CN107611545A - 一种迂回式宽带高效多路空间功率合成网络 - Google Patents

一种迂回式宽带高效多路空间功率合成网络 Download PDF

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CN107611545A CN201710735602.5A CN201710735602A CN107611545A CN 107611545 A CN107611545 A CN 107611545A CN 201710735602 A CN201710735602 A CN 201710735602A CN 107611545 A CN107611545 A CN 107611545A
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Abstract

本发明公开了一种迂回式宽带高效多路空间功率合成网络,为上下两层,包括下传输腔体、上盖板、下底面散热器和上顶面散热器,下传输腔体上端盖合有上盖板,所述上盖板的上侧设置有上顶面散热器,下传输腔体的下端设置有下底面散热器,所述下传输腔体内规则分布有微波电路,所述规则下传输腔体采用E面波导功分网络与波导E面双探针作为功率分配与合成单元,同时E面波导功分网络为多级迂回式结构,使得输入端与输出端波导置于同一条水平线上,可直接覆盖标准波导对应的全工作频率范围,同时还可以解决现有技术再合成效率、可生产性和散热效率上的问题。

Description

一种迂回式宽带高效多路空间功率合成网络
技术领域
本发明涉及一种迂回式宽带高效多路空间功率合成网络。
背景技术
微波毫米固态功率放大器在现有功率放大芯片输出功率有限的情况下,利用功率合成技术进行多路功率合成是提高其输出功率能力的一种有效手段。目前,功率合成技术主要分为平面功率合成与空间功率合成两种。平面功率合成技术虽然结构形式简单,而其合成效率和承受功率能力并不理想。而空间功率合成技术相对与平面功率合成技术,具有通路损耗低与功率容量大等优点,但是其所遇到的普遍问题是如何进一步有效地提高功率合成效率、降低损耗、增大工作带宽、提高功率容量、提高散热效率与降低加工、装配误差等。
相比于平面功率合成技术,空间功率合成技术具有插入损耗低、合成效率高等优点,在空间功率合成技术中基于径向波导的合成技术是一种常用的技术手段,如图1所示为一种8路基于径向波导的功率合成网络,输入信号由标准同轴1-1进入,标准同轴传递的信号经过阶梯渐变圆盘1-2进入矩形脊波导组成的圆盘1-3中,然后经由渐变脊波导1-4平均分配为8路,分配后的信号利用波导微带探针1-5进入到每一路放大通路1-6中进行放大,放大后的信号再利用与分配网络万全对称的结构进行功率合成输出,最终实现8路信号的功率合成。
图1所示的空间功率合成的技术方案,可以将输入信号等幅同相位的进行分配与合成,但很难在全波导频段内实现宽带匹配,而波导与波导分岔处容易激起高次模,恶化输入端口的回波反射,从而大大影响了其插入损耗与功率合成的效率;同时,该技术方案整体结构为空间辐射状,对其加工与装配工艺要求较高,其加工与装配误差很难得到保证,并且每一路放大单元的有效散热面积较小,散热效率低,很难适用于更大功率容量的合成系统中。
综上,传统的平面功率合成技术与空间功率合成技术各有一定的局限性:
在工作频宽方面,传统平面功率合成器与常见的基于径向波导空间功率合成器都有一定局限,无法工作在完全宽频带范围内;
在散热效率方面,传统平面功率合成器由于其功率分配与合成均在介质材料中完成,其散热与功率容量问题一直是无法解决的难题,而基于径向波导的空间功率合成器,其整体结构为辐射圆盘状,每一路放大单元的有效散热面积有限,散热效率也无法得到有效的提高;
在合成效率方面,传统平面合成器通路损耗大、相位一致性差,很难保证其具有很高的合成效率,而基于径向波导的功率合成器工作时,波导与波导分岔处容易激起高次模,恶化输入端口的回波反射,从而大大影响了其插入损耗与功率合成的效率;
在可生产性方面,传统的径向波导空间功率合成器其整体结构为空间辐射状,但其最大的缺点是对加工与装配公差的要求高。
