CN115032209A - 一种透明导电薄膜质量检测方法 - Google Patents

一种透明导电薄膜质量检测方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115032209A
CN115032209A CN202210958976.4A CN202210958976A CN115032209A CN 115032209 A CN115032209 A CN 115032209A CN 202210958976 A CN202210958976 A CN 202210958976A CN 115032209 A CN115032209 A CN 115032209A
Authority
CN
China
Prior art keywords
transparent conductive
conductive film
back electrode
quality
perovskite
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202210958976.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN115032209B (zh
Inventor
赵志国
董超
熊继光
赵东明
秦校军
张赟
李新连
刘家梁
李梦洁
赵政晶
蔡子贺
刘云
冯笑丹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huaneng Clean Energy Research Institute
Huaneng Renewables Corp Ltd
Original Assignee
Huaneng Clean Energy Research Institute
Huaneng Renewables Corp Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huaneng Clean Energy Research Institute, Huaneng Renewables Corp Ltd filed Critical Huaneng Clean Energy Research Institute
Priority to CN202210958976.4A priority Critical patent/CN115032209B/zh
Publication of CN115032209A publication Critical patent/CN115032209A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN115032209B publication Critical patent/CN115032209B/zh
Priority to PCT/CN2023/073537 priority patent/WO2024031936A1/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/958—Inspecting transparent materials or objects, e.g. windscreens
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/66—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明属于导电薄膜领域，尤其涉及一种透明导电薄膜质量检测方法。该方法包括以下步骤：a）将透明导电薄膜置于玻璃基板上，然后在所述透明导电薄膜上设置钙钛矿发光层，再在钙钛矿发光层上设置背电极；b）在所述透明导电薄膜端和背电极端施加电压，用红外相机或可见光相机观察透明导电薄膜区域的发光现象，评估损伤情况。本发明提供的方法首先将透明导电薄膜组装成简单器件，然后在器件的透明导电薄膜端和背电极端施加电压，二者中间的钙钛矿发光层会由于电子注入而发射出特定波长的光子，当透明导电薄膜上存在损伤时，损伤区域所体现出来的发光效果会与其他区域存在差异，由此可判断透明导电薄膜的损伤情况。

Description

一种透明导电薄膜质量检测方法
技术领域
本发明属于导电薄膜领域，尤其涉及一种透明导电薄膜质量检测方法。
背景技术
透明导电薄膜（TCO）是指既导电又在特定光谱范围内具有高透过率的一种薄膜，主要有金属型、氧化物型、高分子型、复合型等，由于其特有的导电和透光特性，被广泛使用在太阳能电池、显示面板、光敏元件、特殊观察窗口等领域，其中在太阳能电池、显示面板领域使用更为广泛。
由于太阳能电池和显示领域，对各个结构材料的要求较高，尤其是与关键核心半导体层紧密接触的部分，对表面一致性、均匀性、光学电学特性、晶体取向、表观形貌等有着更高的物理、化学特性要求。而透明导电薄膜在制备过程中、以及后续的运输、加工和使用过程中都有可能造成损伤，但是这部分损伤很难用肉眼观察到，一般的光学观察手段也很难发现，最终导致存在损伤缺陷的透明导电薄膜流入到后续产品的生产制造环节，对产品的性能和良率造成不利影响。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种透明导电薄膜质量检测方法，本发明提供的方法可以有效的表征透明导电薄膜的损伤情况，从而用于评价薄膜的生产、加工、处理、运输、清洗、改性等环节是否存在问题，确保薄膜质量满足后续加工生产的要求。
本发明提供了一种透明导电薄膜质量检测方法，包括以下步骤：
a）将透明导电薄膜置于玻璃基板上，然后在所述透明导电薄膜上设置钙钛矿发光层，再在钙钛矿发光层上设置背电极；
b）在所述透明导电薄膜端和背电极端施加电压，用红外相机或可见光相机观察透明导电薄膜区域的发光现象，评估损伤情况。
优选的，步骤a）中，设置所述钙钛矿发光层的具体步骤包括：将钙钛矿前驱体的溶液涂布到所述透明导电薄膜的表面形成湿膜层，随后进行干燥和退火。
