CN114976560B - 一种用于毫米波或太赫兹的功率放大器件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于毫米波或太赫兹的功率放大器件，包括上腔体、下腔体和封装结构。本发明通过第一内联式探针和第二内联式探针将接收到的外界输入的功率分配成多路并分别进行功率放大之后，再通过第三内联式探针和第四内联式探针将放大的功率合成后进行输出，能够突破单一功放单元因半导体材料或者生产工艺等的限制而受到的最大功率以及噪声等因素的限制，从而实现更高的功率放大，通过使用内联式探针，在相同的装配误差下，能够获得更高的功率放大效率，从而具有更高的误差容忍度，能够应用于对电子器件误差要求高的场合；本发明功率放大器件具有结构简单、损耗低、加工容易以及功率容量高等优点。本发明广泛应用于高频电子器件技术领域。
Description
技术领域
本发明涉及高频电子器件技术领域，尤其是一种用于毫米波或太赫兹的功率放大器件。
背景技术
毫米波可以指3GHz-300GHz频段的信号以及相关的通信技术，太赫兹可以指100GHz-10THz频段的信号以及相关的通信技术。毫米波或太赫兹具有丰富的频谱资源，可以满足无线高速通信的需求，毫米波或太赫兹良好的穿透性、分辨率及安全性等优点，除了可以满足无线通信的基本要求外，还可以满足大气遥感、人体成像安检、医疗检测等领域特殊应用的更高要求。目前的高频电子器件主要是基于微波波段进行设计和生产，在应用于毫米波或太赫兹波段时容易暴露出多种缺点。例如，目前通信电路中应用的功率放大器件通常使用功率合成的方式实现大功率输出，从而克服半导体材料和工艺限制造成的单个放大器芯片的输出功率低的问题。随着应用频率的升高，功率放大器件的电路寄生效应明显，功率放大器件中电路结构的微小变化以及器件装配微小误差，将对功率放大器件的功率放大合成效率造成明显恶化影响，在应用于微波频段时尚可接受的误差或者缺陷，到了亚毫米波太赫兹频段时将严重到影响基本功能的实现。
发明内容
针对目前基于功率合成的功率放大器件容易受电路加工和微组装装配精度影响，性能恶化明显等缺陷，本发明的目的在于提供一种用于毫米波或太赫兹的功率放大器件。
本发明实施例包括一种用于毫米波或太赫兹的功率放大器件，包括：
上腔体；所述上腔体的一面设有上半腔和波导上半部分；
下腔体；所述下腔体的一面设有下半腔和波导下半部分；所述上腔体设有所述上半腔的一面与所述下腔体设有所述下半腔的一面接合，所述上半腔与所述下半腔组成空腔，所述波导上半部分和所述波导下半部分组成波导体；
封装结构；所述封装结构位于所述空腔中，所述封装结构用于将所述上半腔中的第一功放单元、第二功放单元和所述下半腔中的第三功放单元、第四功放单元分隔开；
第一功放单元、第二功放单元、第三功放单元、第四功放单元、第一内联式探针、第二内联式探针、第三内联式探针和第四内联式探针；所述第一内联式探针和所述第二内联式探针位于所述上半腔，所述第三内联式探针和所述第四内联式探针位于所述下半腔；所述第一内联式探针的一端与所述第一功放单元的输入端连接，所述第一内联式探针的另一端与所述第二功放单元的输入端连接，所述第三内联式探针的一端与所述第三功放单元的输入端连接，所述第三内联式探针的另一端与所述第四功放单元的输入端连接，所述第二内联式探针的一端与所述第一功放单元的输出端连接，所述第二内联式探针的另一端与所述第二功放单元的输出端连接，所述第四内联式探针的一端与所述第三功放单元的输出端连接，所述第四内联式探针的另一端与所述第四功放单元的输出端连接；所述第一内联式探针、所述第二内联式探针、所述第三内联式探针、所述第四内联式探针与所述波导体形成耦合。
进一步地，所述第一内联式探针的一端通过微带线与所述第一功放单元的输入端连接，所述第一内联式探针的另一端通过微带线与所述第二功放单元的输入端连接，所述第三内联式探针的一端通过微带线与所述第三功放单元的输入端连接，所述第三内联式探针的另一端通过微带线与所述第四功放单元的输入端连接，所述第二内联式探针的一端通过微带线与所述第一功放单元的输出端连接，所述第二内联式探针的另一端通过微带线与所述第二功放单元的输出端连接，所述第四内联式探针的一端通过微带线与所述第三功放单元的输出端连接，所述第四内联式探针的另一端通过微带线与所述第四功放单元的输出端连接。
