JPH0438855A - マイクロ波帯ｉｃ用パッケージ - Google Patents
マイクロ波帯ｉｃ用パッケージInfo
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- JPH0438855A JPH0438855A JP14697790A JP14697790A JPH0438855A JP H0438855 A JPH0438855 A JP H0438855A JP 14697790 A JP14697790 A JP 14697790A JP 14697790 A JP14697790 A JP 14697790A JP H0438855 A JPH0438855 A JP H0438855A
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- dielectric film
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- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、数十ＭＨｚ以上の高周波帯、特に３０ＧＨ
ｚ以上のミリ波帯で動作する半導体集積回路を封入する
マイクロ波帯ＩＣ用パッケージに関するものである。
ｚ以上のミリ波帯で動作する半導体集積回路を封入する
マイクロ波帯ＩＣ用パッケージに関するものである。
第４図（ａ）は従来のマイクロ波帯ＩＣ用パッケージの
一例（ビームリード型）を示す斜視図、第４図（ｂ）は
他の従来例（マイクロストリップ型）を示す斜視図であ
る。これらの図において、１はパッケージ本体、２はチ
ップ接続用入出力マイクロストリップライン、３は外部
回路接続用入出力ビームリード、４は外部回路接続用入
出力マイクロストリップラインである。
一例（ビームリード型）を示す斜視図、第４図（ｂ）は
他の従来例（マイクロストリップ型）を示す斜視図であ
る。これらの図において、１はパッケージ本体、２はチ
ップ接続用入出力マイクロストリップライン、３は外部
回路接続用入出力ビームリード、４は外部回路接続用入
出力マイクロストリップラインである。
第５図（ａ）は、第４図（ａ）のマイクロ波帯ＩＣ用パ
ッケージ（ビームリード型）を治具を用いて高周波（Ｒ
Ｆ）特性の評価を行っている状態を示す斜視図である。
ッケージ（ビームリード型）を治具を用いて高周波（Ｒ
Ｆ）特性の評価を行っている状態を示す斜視図である。
また、第５図（ｂ）は、第４図（ｂ）のマイクロ波帯Ｉ
Ｃ用パッケージ（マイクロストリップ型）を治具を用い
て高周波（ＲＦ）特性の評価を行っている状態を示す斜
視図である。
Ｃ用パッケージ（マイクロストリップ型）を治具を用い
て高周波（ＲＦ）特性の評価を行っている状態を示す斜
視図である。
なお、第５図における５は評価用治具、６はビムリード
押え、７はＩＣＣチップ８はボンディングワイヤである
。
押え、７はＩＣＣチップ８はボンディングワイヤである
。
第４図（ａ）のようなビームリード型バッヶジでは、第
５図（ａ）に示すように、ビームリド３として単なる金
属板を用いているため、パッケージ端面から離れるに従
って特性インピーダンスが変化し、反射や損失が増大す
るという問題点があった。
５図（ａ）に示すように、ビームリド３として単なる金
属板を用いているため、パッケージ端面から離れるに従
って特性インピーダンスが変化し、反射や損失が増大す
るという問題点があった。
また、第４図（ｂ）のようなマイクロストリップ型パフ
ケージでは、第５図（ｂ）に示すように、測定の際に外
部回路とボンディングワイヤ８を用いて接続する必要が
あるため作業性が悪く、また、ボンディングワイヤ８の
寄生インダクタンスに起因して反射や損失が増大すると
いう問題点があった。
ケージでは、第５図（ｂ）に示すように、測定の際に外
部回路とボンディングワイヤ８を用いて接続する必要が
あるため作業性が悪く、また、ボンディングワイヤ８の
寄生インダクタンスに起因して反射や損失が増大すると
いう問題点があった。
そして、パッケージ本体１の外部にてモジュルや測定治
具等と接続するには、その長さは数１１にも及び、長さ
が長いため特性インピーダンスが不正確になった場合に
受ける悪影響が大きく、また、高い周波数での使用は困
難であった。
具等と接続するには、その長さは数１１にも及び、長さ
が長いため特性インピーダンスが不正確になった場合に
受ける悪影響が大きく、また、高い周波数での使用は困
難であった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、高い周波数まで低損失、低反射で、かつ評価の簡
単なマイクロ波帯ＩＣ用パッケージを擾ることを目的と
する。
ので、高い周波数まで低損失、低反射で、かつ評価の簡
単なマイクロ波帯ＩＣ用パッケージを擾ることを目的と
する。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係るマイクロ波帯ＩＣ用パッケージは、パッ
ケージと外部回路とのＲＦ倍信号接続用として、信号線
路と接地線路とを有するコブしナラインを構成したリー
ド状部電体フイＪＬムを用いたものである。
ケージと外部回路とのＲＦ倍信号接続用として、信号線
路と接地線路とを有するコブしナラインを構成したリー
ド状部電体フイＪＬムを用いたものである。
この発明においては、コプレーナラインを構成したフィ
ルム状のリードを用いてパッケージと外部回路との接続
を行ったことから、パッケージ端面から離れたところま
で特性インピーダンスが一定となり、低損失、低反射の
パフケージが得られる。
ルム状のリードを用いてパッケージと外部回路との接続
を行ったことから、パッケージ端面から離れたところま
で特性インピーダンスが一定となり、低損失、低反射の
パフケージが得られる。
以下、この発明について説明する。
第１図はこの発明のマイクロ波帯ＩＣ用パッケージの一
実施例を示す斜視図である。この図Ｚこおいて、第４図
、第５図と同一符号は同じものを示し、９は、例えばポ
リイミド等からなるリード状誘電体フィルム、１０は信
号線路、１１は接地線路であり、前記リード状誘電体フ
ィルム９は、信号Ｓ路１０をはさんで両側に接地線路１
１を有するコプレーナラインが構成されている。
実施例を示す斜視図である。この図Ｚこおいて、第４図
、第５図と同一符号は同じものを示し、９は、例えばポ
リイミド等からなるリード状誘電体フィルム、１０は信
号線路、１１は接地線路であり、前記リード状誘電体フ
ィルム９は、信号Ｓ路１０をはさんで両側に接地線路１
１を有するコプレーナラインが構成されている。
次に、動作を第２図に基づいて説明する。
第２図は、第１図のマイクロ波帯ＩＣ用パッケージの高
周波特性を測定中の状態を示す斜視図である。リード状
誘電体フィルム９は、ある程度の弾力を有するため、リ
ード押え６の裏面に設けられた信号線路（図示せず）と
リード状誘電体フィルム９上に設けられた信号線路１０
との密着は容易であり、良好な作業性を有する。また、
寄生インダクタンスは微量であるため、パッケージ端面
での反射や損失は非常に小さい。
周波特性を測定中の状態を示す斜視図である。リード状
誘電体フィルム９は、ある程度の弾力を有するため、リ
ード押え６の裏面に設けられた信号線路（図示せず）と
リード状誘電体フィルム９上に設けられた信号線路１０
との密着は容易であり、良好な作業性を有する。また、
寄生インダクタンスは微量であるため、パッケージ端面
での反射や損失は非常に小さい。
なお、上記実施例では誘電体フィルム９の表面に信号線
Ｊ＠１０と接地線路１１が設けられているが、第３図に
示すように誘電体フィルム９の裏面に形成してコプレー
ナラインを構成してもよ（、上記実施例と同様の効果を
有する。
Ｊ＠１０と接地線路１１が設けられているが、第３図に
示すように誘電体フィルム９の裏面に形成してコプレー
ナラインを構成してもよ（、上記実施例と同様の効果を
有する。
以上説明したように、この発明は、パフ’ｆ−ジと外部
回路とのＲＦ佃号の接続用として、コプレーナラインを
構成したリード状誘電体フィルムを用いたので、パッケ
ージ端面から離れたところまで特性インピーダンスが一
定となり、低損失、低反射で、かつ評価の簡単なパッケ
ージが得られろ効果がある。
回路とのＲＦ佃号の接続用として、コプレーナラインを
構成したリード状誘電体フィルムを用いたので、パッケ
ージ端面から離れたところまで特性インピーダンスが一
定となり、低損失、低反射で、かつ評価の簡単なパッケ
ージが得られろ効果がある。
第１図はこの発明のマイクロ波帯ＩＣ用パッケジの一実
施例を示す斜視図、第２図はそのパッケージの高周波特
性を測定中の状態を示すｒ４視図、第３図はこの発明の
他の実施例を示す斜視図、第４図（ａ）は従来のマイク
ロ波帯ＩＣ用パッケージの一例（ビームリード型）を示
す斜視図、第４図（ｂ）は他の従来例（マイクロストリ
ップ型）を示す斜視図、第５図（ａ）は、第４図（ａ）
のビームリード型パフヶーノの評価を行っている状態を
示す斜視図、第５図（ｂｌは、第４図（ｂ）のマイクロ
ストリップ型パフケージの評価を行っている状態を示す
斜視図である。 図において、１はパッケージ本体、２はチップ接続用入
出力マイクロストリップライン、９はリド状誘電体フィ
ルム、１０は信号線路、１１は接地線路である。 なお、 各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
施例を示す斜視図、第２図はそのパッケージの高周波特
性を測定中の状態を示すｒ４視図、第３図はこの発明の
他の実施例を示す斜視図、第４図（ａ）は従来のマイク
ロ波帯ＩＣ用パッケージの一例（ビームリード型）を示
す斜視図、第４図（ｂ）は他の従来例（マイクロストリ
ップ型）を示す斜視図、第５図（ａ）は、第４図（ａ）
のビームリード型パフヶーノの評価を行っている状態を
示す斜視図、第５図（ｂｌは、第４図（ｂ）のマイクロ
ストリップ型パフケージの評価を行っている状態を示す
斜視図である。 図において、１はパッケージ本体、２はチップ接続用入
出力マイクロストリップライン、９はリド状誘電体フィ
ルム、１０は信号線路、１１は接地線路である。 なお、 各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- パッケージと外部回路とのＲＦ信号の接続用として、
信号線路と接地線路とを有するコプレーナラインを構成
したリード状誘電体フィルムを用いたことを特徴とする
マイクロ波帯ＩＣ用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2146977A JP2794905B2 (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | マイクロ波帯ｉｃ用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2146977A JP2794905B2 (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | マイクロ波帯ｉｃ用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0438855A true JPH0438855A (ja) | 1992-02-10 |
| JP2794905B2 JP2794905B2 (ja) | 1998-09-10 |
Family
ID=15419841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2146977A Expired - Lifetime JP2794905B2 (ja) | 1990-06-04 | 1990-06-04 | マイクロ波帯ｉｃ用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2794905B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5294897A (en) * | 1992-07-20 | 1994-03-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microwave IC package |
| US5349317A (en) * | 1992-04-03 | 1994-09-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High frequency signal transmission tape |
| US5545924A (en) * | 1993-08-05 | 1996-08-13 | Honeywell Inc. | Three dimensional package for monolithic microwave/millimeterwave integrated circuits |
| JP2000091495A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-03-31 | Whitaker Corp:The | パッケ―ジされた集積回路 |
| DE102005012494A1 (de) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Shf Communication Technologies Ag | Verbessertes Bondverfahren zur Verbindung von Mikrowellenschaltungen |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0262064A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Fujitsu Ltd | セラミックパッケージ |
-
1990
- 1990-06-04 JP JP2146977A patent/JP2794905B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0262064A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Fujitsu Ltd | セラミックパッケージ |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5349317A (en) * | 1992-04-03 | 1994-09-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High frequency signal transmission tape |
| US5294897A (en) * | 1992-07-20 | 1994-03-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microwave IC package |
| US5545924A (en) * | 1993-08-05 | 1996-08-13 | Honeywell Inc. | Three dimensional package for monolithic microwave/millimeterwave integrated circuits |
| JP2000091495A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-03-31 | Whitaker Corp:The | パッケ―ジされた集積回路 |
| JP4596498B2 (ja) * | 1998-07-31 | 2010-12-08 | オートリブ エー・エス・ピー・インク | パッケージされた集積回路の実装体 |
| DE102005012494A1 (de) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Shf Communication Technologies Ag | Verbessertes Bondverfahren zur Verbindung von Mikrowellenschaltungen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2794905B2 (ja) | 1998-09-10 |
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