优选的，所述溶液中的钙钛矿前驱体的化学通式为MAnFA1-nPbX3，其中，MA为甲胺基，FA为甲脒基，X为卤素，0＜n＜1。
优选的，所述溶液中的钙钛矿前驱体的浓度为0.1~2mol/L。
优选的，所述湿膜层的厚度为50nm~50μm。
优选的，步骤a）中，所述背电极的材质为铜、铝和金中的一种或多种。
优选的，步骤a）中，所述背电极的厚度为20~200nm。
优选的，步骤a）中，设置所述背电极的具体方式为化学气相沉积、物理气相沉积或涂布。
优选的，步骤b）中，所述评估损伤情况的具体规则为：若所述透明导电薄膜区域发光均匀，则说明透明导电薄膜完好无损，反之亦然。
优选的，还包括：c）根据步骤b）的损伤评估情况调整透明导电薄膜的前处理方法。
与现有技术相比，本发明提供了一种透明导电薄膜质量检测方法。本发明提供的方法包括以下步骤：a）将透明导电薄膜置于玻璃基板上，然后在所述透明导电薄膜上设置钙钛矿发光层，再在钙钛矿发光层上设置背电极；b）在所述透明导电薄膜端和背电极端施加电压，用红外相机或可见光相机观察透明导电薄膜区域的发光现象，评估损伤情况。本发明提供的方法首先将透明导电薄膜组装成简单器件，然后在器件的透明导电薄膜端和背电极端施加电压，二者中间的钙钛矿发光层会由于电子注入而发射出特定波长的光子，当透明导电薄膜上存在损伤时，损伤区域所体现出来的发光效果会与其他区域存在差异，由此可判断透明导电薄膜的损伤情况。本发明提供的方法可以有效的表征透明导电薄膜的损伤情况，从而用于评价薄膜的生产、加工、处理、运输、清洗、改性等环节是否存在问题，确保薄膜质量满足后续加工生产的要求。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的透明导电薄膜与其他功能层组装后的器件结构示意图；
图2是本发明实施例1提供的红外相机图；
图3是本发明实施例2提供的红外相机图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供了一种透明导电薄膜质量检测方法，包括以下步骤：
a）将透明导电薄膜置于玻璃基板上，然后在所述透明导电薄膜上设置钙钛矿发光层，再在钙钛矿发光层上设置背电极；
b）在所述透明导电薄膜端和背电极端施加电压，用红外相机或可见光相机观察透明导电薄膜区域的发光现象，评估损伤情况。
在本发明提供的方法中，步骤a）中，设置所述钙钛矿发光层的具体步骤优选包括：
将钙钛矿前驱体的溶液涂布到所述透明导电薄膜的表面形成湿膜层，随后进行干燥和退火。
在本发明提供的上述设置钙钛矿发光层的步骤中，所述溶液中的钙钛矿前驱体的化学通式优选为MAnFA1-nPbX3，其中，MA为甲胺基，FA为甲脒基，X为卤素（F、Cl、Br和I中的一种或多种），0＜n＜1，n具体可为0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8或0.9；所述溶液中的溶剂优选为N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲亚砜和γ-丁内酯中的一种或多种；所述溶液中的钙钛矿前驱体的浓度优选为0.1~2mol/L，具体可为0.1mol/L、0.2mol/L、0.5mol/L、0.7mol/L、1mol/L、1.2mol/L、1.5mol/L、1.7mol/L或2mol/L，最优选为1mol/L。
在本发明提供的上述设置钙钛矿发光层的步骤中，所述湿膜层的厚度优选为50nm~50μm，具体可为200nm、500nm、700nm、1μm、5μm、10μm、20μm、30μm、40μm或50μm。
在本发明提供的上述设置钙钛矿发光层的步骤中，所述干燥的方式优选为风干；所述风干的气源包括但不限于空气、氮气、氮气或氩气；所述风干的风压优选为0.1~5MPa，具体可为0.1MPa、0.3MPa、0.5MPa、0.7MPa、1MPa、1.5MPa、2MPa、2.5MPa、3MPa、3.5MPa、4MPa、4.5MPa或5MPa，最优选为0.3MPa。
在本发明提供的上述设置钙钛矿发光层的步骤中，所述退火的温度优选为80~160℃，具体可为80℃、90℃、100℃、110℃、120℃、130℃、140℃、150℃或160℃，最优选为130℃；所述退火的时间优选为50~1500s，具体可为50s、100s、200s、300s、400s、500s、600s、700s、1000s、1200s或1500s，最优选为1200s。退火处理结束后，自然冷却至室温。
在本发明提供的方法中，步骤a）中，所述背电极的材质优选为铜、铝和金中的一种或多种；所述背电极的厚度优选为20~200nm，具体可为20nm、30nm、50nm、70nm、100nm、120nm、150nm、170nm或200nm。
在本发明提供的方法中，步骤a）中，设置所述背电极的具体方式优选为化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）或涂布。
在本发明提供的方法中，步骤a）中，完成所述背电极的设置后，得到的器件结构如图1所示。图1是本发明实施例提供的透明导电薄膜与其他功能层组装后的器件结构示意图，其中，1为背电极，2为钙钛矿发光层，3为透明导电薄膜，4为玻璃基板。
在本发明提供的方法中，步骤b）中，所述评估损伤情况的具体规则优选为：若所述透明导电薄膜区域发光均匀，则说明透明导电薄膜完好无损，反之亦然。
在本发明提供的方法中，还包括：c）根据步骤b）的损伤评估情况调整透明导电薄膜的前处理方法。
本发明提供的方法首先将透明导电薄膜组装成简单器件，然后在器件的透明导电薄膜端和背电极端施加电压，二者中间的钙钛矿发光层会由于电子注入而发射出特定波长的光子，当透明导电薄膜上存在损伤时，损伤区域所体现出来的发光效果会与其他区域存在差异，由此可判断透明导电薄膜的损伤情况。本发明提供的方法可以有效的表征透明导电薄膜的损伤情况，从而用于评价薄膜的生产、加工、处理、运输、清洗、改性等环节是否存在问题，确保薄膜质量满足后续加工生产的要求。