进一步地，所述的用于毫米波或太赫兹的功率放大器件还包括定位销钉，所述上腔体和所述下腔体均设有销钉孔，所述定位销钉穿过所述销钉孔对所述上腔体和所述下腔体进行定位。
进一步地，所述的用于毫米波或太赫兹的功率放大器件还包括第一直流偏置单元和第二直流偏置单元，所述第一直流偏置单元与所述上腔体固定连接，所述第二直流偏置单元与所述下腔体固定连接。
进一步地，所述上腔体以所述上半腔所在一面相对的一面与所述第一直流偏置单元固定连接，所述下腔体以所述下半腔所在一面相对的一面与所述第二直流偏置单元固定连接。
进一步地，所述第一功放单元封装在第一功放芯片中，所述第二功放单元封装在第二功放芯片中，所述第三功放单元封装在第三功放芯片中，所述第四功放单元封装在第四功放芯片中。
进一步地，所述用于毫米波或太赫兹的功率放大器件还包括第一旁路电容、第二旁路电容、第三旁路电容和第四旁路电容；
所述第一功放芯片、所述第二功放芯片、所述第一旁路电容、所述第二旁路电容位于所述上半腔内，所述第三功放芯片、所述第四功放芯片、所述第三旁路电容和所述第四旁路电容位于所述下半腔内；
所述第一功放芯片的馈电引脚通过所述第一旁路电容连接到所述第一直流偏置单元；
所述第二功放芯片的馈电引脚通过所述第二旁路电容连接到所述第一直流偏置单元；
所述第三功放芯片的馈电引脚通过所述第三旁路电容连接到所述第二直流偏置单元；
所述第四功放芯片的馈电引脚通过所述第四旁路电容连接到所述第二直流偏置单元。
进一步地，所述上腔体和所述下腔体均为金属材质，所述封装结构为金属材质。
进一步地，所述波导体为矩形波导。
进一步地，所述空腔中充有空气。
本发明的有益效果是：实施例中的用于毫米波或太赫兹的功率放大器件，通过第一内联式探针和第二内联式探针将接收到的外界输入的信号功率分配成多路并分别进行功率放大之后，再通过第三内联式探针和第四内联式探针将放大的功率合成后进行输出，能够突破单一功放单元因半导体材料或者生产工艺等的限制而受到的最大功率以及噪声等因素的限制，从而实现更高的功率放大，而所使用的进行功率分配和合成的探针为内联式探针，与其他形式的探针相比，在相同的装配误差下，能够获得更高的功率放大效率，从而具有更高的误差容忍度，能够应用于毫米波或太赫兹通信等对电子器件误差要求高的场合；实施例中的用于毫米波或太赫兹的功率放大器件具有结构简单、损耗低、加工容易以及功率容量高等优点。
附图说明
图1为实施例中用于毫米波或太赫兹的功率放大器件的结构示意图；
图2为实施例中用于毫米波或太赫兹的功率放大器件的装配示意图；
图3(a)为实施例中功放芯片、旁路电容、微带电路在上半腔中的装配示意图；
图3(b)为实施例中功放芯片、旁路电容、微带电路在下半腔中的装配示意图；
图4为实施例中组装后的功率放大器件的示意图；
图5为实施例中内联式探针和波导对应的功率分配/合成理想仿真模型示意图；
图6为实施例中用于毫米波或太赫兹的功率放大器件的电路拓扑结构图；
图7(a)为实施例中内联式探针的结构示意图；
图7(b)为实施例中分离式探针的结构示意图；
图8(a)为实施例中内联式探针的输出相位不一致随装配误差变化曲线图；
图8(b)为实施例中内联式探针的输出幅度不一致随装配误差变化曲线图；
图9(a)为实施例中分离式探针的输出相位不一致随装配误差变化曲线图；
图9(b)为实施例中分离式探针的输出幅度不一致随装配误差变化曲线图；
图10为实施例中内联式探针和分离式探针的功率合成效率影响曲线对比示意图。
其中的附图标记包括：100——上腔体；101——上半腔；102——波导上半部分；103——定位销钉；200——下腔体；201——下半腔；202——波导下半部分；203——销钉孔；300——封装结构；3001——第一内联式探针；3002——第二内联式探针；3003——第三内联式探针；3004——第四内联式探针；3011——第一功放单元；3012——第二功放单元；3013——第三功放单元；3014——第四功放单元；3030——微带线；3020——第一旁路电容；3040——金丝；3050——玻珠；400——第一直流偏置单元；500——第二直流偏置单元。
