CN114935857A - 一种显示面板及其制作方法 - Google Patents
一种显示面板及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114935857A CN114935857A CN202210424731.3A CN202210424731A CN114935857A CN 114935857 A CN114935857 A CN 114935857A CN 202210424731 A CN202210424731 A CN 202210424731A CN 114935857 A CN114935857 A CN 114935857A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- metal layer
- layer
- display panel
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 135
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 135
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 6
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134372—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Geometry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
本申请提供一种显示面板及其制作方法,该显示面板包括基板,位于基板上同层间隔设置的第一金属层和第一电极,以及位于第一电极上方的第二电极。第一金属层被施加栅极信号,第一电极被施加公共信号。由于第二电极在第一电极上的正投影位于第一电极的范围内,因此第一电极的面积大于第二电极的面积且第二电极的下方始终对应有第一电极,进而可以改善边缘暗纹,提高透过率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
液晶显示器是目前所有最广泛的一种平板显示器,可为各种电子设备如移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机以及计算机等提供具有高分辨率的彩色屏幕。其中,FFS(Fringe Field Switching,边缘场开关技术)模式的液晶显示器以其观看视角广以及开口率高等特点受到广大用户的喜爱。
FFS模式的显示面板一般可包括金属层、栅绝缘层、半导体层、源漏极、像素电极、公共电极和钝化层。为了降低制作成本,FFS显示面板的制作方法已经从最初的7mask(光罩)技术发展为目前的4mask技术,4个光罩分别用于:形成图案化的金属层和像素电极,形成图案化的栅绝缘层、半导体层和源漏极,形成图案化的钝化层,以及形成图案化的公共电极。一般像素电极在底部,公共电极为顶部。
其中金属层包括远离像素电极的第一金属层和靠近像素电极的第二金属层。由于第二金属层的信号与像素电极的信号不同,为了保证像素电极不与第二金属层发生短路和漏光,像素电极需要与第二金属层保持一定距离,这样会导致底部像素电极的面积小于顶部公共电极的面积,在两者不重叠区域(只有第一电极而没有第二电极的区域)的边缘会产生暗纹,影响透过率。
发明内容
本申请的目的在于提供一种显示面板及其制作方法,旨在使边缘暗纹得到改善,提高透过率。
一方面,本申请提供一种显示面板,所述显示面板至少包括:
基板;
第一金属层,所述第一金属层位于所述基板上,且被施加栅极信号;
第一电极,所述第一电极与所述第一金属层同层间隔设置,且所述第一电极被施加公共信号;
第二电极,所述第二电极位于所述第一电极上方,且所述第二电极在所述第一电极上的正投影在所述第一电极的范围内。
在一些实施例中,所述显示面板还包括:
第二金属层,所述第二金属层与所述第一金属层同层间隔设置,且位于所述第一金属层靠近所述第一电极的一侧,所述第二金属层被施加公共信号;
其中,所述第二金属层与所述第一电极搭接。
在一些实施例中,所述第一金属层与所述第一电极之间的距离大于预设距离。
在一些实施例中,所述显示面板还包括位于所述第一金属层下方的透明电极。
在一些实施例中,所述第一电极为平面电极,所述第二电极为条状电极。
在一些实施例中,所述显示面板还包括:
栅绝缘层,位于所述第一金属层上;
半导体层,位于所述栅绝缘层上;
源极和漏极,位于所述半导体层的两端;
其中,所述第二电极与所述漏极电连接。
另一方面,本申请提供一种显示面板的制作方法,所述制作方法至少包括:
提供基板;
在所述基板上形成第一金属层,所述第一金属层位于所述基板上,且被施加栅极信号;
形成与所述第一金属层同层间隔设置的第一电极,且所述第一电极被施加公共信号;
形成位于所述第一电极上方的第二电极,且所述第二电极在所述第一电极上的正投影在所述第一电极的范围内。
在一些实施例中,所述制作方法还包括:
形成与所述第一金属层同层间隔设置,且位于所述第一金属层靠近所述第一电极的一侧的第二金属层,所述第二金属层被施加公共信号;
其中,所述第二金属层与所述第一电极搭接。
在一些实施例中,形成所述第一金属层和所述第一电极的步骤,包括:
在所述基板上依次形成透明导电层和位于所述透明导电层上的金属导电层;
采用一道光罩进行光刻工艺,使所述金属导电层形成所述第一金属层,且使所述透明导电层形成与所述第一金属层间隔设置的第一电极;
其中,所述第一金属层下方的所述透明导电层形成透明电极,且所述第一电极上方的所述金属导电层形成第三金属层;所述制作方法还包括去除所述第三金属层。
在一些实施例中,所述第一金属层与所述第一电极之间的距离大于预设距离。
