CN114921845A - 一种用于动态环境监控芯片制备的硅棒提拉装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及硅棒制备设备技术领域，且公开了一种用于动态环境监控芯片制备的硅棒提拉装置，包括联动套筒，联动套筒的内壁设有呈环形阵列排布的第一限位槽和定位槽孔，且第一限位槽和定位槽孔之间依次交错布置，同时，定位槽孔位于联动套筒内壁的中部，联动套筒的内壁活动连接有外部呈球型结构的牵引构件。该用于动态环境监控芯片制备的硅棒提拉装置，对于联动套筒、牵引构件、定位块以及调节套筒的设置，使得该提拉装置在沿着平面移动该硅棒时，在联动套筒上第一限位槽以及牵引构件上限位滑杆的作用下使其之间在移动的瞬间或者转弯的过程中发生相应的弯折动作，进而有效缓解该硅棒在平面移动时因惯性对其所造成的冲击影响。
Description
技术领域
本发明涉及硅棒制备设备技术领域，具体为一种用于动态环境监控芯片制备的硅棒提拉装置。
背景技术
芯片是一种将电路集成在半导体晶圆表面上的电子元件，而半导体晶圆作为电路集成的载体，有效地实现了集成电路的微型化及产业化，并使其广泛地运用在各种电子控制领域而成为各种电子产品的重要组成部分。
而半导体晶圆主要是由高纯度的多晶硅熔炼后进行晶体生长，而后慢慢拉出以形成圆柱形的单晶硅并经切割打磨制作而成的，其中，单晶硅棒的形成过程中包括：缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长等步骤，并且在其形成的过程中为确保对单晶硅棒的拉制质量，不但需要精准的控制对其的提拉速度，还需要精准的控制其与熔炼坩埚之间的相对旋转速度。
而在现有的对于硅棒制备工艺中，其上提拉装置只能为该硅棒提供向上的移动拉力，而对于其与熔炼坩埚之间的相对旋转速度是由熔炼坩埚的旋转来实现的，进而导致其对于该硅棒的拉制需要配置多组的动力输出及控制系统，并且熔炼坩埚自身的体积在加入高纯度多晶硅后整体的质量较大，使其在旋转过程中对于电能的消耗较大，而且在旋转的过程中也易造成硅熔体表面的波动，进而极大地影响了其对于该硅棒的拉制质量。
故，亟需一种用于芯片制备的硅棒提拉装置，可同时为该硅棒的拉制提供向上位移的拉力以及旋转的动力，以解决上述现有的设备在对硅棒拉制过程中所存在的缺陷。
发明内容
（一）解决的技术问题
本发明提供了一种用于动态环境监控芯片制备的硅棒提拉装置，具备可同时为该硅棒的拉制提供提拉力以及旋转的动力、极大地优化了对该硅棒拉制的动力组成及控制、降低了能源的消耗、同时不会在硅熔体的表面造成波动而影响其对于该硅棒的拉制质量、稳定性及可靠性较高的优点，解决了在现有的对于硅棒制备工艺中，其上提拉装置只能为该硅棒提供向上的移动拉力，而对于其与熔炼坩埚之间的相对旋转速度是由熔炼坩埚的旋转来实现的，进而导致其对于该硅棒的拉制需要配置多组的动力输出及控制系统，并且熔炼坩埚自身的体积在加入高纯度多晶硅后整体的质量较大，使其在旋转过程中对于电能的消耗较大，而且在旋转的过程中也易造成硅熔体表面的波动，进而极大地影响了其对于该硅棒的拉制质量的问题。
（二）技术方案
本发明提供如下技术方案：一种用于动态环境监控芯片制备的硅棒提拉装置，包括联动套筒，所述联动套筒的内壁设有呈环形阵列排布的第一限位槽和定位槽孔，且第一限位槽和定位槽孔之间依次交错布置，同时，定位槽孔位于联动套筒内壁的中部，所述联动套筒的内壁活动连接有外部呈球型结构的牵引构件，所述牵引构件的外表面固定安装有限位滑杆，并与联动套筒上的第一限位槽之间形成活动卡接，所述牵引构件的外表面设有与联动套筒上定位槽孔位置相互对应的呈锥形结构的第二限位槽，且牵引构件的底端固定安装有牵引杆，所述定位槽孔的内部活动连接有与锥形结构第二限位槽相配合的定位块，所述联动套筒外表面的底部活动套接有调节套筒，所述联动套筒的顶端通过固定套筒固定安装有固定轴芯，且固定轴芯外表面的顶部设有传动连杆。
优选的，所述定位块外侧的一端固定安装有调节磁块，且调节套筒的内壁固定安装有调控磁环，同时调控磁环朝向内侧的磁极状态呈环形阵列且依次交错布置。
优选的，所述联动套筒上第一限位槽中的数目设为四组，且四组第一限位槽的方向分别位于该提拉装置在平面移动时的四个方向上。