具体实施方式
本实施例中，用于毫米波或太赫兹的功率放大器件的整体结构如图1和图2所示。参照图1和图2，用于毫米波或太赫兹的功率放大器件包括上腔体100、下腔体200和封装结构300。其中，上腔体100和下腔体200可以用铜等金属材料制成，通过切削等工艺在上腔体100的一面加工出上半腔101，在下腔体200的一面加工出下半腔201，上半腔101在上腔体100中的位置与下半腔201在下腔体200中的位置相对应，使得上腔体100中设有上半腔101的一面与下腔体200中设有下半腔201的一面接合时，上半腔101与下腔体200能够对合在一起组成一个空腔，该空腔的形状与封装结构300相匹配，封装结构300可以安装在该空腔中。空腔中可以充有空气或者氮气等气体。
上腔体100中加工出上半腔101的那一面加工有波导上半部分102，下腔体200中加工出下半腔201的那一面加工有波导下半部分202，本实施例中，上腔体100和下腔体200接合之后，波导上半部分102和波导下半部分202组成波导体。波导体可以是矩形波导。
本实施例中，封装结构300可以是较薄的黄铜，封装结构300能够将上半腔和下半腔分隔开。
本实施例中，功率放大器件设有第一功放单元3011、第二功放单元3012、第三功放单元3013、第四功放单元3014、第一内联式探针3001、第二内联式探针3002、第三内联式探针3003和第四内联式探针3004。具体地，第一内联式探针3001和第二内联式探针3002设置在上腔体100内，并且第一内联式探针3001和第二内联式探针3002之间的连线可以与波导上半部分102平行，使得第一内联式探针3001和第二内联式探针3002均与波导体形成耦合；第三内联式探针3003和第四内联式探针3004设置在下腔体200内，并且第三内联式探针3003和第四内联式探针3004之间的连线可以与波导下半部分202平行，使得第三内联式探针3003和第四内联式探针3004均与波导体形成耦合。
参照图2，可以使用第一功放芯片、第二功放芯片、第三功放芯片、第四功放芯片来作为上述功放单元，这些功放芯片最好是同一型号、同一生产批次的功放芯片。其中，由第一功放芯片作为第一功放单元3011，由第二功放芯片作为第二功放单元3012，由第三功放芯片作为第三功放单元3013，由第四功放芯片作为第四功放单元3014。第一功放芯片和第二功放芯片可以安装在上半腔101内，第三功放芯片和第四功放芯片可以安装在下半腔201内。
参照图3(a)，在上半腔101(其与下半腔201相对)内，第一内联式探针3001的一端与第一功放单元3011的输入端连接，第一内联式探针3001的另一端与第二功放单元3012的输入端连接，第二内联式探针3002的一端与第一功放单元3011的输出端连接，第二内联式探针3002的另一端与第二功放单元3012的输出端连接。
在下半腔201内，第三内联式探针3003、第四内联式探针3004与第三功放单元3013、第四功放单元3014的连接方式与图3(a)所示相同。如图3(b)所示，在下半腔201(其与上半腔101相对)内，第三内联式探针3003的一端与第三功放单元3013的输入端连接，第三内联式探针3003的另一端与第四功放单元3014的输入端连接，第四内联式探针3004的一端与第三功放单元3013的输出端连接，第四内联式探针3004的另一端与第四功放单元3014的输出端连接。
本实施例中，第一内联式探针3001的一端通过微带线与第一功放单元3011的输入端连接，第一内联式探针3001的另一端通过微带线与第二功放单元3012的输入端连接，第三内联式探针3003的一端通过微带线与第三功放单元3013的输入端连接，第三内联式探针3003的另一端通过微带线与第四功放单元3014的输入端连接，第二内联式探针3002的一端通过微带线与第一功放单元3011的输出端连接，第二内联式探针3002的另一端通过微带线与第二功放单元3012的输出端连接，第四内联式探针3004的一端通过微带线与第三功放单元3013的输出端连接，第四内联式探针3004的另一端通过微带线与第四功放单元3014的输出端连接。
