CN115020512B - 一种TOPCon光伏电池及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 26
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 13
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 13
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 42
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 24
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 15
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 15
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 1
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 1
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 210000004692 intercellular junction Anatomy 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
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- H—ELECTRICITY
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- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1868—Passivation
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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Abstract
一种TOPCon光伏电池及其制备方法，属于光伏电池技术领域。现有的TOPCon电池结构通常用SiNx、Al2O3/SiNx对N型、P型区域表面进行钝化。SiNx与Si之间、Al2O3与Si之间均会存在一定的晶格失配，电池转换效率低。本发明以N型硅衬底，正面设置P型掺杂区，P型掺杂区的表面钝化结构为：沿着远离P型掺杂区的方向依次设置的SiO2层、Al2O3层和SiNx层；N型硅衬底的表面钝化结构为：沿着远离N型硅衬底的方向依次设置的SiO2层、多晶硅层和SiO2/SiOxNy/SiNx复合掺杂层，降低晶格失配程度，降低界面处的态密度，使电池转换效率更高。
Description
技术领域
一种TOPCon光伏电池及其制备方法，属于光伏电池技术领域。
背景技术
随着光伏电池研究的不断深入，各种不同结构的高效光伏电池结构应运而生，同时光伏电池转换效率逐渐接近理论极限。目前主流的商业化光伏电池为PERC光伏电池，该电池结构对发射极及电池背面进行了钝化，采用局域背电极接触的方式降低了电极接触复合，对电池转换效率有一定的改善。然而电极与晶硅的接触区域仍然存在较高的复合率，且局域电极接触需要载流子通过二维输运才能被电极收集，造成横向输运电阻损耗，影响了电池转换效率的进一步提高。TOPCon结构光伏电池在背电极与体硅之间增加了一层超薄氧化层和掺杂的多晶硅层作为钝化接触层，降低了电极接触区域缺陷密度的同时，增强了载流子的选择性接触，降低了多数载流子和少数载流子之间的复合，同时避免了载流子横向输运的电阻损失，效率突破25%。据ISFH（Institute for Solar Energy Research inHamelin）计算显示，TOPCon电池的理论极限效率为28.7%，预计未来几年将会迎来TOPCon电池的快速发展。
现有的TOPCon电池结构通常用SiNx对N型区域表面进行钝化，用Al2O3/SiNx对P型区域表面进行钝化。目前的N型TOPCon电池结构中，正面硼扩散后采用Al2O3/SiNx对表面进行钝化，背面沉积SiO2/poly-Si钝化层后采用SiNx对表面进行钝化。由于SiNx和Al2O3的晶格常数与Si的晶格常数不同，SiNx与Si之间、Al2O3与Si之间均会存在一定的晶格失配，电池转换效率低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种电池转换效率更高的TOPCon光伏电池及其制备方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种TOPCon光伏电池，其特征在于：以N型硅衬底，正面设置P型掺杂区，P型掺杂区的表面钝化结构为：沿着远离P型掺杂区的方向依次设置的SiO2层、 Al2O3层和SiNx层；N型硅衬底的表面钝化结构为：沿着远离N型硅衬底的方向依次设置的SiO2层、多晶硅层和SiO2/SiOxNy/SiNx复合掺杂层。
