CN114994999A - 核壳型氧化锌@三氧化钨@三氧化钼Eu QDs纳米片微晶电极材料的制备方法 - Google Patents

核壳型氧化锌@三氧化钨@三氧化钼Eu QDs纳米片微晶电极材料的制备方法 Download PDF

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Abstract

核壳型氧化锌@三氧化钨@三氧化钼Eu QDs纳米片微晶电极材料的制备方法，本发明为了解决现有电致变色薄膜的响应时间较慢，循环稳定性差，透过率低的问题。制备方法：一、清洗透明导电基底；二、透明导电基底负载MoO3纳米晶；三、制备ZnO@MoO3纳米微晶/透明导电基底复合薄膜；四、钨酸铵草酸溶液中添加Eu(NO3)3溶液，浸入步骤三的复合薄膜，得到掺杂有铕量子点的复合薄膜；五、以350‑500℃的温度进行煅烧处理。本发明通过稀有元素铕的掺杂修饰作用，提高了电解质中离子的扩散及电化学反应，加速电解质与薄膜的反应动力学，使该纳米片微晶复合薄膜具有优异的电化学活性和电致变色能力。

Description

核壳型氧化锌@三氧化钨@三氧化钼Eu QDs纳米片微晶电极材 料的制备方法
技术领域
本发明涉及一种核壳型ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片电极材料的制备方法。
背景技术
常见的过渡金属氧化物ZnO，WO3，MoO3存在环境友好，性能稳定，多种化合价态的特点，但过渡金属氧化物存在电导率低，稳定性能差的问题。近年来，掺杂有发光离子的材料在科研界和实践生产领域都受到非常广泛的关注。出于对基础研究和技术应用的强烈渴望，将发光离子和先进材料相结合的多功能体系己逐渐成为研究趋势。铕(Eu)作为一种常用的荧光材料的发光源，在电致变色具有广泛的应用。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有电致变色薄膜的响应时间较慢，循环稳定性差，透过率低的问题，而提供一种核壳型ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶薄膜材料的制备方法。
本发明核壳型ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶薄膜材料的制备方法按照以下步骤实现：
一、透明导电基底的清洗：
对透明导电基底进行清洗，得到清洗后的透明导电基底；
二、透明导电基底负载MoO3纳米晶：
将钼酸钠与草酸溶解在去离子水中，搅拌后转移到聚四氟乙稀反应釜中，再把反应釜置于电热炉中，以180～220℃的温度进行水热反应，得到MoO3前驱物悬浊液，然后将清洗后的透明导电基底浸渍在MoO3前驱物悬浊液中，以50～70℃恒温处理，得到负载有MoO3纳米晶的透明导电基底；
三、ZnO@MoO3纳米微晶/透明导电基底复合薄膜的制备：
将ZnSO4·7H2O和CO(NH2)2溶解于超纯水中磁力搅拌，在恒温水浴锅内以240～280℃的温度反应，得到ZnO前驱物混合溶液，将负载有MoO3纳米晶的透明导电基底放入ZnO前驱物混合溶液中，在50～120℃下水热反应，干燥后得到ZnO@MoO3纳米片微晶/透明导电基底复合薄膜；
四、WO3@ZnO@MoO3的制备以及光量子点的掺杂：
将钨酸铵加入到草酸溶液中，在50～70℃条件下反应1～2小时，静置处理后得到前驱物反应溶液，然后添加Eu(NO3)3溶液，静置后将ZnO@MoO3纳米片微晶/透明导电基底复合薄膜放入前驱物反应溶液中，在60～200℃的温度下恒温处理，干燥后得到掺杂有铕量子点的复合薄膜；
五、ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶：
将步骤四掺杂有铕量子点的复合薄膜放入马弗炉中，以350-500℃的温度煅烧处理，空气中冷却，得到核壳型ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶薄膜材料。
稀有元素掺杂对WO3纳米结构有积极的修饰作用，在常见晶态结构中引入无定型态Eu的方法，通过稀土离子轨道能级的改变，对复合材料具有显著的激活作用。通过稀有元素铕的掺杂修饰作用，提高了电解质中离子的扩散及电化学反应，加速电解质与薄膜的反应动力学，使该复合材料具有高的敏感性、催化活性、局部表面等离子共振效应、解决了电致变色材料导电性能差和离子多次嵌入/脱嵌过程中发生的体积膨胀，循环稳定性能差的问题，提高了WO3基薄膜的电致变色性能。