综上，内联式探针与功放单元之间是通过微带线进行连接的。本实施例中，第一内联式探针的一端与第一功放单元的输入端之间的微带线、第二内联式探针的一端与第三功放单元的输入端之间的微带线等位于不同为位置的微带线都可以统称为“微带线”，这些微带线可以具有相同的特征阻抗等参数。
由于波导上半部分102和波导下半部分202可以是金属材质，波导与微带线是不同类型的传输线，波导与微带线具有不同的传输模式，因此在第一内联式探针3001、第二内联式探针3002、第三内联式探针3003和第四内联式探针3004与波导体形成耦合时，各内联式探针的作用是实现波导模式与微带传输线模式之间的转换以及两种不同传输线之间的互连。
本实施例中，在图3(a)所示的安装状态下，可以参照图2所示的安装顺序，将第一空腔、封装结构300以及第二空腔组合起来，从而得到图4所示的功率放大器件。具体地，在装配时，可以使用定位销钉103穿过上腔体100、下腔体200和封装结构300的销钉孔203，从而通过定位销钉103对上腔体100、下腔体200和封装结构300进行定位，之后通过螺钉固定在一起。
本实施例中，第一内联式探针3001、第二内联式探针3002、第三内联式探针3003和第四内联式探针3004均与波导体形成耦合，可以表示为图5所示的功率分配/合成理想仿真模型。图5所示的模型表示，通过波导体一端输入的功率，能够从第一内联式探针3001的两个输出端以及第三内联式探针3003的两个输出端输出，实现对波导体一端输入的功率的四等分分配，同理如果反方向地从第一内联式探针3001的两个输出端以及第三内联式探针3003的两个输出端输入功率，那么这四路功率将合成后从波导体另一端输出，实现四路功率的合成。
基于图5所示的功率分配/合成理想仿真模型，可以得到本实施例中用于毫米波或太赫兹的功率放大器件的电路拓扑结构如图6所示。参照图6所示的电路结构，当从波导体的一端输入功率，功率将被第一内联式探针3001和第三内联式探针3003平均分配成四路，每路分别经过第一功放单元3011等一个功放单元进行放大后，这四路功率再经过第二内联式探针3002和第四内联式探针3004合成，并通过波导体的另一端进行输出。
本实施例中，用于毫米波或太赫兹的功率放大器件具有图6所示的电路拓扑结构，因此可以接收外界输入的功率，通过第一内联式探针3001和第三内联式探针3003将其分配成多路并分别进行功率放大之后，再通过第二内联式探针3002和第四内联式探针3004将放大的功率合成后进行输出，能够突破单一功放单元因半导体材料或者生产工艺等的限制而受到的最大功率以及噪声等因素的限制，从而实现更高的功率放大，而所使用的进行功率分配和合成的探针为内联式探针，与其他形式的探针相比，在相同的装配误差下，能够获得更高的功率放大效率。
图7(a)为本实施例中，第一内联式探针3001、第二内联式探针3002、第三内联式探针3003和第四内联式探针3004等所采用的内联式探针，图7(b)为一种不同于内联式探针的探针结构，即分离式探针。对于功率合成网络，输入的功率信号相位不一致性和幅度不一致性对功率合成效率的影响根据以下公式进行计算：
其中P1,和P2分别为经图7(a)所示的内联式探针结构放大之后，图7(a)所示的内联式探针结构的两个输出端的输出功率，θ1和θ2为图7(a)所示的内联式探针结构的两个输出端的相位，Δθ＝θ1-θ2表示相位不一致性，表示幅度不一致性。同理，可以参考上述公式，计算图7(b)所示的分离式探针结构的相位不一致性和幅度不一致性。
本实施例中，对图7(a)所示的内联式探针结构仿真所得到的输出相位不一致随装配误差变化曲线如图8(a)所示，对图7(a)所示的内联式探针结构仿真所得到的输出幅度不一致随装配误差变化曲线如图8(b)所示，其中图8(a)可以表示内联式探针结构的相位不一致性，图8(b)可以表示内联式探针结构的幅度不一致性，图8(a)和图8(b)一起可以表示内联式探针结构的性能随探针装配误差性能变化。