本申请的有益效果是:提供一种显示面板及其制作方法,该显示面板包括基板,位于基板上同层间隔设置的第一金属层和第一电极,以及位于第一电极上方的第二电极。第一金属层被施加栅极信号,第一电极被施加公共信号。由于第二电极在第一电极上的正投影位于第一电极的范围内,因此第一电极的面积大于第二电极的面积且第二电极的下方始终对应有第一电极,进而可以改善边缘暗纹,提高透过率。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1是本申请一种实施例提供的显示面板的俯视结构示意图;
图2是本申请实施例提供的显示面板的剖面结构示意图;
图3是本申请另一实施例提供的显示面板的俯视结构示意图;
图4是申请实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图;
图5a-5d是本申请实施例提供的显示面板在制作过程中的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参阅图1,图1是本申请一种实施例提供的显示面板的俯视结构示意图。该显示面板100包括基板10,位于基板10上同层间隔设置的第一金属层11和第一电极12,以及位于第一电极12上方的第二电极13。其中,第一金属层11被施加栅极信号,第一电极12被施加公共信号。
基板10可以包括玻璃基板和柔性基板其中之一或其组合。第一金属层11的材料可以为Mo或Mo/Al或Mo/Cu或Mo/Cu/IZO或IZO/Cu/IZO或Mo/Cu/ITO或Ni/Cu/Ni或MoTiNi/Cu/MoTiNi或NiCr/Cu/NiCr或CuNb等。第一电极12可以为平面电极,即为连续的一整块导电材料,第二电极13可以为条状电极,也可以说第二电极13具有多个长条状的开口。第一电极12和第二电极13的材料都可以为透明的氧化铟锡(Indium tin oxide,ITO)。其中,第一电极在底部作为公共电极,第二电极13被施加像素驱动信号,即在顶部作为像素电极。
在本实施例中,第一电极12与第一金属层11同层且间隔设置。由于第一电极12被施加公共信号,第一金属层11被施加栅极信号,因此第一电极12与第一金属层11的距离D1大于预设距离,即第一电极12与第一金属层11需要保持一定的距离,避免两者之间发生短路或减少信号干扰。所述预设距离可以根据实际工艺和电性需求进行设置。
在现有技术中,第一电极被施加像素驱动信号,第二电极被施加公共信号,即第一电极在底部作为像素电极,第二电极在顶部作为公共电极。显示面板还包括设置在所述第一金属层靠近所述第一电极的一侧的第二金属层,且第二金属层被施加公共信号。由于第二金属层与第一电极施加的信号不同,因此第二金属层与第一电极需要保持一定距离,使得第一电极与第一金属层的距离变大,导致第一电极的面积小于第二电极的面积,且第二电极的边缘部分(靠近第一金属层或第二金属层的部分)没有对应第一电极,进而导致电场在该区域产生暗纹,使透过率降低。
需要说明的是,第二电极的面积指的是第二电极在整个范围内的面积,即包括第二电极之间开口的面积。
本实施例提供的显示面板中,取消了施加公共信号的第二金属层,因此俯视图1中的第一电极12能够向下延伸到原来第二金属层的位置,因此可以增加第一电极12的面积,即第二电极13在所述第一电极12上的正投影可以在所述第一电极12的范围内。这样第一电极12可以覆盖到第二电极13对应的所有区域,即第二电极13的下方始终对应有第一电极12,这样可以改善暗纹问题,提高透过率。
在一些实施例中,第一电极12的面积可以大于第二电极13的面积,这样可以保证第一电极12和第二电极13施加电压产生的电场不会在边缘处产生暗纹,提高透过率。
请参阅图2,图2是本申请实施例提供的显示面板的剖面结构示意图。为了便于理解和简要说明,本实施例与上述实施例相同的结构使用相同的标号。
该显示面板包括基板10、第一金属层11、第一电极12和第二电极13,还包括位于第一金属层11下方的透明电极12a。需要说明的是,该透明电极12a是在形成第一电极12和第一金属层11的刻蚀工艺中留下的,因为透明电极12a被第一金属层11遮挡了,具体工艺将在后文中详细描述。
该显示面板还包括栅绝缘层14、半导体层15、源极16a和漏极16b。所述栅绝缘层14覆盖第一金属层11和第一电极12,所述半导体层15位于栅绝缘层14上且对应第一金属层11的位置。
在一些实施例中,所述半导体层15包括有源层151和位于有源层151上的欧姆接触层152。源极16a和漏极16b位于半导体层15的两端。其中,栅绝缘层14的材料可为SiOx,SiNx,Al2O3/SiNx/SiOx,SiOx/SiNx/SiOx等,有源层151的材料可以为非晶硅,欧姆接触层152的材料可以为N型掺杂的非晶硅,用于实现电连接,降低有源层151与源/漏极的接触电阻。源极16a和漏极16b的材料可以为Mo或Al/Mo或Mo/Al/Mo或Mo/Cu或Mo/Cu/IZO或IZO/Cu/IZO或Mo/Cu/ITO或Ni/Cu/Ni或MoTiNi/Cu/MoTiNi或NiCr/Cu/NiCr或CuNb等。
该显示面板还包括覆盖源极16a、漏极16b和栅绝缘层14的钝化层17,钝化层17的材料可为SiOx,SiNx,Al2O3/SiNx/SiOx,SiOx/SiNx/SiOx等。在本实施例中,第二电极13形成在第一电极12的上方,且位于钝化层17上。
所述钝化层17具有暴露出漏极16b的接触孔18a,该显示面板还可以包括填充在所述接触孔18a和覆盖部分钝化层17的连接层18,所述连接层18与第二电极13连接,以实现漏极16b与第二电极13的电连接,进而可以通过薄膜晶体管对第二电极13进行像素驱动。
在一些实施例中,该显示面板还可以包括与所述基板10相对设置的彩膜基板,所述彩膜基板包括玻璃基板130和位于所述玻璃基板130靠近所述基板10一侧的彩色滤光膜120。