本发明核壳型ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶薄膜材料的制备方法包括以下有益效果：
1、本发明制备得到的核壳型ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶/透明导电基底复合薄膜颜色均匀。
2、本发明制备得到的掺杂核壳型ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶薄膜/透明导电基底复合薄膜具有良好的透过率，且导电性良好。
3、所获得的掺杂核壳型ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶薄膜/透明导电基底复合薄膜在近红外波段的透过率循环稳定性能优异。
4、本发明通过稀有元素铕的修饰，使得核壳型ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶薄膜/透明导电基底具有良好的动力学性能，离子扩散和电荷转移速率，具有优异的电化学活性和电致变色能力。
附图说明
图1为实施例得到的核壳型ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶薄膜材料的SEM图；
图2为实施例得到的核壳型ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶薄膜材料的响应时间图；
图3为实施例得到的核壳型ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶薄膜材料循环8000次测试电流密度比值测试图；
图4为实施例得到的核壳型ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶薄膜材料的透过率曲线测试图；
图5为实施例得到的核壳型ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶薄膜材料在980nm时的200次循环透过率测试图。
具体实施方式
具体实施方式一：本实施方式核壳型ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶薄膜材料的制备方法按照以下步骤实施：
一、透明导电基底的清洗：
对透明导电基底进行清洗，得到清洗后的透明导电基底；
二、透明导电基底负载MoO3纳米晶：
将钼酸钠与草酸溶解在去离子水中，搅拌后转移到聚四氟乙稀反应釜中，再把反应釜置于电热炉中，以180～220℃的温度进行水热反应，得到MoO3前驱物悬浊液，然后将清洗后的透明导电基底浸渍在MoO3前驱物悬浊液中，以50～70℃恒温处理，得到负载有MoO3纳米晶的透明导电基底；
三、ZnO@MoO3纳米微晶/透明导电基底复合薄膜的制备：
将ZnSO4·7H2O和CO(NH2)2溶解于超纯水中磁力搅拌，在恒温水浴锅内以240～280℃的温度反应，得到ZnO前驱物混合溶液，将负载有MoO3纳米晶的透明导电基底放入ZnO前驱物混合溶液中，在50～120℃下水热反应，干燥后得到ZnO@MoO3纳米片微晶/透明导电基底复合薄膜；
四、WO3@ZnO@MoO3的制备以及光量子点的掺杂：
将钨酸铵加入到草酸溶液中，在50～70℃条件下反应1～2小时，然后添加Eu(NO3)3溶液，得到前驱物反应溶液，静置后将ZnO@MoO3纳米片微晶/透明导电基底复合薄膜放入前驱物反应溶液中，在60～200℃的温度下恒温处理，干燥后得到掺杂有铕量子点的复合薄膜；
五、ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶：
将步骤四掺杂有铕量子点的复合薄膜放入马弗炉中，以350-500℃的温度煅烧处理，冷却后，得到核壳型ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶薄膜材料。
本实施方式步骤一中所述透明导电基底为ITO或者FTO。步骤四通过控制Eu离子的掺杂浓度和溶液pH值来调控材料结构，形貌和性能，实现高电化学性能的实现。
本实施方式得到的核壳型ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶薄膜材料的膜厚度为4～7nm，粗糙度Ra为23.5～52.1nm。
具体实施方式二：本实施方式与具体实施方式一不同的是步骤二中钼酸钠与草酸的摩尔比为(0.8～1.2)：(0.8～1.2)。
具体实施方式三：本实施方式与具体实施方式一或二不同的是步骤二中水热反应的时间为18～24h。
具体实施方式四：本实施方式与具体实施方式一至三之一不同的是步骤三中控制所述ZnSO4·7H2O和CO(NH2)2的摩尔比为2：1。
具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式一至四之一不同的是步骤三中水热反应时间为5～10h。
具体实施方式六：本实施方式与具体实施方式一至四之一不同的是步骤四中将16～20g钨酸铵加入到50～80mL浓度为2mol/L草酸溶液中，然后添加25～35mL浓度为0.4mol/L的Eu(NO3)3溶液，得到前驱物反应溶液。
具体实施方式七：本实施方式与具体实施方式六不同的是静置时间为0.8～2h。
具体实施方式八：本实施方式与具体实施方式一至七之一不同的是步骤四中在150～200℃的温度下恒温处理4～6h。
具体实施方式九：本实施方式与具体实施方式一至七之一不同的是步骤五中煅烧处理时间为4～6h。
实施例一：本实施例核壳型ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶薄膜材料的制备方法按照以下步骤实施：
一、透明导电基底的清洗：
将透明导电基底ITO依次置于超纯水和无水乙醇中超声清洗，然后再将透明导电基底置于稀盐酸溶液中清洗，最后采用双氧水清洗，得到清洗后的透明导电基底；
二、透明导电基底负载MoO3纳米晶：
将24.9g钼酸钠与12.6g草酸溶解在去离子水中，搅拌后转移到聚四氟乙稀反应釜中，再把反应釜置于电热炉中，以190℃的温度进行热处理20小时，得到MoO3前驱物悬浊液，将清洗后的透明导电基底浸渍在MoO3前驱物悬浊液中，以70℃恒温处理1.5h，得到负载有MoO3纳米晶的透明导电基底；
三、ZnO@MoO3纳米微晶/透明导电基底复合薄膜的制备：
将28.8g ZnSO4·7H2O粉末和12g CO(NH2)2溶解于50mL超纯水中磁力搅拌0.5h，然在260℃水浴锅中热处理3h后，得到ZnO前驱物混合溶液，将负载有MoO3纳米晶的透明导电基底放入ZnO前驱物混合溶液中，在90℃下水热反应6h，以80℃干燥后得到ZnO@MoO3纳米片微晶/透明导电基底复合薄膜；
四、WO3@ZnO@MoO3的制备以及光量子点的掺杂：
将18.9g钨酸铵加入到60mL浓度为2mol/L草酸溶液中，以60℃磁力搅拌反应1h，然后添加30mL浓度为0.4mol/L Eu(NO3)3溶液到前驱物反应溶液，静置处理1h，再将ZnO@MoO3纳米片微晶/透明导电基底复合薄膜放入前驱物反应溶液中，在160℃的温度下恒温处理5h，干燥后得到掺杂有铕量子点的复合薄膜；
五、ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶：
将步骤四掺杂有铕量子点的复合薄膜放入马弗炉中，以390℃的温度煅烧处理5h，空气中冷却，得到核壳型ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶薄膜材料。
将本实施例得到的核壳型ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶薄膜施加3V的电压，一段时间后，纳米片微晶薄膜材料的发光颜色出现了显著的变化。当停止施加电压，薄膜的发光颜色均发生复原，重新施加电压，又出现了电致变色现象。
本实施例得到的核壳型ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶薄膜材料响应时间图如图2所示，着色0.9s，褪色1.4s，响应速度快。
本实施例核壳型ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶薄膜材料循环8000次电流密度比值的保持率为98％，稳定性好。
本实施例核壳型ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶薄膜材料在980nm处透过率达到56％。如图4所示。
本实施例核壳型ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶薄膜材料在980nm处循环200次，透过率的保持率为97.2％。如图5所示。

Claims (9)

1.核壳型氧化锌@三氧化钨@三氧化钼Eu QDs纳米片微晶电极材料的制备方法，其特征在于该制备方法按以下步骤实现：
一、透明导电基底的清洗：
对透明导电基底进行清洗，得到清洗后的透明导电基底；
二、透明导电基底负载MoO3纳米晶：
将钼酸钠与草酸溶解在去离子水中，搅拌后转移到聚四氟乙稀反应釜中，再把反应釜置于电热炉中，以180～220℃的温度进行水热反应，得到MoO3前驱物悬浊液，然后将清洗后的透明导电基底浸渍在MoO3前驱物悬浊液中，以50～70℃恒温处理，得到负载有MoO3纳米晶的透明导电基底；
三、ZnO@MoO3纳米微晶/透明导电基底复合薄膜的制备：
将ZnSO4·7H2O和CO(NH2)2溶解于超纯水中磁力搅拌，在恒温水浴锅内以240～280℃的温度反应，得到ZnO前驱物混合溶液，将负载有MoO3纳米晶的透明导电基底放入ZnO前驱物混合溶液中，在50～120℃下水热反应，干燥后得到ZnO@MoO3纳米片微晶/透明导电基底复合薄膜；
四、WO3@ZnO@MoO3的制备以及光量子点的掺杂：
将钨酸铵加入到草酸溶液中，在50～70℃条件下反应1～2小时，静置处理后得到前驱物反应溶液，然后添加Eu(NO3)3溶液，静置后将ZnO@MoO3纳米片微晶/透明导电基底复合薄膜放入前驱物反应溶液中，在60～200℃的温度下恒温处理，干燥后得到掺杂有铕量子点的复合薄膜；
五、ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶：
将步骤四掺杂有铕量子点的复合薄膜放入马弗炉中，以350-500℃的温度煅烧处理，空气中冷却，得到核壳型ZnO@WO3@MoO3 Eu QDs纳米片微晶薄膜材料。
2.根据权利要求1所述的核壳型氧化锌@三氧化钨@三氧化钼Eu QDs纳米片微晶电极材料的制备方法，其特征在于步骤二中钼酸钠与草酸的摩尔比为(0.8～1.2)：(0.8～1.2)。
3.根据权利要求1所述的核壳型氧化锌@三氧化钨@三氧化钼Eu QDs纳米片微晶电极材料的制备方法，其特征在于步骤二中水热反应的时间为18～24h。
4.根据权利要求1所述的核壳型氧化锌@三氧化钨@三氧化钼Eu QDs纳米片微晶电极材料的制备方法，其特征在于步骤三中控制所述ZnSO4·7H2O和CO(NH2)2的摩尔比为2：1。
5.根据权利要求1所述的核壳型氧化锌@三氧化钨@三氧化钼Eu QDs纳米片微晶电极材料的制备方法，其特征在于步骤三中水热反应时间为5～10h。
6.根据权利要求1所述的核壳型氧化锌@三氧化钨@三氧化钼Eu QDs纳米片微晶电极材料的制备方法，其特征在于步骤四中将16～20g钨酸铵加入到50～80mL浓度为2mol/L草酸溶液中，然后添加25～35mL浓度为0.4mol/L的Eu(NO3)3溶液，得到前驱物反应溶液。
7.根据权利要求6所述的核壳型氧化锌@三氧化钨@三氧化钼Eu QDs纳米片微晶电极材料的制备方法，其特征在于静置时间为0.8～2h。
8.根据权利要求1所述的核壳型氧化锌@三氧化钨@三氧化钼Eu QDs纳米片微晶电极材料的制备方法，其特征在于步骤四中在150～200℃的温度下恒温处理4～6h。
9.根据权利要求1所述的核壳型氧化锌@三氧化钨@三氧化钼Eu QDs纳米片微晶电极材料的制备方法，其特征在于步骤五中煅烧处理时间为4～6h。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106479478A (zh) * 2015-08-24 2017-03-08 北京大学 一种基于金属纳米粒子的电致变色材料及器件
WO2019014776A1 (en) * 2017-07-20 2019-01-24 Curtis Berlinguette PHOTODEPOSITION OF METAL OXIDES FOR ELECTROCHROMIC DEVICES
CN110109311A (zh) * 2019-04-19 2019-08-09 东北大学秦皇岛分校 一种全固态电致变色器件及其制备方法
CN111217537A (zh) * 2020-01-13 2020-06-02 哈尔滨商业大学 核壳型三氧化钼@氧化钨纳米晶电致变色薄膜的制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106479478A (zh) * 2015-08-24 2017-03-08 北京大学 一种基于金属纳米粒子的电致变色材料及器件
WO2019014776A1 (en) * 2017-07-20 2019-01-24 Curtis Berlinguette PHOTODEPOSITION OF METAL OXIDES FOR ELECTROCHROMIC DEVICES
CN110109311A (zh) * 2019-04-19 2019-08-09 东北大学秦皇岛分校 一种全固态电致变色器件及其制备方法
CN111217537A (zh) * 2020-01-13 2020-06-02 哈尔滨商业大学 核壳型三氧化钼@氧化钨纳米晶电致变色薄膜的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
成明;杨继凯;郝志旭;亢嘉琪;王新;王国政;宦克为;: "TiO_2基底对MoO_3/TiO_2复合薄膜电致变色性能的影响", 材料工程, no. 10 *

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