本实施例中，对图7(b)所示的分离式探针结构仿真所得到的输出相位不一致随装配误差变化曲线如图9(a)所示，对图7(b)所示的分离式探针结构仿真所得到的输出幅度不一致随装配误差变化曲线如图9(b)所示，其中图9(a)可以表示分离式探针结构的相位不一致性，图9(b)可以表示分离式探针结构的幅度不一致性，图9(a)和图9(b)一起可以表示分离式探针结构的性能随探针装配误差性能变化。
根据图8(a)与图9(a)的对比可知，内联式探针结构的相位不一致性表现不比分离式探针结构差；根据图8(b)与图9(b)的对比可知，内联式探针结构的幅度不一致性表现优于分离式探针结构。
本实施例中，在相同装配误差情况下，装配误差对图7(a)所示的内联式探针结构以及图7(b)所示的分离式探针结构造成的幅度、相位不一致性对功率合成效率的影响曲线对比如图10所示。由图10可知，在装配误差相同的情况下，本实施例中基于内联式探针的用于毫米波或太赫兹的功率放大器件具有更高的功率合成效率，并且误差越大性能改进越明显。
本实施例中，图8(a)、图8(b)、图9(a)、图9(b)和图10中的横坐标“偏移量”表示装配过程中沿图7(a)所示的Y方向的偏移距离。
本实施例中，参照图2，用于毫米波或太赫兹的功率放大器件还包括第一直流偏置单元400和第二直流偏置单元500，第一直流偏置单元400固定于上腔体100，第二直流偏置单元500固定于下腔体200。具体地，上腔体100以上半腔101所在一面相对的一面与第一直流偏置单元400固定连接，下腔体200以下半腔201所在一面相对的一面与第二直流偏置单元500固定连接。
本实施例中，上半腔100、下半腔200还设有第一旁路电容、第二旁路电容、第三旁路电容和第四旁路电容。第一功放芯片3011、第二功放芯片3012、第一旁路电容3020、第二旁路电容位于上半腔101内，第三功放芯片3013、第四功放芯片3014、第三旁路电容和第四旁路电容位于下半腔201内。第一功放芯片3011的馈电引脚通过第一旁路电容3020连接到第一直流偏置单元400，第二功放芯片3012的馈电引脚通过第二旁路电容连接到第一直流偏置单元400，第三功放芯片的馈电引脚通过第三旁路电容连接到第二直流偏置单元500，第四功放芯片的馈电引脚通过第四旁路电容连接到第二直流偏置单元500。可以通过第一直流偏置单元400对第一功放芯片3011和第二功放芯片3012进行馈电，通过第二直流偏置单元500对第三功放芯片3013和第四功放芯片3014进行馈电。
本实施例中，参照图3(a)，微带线与功放芯片之间、功放芯片和旁路电容之间、旁路电容与波珠3050之间可以通过金丝键合的方式连接，具体地，可以使用金丝3040进行键合。
本实施例中，可以使用粘合材料将第一内联式探针3001、第一功放单元(第一功放芯片)3011、第二内联式探针3002、第二功放单元(第二功放芯片)3012、第一旁路电容3020以及第二旁路电容等元件粘合在上半腔101内，使用粘合材料将第三内联式探针3003、第三功放单元(第三功放芯片)3013、第四内联式探针3004、第四功放单元(第四功放芯片)3014、第三旁路电容以及第四旁路电容等元件粘合在下半腔内201。
本实施例中，功率放大器件可以工作在在毫米波或太赫兹频段，此时封装结构及其所承载的功放芯片、微带电路以及旁路电容等的空腔可能会产生高次模，从而带来电磁振荡。可以通过在封装结构采用间隙波导来抑制电磁振荡。
需要说明的是，如无特殊说明，当某一特征被称为“固定”、“连接”在另一个特征，它可以直接固定、连接在另一个特征上，也可以间接地固定、连接在另一个特征上。此外，本公开中所使用的上、下、左、右等描述仅仅是相对于附图中本公开各组成部分的相互位置关系来说的。在本公开中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。此外，除非另有定义，本实施例所使用的所有的技术和科学术语与本技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本实施例说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例，而不是为了限制本发明。本实施例所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的组合。