优选的，所述固定轴芯外表面的顶部设为内凹的锥形结构，且在其内凹壁的底部固定套接有热膨胀套筒，所述热膨胀套筒的外表面与传动连杆底端的内壁相接触，所述固定轴芯锥形内凹面的顶部设有与传动连杆底端内壁相接触的压敏电阻。
优选的，所述传动连杆外表面的顶部设有传动螺纹，并与该提拉装置上的动力输出设备形成螺纹传动连接。
优选的，所述热膨胀套筒的内部通过压敏电阻而与该提拉装置的控制系统以及外界电流线路之间形成电反馈连接。
（三）有益效果
本发明具备以下有益效果：
1、该用于动态环境监控芯片制备的硅棒提拉装置，对于联动套筒、牵引构件、固定轴芯以及传动连杆的设置，可在带动该硅棒上升的同时使其随之发生旋转动作，并在固定轴芯的作用下，使得传动连杆与联动套筒之间可产生不同的相对旋转速度差，进而满足对于不同规格硅棒的制备要求，与现有的提拉装置相比，在优化对该硅棒拉制设备的动力组成及控制的同时，不再需要熔炼坩埚的旋转以与该提拉装置之间产生相对旋转动作，进而使其不会因熔炼坩埚的旋转动作而在其上硅熔体的表面造成波动而影响对该硅棒的拉制质量。
2、该用于动态环境监控芯片制备的硅棒提拉装置，对于联动套筒、牵引构件、定位块以及调节套筒的设置，使得该提拉装置在沿着平面移动该硅棒时，在联动套筒上第一限位槽以及牵引构件上限位滑杆的作用下使其之间在移动的瞬间或者转弯的过程中发生相应的弯折动作，并利用该硅棒自身的重力而抵消一部分惯性冲量，进而有效缓解该硅棒在平面移动时因惯性对其所造成的冲击影响。
3、该用于动态环境监控芯片制备的硅棒提拉装置，对于固定轴芯上压敏电阻的设置，可以根据单次拉直硅棒时质量的增加而自动调整通入热膨胀套筒中的电流大小，并增加固定轴芯与传动连杆之间的摩擦力大小，进而使得该提拉装置在拉制硅棒时可始终保持其固定的旋转速度，而不会因所拉制硅棒质量的增加而导致其旋转速度逐渐下降的现象发生，稳定性及可靠性较高。
附图说明
图1为本发明结构示意图；
图2为本发明联动套筒的结构示意图；
图3为本发明牵引构件的结构示意图；
图4为本发明结构牵引构件与调节磁块之间的联动俯视图；
图5为本发明固定轴芯的结构示意图；
图6为本发明结构传动螺杆的正视图。
图中：1、联动套筒；2、第一限位槽；3、定位槽孔；4、牵引构件；5、限位滑杆；6、第二限位槽；7、牵引杆；8、定位块；9、调节套筒；10、调节磁块；11、调控磁环；12、固定套筒；13、固定轴芯；14、热膨胀套筒；15、压敏电阻；16、传动连杆。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-图2，一种用于动态环境监控芯片制备的硅棒提拉装置，包括联动套筒1，联动套筒1的内壁设为球型结构，联动套筒1的内壁设有呈环形阵列排布的第一限位槽2和定位槽孔3，且第一限位槽2和定位槽孔3之间依次交错布置，同时，定位槽孔3位于联动套筒1内壁的中部，联动套筒1的内壁活动连接有外部呈球型结构的牵引构件4，以使得牵引构件4可以在联动套筒1的内腔中活动并可承受相应的拉力，如图3所示，牵引构件4的外表面固定安装有限位滑杆5，并与联动套筒1上的第一限位槽2之间形成活动卡接，以确保牵引构件4在联动套筒1的内腔中可沿特定的方向而发生摆动现象，牵引构件4的外表面设有与联动套筒1上定位槽孔3位置相互对应的呈锥形结构的第二限位槽6，且牵引构件4的底端固定安装有牵引杆7以将熔炼坩埚中的硅熔体拉起，定位槽孔3的内部活动连接有与锥形结构第二限位槽6相配合的定位块8，联动套筒1外表面的底部活动套接有调节套筒9用以控制定位槽孔3上定位块8的伸缩状态，进而调整联动套筒1与牵引构件4之间的连接状态，联动套筒1的顶端通过固定套筒12固定安装有固定轴芯13，且固定轴芯13外表面的顶部设有传动连杆16。
如图4所示，定位块8外侧的一端固定安装有调节磁块10，且调节套筒9的内壁固定安装有调控磁环11，同时调控磁环11朝向内侧的磁极状态呈环形阵列且依次交错布置，进而在调节套筒9及其上的调节磁块10发生不同角度的旋转时，可迫使定位槽孔3上的定位块8向外侧张开或向内侧挤压，以控制联动套筒1与牵引构件4之间的联动状态。
联动套筒1上第一限位槽2中的数目设为四组，且四组第一限位槽2的方向分别位于该提拉装置在平面移动时的四个方向上，进而在向相对应的方向上平行移动该硅棒时，可使得联动套筒1与牵引构件4之间发生相应的弯折现象，进而有效缓冲传动连杆16对该硅棒所造成的惯性冲力。
如图5所示，固定轴芯13外表面的顶部设为内凹的锥形结构以与传动连杆16底端的内部之间形成活动套接，且在其内凹壁的底部固定套接有热膨胀套筒14，根据其通入电流发热时的不同膨胀大小而与传动连杆16之间产生不同程度的挤压摩擦力，进而调整传动连杆16与联动套筒1之间的相对旋转速度，致使传动连杆16在旋转上升时可根据所拉制硅棒的规格而控制其相应的旋转速度，热膨胀套筒14的外表面与传动连杆16底端的内壁相接触，固定轴芯13锥形内凹面的顶部设有与传动连杆16底端内壁相接触的压敏电阻15。
如图6所示，本技术方案中，传动连杆16外表面的顶部设有传动螺纹，并与该提拉装置上的动力输出设备形成螺纹传动连接，进而可带动联动套筒1及其上的结构随之同时发生向上以及旋转的动作，进而可在一组动力输出设备上同时实现对该硅棒不同动作的动力输出，且在拉制该硅棒时不再需要熔炼坩埚进行相应的旋转动作，使其不会在硅熔体的表面造成波动而影响其对于该硅棒的拉制质量。
本技术方案中，热膨胀套筒14的内部通过压敏电阻15而与该提拉装置的控制系统以及外界电流线路之间形成电反馈连接，压敏电阻15用以根据单次拉直硅棒时质量的增加而自动调整通入热膨胀套筒14中的电流大小，进而使得该提拉装置在拉制硅棒时可始终保持其固定的旋转速度，而不会因所拉制硅棒质量的增加而导致其旋转速度逐渐下降的现象发生。
本实施例的使用方法和工作原理：
在利用该提拉装置拉制硅棒时，先转动调节套筒9并使其内部中调控磁环11的磁极与定位块8上调节磁块10端面的磁极相同，进而迫使其向内侧移动并在联动套筒1与牵引构件4之间形成锁止而使其之间形成一个稳定的整体，而后通过传动连杆16以带动其上的牵引构件4向下移动，并与熔炼坩埚中的硅熔体之间发生接触以使其之间形成固定连接，同时，通过固定轴芯13上的压敏电阻15而向其中的热膨胀套筒14通入相应的电流大小，并使其发热膨胀而与传动连杆16底端的内部之间产生相应的挤压接触，以使得传动连杆16在旋转上升的同时，可与联动套筒1之间产生不同的相对旋转速度，进而逐步地完成对该硅棒的缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长等步骤，使得该硅棒在拉制的过程中不再需要熔炼坩埚的旋转以与该提拉装置之间产生相对旋转动作；
并且，在等硅棒冷却完成之后，再次转动调节套筒9以使得其上调控磁环11的磁极与定位块8上调节磁块10的磁极相反，进而迫使定位块8向外侧移动以在联动套筒1与牵引构件4之间形成活动连接，然后沿着平面移动该硅棒的过程中，在联动套筒1上第一限位槽2以及牵引构件4上限位滑杆5的作用下使其之间发生相应的弯折动作，进而有效缓解该硅棒在平面移动时因惯性对其所造成的冲击影响。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.一种用于动态环境监控芯片制备的硅棒提拉装置，包括联动套筒（1），所述联动套筒（1）的内壁设有呈环形阵列排布的第一限位槽（2）和定位槽孔（3），且第一限位槽（2）和定位槽孔（3）之间依次交错布置，同时，定位槽孔（3）位于联动套筒（1）内壁的中部，其特征在于：
所述联动套筒（1）的内壁活动连接有外部呈球型结构的牵引构件（4），所述牵引构件（4）的外表面固定安装有限位滑杆（5），并与联动套筒（1）上的第一限位槽（2）之间形成活动卡接，所述牵引构件（4）的外表面设有与联动套筒（1）上定位槽孔（3）位置相互对应的呈锥形结构的第二限位槽（6），且牵引构件（4）的底端固定安装有牵引杆（7），所述定位槽孔（3）的内部活动连接有与锥形结构第二限位槽（6）相配合的定位块（8），所述联动套筒（1）外表面的底部活动套接有调节套筒（9），所述联动套筒（1）的顶端通过固定套筒（12）固定安装有固定轴芯（13），且固定轴芯（13）外表面的顶部设有传动连杆（16）。