为更清楚起见，下面通过以下实施例进行详细说明。
实施例1
将透明导电薄膜（TCO）置于玻璃基板上，组装得到FTO导电玻璃；使用硬质尼龙毛刷对FTO导电玻璃上的TCO进行刷洗，烘干，做为测试样品。
以N,N-二甲基甲酰胺作为溶剂，MAnFA1-nPbX3（MA为甲胺基，FA为甲脒基，X为I，n=0.1）作为溶质，配制成浓度为1mol/L的钙钛矿前驱体的溶液；采用旋涂的方式，将上述溶液涂布到测试样品的TCO上，形成厚度50μm的湿膜；随后通过单一的高速风刀（压缩空气，风压0.3MPa）将湿膜吹干，形成干膜；然后再进行退火处理（100℃，10分钟），自然冷却至室温，完成钙钛矿发光层的设置；采用PVD的方式，在钙钛矿发光层上沉积一层200nm的金属铜，作为背电极。
用源表接通上述器件的TCO和Cu背电极，施加电压，用红外相机观察TCO区域的发光情况，结果如图2所示，图2是本发明实施例1提供的红外相机图。通过图2可以看出，TCO区域存在不同程度的划痕损伤，说明刷洗过程中对TCO造成了损伤，因此需要考虑降低尼龙毛刷的硬度，确保其不损伤TCO。
实施例2
将透明导电薄膜（TCO）置于玻璃基板上，组装得到FTO导电玻璃；使用镊子夹住脱脂棉对FTO导电玻璃上的TCO进行清洁，做为测试样品。
以γ-丁内酯作为溶剂，MAnFA1-nPbX3（MA为甲胺基，FA为甲脒基，X为I0.9Br0.1，n=0.2）作为溶质，配制成浓度为1mol/L的钙钛矿前驱体的溶液；采用喷涂的方式，将上述溶液涂布到测试样品的TCO上，形成厚度200nm的湿膜；随后通过单一的高速风刀（氮气，风压0.3MPa）将湿膜吹干，形成干膜；然后再进行退火处理（130℃，20分钟），自然冷却至室温，完成钙钛矿发光层的设置；采用PVD的方式，在钙钛矿发光层上沉积一层20nm的金属铜，作为背电极。
用源表接通上述器件的TCO和Cu背电极，施加电压，用红外相机观察TCO区域的发光情况，结果如图3所示，图3是本发明实施例2提供的红外相机图。通过图3可以看出，TCO区域存在压痕，说明该批次的TCO在出厂、运输或存放的过程中可能受到了意外碰压，从而造成了损伤，不适合再进行后续的加工制造。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种透明导电薄膜质量检测方法，包括以下步骤：
a）将透明导电薄膜置于玻璃基板上，然后在所述透明导电薄膜上设置钙钛矿发光层，再在钙钛矿发光层上设置背电极；
b）在所述透明导电薄膜端和背电极端施加电压，用红外相机或可见光相机观察透明导电薄膜区域的发光现象，评估损伤情况。
2.根据权利要求1所述的透明导电薄膜质量检测方法，其特征在于，步骤a）中，设置所述钙钛矿发光层的具体步骤包括：
将钙钛矿前驱体的溶液涂布到所述透明导电薄膜的表面形成湿膜层，随后进行干燥和退火。
3.根据权利要求2所述的透明导电薄膜质量检测方法，其特征在于，所述溶液中的钙钛矿前驱体的化学通式为MAnFA1-nPbX3，其中，MA为甲胺基，FA为甲脒基，X为卤素，0＜n＜1。
4.根据权利要求2所述的透明导电薄膜质量检测方法，其特征在于，所述溶液中的钙钛矿前驱体的浓度为0.1~2mol/L。
5.根据权利要求2所述的透明导电薄膜质量检测方法，其特征在于，所述湿膜层的厚度为50nm~50μm。
6.根据权利要求1所述的透明导电薄膜质量检测方法，其特征在于，步骤a）中，所述背电极的材质为铜、铝和金中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的透明导电薄膜质量检测方法，其特征在于，步骤a）中，所述背电极的厚度为20~200nm。
8.根据权利要求1所述的透明导电薄膜质量检测方法，其特征在于，步骤a）中，设置所述背电极的具体方式为化学气相沉积、物理气相沉积或涂布。
9.根据权利要求1所述的透明导电薄膜质量检测方法，其特征在于，步骤b）中，所述评估损伤情况的具体规则为：
若所述透明导电薄膜区域发光均匀，则说明透明导电薄膜完好无损，反之亦然。
10.根据权利要求1所述的透明导电薄膜质量检测方法，其特征在于，还包括：
c）根据步骤b）的损伤评估情况调整透明导电薄膜的前处理方法。
CN202210958976.4A 2022-08-11 2022-08-11 一种透明导电薄膜质量检测方法 Active CN115032209B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210958976.4A CN115032209B (zh) 2022-08-11 2022-08-11 一种透明导电薄膜质量检测方法
PCT/CN2023/073537 WO2024031936A1 (zh) 2022-08-11 2023-01-28 一种透明导电薄膜质量检测方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210958976.4A CN115032209B (zh) 2022-08-11 2022-08-11 一种透明导电薄膜质量检测方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115032209A true CN115032209A (zh) 2022-09-09
CN115032209B CN115032209B (zh) 2022-11-15

Family

ID=83130480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210958976.4A Active CN115032209B (zh) 2022-08-11 2022-08-11 一种透明导电薄膜质量检测方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN115032209B (zh)