应当理解，尽管在本公开可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种元件，但这些元件不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的元件彼此区分开。例如，在不脱离本公开范围的情况下，第一元件也可以被称为第二元件，类似地，第二元件也可以被称为第一元件。本实施例所提供的任何以及所有实例或示例性语言(“例如”、“如”等)的使用仅意图更好地说明本发明的实施例，并且除非另外要求，否则不会对本发明的范围施加限制。
应当认识到，本发明的实施例可以由计算机硬件、硬件和软件的组合、或者通过存储在非暂时性计算机可读存储器中的计算机指令来实现或实施。所述方法可以使用标准编程技术-包括配置有计算机程序的非暂时性计算机可读存储介质在计算机程序中实现，其中如此配置的存储介质使得计算机以特定和预定义的方式操作——根据在具体实施例中描述的方法和附图。每个程序可以以高级过程或面向对象的编程语言来实现以与计算机系统通信。然而，若需要，该程序可以以汇编或机器语言实现。在任何情况下，该语言可以是编译或解释的语言。此外，为此目的该程序能够在编程的专用集成电路上运行。
此外，可按任何合适的顺序来执行本实施例描述的过程的操作，除非本实施例另外指示或以其他方式明显地与上下文矛盾。本实施例描述的过程(或变型和/或其组合)可在配置有可执行指令的一个或多个计算机系统的控制下执行，并且可作为共同地在一个或多个处理器上执行的代码(例如，可执行指令、一个或多个计算机程序或一个或多个应用)、由硬件或其组合来实现。所述计算机程序包括可由一个或多个处理器执行的多个指令。
进一步，所述方法可以在可操作地连接至合适的任何类型的计算平台中实现，包括但不限于个人电脑、迷你计算机、主框架、工作站、网络或分布式计算环境、单独的或集成的计算机平台、或者与带电粒子工具或其它成像装置通信等等。本发明的各方面可以以存储在非暂时性存储介质或设备上的机器可读代码来实现，无论是可移动的还是集成至计算平台，如硬盘、光学读取和/或写入存储介质、RAM、ROM等，使得其可由可编程计算机读取，当存储介质或设备由计算机读取时可用于配置和操作计算机以执行在此所描述的过程。此外，机器可读代码，或其部分可以通过有线或无线网络传输。当此类媒体包括结合微处理器或其他数据处理器实现上文所述步骤的指令或程序时，本实施例所述的发明包括这些和其他不同类型的非暂时性计算机可读存储介质。当根据本发明所述的方法和技术编程时，本发明还包括计算机本身。
计算机程序能够应用于输入数据以执行本实施例所述的功能，从而转换输入数据以生成存储至非易失性存储器的输出数据。输出信息还可以应用于一个或多个输出设备如显示器。在本发明优选的实施例中，转换的数据表示物理和有形的对象，包括显示器上产生的物理和有形对象的特定视觉描绘。
以上所述，只是本发明的较佳实施例而已，本发明并不局限于上述实施方式，只要其以相同的手段达到本发明的技术效果，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。在本发明的保护范围内其技术方案和/或实施方式可以有各种不同的修改和变化。
Claims (10)
1.一种用于毫米波或太赫兹的功率放大器件，其特征在于，所述用于毫米波或太赫兹的功率放大器件包括：
上腔体；所述上腔体的一面设有上半腔和波导上半部分；
下腔体；所述下腔体的一面设有下半腔和波导下半部分；所述上腔体设有所述上半腔的一面与所述下腔体设有所述下半腔的一面接合，所述上半腔与所述下半腔组成空腔，所述波导上半部分和所述波导下半部分组成波导体；
