CN114933422B - 减反射镀膜玻璃及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种减反射镀膜玻璃及其制备方法，减反射镀膜玻璃包括依次设置的玻璃基板、第一折射层组和陶瓷保护层，第一折射层组包括第一高折射率层、过渡层和第一低折射率层，过渡层位于第一高折射率层和第一低折射率层之间，第一高折射率层位于玻璃基板的一侧；多个第二折射层组重叠设置，各第二折射层组包括第二高折射率层和第二低折射率层，第二高折射率层位于第一低折射率层背向第一高折射率层的一侧，最外侧的第二低折射率层背向第二高折射率层的一侧设置有陶瓷保护层。本发明中的减反射镀膜玻璃通过设置陶瓷保护层，提高表面硬度。通过在第一高折射率层和第一低折射率层之间设置过渡层，提高膜层结合力和整体稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及玻璃领域，具体涉及一种减反射镀膜玻璃及其制备方法。
背景技术
减反射镀膜玻璃利用对太阳光具有较低的反射率和较高的透过率的独特性能，可以消除玻璃的眩光问题，使得色彩更艳丽，景物更清晰，因此被广泛用在临街店面的橱窗玻璃、博物馆的画框玻璃、展柜玻璃、商店柜面玻璃、广告牌玻璃、特殊建筑玻璃等。然而，现有的减反射镀膜玻璃存在膜层结合力差，硬度不高等问题，在加工和使用过程中容易划伤、脱膜等缺陷。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种减反射镀膜玻璃及其制备方法，以解决传统减反射镀膜玻璃膜层结合力差，硬度不高的问题。
为实现上述目的，本发明提出的减反射镀膜玻璃包括依次设置的玻璃基板、第一折射层组和陶瓷保护层，所述第一折射层组与所述陶瓷保护层之间设置有多个第二折射层组，所述第一折射层组包括第一高折射率层、过渡层和第一低折射率层，所述过渡层位于所述第一高折射率层和所述第一低折射率层之间，所述第一高折射率层位于所述玻璃基板的一侧；多个所述第二折射层组重叠设置，各所述第二折射层组包括第二高折射率层和第二低折射率层，所述第二高折射率层位于所述第一低折射率层背向所述第一高折射率层的一侧，最外侧的第二低折射率层背向所述第二高折射率层的一侧设置有所述陶瓷保护层。
可选地，所述第一高折射率层为TiN层、NbOx层、TiOx层、SiNx层的其中一种，所述第一低折射率层为SiOx层；所述第二高折射率层为NbOx层、TiOx层、SiNx层的其中一种，所述第二低折射率层为SiOx层，所述陶瓷保护层为ZrOx层、ZrSiNx层的其中一种。
可选地，所述第一高折射率层和所述第二高折射率层的折射率为1.9～2.6；和/或，所述第一低折射率层和所述第二低折射率层的折射率为1.43～1.58；和/或，所述陶瓷保护层的折射率为1.80～2.45。
可选地，所述第一高折射率层的厚度为6nm～40nm；和/或，所述第一低折射率层的厚度为16nm～55nm；和/或，所述第二高折射率层的厚度为75nm～145nm；和/或，所述第二低折射率层的厚度为43nm～138nm；和/或，所述陶瓷保护层的厚度为3nm～18nm。
可选地，所述过渡层为NiCr层、NiCrNx层、CrNx层的其中一种。
可选地，所述过渡层的厚度为2nm～12nm。
可选地，所述减反射镀膜玻璃的可见光反射率≤5％，可见光透过率≥94％。
可选地，所述减反射镀膜玻璃的玻面和膜面的颜色均为中性色，玻面和膜面的色度区域在Lab表色系统中满足：颜色值均为-1.7≤a坐标值≤1，-2.3≤b坐标值≤1。
另外，本发明还提供一种减反射镀膜玻璃的制备方法，用于制备如权利要求如上所述的减反射镀膜玻璃，包括如下步骤：
提供玻璃基板，所述玻璃基板放置于磁控溅射区；
用靶材对玻璃基板表面进行真空磁控溅射形成所述第一高折射率层，所述第一高折射率层为TiN层、NbOx层、TiOx层、SiNx层的其中一种；
用靶材对所述第一高折射率层背向所述玻璃基板一侧的表面真空磁控溅射形成所述过渡层，所述过渡层为NiCr层、NiCrNx层、CrNx层的其中一种；