发明内容
本发明为了解决上述问题,提出了一种迂回式宽带高效多路空间功率合成网络,本发明采用了E面波导功分与波导E面双探针作为功率分配与合成单元,优于传统的H面功率分配与合成网络,工作频段可直接覆盖标准波导对应的全工作频率范围,同时还可以解决现有技术再合成效率、可生产性和散热效率上的问题。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种迂回式宽带高效多路空间功率合成网络,为上下两层,包括下传输腔体、上盖板、下底面散热器和上顶面散热器,所述下传输腔体上端盖合有上盖板,所述上盖板的上侧设置有上顶面散热器,所述下传输腔体的下端设置有下底面散热器,所述下传输腔体内规则分布有微波电路,所述规则下传输腔体采用E面波导功分网络与波导E面双探针作为功率分配与合成单元,同时E面波导功分网络为多级迂回式结构,使得输入端与输出端波导置于同一条水平线上。
进一步的,所述下传输腔体包括矩形输入波导、多级迂回式E面波导功分网络、E面波导微带探针转换结构、放大传输腔体、E面波导转双微带探针结构、多级最短化E面波导合成网络和标准矩形波导输出端口,所述矩形输入波导接收输入信号,利用多级迂回式E面波导功分网络平均分配为多路,实现输入信号的等幅同相分配,分配后的各路信号,通过E面波导微带探针转换结构进入每一路放大传输腔体中,放大后的信号再通过E面波导转双微带探针与多级最短化E面波导合成网络合成为1路,合成后的信号由标准矩形波导输出端口输出,进而实现多路信号的等幅同相功率分配与合成。
进一步的,所述多级迂回式E面波导功分网络为三级迂回式E面波导功分网络,输入信号并平均分配为8路。
进一步的,利用迂回式结构,多级最短化E面波导合成网络的输出路径长度,将标准矩形输入波导与标准矩形波导输出端口置于同一水平线上。这样的设计更易于与外部微波模块的装配与集成,提高了功率合成后的传输效率。
进一步的,各个放大传输腔体为平面阵列结构,均匀分布在下传输腔体中。矩阵式的布设能够有效提高散热面积,配合上面腔体的散热器提高了散热效率,保证了在大功率容量下的高可靠性,同时降低了装配与调试难度,提高了生产效率。
进一步的,多路空间功率合成网络为一体化切割结构,下传输腔体与上盖板的连接处,在下传输腔体波导两侧沿壁设置有密封凸条,且波导沿壁两侧设置有紧固件。进一步提高了模块的屏蔽性能;同时,整个微组装装配面均为平面式结构,装配过程简单,技术要求低。
进一步的,所述多级迂回式E面波导功分网络,近似为对称结构,包括输入标准矩形波导、曲线式波导功分过渡体、双壁渐变过渡波导、标准矩形波导和圆弧转弯波导,其中,曲线式波导功分过渡体位于中心,曲线式波导功分过渡体的中间连接输入标准矩形波导,其两端分别依次设置有双壁渐变过渡波导、标准矩形波导和圆弧转弯波导,所述双壁渐变过渡波导、标准矩形波导和圆弧转弯波导的外沿依次平滑连接。
进一步的,两端的圆弧转弯波导的转弯朝向一致。
进一步的,所述上盖板一面为平板化结构,另一面针对放大芯片的直流偏置网络走线进行了微波电路共面形式的设计。
进一步的,所述上盖板设置有正压偏置走线槽、负压偏置走线槽和立体偏置线传输孔,其中,正压偏置走线槽和负压偏置走线槽连通,且立体偏置线传输孔为多个设置于各个偏置线末端。
进一步的,所述正压偏置走线槽、负压偏置走线槽设置于腔体两侧,使得正压与负压偏置线分置于腔体两侧不同的走线槽中。有效避免了正负压电流之间的干扰,大大提高了模块自身的电磁兼容性。
与现有技术相比,本发明的有益效果为:
(1)在工作频宽方面,本发明提出的合成网络采用了E面波导功分与波导E面双探针作为功率分配与合成单元,优于传统的H面功率分配与合成网络,工作频段可直接覆盖标准波导对应的全工作频率范围;
(2)在散热效率方面,本发明的合成网络设计为规则长方体结构,采用了平面阵列分布的技术方案,热源分布均匀,热量可直接传输到与上下腔体紧密连接的散热器中,提高了合成器的散热效率,同时利用共晶焊工艺将放大芯片焊接在钼铜垫板上,然后螺装在下传输腔体中,提高了装配和维修效率,并增大了热传导效率;