封装结构；所述封装结构位于所述空腔中，所述封装结构用于将所述上半腔和所述下半腔分隔开；
第一功放单元、第二功放单元、第三功放单元、第四功放单元、第一内联式探针、第二内联式探针、第三内联式探针和第四内联式探针；所述第一内联式探针和所述第二内联式探针位于所述上半腔，所述第三内联式探针和所述第四内联式探针位于所述下半腔；所述第一内联式探针的一端与所述第一功放单元的输入端连接，所述第一内联式探针的另一端与所述第二功放单元的输入端连接，所述第三内联式探针的一端与所述第三功放单元的输入端连接，所述第三内联式探针的另一端与所述第四功放单元的输入端连接，所述第二内联式探针的一端与所述第一功放单元的输出端连接，所述第二内联式探针的另一端与所述第二功放单元的输出端连接，所述第四内联式探针的一端与所述第三功放单元的输出端连接，所述第四内联式探针的另一端与所述第四功放单元的输出端连接；所述第一内联式探针、所述第二内联式探针、所述第三内联式探针、所述第四内联式探针与所述波导体形成耦合。
2.根据权利要求1所述的用于毫米波或太赫兹的功率放大器件，其特征在于，所述第一内联式探针的一端通过微带线与所述第一功放单元的输入端连接，所述第一内联式探针的另一端通过微带线与所述第二功放单元的输入端连接，所述第三内联式探针的一端通过微带线与所述第三功放单元的输入端连接，所述第三内联式探针的另一端通过微带线与所述第四功放单元的输入端连接，所述第二内联式探针的一端通过微带线与所述第一功放单元的输出端连接，所述第二内联式探针的另一端通过微带线与所述第二功放单元的输出端连接，所述第四内联式探针的一端通过微带线与所述第三功放单元的输出端连接，所述第四内联式探针的另一端通过微带线与所述第四功放单元的输出端连接。
3.根据权利要求1所述的用于毫米波或太赫兹的功率放大器件，其特征在于，所述的用于毫米波或太赫兹的功率放大器件还包括定位销钉、销钉孔，所述下腔体设有定位销钉，所述上腔体和所述封装结构均设有销钉孔，所述定位销钉穿过所述销钉孔对所述上腔体、所述封装结构和所述下腔体进行装配。
4.根据权利要求1所述的用于毫米波或太赫兹的功率放大器件，其特征在于，所述的用于毫米波或太赫兹的功率放大器件还包括第一直流偏置单元和第二直流偏置单元，所述第一直流偏置单元与所述上腔体连接，所述第二直流偏置单元与所述下腔体连接。
5.根据权利要求4所述的用于毫米波或太赫兹的功率放大器件，其特征在于，所述第一直流偏置单元固定于所述上腔体以所述上半腔所在一面相对的一面，所述第二直流偏置单元固定于所述下腔体以所述下半腔所在一面相对的一面。
6.根据权利要求5所述的用于毫米波或太赫兹的功率放大器件，其特征在于，所述第一功放单元封装在第一功放芯片中，所述第二功放单元封装在第二功放芯片中，所述第三功放单元封装在第三功放芯片中，所述第四功放单元封装在第四功放芯片中。
7.根据权利要求6所述的用于毫米波或太赫兹的功率放大器件，其特征在于，所述用于毫米波或太赫兹的功率放大器件还包括第一旁路电容、第二旁路电容、第三旁路电容和第四旁路电容；
所述第一功放芯片、所述第二功放芯片、所述第一旁路电容、所述第二旁路电容位于所述上半腔内，所述第三功放芯片、所述第四功放芯片、所述第三旁路电容和所述第四旁路电容位于所述下半腔内；
所述第一功放芯片的馈电引脚通过所述第一旁路电容连接到所述第一直流偏置单元；
所述第二功放芯片的馈电引脚通过所述第二旁路电容连接到所述第一直流偏置单元；
所述第三功放芯片的馈电引脚通过所述第三旁路电容连接到所述第二直流偏置单元；
所述第四功放芯片的馈电引脚通过所述第四旁路电容连接到所述第二直流偏置单元。
8.根据权利要求1所述的用于毫米波或太赫兹的功率放大器件，其特征在于，所述上腔体和所述下腔体均为金属材质，所述封装结构为铜材质。
9.根据权利要求1所述的用于毫米波或太赫兹的功率放大器件，其特征在于，所述波导体为矩形波导。
10.根据权利要求1-9任一项所述的用于毫米波或太赫兹的功率放大器件，其特征在于，所述空腔中充有空气。
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