上述TOPCon光伏电池中，在正面先沉积一层超薄的SiO2层作为晶格过渡层，再沉积Al2O3/SiNx层作为钝化和减反层，以降低Al2O3/Si界面的界面态密度，减少载流子的复合。在背面沉积SiO2/poly-Si钝化接触层后，沉积SiO2/SiOxNy/SiNx渐变层对表面进行钝化，在降低界面态密度的同时，保证了良好的钝化效果及表面保护功能。利用SiO2作为在Al2O3与Si之间的晶格过渡层降低了界面态密度，减少载流子复合损失，同时不会影响Al2O3对P型区域的场钝化效果。由于Si的晶格常数为5.658，Al2O3的晶格常数为4.761，这两种材料存在一定的晶格失配，使界面处的界面态密度增加，进而导致载流子的复合率增大，降低光伏电池转换效率。而SiO2是氧原子直接与硅形成硅-氧键而形成的薄膜，与硅晶格具有很好的适配性，且SiO2晶格常数为4.914，与Al2O3的晶格常数较为接近。因此，与Si/ Al2O3界面相比，SiO2/Al2O3界面具有更好的匹配性。当在Al2O3与Si之间增加SiO2层作为过渡层之后，可以在一定程度上降低晶格失配程度，降低界面处的态密度，进而降低载流子复合损失。
SiO2/SiOxNy/SiNx渐变层作为钝化结构，使Si晶格与SiNx晶格之间有一个晶格过渡，降低界面态密度，减少载流子复合损失。其中SiO2与Si晶格具有很好的匹配性，界面态密度小；SiNx生长过程中逐渐从SiO2过渡到SiOxNy，再过渡到SiNx，大大降低了SiO2与SiNx之间的晶格不匹配度，降低了界面载流子复合损失。
能够在保证光伏电池表面钝化效果的同时，最大限度降低对电池转换效率的影响，提高电池转换效率。
优选的，所述的N型硅衬底的钝化结构与P型掺杂区的钝化结构中的SiO2层厚度均为1~2nm。控制工艺时间与工艺成本。
优选的，所述的Al2O3层厚度为2~5nm。
在不影响器件电阻的情况下获得良好的钝化效果。
优选的，所述的SiO2/SiOxNy/SiNx复合掺杂层厚度为60~100nm。保证对器件表面良好的钝化和保护作用。
优选的，层结构自正面到背面依次为SiNx层、Al2O3层、正面SiO2层、P型掺杂区、N型硅衬底、反面SiO2层、多晶硅层与SiO2/SiOxNy/SiNx复合掺杂层。
一种上述TOPCon光伏电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
1）取N型硅衬底，用RCA标准清洗法清洗，并制备金字塔绒面陷光结构；
2）在金字塔陷光面硼扩散形成P型掺杂区；
3）刻蚀去除侧面、正面和背面的BSG与PN结；
4）热氧化N型硅衬底背面与P型掺杂区表面，获得SiO2层；
5）N型衬底背面SiO2层用化学气相沉积法在表面沉积获得多晶硅层；
6）刻蚀去除绕镀到正面及侧面的多晶硅层；
7）正面用ALD法沉积Al2O3层，然后在Al2O3层表面用化学气相沉积法沉积SiNx层；
8）背面化学沉积法沉积SiO2/SiOxNy/SiNx复合掺杂层；其中，沉积过程具体沉积方法为：连续供气条件下，在0.5~3min内由上一成分的沉积气体逐渐切换为下一成分的沉积气体。
优选的，步骤5）所述的沉积获得多晶硅层后经过600~800℃退火。
优选的，所述的化学沉积法沉积SiO2/SiOxNy/SiNx复合掺杂层采用源气体为SiH4、NH3和N2O。
进一步优选的，所述的化学沉积法沉积SiO2/SiOxNy/SiNx复合掺杂层包括以下步骤：最开始的0~10nm厚度的沉积过程源气体为SiH4和N2O按体积比1：3；10~20nm厚度的沉积过程中源气体为SiH4、N2O和NH3按体积比1：2：2；20nm后的厚度范围沉积过程中源气体采用SiH4、N2O和NH3按体积比1：0：4。
采用渐变的气体流量，改变源气体中的成分，进而使多晶硅层表面形成掺杂的、渐变的SiO2/SiOxNy/SiNx复合掺杂层，获得的SiO2/SiOxNy/SiNx复合掺杂层使Si晶格与SiNx晶格之间有一个晶格过渡，降低界面态密度，减少载流子复合损失。其中SiO2与Si晶格具有很好的匹配性，界面态密度小；SiNx生长过程中逐渐从SiO2过渡到SiOxNy，再过渡到SiNx，大大降低了SiO2与SiNx之间的晶格不匹配度，降低了界面载流子复合损失。
与现有技术相比，本发明所具有的有益效果是：在正面先沉积一层超薄的SiO2层作为晶格过渡层，再沉积Al2O3/SiNx层作为钝化和减反层，以降低Al2O3/Si界面的界面态密度，减少载流子的复合。在背面沉积SiO2/poly-Si钝化接触层后，沉积SiO2/SiOxNy/SiNx渐变层对表面进行钝化，在降低界面态密度的同时，保证了良好的钝化效果及表面保护功能。SiO2/SiOxNy/SiNx渐变层作为钝化结构，使Si晶格与SiNx晶格之间有一个晶格过渡，降低界面态密度，减少载流子复合损失。其中SiO2与Si晶格具有很好的匹配性，界面态密度小；SiNx生长过程中逐渐从SiO2过渡到SiOxNy，再过渡到SiNx，大大降低了SiO2与SiNx之间的晶格不匹配度，降低了界面载流子复合损失。能够在保证光伏电池表面钝化效果的同时，最大限度降低对电池转换效率的影响，提高电池转换效率。
附图说明
图1为实施例1中TOPCon光伏电池结示意图。
其中，1、N型硅衬底；2、P型掺杂区、101、正面SiO2层；102、Al2O3层；103、SiNx层；104、正面电极；201、反面SiO2层；202、多晶硅层；203、SiO2/SiOxNy/SiNx复合掺杂层；204、背面电极。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步说明，实施例1是本发明的最佳实施例。
实施例
一种TOPCon光伏电池及其制备方法，制备方法包括以下步骤：
1）清洗制绒：取N型硅衬底1，用RCA标准清洗法清洗，并制备金字塔绒面陷光结构。
2）硼扩散：在硅片金字塔陷光面进行硼扩散，在1050℃下扩散120min，形成P型掺杂区2；用脉冲激光器对扩散后的P型掺杂区2表面进行选择性重掺杂处理，形成重掺杂区。
3）刻蚀：用HF溶液去除背面及侧面的BSG，然后用碱性刻蚀剂去除背面和侧面的PN结，最后用HF溶液去除正面的BSG，清洗并吹干。
4）氧化层沉积：利用热氧化方法在N型硅衬底1背面与P型掺杂区2表面分别沉积沉积厚度约1~2nm的反面SiO2层201与正面SiO2层101；温度约为800℃，时间15min。
5）原位掺杂多晶硅：以SiH4、PH3和N2为源气体，利用PECVD在N型衬底背面SiO2上沉积掺杂多晶硅层202，射频功率为50W，温度为400℃，沉积40 min形成厚度约100nm的磷掺杂多晶硅层202，并于600~800℃退火。
6） 去绕镀：用碱性刻蚀液去除绕镀到正面及侧面的掺杂多晶硅层202，此时露出正面1~2nm SiO2薄膜层。
7）正面钝化及减反：用三甲基铝和水分别作为Al源和O源，用ALD法沉积Al2O3层102：150℃下沉积厚度约2~5nm的氧化铝薄膜。将硅片转移到PECVD环境中，通入SiH4和NH3，流量比为1:5，在50W射频下沉积4min后逐渐改变流量比为1:10，沉积8min，形成厚度约为80nm的Si3N4减反膜即SiNx层103。
8）背面钝化：利用PECVD在步骤5）获得的多晶硅层202上沉积SiO2/SiOxNy/SiNx复合掺杂层203，厚度约60~100nm。源气体为SiH4、NH3和N2O，靠近多晶硅层202时减少源气体中NH3的含量，使薄膜组分以SiO2为主，厚度约5~10nm之后逐渐增加NH3含量，薄膜组分向SiOxNy转变，约20~30nm后，减少源气体中N2O的含量，薄膜组分以SiNx为主。具体操作为：最开始的5~10nm厚度的沉积过程源气体为体积比1：3的SiH4和N2O；10~20nm厚度的沉积过程中，源气体用时1min逐渐切换为按体积比1：2：2的SiH4、N2O和NH3；20nm后的厚度范围沉积过程中，源气体用时1min逐渐切换为按体积比1：0：4的SiH4、N2O和NH3，切换源气体成分的过程是连续的，即逐渐增加所需气体的通量、逐渐减小对应气体的通量，能够在各层次形成渐变层，结合牢固的同时也能减小晶层匹配性。
9）电极金属化：在正面SiNx层103之上丝网印刷电极浆料并退火使形成良好欧姆接触的正面电极104；在背面SiO2/SiOxNy/SiNx复合掺杂层203之上丝网印刷电极浆料并退火使形成良好欧姆接触的背面电极204。
参照附图1：制备获得层结构自正面到背面依次为SiNx层103、Al2O3层102、正面SiO2层101、P型掺杂区2、N型硅衬底1、反面SiO2层201、多晶硅层202与SiO2/SiOxNy/SiNx复合掺杂层203的TOPCon光伏电池。
各实施例中TOPCon光伏电池每个SiO2层厚度、Al2O3层102厚度和SiO2/SiOxNy/SiNx复合掺杂层203厚度参见下表1。
表1 各层厚度
对比例1
一种TOPCon光伏电池及其制备方法，在实施例1的基础上，P型掺杂区2表面与Al2O3层102之间不设置正面SiO2层，其他条件与实施例1相同。
对比例2
一种TOPCon光伏电池及其制备方法，在实施例1的基础上，不设置Al2O3层102，其他条件与实施例1相同。
对比例3
一种TOPCon光伏电池及其制备方法，在实施例1的基础上，SiO2/SiOxNy/SiNx复合掺杂层203替换为沿着远离多晶硅层的方向依次设置的SiO2层、SiOxNy层、SiNx层，具体操作为：实施例1步骤8）的基础上采用关闭气源，切换到对应气源通量后继续沉积。其他条件与实施例1相同。
对比例4
一种TOPCon光伏电池及其制备方法，在实施例1的基础上，SiO2/SiOxNy/SiNx复合掺杂层203替换为沿着远离多晶硅层的方向依次设置的SiO2层、SiNx层，其中SiO2层采用热氧化的方式，在650℃下生长10min；然后将其转移到PECVD中进行SiNx沉积，以SiH4和NH3为源气体，流量比约为1：4，沉积30min。其他条件与实施列1相同。
性能测试
对以上实施例与对比例制得的TOPCon光伏电池进行性能测试，检测其界面态密度、电池效率与复合电流。
界面态密度检测方法为准静态法，通过测试准静态下光伏电池的高-低频C-V曲线，并将其与理想界面的C-V曲线进行对比并计算出界面态密度。
复合电流检测方法为准稳态光电导（QSSPC）技术，通过射频电感耦合得到样品中的光电压或者光电流，通过计算机软件处理可得到PN结的暗饱和电流密度。
电池效率（η）检测方法为：通过测试光伏电池的I-V曲线，计算光伏电池最大输出功率（PMAX）与输入功率（PIN）的比值，即：η= PMAX/PIN。
性能测试结果见下表2。
表2 性能测试结果
根据表2测试结果，根据实施例1与对比例1对比结果可以看出，只有界面态密度更低才能有效提高电池效率，而通过P型掺杂区2表面与Al2O3层102之间设置过渡层能够有效的降低界面态密度，获得较高的电池效率；根据对比例3、4，可以看出，特定结构的SiO2/SiOxNy/SiNx复合掺杂层203能够有效的降低SiO2与SiNx之间的晶格不匹配度，降低了界面载流子复合损失。能够在保证光伏电池表面钝化效果的同时，最大限度降低对电池转换效率的影响，提高电池转换效率。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非是对本发明作其它形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本发明技术方案的保护范围。
Claims (6)
1.一种TOPCon光伏电池，其特征在于：以N型硅衬底（1），正面设置P型掺杂区（2），P型掺杂区（2）的表面钝化结构为：沿着远离P型掺杂区（2）的方向依次设置的SiO2层、 Al2O3层（102）和SiNx层（103）；N型硅衬底（1）的表面钝化结构为：沿着远离N型硅衬底（1）的方向依次设置的SiO2层、多晶硅层（202）和SiO2/SiOxNy/SiNx复合掺杂层（203）；
所述的TOPCon光伏电池的制备方法包括以下步骤：
1）取N型硅衬底（1），用RCA标准清洗法清洗，并制备金字塔绒面陷光结构；
2）在金字塔陷光面硼扩散形成P型掺杂区（2）；
3）刻蚀去除侧面、正面和背面的BSG与PN结；
4）热氧化N型硅衬底（1）背面与P型掺杂区（2）表面，获得SiO2层；
5）N型衬底背面SiO2层用化学气相沉积法在表面沉积获得多晶硅层（202）；
6）刻蚀去除绕镀到正面及侧面的多晶硅层（202）；
7）正面用ALD法沉积Al2O3层（102），然后在Al2O3层（102）表面用化学气相沉积法沉积SiNx层（103）；
8）背面化学沉积法沉积SiO2/SiOxNy/SiNx复合掺杂层（203）；其中，沉积过程具体沉积方法为：连续供气条件下，在0.5~3min内由上一成分的沉积气体逐渐切换为下一成分的沉积气体；
所述的化学沉积法沉积SiO2/SiOxNy/SiNx复合掺杂层（203）采用源气体为SiH4、NH3和N2O；
所述的化学沉积法沉积SiO2/SiOxNy/SiNx复合掺杂层（203）包括以下步骤：最开始的0~10nm厚度的沉积过程源气体为SiH4和N2O按体积比1：3；10~20nm厚度的沉积过程中源气体为SiH4、N2O和NH3按体积比1：2：2；20nm后的厚度范围沉积过程中源气体采用SiH4、N2O和NH3按体积比1：0：4。
2.根据权利要求1所述的TOPCon光伏电池，其特征在于：所述的N型硅衬底（1）的钝化结构与P型掺杂区（2）的钝化结构中的SiO2层厚度均为1~2nm。
3.根据权利要求1所述的TOPCon光伏电池，其特征在于：所述的Al2O3层（102）厚度为2~5nm。