用靶材对所述过渡层背向所述第一高折射率层的一侧的表面进行真空磁控溅射形成所述第一低折射率层，所述第一低折射率层为SiOx层，所述第一高折射率层、所述过渡层和所述第一低折射率层构成所述第一折射层组；
用靶材对所述第一低折射率层背向所述过渡层的一侧的表面进行真空磁控溅射形成所述第二高折射率层，所述第二高折射率层为NbOx层、TiOx层、SiNx层的其中一种；
用靶材对所述第二高折射率层背向所述第一低折射率层的一侧的表面进行真空磁控溅射形成所述第二低折射率层，所述第二低折射率层为SiOx层，所述第二高折射率层和所述第二低折射率层构成所述第二折射层组；
重复上一步骤形成多个所述第二折射层组；
用靶材对最外侧的所述第二低折射率层背向所述第二高折射率层一侧的表面真空磁控溅射形成所述陶瓷保护层，所述陶瓷保护层为ZrOx层、ZrSiNx层的其中一种。
可选地，所述第一高折射率层在氩氮或氩氧氛围中，中频电源加旋转阴极溅射沉积，溅射功率为10～80kw，磁控溅射的真空度为1.5*10-3mbar～6.5*10-3mbar；
所述第二高折射率层在氩氮或氩氧氛围中，中频电源加旋转阴极溅射沉积，溅射功率为10～80kw，磁控溅射的真空度为1.5*10-3mbar～6.5*10-3mbar；
所述第一低折射率层和所述第二低折射率层在氩氧氛围中，中频电源加旋转阴极溅射沉积，溅射功率为10～60kw，磁控溅射的真空度为1.5*10-3mbar～6.5*10-3mbar；
所述过渡层在纯氩、氩氮或者氩氧氛围中，直流电源加脉冲溅射沉积过渡层，溅射功率为1～10kw，磁控溅射的真空度为1.5*10-3mbar～6.5*10-3mbar；
所述保护层在氩氮或氩氧氛围中，中频电源加旋转阴极溅射沉积，溅射功率为2～20kw，磁控溅射的真空度为1.5*10-3mbar～6.5*10-3mbar。
本发明技术方案中，玻璃基板的一侧设置有第一高折射率层，第一高折射率层背向所述玻璃基板的一侧设置有过渡层，过渡层背向第一高折射率层的一侧设置有第一低折射率层。在第一高折射率层和第一低折射率层之间设置过渡层，可以大幅提高膜层结合力和整体稳定性。并且，过渡层能够起到缓冲作用。设置多个重叠设置的第二折射层组，利用高折射率材料和低折射率材料多次叠加的特点，达到低反射高透过的光学效果。通过设置陶瓷保护层，提高表面硬度，起到抗划伤、耐磨损和耐腐蚀的保护作用，使得减反射镀膜玻璃能够经受住二次加工钢化过程中的高温热处理。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明一实施例减反射镀膜玻璃的结构示意图；
图2为本发明一实施例减反射镀膜玻璃的制备方法的流程示意图。
附图标号说明：
| 标号 | 名称 | 标号 | 名称 |
| 100 | 减反射镀膜玻璃 | 23 | 第一低折射率层 |
| 10 | 玻璃基板 | 30 | 第二折射层组 |
| 20 | 第一折射层组 | 31 | 第二高折射率层 |
| 21 | 第一高折射率层 | 32 | 第二低折射率层 |
| 22 | 过渡层 | 40 | 陶瓷保护层 |
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
另外，本发明各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
本发明提供一种减反射镀膜玻璃。
在一实施例中，请参照图1，减反射镀膜玻璃100包括依次设置的玻璃基板10、第一折射层组20和陶瓷保护层40，第一折射层组20与陶瓷保护层40之间设置有多个第二折射层组30，第一折射层组20包括第一高折射率层21、过渡层22和第一低折射率层23，过渡层22位于第一高折射率层21和第一低折射率层23之间，第一高折射率层21位于玻璃基板10的一侧；多个第二折射层组30重叠设置，各第二折射层组30包括第二高折射率层31和第二低折射率层32，第二高折射率层31位于第一低折射率层23背向第一高折射率层21的一侧，最外侧的第二低折射率层32背向第二高折射率层31的一侧设置有陶瓷保护层40。
