CN115020546A - 双面钝化接触太阳电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及光伏电池领域，具体涉及双面钝化接触太阳电池及其制备方法。本发明的制备方法包括：采用PoPaid技术在正面经过制结后的硅片的正面和背面分别制备氧化硅层，而后采用PoPaid技术在硅片的背面制备掺杂非晶硅层，采用激光图形转印技术在硅片正面局部印刷掺硼硅浆料，涂覆位置与正面电极图形相对应，而且印刷宽度大于等于栅线宽度，经过退火后制得局域掺硼多晶硅层。该制备方法能够有效避免多晶硅绕镀问题，而且步骤简单，成本低，制备的双面局域钝化接触太阳电池能够完美解决光学损耗及表面复合问题。
Description
技术领域
本发明涉及光伏电池领域，具体涉及双面钝化接触太阳电池及其制备方法。
背景技术
TOPCon电池因为其较高的转化效率、超低的光子衰减以及双面发电的特性受到越来越多的关注。目前TOPCon电池已经实现大规模的量产，但是其表面复合问题尚未解决。传统TOPCon电池的生产步骤为:1、清洗制绒；2、B扩散；3、链式去背面BSG；4、碱抛光；5、镀隧穿氧化层和poly-Si层；6、退火；7、去正面绕镀和BSG；8、正面镀氧化铝；9、双面镀氮化硅；10、丝网印刷；在整个生产过程中，使用的酸碱溶液成本较高，而且存在掺杂多晶硅绕镀，正面硼掺杂的金属复合以及俄歇复合等问题。
为了解决上述技术问题，研究人员也开发了一些生产方法，其中包括正面掺杂制备TOPCon电池。TOPCon电池正面掺杂区域的特点：重掺杂可以满足良好的金属接触的同时，在一定程度上降低了金属复合，然而重掺杂的非金属区域硅中俄歇复合占主导，体复合严重；轻掺杂能够有效降低俄歇复合，提升少子体寿命，然而轻掺杂金属接触性能变差，金属区域金属复合严重。选择性掺杂可有效避免上述掺杂出现的矛盾，但现有的选择性掺杂实现的方法比如类PSE法、两步硼扩法、载体硼扩法等也都存在较多问题。
双面TOPCon电池能够解决表面复合问题，双面TOPCon电池的生产步骤为：1、清洗制绒；2、B扩散；3、链式去背面BSG；4、碱抛光；5、镀隧穿氧化层+poly-Si层；6、退火；7、去正面绕镀和BSG；8、正面镀隧穿氧化层+poly-Si层；9、去背面绕镀；10、正面镀氧化铝；11、双面镀氮化硅；12、丝网印刷；双面TOPCon电池制备步骤复杂，生产成本高，存在多处绕镀，即使正面多晶硅能够产生钝化接触解决复合问题，但是高寄生吸收大大降低了效率，限制了双面TOPCon电池的发展。
现有技术CN 111987188A公开了一种钝化接触电池的制备方法，包括如下步骤：1)选取硅片；2)制绒；3)制正面发射极；4)去除表面氧化物；5)制超薄氧化层；6)局部沉积重掺杂非晶硅；7)非晶硅退火；8)背面刻蚀和抛光；9)制背面掺杂层；10)去除表面氧化物；11)制正面和背面钝化层；12)制正面和背面金属电极。其技术方案是采用重掺杂非晶硅的石英板作为靶材，通过激光扫描，蒸发靶材得到局部沉积重掺杂非晶硅，该技术方案步骤复杂，制备工艺需要掩膜，而且成本较高并不利于工业化批量生产。
发明内容
鉴于此，本发明提出了一种利用PoPaid技术(Plasma Oxidation&PlasmaAssisted Insitudoping Deposition，等离子氧化及等离子辅助原位掺杂技术)与激光图形转印技术(Pattern Transfer Printing，简称PTP，简称激光转印技术)相结合的方法，可以制备双面局域钝化接触太阳电池，该制备方法步骤简单，成本低，正面局域钝化完美解决了光学损耗及表面复合问题。其中，PoPaid(Plasma Oxidation&Plasma AssistedInsitudoping Deposition)设备结合了等离子氧化及等离子辅助原位掺杂技术。PoPaid利用链式平台传输载板，能够在不破坏真空的情况下同时完成隧穿氧化和掺杂非晶硅沉积，可以做到无绕镀。激光图形转印技术(Pattern Transfer Printing，简称PTP)是一种新型的非接触式的印刷技术，该技术在特定柔性透光材料上涂覆所需浆料，采用高功率激光光束高速图形化扫描，将浆料从柔性透光材料上转移至电池表面，形成栅线。
本发明提供了一种双面钝化接触太阳电池的制备方法，包括：
采用PoPaid技术在正面经过制结后的硅片的正面和背面分别制备氧化硅层，而后采用PoPaid技术在硅片的背面制备掺杂非晶硅层，采用激光图形转印技术在硅片正面局部印刷掺硼硅浆料，涂覆位置与正面电极图形相对应，而且印刷宽度大于等于栅线宽度，经过退火后制得局域掺硼多晶硅层。
作为本发明的一种优选的实施方案，所述氧化硅层的厚度为1～3纳米。
作为本发明的一种优选的实施方案，所述掺杂非晶硅层的厚度为80～130纳米。
作为本发明的一种优选的实施方案，采用PoPaid技术制备掺杂非晶硅层时，通过Ar离子轰击Si靶材的同时通入PH4源，以制备掺杂非晶硅层。
作为本发明的一种优选的实施方案，制备方法还包括：在硅片制备双面氧化硅层前，先对硅片进行清洗制绒，而后对制绒后的硅片进行硼扩散，然后采用链式清洗装置，使硅片先在酸槽中去除背面的BSG，而后经预清洗后在碱抛槽中对背面进行碱抛光，之后经后清洗后在酸槽中去除硅片正面的BSG。
作为本发明的一种优选的实施方案，本发明的制备方法具体包括以下步骤：
(1)对硅片进行清洗制绒；
(2)对制绒后的硅片进行硼扩散；
(3)去除硅片背面BSG；
(4)对硅片背面进行抛光并且去除硅片正面BSG；
(5)采用PoPaid技术在硅片的正面和背面分别制备氧化硅层，而后采用PoPaid技术在硅片的背面制备掺杂非晶硅层，采用激光图形转印技术在硅片正面局部印刷掺硼硅浆料，涂覆位置与正面电极图形相对应，而且印刷宽度大于等于栅线宽度，经过退火后制得局域掺硼多晶硅层；
(6)在局域掺硼多晶硅层表面制备氧化铝层；
(7)在硅片正反面制备氮化硅层；
(8)在氮化硅层表面制备电极。
作为本发明的一种优选的实施方案，采用丝网印刷方式制备电极。
作为本发明的一种优选的实施方案，所述氧化铝层厚度为5～8nm；
和/或，采用等离子体增强化学气相沉积法制备氮化硅层。
作为本发明的一种优选的实施方案，所述硅片为N型单晶硅片。
本领域技术人员可以进一步通过对上述优选方案进行组合，以得到本发明中双面钝化接触太阳电池的制备方法的其它较优实施例。
进一步地，本发明还提供了一种双面钝化接触太阳电池，其由上述任一实施方案制得。
作为本发明的一种优选的实施方案，双面钝化接触太阳电池包括硅片，所述硅片的正面依次设置有P型发射极、超薄氧化硅、局域掺杂多晶硅层、氧化铝层、氮化硅层、电极；所述硅片背面依次设置有超薄氧化硅、掺杂多晶硅层、氮化硅层、电极。
相比现有技术，本发明的有益效果在于：
本发明采用PoPaid技术制备双面超薄氧化硅层和poly-Si层，能够有效避免多晶硅绕镀问题，减少清洗步骤，降低成本。而且通过双面镀超薄氧化硅，并且通过激光图形转印技术在硅片正面局部印刷掺硼/磷硅浆料，制备双面钝化接触结构，完美解决了光学损耗及表面复合问题。
具体实施方式
下面描述本发明的双面钝化接触太阳电池的制备方法，本发明的双面钝化接触太阳电池的制备方法包括：采用PoPaid技术在正面经过制结后的硅片的正面和背面分别制备氧化硅层，而后采用PoPaid技术在硅片的背面制备掺杂非晶硅层，采用激光图形转印技术在硅片正面局部印刷掺硼硅浆料，涂覆位置与正面电极图形相对应，而且印刷宽度大于等于栅线宽度，经过退火后制得局域掺硼多晶硅层。
根据本发明的一个优选实施例，控制氧化硅层的厚度为1～3纳米。PoPaid设备中的Po腔可以形成双面超薄氧化硅，通过设置超薄氧化硅层，有利于提升Paid腔中掺杂非晶硅膜沉积效果。
根据本发明的一个优选实施例，所述掺杂非晶硅层的厚度为80～130纳米。
PoPaid设备中的Paid腔利用等离子辅助原位掺杂技术可以实现掺杂非晶硅膜沉积。
根据本发明的一个优选实施例，采用PoPaid技术制备掺杂非晶硅层时，通过Ar离子轰击Si靶材的同时通入PH4源，以制备掺杂非晶硅层。
根据本发明的一个优选实施例，PoPaid设备在制备氧化硅层和掺杂非晶硅层时，采用下镀膜方式可避免绕镀问题。
根据本发明的一个优选实施例，在硅片制备双面氧化硅层前，先对硅片进行清洗制绒，而后对制绒后的硅片进行硼扩散，然后采用链式清洗装置，使硅片先在酸槽中去除背面的BSG，而后经预清洗后在碱抛槽中对背面进行碱抛光，之后经后清洗后在酸槽中去除硅片正面的BSG。
在具体实施过程中，把带有P型发射极的N型硅片放入链式去BSG设备中，去掉背面BSG；设备中HF和DI的体积比为0.5％-10％，带速2-3m/min；去背面BSG后，将带有P型发射极的N型硅片进行预清洗，预清洗槽内的KOH(氢氧化钾)和DI(去离子水)的体积比为0.1％-5％，add(添加剂)和DI的体积比为0.1％-5％，时间为100-300s，温度为50-85℃；清洗后放入碱抛槽内，碱抛槽内的KOH和DI的体积比为0.1％-5％，add和DI的体积比为0.1％-5％，时间为200-400s，温度为50-85℃；碱抛后进行后清洗，后清洗槽内的KOH和DI的体积比为0.1％-5％，add和DI的体积比为0.1％-5％，时间为100-300s，温度为50-85℃；后清洗后将硅片放入酸槽内，酸槽内的溶液为HF(氢氟酸)和HCl(盐酸)，HF和DI的体积比为0.01％-10％，HCl和DI的体积比为0.01％-10％，时间为100-300s，温度为室温-85℃。
其中，碱抛的最后一个槽含有HF，只需调整浓度、时间等参数就可以去除正面BSG。通过上述清洗步骤，可以将电池背面抛光，同时可以去掉正面的BSG。
根据本发明的一个优选实施例，本发明的制备方法具体包括以下步骤：
(1)对硅片进行清洗制绒；
(2)对制绒后的硅片进行硼扩散；
(3)去除硅片背面BSG；
(4)对硅片背面进行抛光并且去除硅片正面BSG；
(5)采用PoPaid技术在硅片的正面和背面分别制备氧化硅层，而后采用PoPaid技术在硅片的背面制备掺杂非晶硅层，采用激光图形转印技术在硅片正面局部印刷掺硼硅浆料，涂覆位置与正面电极图形相对应，而且印刷宽度大于等于栅线宽度，经过退火后制得局域掺硼多晶硅层；
(6)在局域掺硼多晶硅层表面制备氧化铝层；
(7)在硅片正反面制备氮化硅层；
(8)在氮化硅层表面制备电极。
通过上述实施方案，可通过较为简单的步骤、较低的成本实现制备双面局域钝化接触太阳电池，而且能够完美解决光学损耗及表面复合问题。
根据本发明的一个优选实施例，采用丝网印刷方式制备电极。
根据本发明的一个优选实施例，所述氧化铝层厚度为5～8纳米；
和/或，采用等离子体增强化学气相沉积法制备氮化硅层。
根据本发明的一个优选实施例，所述硅片为N型单晶硅片。
进一步地，本发明还提供了一种双面钝化接触太阳电池，其由上述任一具体实施方案制得，本发明制备的双面钝化接触太阳电池，满足高产能需求的同时，增强了表面钝化，完美解决了金属复合和俄歇复合问题，具有较高的推广应用价值。
以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创新性改进的前提下所获得的其他实施例都属于本发明保护范围。
实施例中未注明具体技术或条件者，均为常规方法或者按照本领域的文献所描述的技术或条件进行，或者按照产品说明书进行。所用试剂和仪器等未注明生产厂商者，均为可通过正规渠道商购买得到的常规产品。
实施例1
本实施例提供了一种双面钝化接触太阳电池及其制备方法。
双面钝化接触太阳电池包括：N型单晶硅片，N型硅片正面依次设置P型发射极、超薄氧化硅层、局域掺硼多晶硅层、氧化铝层、氮化硅层、银铝电极；N型硅片背面依次设置超薄SiO2、掺杂多晶硅层、氮化硅层、银电极。其具体制备步骤如下：
1、将N型硅片清洗制绒：把厚度为160um的N型硅片依次放入粗抛槽和制绒槽，配合水洗、酸洗、烘干等完成制绒。
2、硼扩散：把制绒完的硅片放置硼扩管中进行硼扩散。
3、链式去背面BSG、背面碱抛光以及去正面BSG：该设备的槽体配置为：(1)链式去BSG；(2)预清洗；(3)碱抛槽；(4)后清洗；(5)酸槽(碱抛的最后一个槽含有HF，只需调整浓度、时间等参数就可以去除正面BSG)。
把带有P型发射极的N型硅片放入链式去BSG设备中，去掉背面BSG。
去背面BSG后，将带有P型发射极的N型硅片进行预清洗，清洗后放入碱抛槽内，碱抛后进行后清洗，后清洗后将片子放入酸槽内酸洗。
(注：这种清洗步骤可以将电池背面抛光，同时可以去掉正面的BSG)
4、采用PoPaid设备下镀膜方式双面镀SiOx+Poly-Si：Po腔为等离子氧化腔，以氧气为通入源，在硅片表面(正/背面)生成超薄氧化硅，氧化硅厚度为1.7nm。Paid腔是等离子辅助原位掺杂腔，通过Ar离子轰击Si靶材的同时通入PH4源，实现掺杂非晶硅层沉积，掺杂非晶硅层的厚度为120nm。
5、正面局域激光转印掺硼硅浆料+烘干：通过激光转印，在硅片正面局部印刷掺硼硅浆料，掺硼硅浆料的印刷区域与电池正面电极图形相对应，印刷宽度大于等于栅线宽度；
6、退火：在退火炉中对硅片进行退火，使非晶硅晶化且使掺杂物质推进并激活；退火的工艺条件为：860℃，高温15min，常压，氮气气氛。
7、正面镀氧化铝层：采用理想晶延ALD设备，以H2O、C3H9Al为通入源，温度为200℃，制备出10nm的密氧化铝层，富集负电荷的氧化铝薄层将对P+层起到场钝化作用。
8、双面抗反射层：采用PECVD方式制备双面氮化硅层，以SiH4、NH3为通入源，管压控制在1800mTorr，温度为500℃。
9、双面金属化：采用丝网印刷设备制备双面电极，正面栅线网版图形需要与正面掺硼硅浆料的沉积区域相对应。
实施例2
本实施例提供了一种双面钝化接触太阳电池及其制备方法。