2.根据权利要求1所述的一种用于动态环境监控芯片制备的硅棒提拉装置，其特征在于：所述定位块（8）外侧的一端固定安装有调节磁块（10），且调节套筒（9）的内壁固定安装有调控磁环（11），同时调控磁环（11）朝向内侧的磁极状态呈环形阵列且依次交错布置。
3.根据权利要求2所述的一种用于动态环境监控芯片制备的硅棒提拉装置，其特征在于：所述联动套筒（1）上第一限位槽（2）中的数目设为四组，且四组第一限位槽（2）的方向分别位于该提拉装置在平面移动时的四个方向上。
4.根据权利要求3所述的一种用于动态环境监控芯片制备的硅棒提拉装置，其特征在于：所述固定轴芯（13）外表面的顶部设为内凹的锥形结构，且在其内凹壁的底部固定套接有热膨胀套筒（14），所述热膨胀套筒（14）的外表面与传动连杆（16）底端的内壁相接触，所述固定轴芯（13）锥形内凹面的顶部设有与传动连杆（16）底端内壁相接触的压敏电阻（15）。
5.根据权利要求4所述的一种用于动态环境监控芯片制备的硅棒提拉装置，其特征在于：所述传动连杆（16）外表面的顶部设有传动螺纹，并与该提拉装置上的动力输出设备形成螺纹传动连接。
6.根据权利要求5所述的一种用于动态环境监控芯片制备的硅棒提拉装置，其特征在于：所述热膨胀套筒（14）的内部通过压敏电阻（15）而与该提拉装置的控制系统以及外界电流线路之间形成电反馈连接。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116058323A (zh) * | 2023-04-06 | 2023-05-05 | 潍坊市高崖水库运营维护中心 | 一种水产养殖增氧机 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN202705560U (zh) * | 2012-03-20 | 2013-01-30 | 苏州协鑫工业应用研究院有限公司 | 一种大投料量直拉硅单晶用的籽晶配套结构 |
| CN105522588A (zh) * | 2016-03-02 | 2016-04-27 | 郭嘉辉 | 一种磁性球铰机器人 |
| CN111826708A (zh) * | 2019-08-21 | 2020-10-27 | 眉山博雅新材料有限公司 | 上提拉真空炉 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN202705560U (zh) * | 2012-03-20 | 2013-01-30 | 苏州协鑫工业应用研究院有限公司 | 一种大投料量直拉硅单晶用的籽晶配套结构 |
| CN105522588A (zh) * | 2016-03-02 | 2016-04-27 | 郭嘉辉 | 一种磁性球铰机器人 |
| CN111826708A (zh) * | 2019-08-21 | 2020-10-27 | 眉山博雅新材料有限公司 | 上提拉真空炉 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 唐雅琴: "太阳电池硅材料", vol. 2019, 冶金工业出版社, pages: 61 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116058323A (zh) * | 2023-04-06 | 2023-05-05 | 潍坊市高崖水库运营维护中心 | 一种水产养殖增氧机 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: A Silicon Rod Pulling Device for Dynamic Environment Monitoring Chip Preparation Granted publication date: 20240220 Pledgee: Xuzhou Huaichang Investment Co.,Ltd. Pledgor: Jiangsu Banghan Information Technology Co.,Ltd. Registration number: Y2024980020933 |