WO (1) WO2024031936A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115957947A (zh) * 2022-11-29 2023-04-14 北京大学长三角光电科学研究院 涂布印刷方法及设备
WO2024031936A1 (zh) * 2022-08-11 2024-02-15 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 一种透明导电薄膜质量检测方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4590128A (en) * 1984-02-24 1986-05-20 Hoya Corporation Thin film EL element
US20150123046A1 (en) * 2013-11-01 2015-05-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Transparent conductive thin film
CN106410034A (zh) * 2016-09-30 2017-02-15 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种具有热致变色性能的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN109742239A (zh) * 2019-01-08 2019-05-10 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种基于钙钛矿薄膜的可见光条纹相机光阴极制备方法
US20190221742A1 (en) * 2018-01-12 2019-07-18 The Board Of Trustees Of The University Of Alabama Rapid metal oxide layer-specific photonic treatment using uv led for fabrication of flexible perovskite structures
CN111048680A (zh) * 2019-12-25 2020-04-21 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种红外透明钙钛矿发光二极管及其制备方法
CN113540363A (zh) * 2021-07-02 2021-10-22 华北电力大学 一种钙钛矿薄膜缺陷态的气相钝化方法
CN113937226A (zh) * 2021-10-15 2022-01-14 华能新能源股份有限公司 一种钙钛矿材料层的制备方法和钙钛矿太阳能电池

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3787185B2 (ja) * 1995-04-28 2006-06-21 アヴェンティス・リサーチ・ウント・テクノロジーズ・ゲーエムベーハー・ウント・コー・カーゲー 配線基板の配線の欠陥を検出する装置
JP2011138969A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 薄膜太陽電池モジュールの検査方法及び薄膜太陽電池モジュールの製造方法
CN202024966U (zh) * 2011-03-11 2011-11-02 天威新能源（扬州）有限公司 单体电池电致发光检测仪
CN102253046B (zh) * 2011-04-26 2013-06-05 3i系统公司 太阳能电池片电致发光缺陷检测与iv检测一体化系统
WO2019088235A1 (ja) * 2017-11-06 2019-05-09 国立大学法人九州大学 有機無機ペロブスカイト、膜、発光膜、遅延蛍光放射膜、発光素子および発光素子の製造方法
CN109540900B (zh) * 2018-09-25 2021-05-11 浙江浙能技术研究院有限公司 一种光伏组件隐裂判定方法
CN210005214U (zh) * 2019-07-25 2020-01-31 Tcl王牌电器(惠州)有限公司 Led灯板检测装置
CN111260617A (zh) * 2020-01-11 2020-06-09 上海应用技术大学 一种基于深度学习的太阳能电池板缺陷检测方法
CN111275679B (zh) * 2020-01-17 2023-06-02 同济大学 一种基于图像的太阳能电池缺陷检测系统及方法
CN113258006B (zh) * 2021-05-12 2022-12-09 华能新能源股份有限公司 一种含有栅线的钙钛矿电池结构及其制备方法
CN115032209B (zh) * 2022-08-11 2022-11-15 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 一种透明导电薄膜质量检测方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4590128A (en) * 1984-02-24 1986-05-20 Hoya Corporation Thin film EL element
US20150123046A1 (en) * 2013-11-01 2015-05-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Transparent conductive thin film
CN106410034A (zh) * 2016-09-30 2017-02-15 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种具有热致变色性能的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