请参照图1，本实施例中，玻璃基板10的一侧设置有第一高折射率层21，第一高折射率层21背向玻璃基板10的一侧设置有过渡层22，过渡层22背向第一高折射率层21的一侧设置有第一低折射率层23，第一高折射率层21和第一低折射率层23用于降低减反射镀膜玻璃100的反射率。在第一高折射率层21和第一低折射率层23之间设置过渡层22，可以大幅提高膜层结合力和整体稳定性。并且，过渡层22能够起到缓冲作用。设置多个重叠设置的第二折射层组30，利用高折射率材料和低折射率材料多次叠加的特点，达到低反射高透过的光学效果。通过设置陶瓷保护层40，提高表面硬度，起到抗划伤、耐磨损和耐腐蚀的保护作用，使得减反射镀膜玻璃100能够经受住二次加工钢化过程中的高温热处理。
在一实施例中，请参照图1，第一高折射率层21为TiN层、NbOx层、TiOx层、SiNx层的其中一种，第一低折射率层23为SiOx层；第二高折射率层31为NbOx层、TiOx层、SiNx层的其中一种，第二低折射率层32为SiOx层，陶瓷保护层40为ZrOx层、ZrSiNx层的其中一种。
第一高折射率层21为TiN层、NbOx层、TiOx层、SiNx层的其中一种，化学性能稳定，提高减反射镀膜玻璃100的化学稳定性。其中，TiN层在高温下膜层稳定性优异，能够提高膜层整体的耐高温性能。第一低折射率层23为SiOx层，提高减反射镀膜玻璃100的刚度。ZrOx层、ZrSiNx层具有硬度高，化学性能稳定的优点，陶瓷保护层40能够使得减反射镀膜玻璃100具有更高的表面硬度，更好的化学稳定性。
在一实施例中，第一高折射率层21和第二高折射率层31的折射率为1.9～2.6；和/或，第一低折射率层23和第二低折射率层32的折射率为1.43～1.58；和/或，陶瓷保护层40的折射率为1.80～2.45。
请参照图1，若第一高折射率层21和第二高折射率层31的折射率低于1.9，则高折射率层与低折射率层的折射率差距过小，减小高折射率材料和低折射率材料互搭起到的减反射作用。若第一高折射率层21和第二高折射率层31的折射率高于2.6，则成本会增加很多。因此，第一高折射率层21和第二高折射率层31的折射率为1.9～2.6，在节约成本的情况下提高折射率。优选地，第一高折射率层21和第二高折射率层31的折射率趋向一致。
若第一低折射率层23和第二低折射率层32的折射率低于1.43，则减反射镀膜玻璃100的透过率会降低。若第一低折射率层23和第二低折射率层32的折射率高于1.58，则高折射率层与低折射率层的折射率差距过小，减小高折射率材料和低折射率材料互搭起到的减反射作用。因此，第一低折射率层23和第二低折射率层32的折射率为1.43～1.58，增大透过率。优选地，第一低折射率层23和第二低折射率层32的折射率趋向一致。
在一实施例中，请参照图1，第一高折射率层21的厚度为6nm～40nm，具体地，第一高折射率层21的厚度可以为12nm、15nm、19nm。
第一低折射率层23的厚度为16nm～55nm，具体地，第一低折射率层23的厚度可以为36nm、45nm、53nm。
第二高折射率层31的厚度为75nm～145nm，具体地，第二高折射率层31的厚度可以为130nm、117nm、109nm。
第二低折射率层32的厚度为43nm～138nm，具体地，第二低折射率层32的厚度可以为63nm、79nm、82nm。
陶瓷保护层40的厚度为3nm～18nm，具体地，陶瓷保护层40的厚度可以为5nm、6nm、7nm。
在一实施例中，请参照图1，过渡层22为NiCr层、NiCrNx层、CrNx层的其中一种。第一高折射率层21和第一低折射率层23的厚度远薄于第二高折射率层31和第二低折射率层32，因此，在第一高折射率层21和第一低折射率层23之间设置过渡层22，过渡层22为NiCr层、NiCrNx层、CrNx层的其中一种，可以大幅提高膜层整体结合力和稳定性。并且，过渡层22能够起到缓冲作用。
在一实施例中，请参照图1，过渡层22的厚度为2nm～12nm。若过渡层22的厚底低于2nm或者高于12nm，则过渡层22提高第一高折射率层21和折射率层膜层结合力的效果减弱。
在一实施例中，请参照图1，减反射镀膜玻璃100的可见光反射率≤5％，可见光透过率≥94％，使得减反射镀膜玻璃100具有较低的反射率和较高的透过率，可以消除玻璃的炫光问题，使得色彩更艳丽，景物更清晰。
本发明技术方案使用颜色模型(Lab)作为色标，颜色模型(Lab)是基于人对颜色的感觉建立起来的模型，Lab中的数值描述正常视力的人能够看到的所有颜色。Lab色彩模型是由亮度(L)和颜色值a坐标值、b坐标值共三个要素组成。其中，L表示亮度(Luminosity)，a坐标值表示从洋红色至绿色的范围，b坐标值表示从黄色至蓝色的范围。
在一实施例中，请参照图1，减反射镀膜玻璃100的玻面和膜面的颜色均为中性色，消除玻璃的眩光问题，使得色彩更艳丽，景物更清晰，减小光污染玻面和膜面的色度区域在Lab表色系统中满足：颜色值均为-1.7≤a坐标值≤1，-2.3≤b坐标值≤1。
另外，本发明还提供一种减反射镀膜玻璃100的制备方法，用于制备如上的减反射镀膜玻璃100，包括如下步骤：
S1：提供玻璃基板10，玻璃基板10放置于磁控溅射区；
玻璃基板10可以选用6mm超白玻璃，也可以根据需要选取，对玻璃基板10进行清洗抛光，干燥后放置于磁控溅射区；
S2：用靶材对玻璃基板10表面进行真空磁控溅射形成第一高折射率层21，第一高折射率层21为TiN层、NbOx层、TiOx层、SiNx层的其中一种；
第一高折射率层21在氩氮或氩氧氛围中，中频电源加旋转阴极溅射沉积。为保证溅射稳定，且不破坏靶材，所使用的溅射功率为10～80kw，磁控溅射的真空度为1.5*10- 3mbar～6.5*10-3mbar。第一高折射率层21为TiN层或SiNx层，溅射气氛为Ar和N2；第一高折射率层21为NbOx层或TiOx层，溅射气氛为Ar和O2。
S3：用靶材对第一高折射率层21背向玻璃基板10一侧的表面真空磁控溅射形成过渡层22，过渡层22为NiCr层、NiCrNx层、CrNx层的其中一种；
过渡层22在纯氩或者氩氮氛围中，直流电源加脉冲溅射沉积过渡层22。为保证溅射稳定，且不破坏靶材，所使用的溅射功率为1～10kw，磁控溅射的真空度为1.5*10-3mbar～6.5*10-3mbar。过渡层22为NiCrNx层或者CrNx层，溅射气氛为Ar和N2；过渡层22为NiCr层，溅射气氛为Ar。在第一高折射率层21和第一低折射率层23之间设置过渡层22，可以大幅提高膜层结合力和整体稳定性。并且，过渡层22为能够起到缓冲作用。
S4：用靶材对过渡层22背向第一高折射率层21的一侧的表面进行真空磁控溅射形成第一低折射率层23，第一低折射率层23为SiOx层，第一高折射率层21、过渡层22和第一低折射率层23构成第一折射层组20；
第一低折射率层23在氩氧氛围中，中频电源加旋转阴极溅射沉积。为保证溅射稳定，且不破坏靶材，所使用的溅射功率为10～60kw，磁控溅射的真空度为1.5*10-3mbar～6.5*10-3mbar，溅射气氛为Ar和O2。
S5：用靶材对第一低折射率层23背向过渡层22的一侧的表面进行真空磁控溅射形成第二高折射率层31，第二高折射率层31为NbOx层、TiOx层、SiNx层的其中一种；
第二高折射率层31在氩氮或氩氧氛围中，中频电源加旋转阴极溅射沉积。为保证溅射稳定，且不破坏靶材，所使用的溅射功率为10～80kw，磁控溅射的真空度为1.5*10- 3mbar～6.5*10-3mbar。第二高折射率层31为NbOx层或TiOx层，溅射气氛为Ar和O2；第二高折射率层31为SiNx层，溅射气氛为Ar和N2。
S6：用靶材对第二高折射率层31背向第一低折射率层23的一侧的表面进行真空磁控溅射形成第二低折射率层32，第二低折射率层32为SiOx层，第二高折射率层31和第二低折射率层32构成第二折射层组30；
第二低折射率层32在氩氧氛围中，中频电源加旋转阴极溅射沉积。为保证溅射稳定，且不破坏靶材，所使用的溅射功率为10～60kw，磁控溅射的真空度为1.5*10-3mbar～6.5*10-3mbar，溅射气氛为Ar和O2。
S7：重复S4和S5步骤形成多个第二折射层组30；
S8：用靶材对最外侧的第二低折射率层32背向第二高折射率层31一侧的表面真空磁控溅射形成陶瓷保护层40，陶瓷保护层40为ZrOx层、ZrSiNx层的其中一种。
陶瓷保护层40在氩氮或氩氧氛围中，中频电源加旋转阴极溅射沉积。所使用的溅射功率为2～20kw，磁控溅射的真空度为1.5*10-3mbar～6.5*10-3mbar。陶瓷保护层40为ZrSiNx层，溅射气氛为Ar和N2；陶瓷保护层40为ZrOx层，溅射气氛为Ar和O2。
本发明提供的减反射镀膜玻璃100的制备方法，通过磁控溅射的方式在玻璃基板10上依次形成第一折射层组20、多个第二折射层组30以及陶瓷保护层40。通过磁控溅射方式所获得的薄膜纯度高、致密度好、成膜均匀性好，并且，能够很好地控制膜层的厚度。
本发明在上述减反射镀膜玻璃100及其制备方法的基础上，给出本发明可选的实施例予以说明。
实施例1：
请参照图1，本实施例的减反射镀膜玻璃100的结构依次包括：
玻璃基板10为6mm超白玻璃；
第一高折射率层21为TiN层，厚度为12nm；
过渡层22为NiCrNx层，厚度为4nm；
第一低折射率层23为SiOx层，厚度为36nm；
第二高折射率层31为NbOx层，厚度为130nm；
第二低折射率层32为SiOx层，厚度为79nm；
陶瓷保护层40为ZrOx层，厚度为5nm；
上述各膜层具体制造工艺为：
TiN层沉积采用中频电源加旋转阴极在氩氧氛围中进行，靶材为钛靶，真空磁控溅射设备功率为20～70kW，溅射气氛为Ar和N2，磁控溅射的真空度为2.5*10-3mbar；
NiCrNx层沉积采用直流电源加脉冲溅射在氩氧氛围中进行，靶材为镍铬靶，真空磁控溅射设备功率为2～8kW，溅射气氛为Ar和N2，磁控溅射的真空度为2.5*10-3mbar；
NbOx层沉积采用中频电源加旋转阴极在氩氧氛围中进行，靶材为氧化铌靶，真空磁控溅射设备功率为20～70kW，溅射气氛为Ar和O2，磁控溅射的真空度为2.5*10-3mbar；
SiOx层沉积采用中频电源加旋转阴极在氩氧氛围中进行，靶材为硅铝靶，真空磁控溅射设备功率为30～60kW，溅射气氛为Ar和O2，磁控溅射的真空度为3*10-3mbar；
ZrOx层沉积采用中频电源加旋转阴极在氩氛围中进行，靶材为锆靶，真空磁控溅射设备功率为3～12kW，溅射气氛为Ar和O2，磁控溅射的真空度为3*10-3mbar。
减反射镀膜玻璃100的可见光透光率为94.46％，玻面可见光反射率为4.57％，膜面的可见光反射率为4.38％。
减反射镀膜玻璃100的颜色为中性色，玻面的颜色值为a坐标值＝-1.12，b坐标值＝0.31，膜面的颜色值均为a坐标值＝-1.32，b坐标值＝0.26。
减反射低辐射玻璃经过钢化热处理后，不脱膜，可单片使用。经过硬度测试，结果为8H。
实施例2：
请参照图1，本实施例的减反射镀膜玻璃100的结构依次包括：
玻璃基板10为6mm超白玻璃；
第一高折射率层21为TiN层，厚度为15nm；
过渡层22为CrNx层，厚度为3nm；
第一低折射率层23为SiOx层，厚度为45nm；
第二高折射率层31为SiNx层，厚度为117nm；
第二低折射率层32为SiOx层，厚度为63nm；
陶瓷保护层40为ZrSiNx层，厚度为7nm；
上述各膜层具体制造工艺为：
TiN层沉积采用中频电源加旋转阴极在氩氧氛围中进行，靶材为硅铝靶，真空磁控溅射设备功率为20～70kW，溅射气氛为Ar和N2，磁控溅射的真空度为2.8*10-3mbar；
CrNx层沉积采用直流电源加脉冲溅射在氩氮氛围中进行，靶材为镍铬靶，真空磁控溅射设备功率为2～8kW，溅射气氛为Ar和N2，磁控溅射的真空度为2.5*10-3mbar；
SiNx层沉积采用中频电源加旋转阴极在氩氧氛围中进行，靶材为硅铝靶，真空磁控溅射设备功率为20～70kW，溅射气氛为Ar和N2，磁控溅射的真空度为2.8*10-3mbar；
SiOx层沉积采用中频电源加旋转阴极在氩氧氛围中进行，靶材为硅铝靶，真空磁控溅射设备功率为30～60kW，溅射气氛为Ar和O2，磁控溅射的真空度为3*10-3mbar；
ZrSiNx层沉积采用中频电源加旋转阴极在氩氛围中进行，靶材为硅锆靶，真空磁控溅射设备功率为3～12kW，溅射气氛为Ar和N2，磁控溅射的真空度为3*10-3mbar。
减反射镀膜玻璃100的可见光透光率为94.32％，玻面可见光反射率为4.76％，膜面的可见光反射率为4.51％。
减反射镀膜玻璃100的颜色为中性色，玻面的颜色值为a坐标值＝-1.75，b坐标值＝0.87，膜面的颜色值均为a坐标值＝-1.54，b坐标值＝0.58。
减反射低辐射玻璃经过钢化热处理后，不脱膜，可单片使用。经过硬度测试，结果为8H。
实施例3：
请参照图1，本实施例的减反射镀膜玻璃100的结构依次包括：
玻璃基板10为6mm超白玻璃；
第一高折射率层21为TiN层，厚度为19nm；
过渡层22为NiCr层，厚度为5nm；
第一低折射率层23为SiOx层，厚度为53nm；
第二高折射率层31为TiOx层，厚度为109nm；
第二低折射率层32为SiOx层，厚度为82nm；
陶瓷保护层40为ZrOx层，厚度为6nm；
上述各膜层具体制造工艺为：
TiN层沉积采用中频电源加旋转阴极在氩氧氛围中进行，靶材为钛靶，真空磁控溅射设备功率为20～70kW，溅射气氛为Ar和N2，磁控溅射的真空度为2.5*10-3mbar；
NiCr层沉积采用直流电源加脉冲溅射在氩氧氛围中进行，靶材为镍铬靶，真空磁控溅射设备功率为2～8kW，溅射气氛为Ar，磁控溅射的真空度为2.5*10-3mbar；
SiOx层沉积采用中频电源加旋转阴极在氩氧氛围中进行，靶材为硅铝靶，真空磁控溅射设备功率为30～60kW，溅射气氛为Ar和O2，磁控溅射的真空度为3*10-3mbar；
TiOx层沉积采用中频电源加旋转阴极在氩氧氛围中进行，靶材为钛靶，真空磁控溅射设备功率为20～70kW，溅射气氛为Ar和N2，磁控溅射的真空度为2.5*10-3mbar；
ZrOx层沉积采用中频电源加旋转阴极在氩氛围中进行，靶材为硅锆靶，真空磁控溅射设备功率为3～12kW，溅射气氛为Ar和N2，磁控溅射的真空度为2.8*10-3mbar。
减反射镀膜玻璃100的可见光透光率为94.52％，玻面可见光反射率为4.56％，膜面的可见光反射率为4.41％。
减反射镀膜玻璃100的颜色为中性色，玻面的颜色值为a坐标值＝-1.25，b坐标值＝0.47，膜面的颜色值均为a坐标值＝-1.04，b坐标值＝0.29。
减反射低辐射玻璃经过钢化热处理后，不脱膜，可单片使用。经过硬度测试，结果为8H。
实施例4：
请参照图1，本实施例的减反射镀膜玻璃100的结构依次包括：
玻璃基板10为6mm超白玻璃；
第一高折射率层21为NbOx层，厚度为12nm；
过渡层22为NiCr层，厚度为4nm；
第一低折射率层23为SiOx层，厚度为36nm；
第二高折射率层31为NbOx层，厚度为130nm；
第二低折射率层32为SiOx层，厚度为79nm；
陶瓷保护层40为ZrOx层，厚度为5nm；
上述各膜层具体制造工艺为：
NbOx层沉积采用中频电源加旋转阴极在氩氧氛围中进行，靶材为氧化铌靶，真空磁控溅射设备功率为20～70kW，溅射气氛为Ar和O2，磁控溅射的真空度为2.5*10-3mbar；
NiCr层沉积采用直流电源加脉冲溅射在氩氧氛围中进行，靶材为镍铬靶，真空磁控溅射设备功率为2～8kW，溅射气氛为Ar，磁控溅射的真空度为2.5*10-3mbar；
SiOx层沉积采用中频电源加旋转阴极在氩氧氛围中进行，靶材为硅铝靶，真空磁控溅射设备功率为30～60kW，溅射气氛为Ar和O2，磁控溅射的真空度为3*10-3mbar；
ZrOx层沉积采用中频电源加旋转阴极在氩氛围中进行，靶材为氧化锆靶，真空磁控溅射设备功率为3～12kW，溅射气氛为Ar和O2，磁控溅射的真空度为3*10-3mbar。
减反射镀膜玻璃100的可见光透光率为94.46％，玻面可见光反射率为4.57％，膜面的可见光反射率为4.38％。
减反射镀膜玻璃100的颜色为中性色，玻面的颜色值为a坐标值＝-1.12，b坐标值＝0.31，膜面的颜色值均为a坐标值＝-1.32，b坐标值＝0.26。
减反射低辐射玻璃经过钢化热处理后，不脱膜，可单片使用。经过硬度测试，结果为8H。
实施例5：
请参照图1，本实施例的减反射镀膜玻璃100的结构依次包括：