双面钝化接触太阳电池包括：N型单晶硅片，N型硅片正面依次设置P型发射极、超薄氧化硅层、局域掺硼多晶硅层、氧化铝层、氮化硅层、银铝电极；N型硅片背面依次设置超薄SiO2、掺杂多晶硅层、氮化硅层、银电极。其具体制备步骤如下：
1、将N型硅片清洗制绒：把厚度为160um的N型硅片依次放入粗抛槽和制绒槽，配合水洗、酸洗、烘干等完成制绒。
2、硼扩散：把制绒完的硅片放置硼扩管中进行硼扩散。
3、链式去背面BSG、背面碱抛光以及去正面BSG：该设备的槽体配置为：(1)链式去BSG；(2)预清洗；(3)碱抛槽；(4)后清洗；(5)酸槽(碱抛的最后一个槽含有HF，只需调整浓度、时间等参数就可以去除正面BSG)。
把带有P型发射极的N型硅片放入链式去BSG设备中，去掉背面BSG。
去背面BSG后，将带有P型发射极的N型硅片进行预清洗，清洗后放入碱抛槽内，碱抛后进行后清洗，后清洗后将片子放入酸槽内酸洗。
(注：这种清洗步骤可以将电池背面抛光，同时可以去掉正面的BSG)
4、采用PoPaid设备下镀膜方式双面镀SiOx+Poly-Si：Po腔为等离子氧化腔，以氧气为通入源，在硅片表面(正/背面)生成超薄氧化硅，氧化硅厚度为1.6nm。Paid腔是等离子辅助原位掺杂腔，通过Ar离子轰击Si靶材的同时通入PH4源，实现掺杂非晶硅层沉积，掺杂非晶硅层的厚度为115nm。
5、正面局域激光转印掺硼硅浆料+烘干：通过激光转印，在硅片正面局部印刷掺硼硅浆料，掺硼硅浆料的印刷区域与电池正面电极图形相对应，印刷宽度大于等于栅线宽度；
6、退火：在退火炉中对硅片进行退火，使非晶硅晶化且使掺杂物质推进并激活；退火的工艺条件为：840℃，高温18min，常压，氮气气氛。
7、正面镀氧化铝层：采用理想晶延ALD设备，以H2O、C3H9Al为通入源，温度为200℃，制备出10nm的密氧化铝层，富集负电荷的氧化铝薄层将对P+层起到场钝化作用。
8、双面抗反射层：采用PECVD方式制备双面氮化硅层，以SiH4、NH3为通入源，管压控制在1800mTorr，温度为480℃。
9、双面金属化：采用丝网印刷设备制备双面电极，正面栅线网版图形需要与正面掺硼硅浆料的沉积区域相对应。
实施例3
本实施例提供了一种双面钝化接触太阳电池及其制备方法。
双面钝化接触太阳电池包括：N型单晶硅片，N型硅片正面依次设置P型发射极、超薄氧化硅层、局域掺硼多晶硅层、氧化铝层、氮化硅层、银铝电极；N型硅片背面依次设置超薄SiO2、掺杂多晶硅层、氮化硅层、银电极。其具体制备步骤如下：
1、将N型硅片清洗制绒：把厚度为160um的N型硅片依次放入粗抛槽和制绒槽，配合水洗、酸洗、烘干等完成制绒。
2、硼扩散：把制绒完的硅片放置硼扩管中进行硼扩散。
3、链式去背面BSG、背面碱抛光以及去正面BSG：该设备的槽体配置为：(1)链式去BSG；(2)预清洗；(3)碱抛槽；(4)后清洗；(5)酸槽(碱抛的最后一个槽含有HF，只需调整浓度、时间等参数就可以去除正面BSG)。
把带有P型发射极的N型硅片放入链式去BSG设备中，去掉背面BSG。
去背面BSG后，将带有P型发射极的N型硅片进行预清洗，清洗后放入碱抛槽内，碱抛后进行后清洗，后清洗后将片子放入酸槽内酸洗。
(注：这种清洗步骤可以将电池背面抛光，同时可以去掉正面的BSG)