4.根据权利要求1所述的TOPCon光伏电池，其特征在于：所述的SiO2/SiOxNy/SiNx复合掺杂层（203）厚度为60~100nm。
5.根据权利要求1所述的TOPCon光伏电池，其特征在于：层结构自正面到背面依次为SiNx层（103）、Al2O3层（102）、正面SiO2层（101）、P型掺杂区（2）、N型硅衬底（1）、反面SiO2层（201）、多晶硅层（202）与SiO2/SiOxNy/SiNx复合掺杂层（203）。
6.根据权利要求1所述的TOPCon光伏电池，其特征在于：步骤5）所述的沉积获得多晶硅层（202）后经过600~800℃退火。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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| CN115020512A CN115020512A (zh) | 2022-09-06 |
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|---|---|---|---|
| CN202210946830.8A Active CN115020512B (zh) | 2022-08-09 | 2022-08-09 | 一种TOPCon光伏电池及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115020512B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN206789552U (zh) * | 2017-01-24 | 2017-12-22 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | N型双面电池结构 |
| CN110459615A (zh) * | 2019-08-19 | 2019-11-15 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 一种复合介电钝化层结构太阳电池及其制备工艺 |
| CN110911528A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-03-24 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种TOPCon电池及其制作方法 |
| CN112670352A (zh) * | 2020-12-16 | 2021-04-16 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种应用于接触钝化电池的钝化结构及其制备方法 |
| CN113611756A (zh) * | 2021-08-10 | 2021-11-05 | 东方日升（常州）新能源有限公司 | 一种N型TOPCon电池及其制备方法 |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN206789552U (zh) * | 2017-01-24 | 2017-12-22 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | N型双面电池结构 |
| CN110459615A (zh) * | 2019-08-19 | 2019-11-15 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 一种复合介电钝化层结构太阳电池及其制备工艺 |
| CN110911528A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-03-24 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种TOPCon电池及其制作方法 |
| CN112670352A (zh) * | 2020-12-16 | 2021-04-16 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种应用于接触钝化电池的钝化结构及其制备方法 |
| CN113611756A (zh) * | 2021-08-10 | 2021-11-05 | 东方日升（常州）新能源有限公司 | 一种N型TOPCon电池及其制备方法 |
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