玻璃基板10为6mm超白玻璃；
第一高折射率层21为SiNx层，厚度为15nm；
过渡层22为NiCrNx层，厚度为3nm；
第一低折射率层23为SiOx层，厚度为45nm；
第二高折射率层31为SiNx层，厚度为117nm；
第二低折射率层32为SiOx层，厚度为63nm；
陶瓷保护层40为ZrSiNx层，厚度为7nm；
上述各膜层具体制造工艺为：
SiNx层沉积采用中频电源加旋转阴极在氩氧氛围中进行，靶材为硅铝靶，真空磁控溅射设备功率为20～70kW，溅射气氛为Ar和N2，磁控溅射的真空度为2.8*10-3mbar；
NiCrNx层沉积采用直流电源加脉冲溅射在氩氮氛围中进行，靶材为镍铬靶，真空磁控溅射设备功率为2～8kW，溅射气氛为Ar和N2，磁控溅射的真空度为2.5*10-3mbar；
SiOx层沉积采用中频电源加旋转阴极在氩氧氛围中进行，靶材为硅铝靶，真空磁控溅射设备功率为30～60kW，溅射气氛为Ar和O2，磁控溅射的真空度为3*10-3mbar；
ZrSiNx层沉积采用中频电源加旋转阴极在氩氛围中进行，靶材为硅锆靶，真空磁控溅射设备功率为3～12kW，溅射气氛为Ar和N2，磁控溅射的真空度为3*10-3mbar。
减反射镀膜玻璃100的可见光透光率为94.32％，玻面可见光反射率为4.76％，膜面的可见光反射率为4.51％。
减反射镀膜玻璃100的颜色为中性色，玻面的颜色值为a坐标值＝-1.75，b坐标值＝0.87，膜面的颜色值均为a坐标值＝-1.54，b坐标值＝0.58。
减反射低辐射玻璃经过钢化热处理后，不脱膜，可单片使用。经过硬度测试，结果为8H。
实施例6：
请参照图1，本实施例的减反射镀膜玻璃100的结构依次包括：
玻璃基板10为6mm超白玻璃；
第一高折射率层21为TiOx层，厚度为19nm；
过渡层22为CrNx层，厚度为5nm；
第一低折射率层23为SiOx层，厚度为53nm；
第二高折射率层31为TiOx层，厚度为109nm；
第二低折射率层32为SiOx层，厚度为82nm；
陶瓷保护层40为ZrOx层，厚度为6nm；
上述各膜层具体制造工艺为：
TiOx层沉积采用中频电源加旋转阴极在氩氧氛围中进行，靶材为硅铝靶，真空磁控溅射设备功率为20～70kW，溅射气氛为Ar和N2，磁控溅射的真空度为2.5*10-3mbar；
CrNx层沉积采用直流电源加脉冲溅射在氩氮氛围中进行，靶材为镍铬靶，真空磁控溅射设备功率为2～8kW，溅射气氛为Ar和N2，磁控溅射的真空度为2.5*10-3mbar；
SiOx层沉积采用中频电源加旋转阴极在氩氧氛围中进行，靶材为硅铝靶，真空磁控溅射设备功率为30～60kW，溅射气氛为Ar和O2，磁控溅射的真空度为3*10-3mbar；
ZrOx层沉积采用中频电源加旋转阴极在氩氛围中进行，靶材为硅锆靶，真空磁控溅射设备功率为3～12kW，溅射气氛为Ar和N2，磁控溅射的真空度为2.8*10-3mbar。
减反射镀膜玻璃100的可见光透光率为94.52％，玻面可见光反射率为4.56％，膜面的可见光反射率为4.41％。
减反射镀膜玻璃100的颜色为中性色，玻面的颜色值为a坐标值＝-1.25，b坐标值＝0.47，膜面的颜色值均为a坐标值＝-1.04，b坐标值＝0.29。
减反射低辐射玻璃经过钢化热处理后，不脱膜，可单片使用。经过硬度测试，结果为8H。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (9)
1.一种减反射镀膜玻璃，其特征在于，所述减反射镀膜玻璃包括依次设置的玻璃基板、第一折射层组和陶瓷保护层，所述第一折射层组与所述陶瓷保护层之间设置有多个第二折射层组，所述第一折射层组包括第一高折射率层、过渡层和第一低折射率层，所述过渡层位于所述第一高折射率层和所述第一低折射率层之间，所述第一高折射率层位于所述玻璃基板的一侧，多个所述第二折射层组重叠设置，各所述第二折射层组包括第二高折射率层和第二低折射率层，所述第二高折射率层位于所述第一低折射率层背向所述第一高折射率层的一侧，最外侧的第二低折射率层背向所述第二高折射率层的一侧设置有所述陶瓷保护层；