US20190221742A1 (en) * 2018-01-12 2019-07-18 The Board Of Trustees Of The University Of Alabama Rapid metal oxide layer-specific photonic treatment using uv led for fabrication of flexible perovskite structures
CN109742239A (zh) * 2019-01-08 2019-05-10 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种基于钙钛矿薄膜的可见光条纹相机光阴极制备方法
CN111048680A (zh) * 2019-12-25 2020-04-21 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种红外透明钙钛矿发光二极管及其制备方法
CN113540363A (zh) * 2021-07-02 2021-10-22 华北电力大学 一种钙钛矿薄膜缺陷态的气相钝化方法
CN113937226A (zh) * 2021-10-15 2022-01-14 华能新能源股份有限公司 一种钙钛矿材料层的制备方法和钙钛矿太阳能电池

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
王熹等: ""基于喷涂法制备氧化锡薄膜的钙钛矿太阳能电池"", 《中国光学》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024031936A1 (zh) * 2022-08-11 2024-02-15 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 一种透明导电薄膜质量检测方法
CN115957947A (zh) * 2022-11-29 2023-04-14 北京大学长三角光电科学研究院 涂布印刷方法及设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN115032209B (zh) 2022-11-15
WO2024031936A1 (zh) 2024-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN115032209B (zh) 一种透明导电薄膜质量检测方法
Jiang et al. Negligible‐Pb‐waste and upscalable perovskite deposition technology for high‐operational‐stability perovskite solar modules
Chu et al. Cost effective perovskite solar cells with a high efficiency and open-circuit voltage based on a perovskite-friendly carbon electrode
JP6382781B2 (ja) 半導体素子の製造方法および製造装置
Ding et al. The role of surface defects in photoluminescence and decay dynamics of high-quality perovskite MAPbI3 single crystals
CN111192971B (zh) 低滚降准二维钙钛矿发光二极管及其制备方法
US9985238B2 (en) Electrolytic copper foil and electronic device
CN106526719B (zh) 同质双层SiO2与聚四氟乙烯复合的自清洁减反膜及制备方法
CN108376741B (zh) 一种具有能带梯度的钙钛矿可见光探测器及其制备方法
JP2018049970A (ja) 光電変換素子
CN111430480A (zh) 一种同质结钙钛矿光电探测器及其制备方法和用途
Ghosh et al. Long term stability assessment of perovskite solar cell via recycling of metal contacts under ambient conditions
CN105938793B (zh) 一种针对背镀晶片的清洗工艺
US20120015164A1 (en) Glass product and method for producing the same
CN106784205B (zh) Qled及其制备方法
JP6960233B2 (ja) 太陽電池モジュール
CN209993623U (zh) 发光二极管
CN218998736U (zh) 一种钙钛矿太阳能电池
CN117917945A (zh) 一种层厚均匀的太阳能电池及其制备方法
TWI747546B (zh) 積層體、有機薄膜太陽電池、積層體之製造方法及有機薄膜太陽電池之製造方法
DeSilva et al. Optical Properties of Alq3/TiO2 BDR Structure Processed by Spin Coating Technique
CN217239987U (zh) 半导体激光器及其增透膜以及半导体激光器的镀膜装置
KR20230128907A (ko) 태양전지용 플렉서블 투명 전극 및 이를 포함하는 태양전지
CN107134530A (zh) 一种无掺杂钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN114411089B (zh) 一种复合透明导电薄膜及其氨基酸锚定法制备工艺与应用

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant