备第一基板，具体包括：

S11：在第一基底11上形成位于凹槽区域之外的金属掩膜层41，具体包括：

在第一基底11上沉积金属薄膜41’，如图2a和图2b所示，图2a和图2b分别为第一基板中沉积金属薄膜后的截面结构示意图和平面结构示意图。其中，第一基底11可以采用玻璃，金属薄膜的材质可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钕化铝(AlNd)中的至少一种。金属薄膜的厚度可以为1nm～10μm。具体实施中，可以采用磁控溅射法、溶胶凝胶法、激光溅射法、热蒸发、电子束蒸发等本领域常规方法在第一基底上沉积形成金属薄膜41’。

在金属薄膜41’上形成位于凹槽区域之外的光刻胶图案层42，具体地，在金属薄膜41’上涂覆光刻胶薄膜，采用曝光和显影工艺对光刻胶进行图案化处理，去除位于凹槽区域的光刻胶薄膜，保留凹槽区域之外的光刻胶薄膜，形成位于凹槽区域之外的光刻胶图案层42，如图3a和图3b所示，图3a和图3b分别为第一基板中形成光刻胶图案层后的截面结构示意图和平面结构示意图。可以采用本领域常规技术例如旋涂法、狭缝喷涂等涂覆方式来形成光刻胶薄膜。

以光刻胶图案层42为掩膜，对金属薄膜41’进行刻蚀，去除凹槽区域的金属薄膜，保留凹槽区域之外的金属薄膜；剥离光刻胶图案层42，形成位于凹槽区域之外的金属掩膜层41，如图4a和图4b所示，图4a和图4b分别为第一基板中形成金属掩膜层后的截面结构示意图和平面结构示意图。可以采用本领域常规技术例如湿法刻蚀去除凹槽区域的金属薄膜，从而在凹槽区域暴露出第一基板11的表面。

S12：以金属掩膜层41为掩膜，对第一基底进行刻蚀，形成位于第一基底上的凹槽40；去除金属掩膜层41，如图5a和图5b所示，图5a和图5b分别为第一基板中形成凹槽后的截面结构示意图和平面结构示意图。可以采用湿法腐蚀的方法来对第一基底进行刻蚀，刻蚀液可以采用氢氟酸，或者采用以氢氟酸为主要成分的缓释玻璃刻蚀液。在对第一基底刻蚀过程中，可以通过控制氢氟酸浓度、刻蚀温度、刻蚀时间等，在第一基底上刻蚀出合适面积、合适深度且均匀性好的凹槽，用来填充液晶。在一个实施例中，凹槽的深度为10nm～1mm。可以采用湿法腐蚀的方法去除金属掩膜层41。

在本实施例中，凹槽40为一体凹槽。

S13：在第一基底11朝向液晶层一侧的表面上形成微波信号延迟线12和偏置电极13，微波信号延迟线12位于凹槽40的底面上，偏置电极13与微波信号延迟线12电连接，偏置电极13自凹槽区域延伸至凹槽之外的区域，如图6a和图6b所示，图6a和图6b分别第一基板中形成取向层后的截面结构示意图和平面结构示意图。可以采用本领域常规技术，例如包含沉积薄膜、涂覆光刻胶、曝光、显影、刻蚀的构图工艺，分别形成微波信号延迟线12和偏置电极13。在这里，对微波信号延迟线12和偏置电极13的形成顺序不作限制，可以先形成微波信号延迟线12，然后再形成偏置电极13；也可以先形成偏置电极13，然后再形成微波信号延迟线12。偏置电极13的材料可以包括氧化铟锡(ITO)、SnO2、Cr、Pt等高电阻率材料中的至少一种，偏置电极13的厚度范围可以为1nm～10μm。微波信号延迟线12的材料可以包括铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)等中的至少一种，微波信号延迟线12的厚度可以为1nm～1mm。在一个实施例中，微波信号延迟线12呈迂回折线状，如图6b所示，微波信号延迟线12具有起始端121和末端122。容易理解的是，为了说明本实用新型的技术方案，图6b所示的平面结构示意图只是示意性地表示出第一基板的结构，并不完全与截面结构示意图成比例绘制。