所述第一高折射率层和所述第二高折射率层的折射率为1.9~2.6；所述第一低折射率层和所述第二低折射率层的折射率为1.43~1.58；
所述过渡层为NiCr层、NiCrNx层、CrNx层的其中一种。
2.如权利要求1所述的减反射镀膜玻璃，其特征在于，所述第一高折射率层为TiN层、NbOx层、TiOx层、SiNx层的其中一种，所述第一低折射率层为SiOx层；所述第二高折射率层为NbOx层、TiOx层、SiNx层的其中一种，所述第二低折射率层为SiOx层，所述陶瓷保护层为ZrOx层、ZrSiNx层的其中一种。
3.如权利要求2所述的减反射镀膜玻璃，其特征在于，所述陶瓷保护层的折射率为1.80~2.45。
4.如权利要求2所述的减反射镀膜玻璃，其特征在于，所述第一高折射率层的厚度为6nm~40nm；和/或，所述第一低折射率层的厚度为16nm~55nm；和/或，所述第二高折射率层的厚度为75nm~145nm；和/或，所述第二低折射率层的厚度为43nm~138nm；和/或，所述陶瓷保护层的厚度为3nm~18nm。
5.如权利要求1所述的减反射镀膜玻璃，其特征在于，所述过渡层的厚度为2nm~12nm。
6.如权利要求1所述的减反射镀膜玻璃，其特征在于，所述减反射镀膜玻璃的可见光反射率≤5%，可见光透过率≥94%。
7.如权利要求1所述的减反射镀膜玻璃，其特征在于，所述减反射镀膜玻璃的玻面和膜面的颜色均为中性色，玻面和膜面的色度区域在Lab表色系统中满足：颜色值均为-1.7≤a坐标值≤1，-2.3≤b坐标值≤1。
8.一种减反射镀膜玻璃的制备方法，用于制备如权利要求1-7中任意一项所述的减反射镀膜玻璃，其特征在于，包括如下步骤：
提供玻璃基板，所述玻璃基板放置于磁控溅射区；
用靶材对玻璃基板表面进行真空磁控溅射形成所述第一高折射率层，所述第一高折射率层为TiN层、NbOx层、TiOx层、SiNx层的其中一种；
用靶材对所述第一高折射率层背向所述玻璃基板一侧的表面真空磁控溅射形成所述过渡层，所述过渡层为NiCr层、NiCrNx层、CrNx层的其中一种；
用靶材对所述过渡层背向所述第一高折射率层的一侧的表面进行真空磁控溅射形成所述第一低折射率层，所述第一低折射率层为SiOx层，所述第一高折射率层、所述过渡层和所述第一低折射率层构成所述第一折射层组；
用靶材对所述第一低折射率层背向所述过渡层的一侧的表面进行真空磁控溅射形成所述第二高折射率层，所述第二高折射率层为NbOx层、TiOx层、SiNx层的其中一种；
用靶材对所述第二高折射率层背向所述第一低折射率层的一侧的表面进行真空磁控溅射形成所述第二低折射率层，所述第二低折射率层为SiOx层，所述第二高折射率层和所述第二低折射率层构成所述第二折射层组；
重复上一步骤形成多个所述第二折射层组；
用靶材对最外侧的所述第二低折射率层背向所述第二高折射率层一侧的表面真空磁控溅射形成所述陶瓷保护层，所述陶瓷保护层为ZrOx层、ZrSiNx层的其中一种。
9.如权利要求8所述的减反射镀膜玻璃的制备方法，其特征在于，
所述第一高折射率层在氩氮或氩氧氛围中，中频电源加旋转阴极溅射沉积，溅射功率为10~80kw，磁控溅射的真空度为1.5*10-3mbar~6.5*10-3mbar；
所述第二高折射率层在氩氮或氩氧氛围中，中频电源加旋转阴极溅射沉积，溅射功率为10~80kw，磁控溅射的真空度为1.5*10-3mbar~6.5*10-3mbar；
所述第一低折射率层和所述第二低折射率层在氩氧氛围中，中频电源加旋转阴极溅射沉积，溅射功率为10~60kw，磁控溅射的真空度为1.5*10-3mbar~6.5*10-3mbar；
所述过渡层在纯氩、氩氮或者氩氧氛围中，直流电源加脉冲溅射沉积过渡层，溅射功率为1~10kw，磁控溅射的真空度为1.5*10-3mbar~6.5*10-3mbar；
所述保护层在氩氮或氩氧氛围中，中频电源加旋转阴极溅射沉积，溅射功率为2~20kw，磁控溅射的真空度为1.5*10-3mbar~6.5*10-3mbar。
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