该显示面板还可以包括位于所述彩色滤光膜120靠近所述基板10一侧的平坦层110,以及位于平坦层110与钝化层17之间的隔垫物19。
在一些实施例中,该显示面板还可以包括位于所述玻璃基板130远离所述彩色滤光膜120一侧的背部电极140,用于防静电。
如图2所示,第一电极12的面积大于第二电极13的面积,且第一电极12向左边超出第一电极12的部分可以对应图1中第一电极12向下超出第二电极13的部分。
请参阅图3,图3是本申请另一实施例提供的显示面板的俯视结构示意图。该显示面板200包括基板20,位于基板20上同层间隔设置的第一金属层21和第一电极22,以及位于第一电极22上的第二电极23。
与上述显示面板100不同的是,该显示面板200还包括第二金属层24,所述第二金属层24与所述第一金属层21同层间隔设置,且位于所述第一金属层21靠近所述第一电极22的一侧。第二金属层24在图3俯视平面中的位置可以位于第二电极23的下方。实际上,第一金属层21、第二金属层24和第二电极23的相对位置是根据实际需求固定设置的。
由于第二金属层24被施加公共信号,与第一电极22的信号相同,因此两者可以搭接,即第二金属层24不需要与第一电极22保持一定距离,图3中的第一电极22的底部可以覆盖到第二电极23的边缘区域,使得第二电极23在所述第一电极22上的正投影在所述第一电极22的范围内,因此可以改善边缘暗纹,提高透过率。
可以理解的是,由于第二金属层24与第一金属层21的信号不同,因此第一金属与第二金属层24的距离D2大于预设距离,所述预设距离可以根据实际工艺和电性需求进行设置。
请参阅图4,图4是申请实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图。本实施例以制作上述显示面板100为例,对该显示面板100的制作方法进行说明,因此可以参考图1和图2。该显示面板的制作方法包括以下步骤S1-S4。
步骤S1:提供基板10。
基板10可以包括玻璃基板和柔性基板其中之一或其组合。
步骤S2:在所述基板10上形成第一金属层11,所述第一金属层11位于所述基板10上,且被施加栅极信号。
第一金属层11的材料可以为Mo或Mo/Al或Mo/Cu或Mo/Cu/IZO或IZO/Cu/IZO或Mo/Cu/ITO或Ni/Cu/Ni或MoTiNi/Cu/MoTiNi或NiCr/Cu/NiCr或CuNb等。
步骤S3:形成与所述第一金属层11同层间隔设置的第一电极12,且所述第一电极12被施加公共信号。
第一电极12与第一金属层11可以采用一道光罩进行光刻工艺形成。具体的,请参阅图5a-5d,图5a-5d是本申请实施例提供的显示面板在制作过程中的结构示意图。
形成第一电极12和第一金属层11的步骤可以包括:1)如图5a所示,在所述基板10上依次形成透明导电层12’和位于所述透明导电层12’上的金属导电层11’;2)如图5b-图5c所示,采用一道光罩通过光刻工艺,使所述金属导电层11’形成所述第一金属层11,且使所述透明导电层12’形成与所述第一金属层11间隔设置的第一电极12。更具体的,在金属导电层11’上形成光刻胶层,使用一张光罩(或掩模版)对所述光刻胶层进行曝光得到图案化的光刻胶,然后基于所述图案化的光刻胶对所述金属导电层11’进行刻蚀,形成如图5b所示的图案(包括第一金属层11和第三金属层11a)。如图5c所示,基于所述第一金属层11和第三金属层11a对所述透明导电层12’进行刻蚀,得到位于第一金属层11下方的透明电极12a和位于第三金属层11a下方的第一电极12。如图5d所示,在后续工艺中去除所述第三金属层11a。由于第一金属层11和透明电极12a,与第三金属层11a和第一电极12可以看作同层设置,且透明电极12a不起作用,因此第一金属层11和第一电极12可以看成同层设置。
步骤S4:形成位于所述第一电极12上方的第二电极13,且所述第二电极13在所述第一电极12上的正投影在所述第一电极12的范围内。
可以参考图2,依次形成栅绝缘层14、半导体层15、源极16a和漏极16b、钝化层17后,在钝化层17上形成对应第一电极12的第二电极13。接着在钝化层17中形成暴露所述漏极16b的接触孔18a,并在接触孔18a和部分钝化层17上形成与所述第二电极13连接的连接层18。其中,第一电极12和第二电极13的材料都可以为透明的氧化铟锡(Indium tinoxide,ITO)。
在一些实施例中,第一金属层11和第一电极12可以采用一张光罩形成,半导体层15和源极16a、漏极16b可以采用一张光罩进行光刻工艺形成,包括接触孔18a的钝化层17可以采用一张光罩形成,第二电极13可以采用一张光罩形成,因此采用4张光罩就可以形成该显示面板。
可以参考图3,该显示面板的制作方法还可以包括:形成与所述第一金属层21同层间隔设置,且位于所述第一金属层21靠近所述第一电极22的一侧的第二金属层24,所述第二金属层24被施加公共信号。其中,所述第二金属层24与所述第一电极22搭接。
其中,第二金属层24、第一金属层21和第一电极22可以采用一道光罩形成。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板至少包括:
基板;
第一金属层,所述第一金属层位于所述基板上,且被施加栅极信号;
第一电极,所述第一电极与所述第一金属层同层间隔设置,且所述第一电极被施加公共信号;
第二电极,所述第二电极位于所述第一电极上方,且所述第二电极在所述第一电极上的正投影在所述第一电极的范围内。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
第二金属层,所述第二金属层与所述第一金属层同层间隔设置,且位于所述第一金属层靠近所述第一电极的一侧,所述第二金属层被施加公共信号;