S14：在形成微波信号延迟线12和偏置电极13的第一基底表面上涂覆取向薄膜，对取向薄膜进行取向处理，形成第一取向层14，如图6a和图6b所示。可以采用本领域常规技术形成第一取向层14。第一取向层14的材质可以包括聚酰亚胺(PI)，可以采用光配向技术对取向薄膜进行取向处理。第一取向层14的厚度可以为1nm～1μm。

制备第二基板，可以采用本领域常规方法在第二基底21的朝向液晶层的一侧上形成地电极层22，在垂直于液晶天线单元的方向上，地电极层22所在的区域包含微波信号延迟线所在的区域；采用本领域常规方法在地电极层22背离第二基底21的一侧上形成第二取向层24，如图7a和图7b所示，图7a为第二基板的截面结构示意图，图7b为第二基板的朝向液晶层一侧的平面结构示意图。地电极层22的材质可以包括铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)等中的至少一种，地电极层22的厚度可以为1nm～1mm。第二取向层24的材质可以包括聚酰亚胺(PI)，可以采用涂覆、摩擦或光配向技术对取向薄膜进行取向处理而形成第二取向层24。第二取向层14的厚度可以为1nm～1μm。可以采用本领域常规方法在第二基底21的背离液晶层的一侧上形成射频发射/接收电极23，如图7c所示，图7c为第二基板的背离液晶层一侧的平面结构示意图。射频发射/接收电极23的材质可以包括铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)等中的至少一种，射频发射/接收电极23的厚度可以为1nm～1mm。

如图7b所示，地电极层22开设有第一耦合槽221和第二耦合槽222，第一耦合槽221和第二耦合槽222分别与微波信号延迟线的起始端121和末端122相对应。从而，由射频发射/接收电极23接收到的微波信号可以通过第一耦合槽221进入液晶层30中，微波信号在液晶层30中沿微波信号延迟线传输至末端122，然后输出，实现对微波信号的相位调控。

S2可以包括：

在第一基板10的朝向凹槽的一侧上滴注液晶，一部分液晶填充在凹槽40内，一部分液晶位于凹槽40之外的区域，并在液晶的外围涂覆包含隔垫物的封框胶51，如图8a和图8b所示，图8a为在第一基板上滴注液晶后的截面结构示意图，图8b为图8a的平面结构示意图。为了进一步保证第一基板和第二基板之间的间隙，封框胶51内侧可以分散设置少量的球状隔离子52。

容易理解的是，如图1所示，凹槽的设置可以避免地电极层与第二基板之间减小过小，从而，位于封框胶51内侧的隔离子52只需要设置在非凹槽位置即可，这样，在封框胶51内侧就不需要整面设置隔离子52，减小了隔离子52的使用数量。另外，封框胶51中包含隔垫物，也可以进一步减小隔离子的使用数量。将第二基板20与第一基板10进行高精度对位和真空对盒，然后对封框胶进行紫外线(UV)和热固化工艺处理，完成液晶天线的制备。

图9a和图9b分别为另一个实施例中第一基板形成微波信号延迟线后的截面结构示意图和平面结构示意图。如图9a和图9b所示，在该实施例中，凹槽40沿微波信号延迟线设置，微波信号延迟线12设置在凹槽40内的底面上。容易理解的是，为了说明本实用新型的技术方案，图9b所示的平面结构示意图只是示意性地表示出第一基板的结构，并不完全与截面结构示意图成比例绘制。

本实用新型实施例的液晶天线单元，只需要在需要的区域设置凹槽即可，其它位置仍然可以保持较薄的液晶层，从而，在获得高厚度液晶层的同时，还可以节省液晶材料。

本实施例的液晶天线单元，可以根据实际需要的液晶层厚度形成相应深度的凹槽，通过对玻璃基底刻蚀形成的凹槽，均匀性好、制程时间短，并且适用于大面积刻蚀，可以满足高世代产品的需求。

在一种液晶天线单元中，采用间隙控制材料(Photo Spacer，PS)作为第一基板和第二基板之间的支撑，并在整面基板上滴液晶。间隙控制材料一般采用树脂材料，并采用曝光、显影和固化工艺经过两次制备而成，并且间隙控制材料的厚度无法太大，一般为3μm～5μm，无法满足高厚度液晶层的需求。并且，采用PS作支撑，需要增加一次曝光、显影工艺，成本高。而且，正面基板上滴液晶，使得液晶材料成本高。本实用新型实施例的液晶天线单元，采用包含隔垫物的封框胶，减少了曝光、显影的次数，而且减少了昂贵树脂材料的使用，并且，只需要在凹槽位置多滴注液晶，便可以在需要的区域获得高厚度液晶，其它区域仍可以保持比较薄的液晶层，从而降低了液晶材料的使用，降低了成本。

在一种液晶天线单元中，采用球状隔离子(Ball Spacer)作支撑，并采用灌晶工艺正面灌注液晶材料。由于喷洒球状隔离子制程容易产生球状粒子团均、堆叠不良，造成液晶盒厚度均匀性差，灌晶工艺耗时长，而且整面灌注液晶，造成液晶材料消耗较多，提高了材料成本。本实用新型实施例的液晶天线单元，采用包含隔垫物的封框胶，而且，凹槽的设置可以避免地电极层与第二基板之间减小过小，从而，位于封框胶内侧的隔离子只需要设置在非凹槽位置即可，这样，在封框胶内侧就不需要整面设置隔离子，减小了隔离子的使用数量，从而，不再需要喷洒过多的球状隔离子进行支撑，避免了球状隔离子团均和堆叠不良；另外，并且，只需要在凹槽位置多滴注液晶，便可以在需要的区域获得高厚度液晶，其它区域仍可以保持比较薄的液晶层，从而降低了液晶的使用，降低了成本。

在以上实施例中，以凹槽设置在第一基板上为例，详细说明了液晶天线单元的结构。

在另一个实施例中，凹槽可以设置在第二基板的朝向液晶层的一侧上，此时，地电极层覆盖在凹槽的表面上。

在另一个实施例中，凹槽可以包括第一子凹槽和第二子凹槽，第一子凹槽设置在第一基底的朝向液晶层的一侧上，第二子凹槽设置在第二基底的朝向液晶层的一侧上。微波信号延迟线设置在第一子凹槽的朝向液晶层一侧的底面上，地电极层覆盖在第二子凹槽的表面上，第一子凹槽和第二子凹槽均与微波信号延迟线相对应。此时，凹槽的深度为第一子凹槽和第二子凹槽的深度之和。

本实用新型实施例的液晶天线单元，通过在第一基底或/和第二基底上刻蚀凹槽来获得高厚度的液晶层，凹槽的均匀性好、制程时间短，可以根据液晶层厚度刻蚀不同深度的凹槽，并且还可以刻蚀大面积凹槽，从而适应高世代产品需求。

本实用新型实施例的液晶天线单元，形成凹槽的制程成本低、时间短、可满足大面积凹槽需求，形成的凹槽深度大、均匀性好。并且，可以在需要高厚度液晶层的区域形成凹槽，而在其他区域保留比较薄的液晶层，可以大大节省液晶材料的使用，解决高厚度液晶层的微带线液晶相控阵天线的制备问题。

第三实施例

基于前述实施例的发明构思，本实用新型第三实施例提供了一种液晶相控阵天线。该液晶相控阵天线包括阵列排布的多个如前述实施例所述的液晶天线单元。在一个实施例中，多个液晶天线单元共用第一基板的第一基底和第二基板的第二基底。

在本实用新型实施例的描述中，需要理解的是，术语“内”、“外”指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“接触”应做广义理解，例如，可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

虽然本实用新型所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本实用新型而采用的实施方式，并非用以限定本实用新型。任何本实用新型所属领域内的技术人员，在不脱离本实用新型所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本实用新型的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种液晶盒，其特征在于，包括对盒设置的第一基板和第二基板，以及设置在所述第一基板和第二基板之间的液晶层，所述第一基板朝向所述液晶层的一侧上和/或所述第二基板朝向所述液晶层的一侧上设置有用于容纳液晶的凹槽。

2.根据权利要求1所述的液晶盒，其特征在于，

所述第一基板包括第一基底，所述凹槽设置在所述第一基底的朝向所述液晶层的一侧上；或者，

所述第二基板包括第二基底，所述凹槽设置在所述第二基底的朝向所述液晶层的一侧上；或者，

所述第一基板包括第一基底，所述第二基板包括第二基底，所述凹槽包括第一子凹槽和第二子凹槽，所述第一子凹槽设置在所述第一基底的朝向所述液晶层的一侧上，所述第二子凹槽设置在所述第二基底的朝向所述液晶层的一侧上。

3.一种液晶天线单元，其特征在于，包括对盒设置的第一基板和第二基板，以及设置在所述第一基板和第二基板之间的液晶层，其特征在于，所述第一基板朝向所述液晶层的一侧上和/或所述第二基板朝向所述液晶层的一侧上设置有用于容纳液晶的凹槽，所述第一基板的朝向所述液晶层的一侧表面上设置有微波信号延迟线，所述凹槽与所述微波信号延迟线相对应。

4.根据权利要求3所述的液晶天线单元，其特征在于，所述凹槽的深度为10nm～1mm，所述深度为在垂直于所述液晶天线单元方向上的尺寸。

5.根据权利要求3所述的液晶天线单元，其特征在于，所述第一基板包括第一基底，所述第二基板包括第二基底，

所述凹槽设置在所述第一基底的朝向所述液晶层的一侧上，所述微波信号延迟线设置在所述凹槽的朝向所述液晶层一侧的底面上；或者，

所述凹槽设置在所述第二基底的朝向所述液晶层的一侧上；或者，

所述凹槽包括第一子凹槽和第二子凹槽，所述第一子凹槽设置在所述第一基底的朝向所述液晶层的一侧上，所述第二子凹槽设置在所述第二基底的朝向所述液晶层的一侧上，所述微波信号延迟线设置在所述第一子凹槽的朝向所述液晶层一侧的底面上，所述第一子凹槽和所述第二子凹槽均与所述微波信号延迟线相对应。

6.根据权利要求5所述的液晶天线单元，其特征在于，从平行于所述液晶天线单元的平面上看，

所述凹槽为一体凹槽；或者，所述凹槽沿所述微波信号延迟线设置。

7.根据权利要求3所述的液晶天线单元，其特征在于，所述第一基板朝向所述液晶层一侧表面上还设置有偏置电极，所述偏置电极与所述微波信号延迟线电连接，所述偏置电极自凹槽区域内延伸至凹槽区域外。

8.根据权利要求3～7中任意一项所述的液晶天线单元，其特征在于，所述第二基板的朝向所述液晶层一侧表面上设置有地电极层，在平行于液晶天线单元的平面上，所述微波信号延迟线具有起始端和末端，所述地电极层开设有第一耦合槽和第二耦合槽，所述第一耦合槽和所述第二耦合槽分别与所述微波信号延迟线的起始端和末端相对应。

9.根据权利要求8所述的液晶天线单元，其特征在于，所述第二基板的背离所述液晶层的一侧上设置有射频发射/接收电极，所述射频发射/接收电极与所述微波信号延迟线的起始端相对应。

10.一种液晶相控阵天线，包括阵列排布的多个如权利要求4～9中任意一项所述的液晶天线单元。

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