4、采用PoPaid设备下镀膜方式双面镀SiOx+Poly-Si：Po腔为等离子氧化腔，以氧气为通入源，在硅片表面(正/背面)生成超薄氧化硅，氧化硅厚度为1.6nm。Paid腔是等离子辅助原位掺杂腔，通过Ar离子轰击Si靶材的同时通入PH4源，实现掺杂非晶硅层沉积，掺杂非晶硅层的厚度为120nm。
5、正面局域激光转印掺硼硅浆料+烘干：通过激光转印，在硅片正面局部印刷掺硼硅浆料，掺硼硅浆料的印刷区域与电池正面电极图形相对应，印刷宽度大于等于栅线宽度；
6、退火：在退火炉中对硅片进行退火，使非晶硅晶化且使掺杂物质推进并激活；退火的工艺条件为：850℃，高温20min，常压，氮气气氛。
7、正面镀氧化铝层：采用理想晶延ALD设备，以H2O、C3H9Al为通入源，温度为200℃，制备出10nm的密氧化铝层，富集负电荷的氧化铝薄层将对P+层起到场钝化作用。
8、双面抗反射层：采用PECVD方式制备双面氮化硅层，以SiH4、NH3为通入源，管压控制在1800mTorr，温度为490℃。
9、双面金属化：采用丝网印刷设备制备双面电极，正面栅线网版图形需要与正面掺硼硅浆料的沉积区域相对应。
实施例4
本实施例提供了一种双面钝化接触太阳电池及其制备方法。
双面钝化接触太阳电池包括：N型单晶硅片，N型硅片正面依次设置P型发射极、超薄氧化硅层、局域掺硼多晶硅层、氧化铝层、氮化硅层、银铝电极；N型硅片背面依次设置超薄SiO2、掺杂多晶硅层、氮化硅层、银电极。其具体制备步骤如下：
1、将N型硅片清洗制绒：把厚度为160um的N型硅片依次放入粗抛槽和制绒槽，配合水洗、酸洗、烘干等完成制绒。
2、硼扩散：把制绒完的硅片放置硼扩管中进行硼扩散。
3、链式去背面BSG、背面碱抛光以及去正面BSG：该设备的槽体配置为：(1)链式去BSG；(2)预清洗；(3)碱抛槽；(4)后清洗；(5)酸槽(碱抛的最后一个槽含有HF，只需调整浓度、时间等参数就可以去除正面BSG)。
把带有P型发射极的N型硅片放入链式去BSG设备中，去掉背面BSG。
去背面BSG后，将带有P型发射极的N型硅片进行预清洗，清洗后放入碱抛槽内，碱抛后进行后清洗，后清洗后将片子放入酸槽内酸洗。
(注：这种清洗步骤可以将电池背面抛光，同时可以去掉正面的BSG)
4、采用PoPaid设备下镀膜方式双面镀SiOx+Poly-Si：Po腔为等离子氧化腔，以氧气为通入源，在硅片表面(正/背面)生成超薄氧化硅，氧化硅厚度为1.8nm。Paid腔是等离子辅助原位掺杂腔，通过Ar离子轰击Si靶材的同时通入PH4源，实现掺杂非晶硅层沉积，掺杂非晶硅层的厚度为110nm。
5、正面局域激光转印掺硼硅浆料+烘干：通过激光转印，在硅片正面局部印刷掺硼硅浆料，掺硼硅浆料的印刷区域与电池正面电极图形相对应，印刷宽度大于等于栅线宽度；
6、退火：在退火炉中对硅片进行退火，使非晶硅晶化且使掺杂物质推进并激活；退火的工艺条件为：850℃，高温16min，常压，氮气气氛。
7、正面镀氧化铝层：采用理想晶延ALD设备，以H2O、C3H9Al为通入源，温度为200℃，制备出10nm的密氧化铝层，富集负电荷的氧化铝薄层将对P+层起到场钝化作用。
8、双面抗反射层：采用PECVD方式制备双面氮化硅层，以SiH4、NH3为通入源，管压控制在1850mTorr，温度为500℃。
9、双面金属化：采用丝网印刷设备制备双面电极，正面栅线网版图形需要与正面掺硼硅浆料的沉积区域相对应。
试验例
对上述实施例制得的双面钝化接触太阳电池性能进行测试。各项测试指标均参照现有技术中的常规测试方法，工业生产的单面TOPCon电池通过市售途径购买获得，测试结果如下：
虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施方案对本发明作了详尽的描述，但在本发明基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本发明要求保护的范围。
Claims (10)
1.一种双面钝化接触太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：
采用PoPaid技术在正面经过制结后的硅片的正面和背面分别制备氧化硅层，而后采用PoPaid技术在硅片的背面制备掺杂非晶硅层，采用激光图形转印技术在硅片正面局部印刷掺硼硅浆料，涂覆位置与正面电极图形相对应，而且印刷宽度大于等于栅线宽度，经过退火后制得局域掺硼多晶硅层。
2.根据权利要求1所述的双面钝化接触太阳电池的制备方法，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为1～3纳米。
3.根据权利要求1或2所述的双面钝化接触太阳电池的制备方法，其特征在于，所述掺杂非晶硅层的厚度为80～130纳米。
4.根据权利要求3所述的双面钝化接触太阳电池的制备方法，其特征在于，采用PoPaid技术制备掺杂非晶硅层时，通过Ar离子轰击Si靶材的同时通入PH4源，以制备掺杂非晶硅层。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的双面钝化接触太阳电池的制备方法，其特征在于，还包括：在硅片制备双面氧化硅层前，先对硅片进行清洗制绒，而后对制绒后的硅片进行硼扩散，然后采用链式清洗装置，使硅片先在酸槽中去除背面的BSG，而后经预清洗后在碱抛槽中对背面进行碱抛光，之后经后清洗后在酸槽中去除硅片正面的BSG。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的双面钝化接触太阳电池的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
(1)对硅片进行清洗制绒；
(2)对制绒后的硅片进行硼扩散；
(3)去除硅片背面BSG；
(4)对硅片背面进行抛光并且去除硅片正面BSG；
(5)采用PoPaid技术在硅片的正面和背面分别制备氧化硅层，而后采用PoPaid技术在硅片的背面制备掺杂非晶硅层，采用激光图形转印技术在硅片正面局部印刷掺硼硅浆料，涂覆位置与正面电极图形相对应，而且印刷宽度大于等于栅线宽度，经过退火后制得局域掺硼多晶硅层；
(6)在局域掺硼多晶硅层表面制备氧化铝层；
(7)在硅片正反面制备氮化硅层；
(8)在氮化硅层表面制备电极。
7.根据权利要求6所述的双面钝化接触太阳电池的制备方法，其特征在于，采用丝网印刷方式制备电极。
8.根据权利要求6所述的双面钝化接触太阳电池的制备方法，其特征在于，所述氧化铝层厚度为5～8纳米；
和/或，采用等离子体增强化学气相沉积法制备氮化硅层。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的双面钝化接触太阳电池的制备方法，其特征在于，所述硅片为N型单晶硅片。
10.一种双面钝化接触太阳电池，其特征在于，其由权利要求1～9中任一项所述的制备方法制得。
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