其中,所述第二金属层与所述第一电极搭接。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属层与所述第一电极之间的距离大于预设距离。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于所述第一金属层下方的透明电极。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极为平面电极,所述第二电极为条状电极。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
栅绝缘层,位于所述第一金属层上;
半导体层,位于所述栅绝缘层上;
源极和漏极,位于所述半导体层的两端;
其中,所述第二电极与所述漏极电连接。
7.一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述制作方法至少包括:
提供基板;
在所述基板上形成第一金属层,所述第一金属层位于所述基板上,且被施加栅极信号;
形成与所述第一金属层同层间隔设置的第一电极,且所述第一电极被施加公共信号;
形成位于所述第一电极上方的第二电极,且所述第二电极在所述第一电极上的正投影在所述第一电极的范围内。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括:
形成与所述第一金属层同层间隔设置,且位于所述第一金属层靠近所述第一电极的一侧的第二金属层,所述第二金属层被施加公共信号;
其中,所述第二金属层与所述第一电极搭接。
9.根据权利要求7所述的显示面板的制作方法,其特征在于,形成所述第一金属层和所述第一电极的步骤,包括:
在所述基板上依次形成透明导电层和位于所述透明导电层上的金属导电层;
采用一道光罩进行光刻工艺,使所述金属导电层形成所述第一金属层,且使所述透明导电层形成与所述第一金属层间隔设置的第一电极;
其中,所述第一金属层下方的所述透明导电层形成透明电极,且所述第一电极上方的所述金属导电层形成第三金属层;所述制作方法还包括去除所述第三金属层。
10.根据权利要求7所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述第一金属层与所述第一电极之间的距离大于预设距离。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210424731.3A CN114935857A (zh) | 2022-04-21 | 2022-04-21 | 一种显示面板及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210424731.3A CN114935857A (zh) | 2022-04-21 | 2022-04-21 | 一种显示面板及其制作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114935857A true CN114935857A (zh) | 2022-08-23 |
Family
ID=82863076
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210424731.3A Pending CN114935857A (zh) | 2022-04-21 | 2022-04-21 | 一种显示面板及其制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114935857A (zh) |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008175930A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置および表示装置の製造方法 |
CN102544029A (zh) * | 2012-02-07 | 2012-07-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
CN102543863A (zh) * | 2012-02-06 | 2012-07-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
CN102543864A (zh) * | 2012-02-07 | 2012-07-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
CN105097832A (zh) * | 2015-06-25 | 2015-11-25 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
US20160035573A1 (en) * | 2014-01-24 | 2016-02-04 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, display device, and manufacturing method of array substrate |
CN105974690A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩模板、阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN106711159A (zh) * | 2017-03-28 | 2017-05-24 | 上海天马微电子有限公司 | 阵列基板和阵列基板的制作方法 |
CN113109973A (zh) * | 2021-05-13 | 2021-07-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置 |