(3)在合成效率方面,本发明采用了迂回式方案将输入端与输出端波导置于同一条水平线上,利用了E面波导功分与波导E面双探针作为功率分配与合成单元,优化布局将信号合成输出通路进行了最短化处理,同时,传输通路中除了微带探针外,再无其它介质材料,大大降低了通路损耗,提高了信号的合成与传输效率;
(4)在可生产性方面,本发明提出的合成器采用了一体化切割与加工技术,整个功率合成器仅分为下传输腔体和上盖板两层结构,结构紧凑,易于加工,减小了装配公差,整个微组装装配面均为平面式结构,装配过程简单,技术要求低,大大提高了其可生产性;
(5)针对功率合成网络偏置电路设计的难题,本发明的直流偏置网络采用了与微波电路共面的形式,正压与负压偏置线分置于腔体两侧不同的走线槽中,有效避免了正负压电流之间的干扰,大大提高了模块自身的电磁兼容性,并采用了对插式连接器与外界互联,便于模块的更换与维修。综上所述,利用本发明设计的功率合成网络,大大降低了结构的加工与装配难度,可满足宽频带、大功率、小尺寸与高可靠性的技术要求,为微波毫米波空间功率合成提供了一种有效的技术手段。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。
图1是现有技术中8路基于径向波导的空间功率合成网络图;
图2是本发明的装置结构图;
图3是本发明的下传输腔体结构示意图;
图4是E面波导-双微带探针结构图;
图5是E面波导-单微带探针转换结构图;
图6是E面双壁渐变波导功分结构原理图;
图7是上盖板结构原理图
其中:3-1、标准矩形输入波导,3-2、三级迂回式E面波导功分网络,3-3、E面波导微带探针转换结构,3-4、放大传输腔体,3-5、螺装式钼铜垫片,3-6、E面波导转双微带探针结构,3-7、两级最短化E面波导合成网络,3-8、标准矩形波导输出端口,3-9、卡扣式偏置电容组件,3-10、密封凸条,3-11、装配螺钉;
4-1、输入标准矩形波导,4-2、曲线式波导功分过渡体,4-3、双壁渐变过渡波导,4-4、标准矩形波导,4-5、圆弧转弯波导;
5-1、正压偏置走线槽,5-2负压偏置走线槽,5-3、立体偏置线传输孔。
具体实施方式:
下面结合附图与实施例对本发明作进一步说明。
应该指出,以下详细说明都是例示性的,旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明,本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
需要注意的是,这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式,而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式也意图包括复数形式,此外,还应当理解的是,当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时,其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
在本发明中,术语如“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“侧”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,只是为了便于叙述本发明各部件或元件结构关系而确定的关系词,并非特指本发明中任一部件或元件,不能理解为对本发明的限制。
本发明中,术语如“固接”、“相连”、“连接”等应做广义理解,表示可以是固定连接,也可以是一体地连接或可拆卸连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的相关科研或技术人员,可以根据具体情况确定上述术语在本发明中的具体含义,不能理解为对本发明的限制。
正如背景技术所介绍的,现有技术中存在平面功率合成与空间功率合成都有加工与装配误差很难得到保证,并且每一路放大单元的有效散热面积较小,散热效率低,很难适用于更大功率容量的合成系统中;另外,波导与波导分岔处容易激起高次模,恶化输入端口的回波反射,从而大大影响了其插入损耗与功率合成的效率,同样具有一定的局限性的不足,为了解决如上的技术问题,本申请提出了一种迂回式的一体化宽带高效多路空间功率合成网络。克服了传统平面与空间功率分配额/合成技术方案的插入损耗大、合成路数少与功率容量低等限制。采用了迂回式技术方案将输入端与输出端波导置于同一条水平线上,并利用了E面波导功分与波导E面双探针作为功率分配与合成单元,优于传统的H面功率分配与合成网络,工作频段可直接覆盖标准波导对应的全工作频率范围;整体结构为规则长方体形结构,整个结构只有底部传输腔体与上盖板两部分,采用的平面阵列分布的技术方案,将热源均匀分布,大大提高了合成器的散热效率;一体化切割与加工技术的引用,降低了结构的加工与装配难度,具有工作频带宽、加工装配简单、密封性好、插入损耗低、合成效率高、散热效率高、偏置网络抗干扰能力强、便于集成扩展等优点。
其中,迂回式的结构包括但不限于弯折式结构或具有一定的弯曲的狭长式延伸结构或连续圆滑拐弯式通道结构等。
本申请的一种典型的实施方式中,如图2所示,整体结构分为上下两层,主要包括下传输腔体2-1、上盖板2-2、下底面散热器2-3、上顶面散热器2-4。整体结构为标准长方体形结构,微波电路分布规则,腔体采用了一体化切割与加工技术,结构紧凑,易于加工,减小了加工与装配公差。
如图3所示为本发明提出的功率合成网络的下传输腔体2-1的内部结构图。主要包括:标准矩形输入波导3-1、三级迂回式E面波导功分网络3-2、E面波导微带探针转换结构3-3、放大传输腔体3-4、螺装式钼铜垫片3-5、E面波导转双微带探针结构3-6、两级最短化E面波导合成网络3-7、标准矩形波导输出端口3-8、卡扣式偏置电容组件3-9、密封凸条3-10、装配螺钉3-11。
工作时,输入信号首先由标准矩形输入波导3-1输入,利用三级迂回式E面波导功分网络3-2平均分配为8路,实现输入信号的等幅同相分配,分配后的各路信号,通过E面波导微带探针转换结构3-3进入每一路放大传输腔体3-4中,放大后的信号再通过E面波导-双微带探针转换结构3-6与两级最短化E面波导合成网络3-7合成为1路,合成后的信号由标准矩形波导输出端口3-8输出,进而实现8路信号的等幅同相功率分配与合成。
采用迂回式的技术方案,最大程度上缩短了两级最短化E面波导合成网络3-7的输出路径长度,将标准矩形输入波导3-1与标准矩形波导输出端口3-8置于同一水平线上,更易于与外部微波模块的装配与集成,提高了功率合成后的传输效率;整体结构为规则长方体,各个放大传输腔体3-4为平面阵列均匀分布在下传输腔体中,有效提高了散热面积,配合上面腔体的散热器提高了散热效率,保证了在大功率容量下的高可靠性,同时降低了装配与调试难度,提高了生产效率;功率分配与合成采用了E面波导功分与波导E面双探针相结合的技术方案,优于传统的H面功率分配与合成网络,并可实现在标准波导全频段的宽带功率合成与输出;整个传输通路中除了微带探针再无其它介质材料,大大降低了通路的插入损耗,提高了传输与合成效率;同时,输入与输出端口皆为标准矩形波导,外部可直接利用波导功分器与合成器进行三维多倍数扩展,易于集成。一体化切割与加工工艺的采用,大大提高了下传输腔体2-1与上盖板2-2的贴合性与密封性,并在波导两侧沿壁设计了密封凸条3-10,结合波导沿壁两侧的密集装配螺钉3-11,进一步提高了模块的屏蔽性能;同时,整个微组装装配面均为平面式结构,装配过程简单,技术要求低。
综上所述,本发明提出的空间功率合成网络具有功率容量大、传输损耗小、散热性能好、合成效率高、结构紧凑、装配简单,易加工、尺寸小等优点,为多路空间功率合成提供了一种有效的技术手段。其中,图4、图5分别为本发明提出的合成网络中E面波导-双微带探针与E面波导-单微带探针转换结构的结构图。
图6为多级迂回式E面波导功分网络的基础单元结构原理图,主要包括输入标准矩形波导4-1、曲线式波导功分过渡体4-2、双壁渐变过渡波导4-3、标准矩形波导4-4、圆弧转弯波导4-5。曲线式波导功分过渡体4-2的优化设计,可以抑制波导功分过程中产生的高次膜,提高端口驻波,结合双壁渐变过渡波导4-3,使得功分后的信号实现良好的阻抗匹配与过渡,优于传统的H面功率分配与合成网络,可完成在标准波导全频段内的宽带功率分配与输出,同时,圆弧式转弯波导4-5可以较好地完成波导的传输方向的转换。
图7为上盖板2-2的结构原理图,上盖板与下传输腔体采用了一体化切割与加工技术,保证了其密合度与密封性,同时上盖板一面为平板化结构,加工制作简单,上盖板另一面针对放大芯片的直流偏置网络走线进行了微波电路共面形式的设计,主要包括:正压偏置走线槽5-1、负压偏置走线槽5-2、立体偏置线传输孔5-3。利用该方法将全部偏置线埋于腔体的走线槽中,屏蔽效果好,提高了加电线路的抗扰性能,并将正压与负压偏置线分置于腔体两侧不同的走线槽中,有效避免了正负压电流之间的干扰,大大提高了模块自身的电磁兼容性;同时,偏置线末端通过立体偏置线传输孔5-3,采用了对插式连接器与卡扣式偏置电容组件3-9,便于模块的更换与维修。
本发明具有显著的优点:
(1)合成效率高:本发明采用了迂回式的技术方案,在保证输入输出端口在一条水平线上的基础上,结合利用波导E面双探针结构,将信号合成后的输出路径进行了最短化处理,迂回式曲线式设计了三级输入波导功分结构,保证了整体结构的规则性,大大提高了合成效率;同时,传输通路中除了微带探针外,再无其它介质材料,降低了通路损耗,进一步提高了信号的合成与传输效率。
(2)工作频带宽:本发明利用了E面波导功分与波导E面双探针作为功率分配与合成单元,优于传统的H面功率分配与合成网络,工作频段可直接覆盖标准波导对应的全工作频率范围,可实现在宽频带内的高效多路功率分配与合成。
(3)散热效率高:本发明提出的合成网络设计为规则长方体结构,采用了平面阵列分布的技术方案,热源分布均匀,热量可直接传输到与上下腔体紧密连接的散热器中,提高了合成器的散热效率,同时利用了共晶焊工艺将放大芯片焊接在钼铜垫板上,然后螺装在下传输腔体中,提高了装配和维修效率,并增大了热传导效率。
(4)可生产性强:采用了一体化切割与加工技术,整个功率合成器仅分为下传输腔体和上盖板两层结构,波导腔全部置于下传输腔体中,上盖板为平板设计,结构紧凑,易于加工,减小了装配公差;同时,整个微组装装配面均为平面式结构,装配过程简单,技术要求低,可生产能力强。
(5)抗干扰能力强:一体化切割与加工工艺的采用,大大提高了腔体与盖板的贴合性与密封性,并在波导两侧沿壁设计了密封凸条,结合波导沿壁两侧的密集装配螺钉,进一步提高了屏蔽性能;同时,直流偏置网络采用了与微波电路共面的形式,正压与负压偏置线分埋于腔体两侧不同的走线槽中,有效避免了正负压电流之间的干扰,屏蔽效果好,大大提高了模块自身的抗干扰能力。
(6)易于扩展集成:本发明提出的功率合成器为规则矩形结构,输入与输出端口皆为标准矩形波导,外部可直接利用波导功分器与合成器进行立体倍数扩展,直接扩展为16路甚至更多,形式简单,易于集成。
本发明提出的多路空间功率合成网络,将输入端与输出端波导置于同一条水平线上,利用迂回曲线式的三级输入波导功分方案,将合成后的输出波导传输路径进行了最短化设计,提高了合成后信号的传输效率。
E面波导功分与波导E面双探针结合的技术方案:本发明采用的技术方案优于传统的多级H面功率分配与合成网络,工作频段可直接覆盖标准波导对应的全工作频率范围,可实现在宽频带内的高效多路功率分配与合成;同时,通路除了放大通路中的微带探针外,信号传输均在矩形波导内完成,再无其它介质材料,大大降低了介质损耗,提高了信号传输效率。
基于平面阵列式的高效散热技术方案:本发明采用了平面阵列分布结构方案,热源分布规则且分散,腔体内部的放大单元皆置于腔体底部,热源可直接通过腔体传输到外部;整体腔体为规则矩形结构,上下两面均置有高效散热器,大大提高了合成器整体的散热效率。
基于一体化加工工艺的电磁泄漏防护技术:本发明采用了一体化切割与加工技术,整个功率合成器仅分为下传输腔体和上盖板两层结构,波导腔全部置于下传输腔体中,上盖板为平板设计,结构紧凑,易于加工,减小了装配公差,提高了可生产性,同时,由于腔体与盖板具有高度紧密的贴合,因此大大增强了模块的电磁泄漏屏蔽效能。
基于嵌入式直流偏置网络的抗干扰设计技术:本发明直流偏置网络采用了与微波电路共面的形式,正压与负压偏置线分埋于腔体两侧不同的走线槽中,有效避免了正负压电流之间的干扰。同时,由于在波导两侧沿壁设计了密封凸条,结合波导沿壁两侧的密集装配螺钉,进一步提高了模块的整体抗干扰能力。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已,并不用于限制本申请,对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。
上述虽然结合附图对本发明的具体实施方式进行了描述,但并非对本发明保护范围的限制,所属领域技术人员应该明白,在本发明的技术方案的基础上,本领域技术人员不需要付出创造性劳动即可做出的各种修改或变形仍在本发明的保护范围以内。

Claims (10)

1.一种迂回式宽带高效多路空间功率合成网络,其特征是:为上下两层,包括下传输腔体、上盖板、下底面散热器和上顶面散热器,所述下传输腔体上端盖合有上盖板,所述上盖板的上侧设置有上顶面散热器,所述下传输腔体的下端设置有下底面散热器,所述下传输腔体内规则分布有微波电路,所述规则下传输腔体采用E面波导功分网络与波导E面双探针作为功率分配与合成单元,同时E面波导功分网络为多级迂回式结构,使得输入端与输出端波导置于同一条水平线上。
2.如权利要求1所述的一种迂回式宽带高效多路空间功率合成网络,其特征是:所述下传输腔体包括矩形输入波导、多级迂回式E面波导功分网络、E面波导微带探针转换结构、放大传输腔体、E面波导转双微带探针结构、多级最短化E面波导合成网络和标准矩形波导输出端口,所述矩形输入波导接收输入信号,利用多级迂回式E面波导功分网络平均分配为多路,实现输入信号的等幅同相分配,分配后的各路信号,通过E面波导微带探针转换结构进入每一路放大传输腔体中,放大后的信号再通过E面波导转双微带探针与多级最短化E面波导合成网络合成为1路,合成后的信号由标准矩形波导输出端口输出,进而实现多路信号的等幅同相功率分配与合成。
3.如权利要求2所述的一种迂回式宽带高效多路空间功率合成网络,其特征是:所述多级迂回式E面波导功分网络为三级迂回式E面波导功分网络,输入信号并平均分配为8路。
4.如权利要求2所述的一种迂回式宽带高效多路空间功率合成网络,其特征是:利用迂回式结构,多级最短化E面波导合成网络的输出路径长度,将标准矩形输入波导与标准矩形波导输出端口置于同一水平线上。
5.如权利要求2所述的一种迂回式宽带高效多路空间功率合成网络,其特征是:各个放大传输腔体为平面阵列结构,均匀分布在下传输腔体中。
6.如权利要求1所述的一种迂回式宽带高效多路空间功率合成网络,其特征是:多路空间功率合成网络为一体化切割结构,下传输腔体与上盖板的连接处,在下传输腔体波导两侧沿壁设置有密封凸条,且波导沿壁两侧设置有紧固件。
7.如权利要求2所述的一种迂回式宽带高效多路空间功率合成网络,其特征是:所述多级迂回式E面波导功分网络,近似为对称结构,包括输入标准矩形波导、曲线式波导功分过渡体、双壁渐变过渡波导、标准矩形波导和圆弧转弯波导,其中,曲线式波导功分过渡体位于中心,曲线式波导功分过渡体的中间连接输入标准矩形波导,其两端分别依次设置有双壁渐变过渡波导、标准矩形波导和圆弧转弯波导,所述双壁渐变过渡波导、标准矩形波导和圆弧转弯波导的外沿依次平滑连接。
8.如权利要求7所述的一种迂回式宽带高效多路空间功率合成网络,其特征是:两端的圆弧转弯波导的转弯朝向一致。
9.如权利要求1所述的一种迂回式宽带高效多路空间功率合成网络,其特征是:所述上盖板一面为平板化结构,另一面针对放大芯片的直流偏置网络走线进行了微波电路共面形式的设计,设置有正压偏置走线槽、负压偏置走线槽和立体偏置线传输孔,其中,正压偏置走线槽和负压偏置走线槽连通,且立体偏置线传输孔为多个设置于各个偏置线末端。
10.如权利要求9所述的一种迂回式宽带高效多路空间功率合成网络,其特征是:所述正压偏置走线槽、负压偏置走线槽设置于腔体两侧,使得正压与负压偏置线分置于腔体两侧不同的走线槽中。
CN201710735602.5A 2017-08-24 2017-08-24 一种迂回式宽带高效多路空间功率合成网络 Active CN107611545B (zh)

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