-
2022
- 2022-04-21 CN CN202210424731.3A patent/CN114935857A/zh active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008175930A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置および表示装置の製造方法 |
CN102543863A (zh) * | 2012-02-06 | 2012-07-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
CN102544029A (zh) * | 2012-02-07 | 2012-07-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
CN102543864A (zh) * | 2012-02-07 | 2012-07-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
US20160035573A1 (en) * | 2014-01-24 | 2016-02-04 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, display device, and manufacturing method of array substrate |
CN105097832A (zh) * | 2015-06-25 | 2015-11-25 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN105974690A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩模板、阵列基板、显示面板及显示装置 |
CN106711159A (zh) * | 2017-03-28 | 2017-05-24 | 上海天马微电子有限公司 | 阵列基板和阵列基板的制作方法 |
CN113109973A (zh) * | 2021-05-13 | 2021-07-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10139685B2 (en) | Array substrate, manufacturing method thereof and display device | |
JP4833799B2 (ja) | 画素アレイ基板の製造方法 | |
US8289491B2 (en) | Liquid crystal display device with shield lines on data lines and thin film transistor components | |
KR101999907B1 (ko) | 어레이 기판, 디스플레이 패널, 및 어레이 기판의 제조 방법 | |
KR20120033688A (ko) | 액정표시장치 및 이의 제조 방법 | |
KR101942982B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조방법 | |
CN110767680B (zh) | 显示面板、显示屏及显示终端 | |
WO2015027609A1 (zh) | 阵列基板及其制备方法和显示装置 | |
CN109494257B (zh) | 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置 | |
WO2015027632A1 (zh) | 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法 | |
KR20080002186A (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 | |
CN107845644B (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
CN113467145B (zh) | 阵列基板及制作方法、显示面板 | |
CN114089571A (zh) | 阵列基板及制作方法和显示面板 | |
JP5090133B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
CN115810636A (zh) | 金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和显示面板 | |
CN114660862B (zh) | 阵列基板及制作方法、显示面板 | |
KR20120072817A (ko) | 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
CN114935857A (zh) | 一种显示面板及其制作方法 | |
CN210465920U (zh) | 彩色滤光片基板及液晶显示面板 | |
KR100852806B1 (ko) | 액정 표시 장치의 제조 방법 | |
CN114402430A (zh) | 阵列基板及制作方法、显示面板 | |
CN106783887B (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
CN113589612B (zh) | 阵列基板及制作方法、显示面板 | |
CN114236931B (zh) | 阵列基板及制作方法、显示面板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |