CN114914279A - 显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例公开了一种显示面板，该显示面板包括衬底、遮光层、栅极层、源漏极层、遮蔽保护层，遮光层、栅极层、源漏极层之间形成有多个光栅缝隙，遮蔽保护层包括本体部、与本体部相连的延伸部，延伸部至少覆盖一光栅缝隙设置；使本体部延伸形成至少覆盖一光栅缝隙设置的延伸部，通过延伸部遮蔽光栅缝隙，避免光栅缝隙产生光栅效应，减弱重影现象。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板。
背景技术
请参阅图1、图2，在现有显示面板中，尤其对于双面显示或透明显示的显示面板，像素通常分为透明部分和非透明部分。非透明部分包括遮光层、栅极层、源漏极层、本体部等走线，透明部分包括有源层、电容、阳极。
同时，遮光层20、栅极层60、源漏极层80的走线之间形成小块透明区域，这些小的透明区域形成光栅缝隙6，容易发生衍射效应，导致透过透明显示面板看到的物体有重影现象。
因此，现有显示面板存在有重影现象的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板，可以缓解现有显示面板存在有重影现象的技术问题。
本申请实施例提供一种显示面板，包括：
衬底；
TFT器件，所述TFT器件设置于所述衬底上方，所述TFT器件包括设置于所述衬底上方的遮光层、设置于所述遮光层远离所述衬底一侧的栅极层、源漏极层、设置于源漏极层上的钝化层，所述源漏极层包括源极、漏极，所述源漏极层设置于所述栅极层、所述遮光层远离所述衬底一侧；
平坦层，所述平坦层设置于所述钝化层上；
发光器件，所述发光器件包括阳极，所述阳极设置于所述平坦层上，在所述源极远离所述衬底一侧设置有一贯穿所述平坦层、所述钝化层的过孔，所述阳极与所述源极通过所述过孔电连接；以及
遮蔽保护层，所述遮蔽保护层包括本体部、与所述本体部相连的延伸部，所述本体部设置于所述过孔内，且所述本体部覆盖所述源极设置，所述遮蔽保护层的制备材料为遮光材料；
其中，在所述显示面板的厚度方向上，所述遮光层、所述栅极层、所述源漏极层之间形成有多个光栅缝隙，所述延伸部至少覆盖一所述光栅缝隙设置。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述显示面板还包括沿第一方向设置的数据线、沿第二方向设置的扫描线，所述本体部沿第二方向的宽度与所述延伸部沿第二方向的宽度相同。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述遮蔽保护层在所述衬底的正投影覆盖所述TFT器件在所述衬底的正投影。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述延伸部在所述衬底上的正投影与所述数据线或所述扫描线在所述衬底上的正投影存在重叠区域。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述TFT器件与所述发光器件错位设置，所述发光器件还包括设置于所述阳极远离所述衬底一侧的发光层、设置于所述发光层远离所述衬底一侧的阴极，所述阳极、所述阴极的制备材料均为透明材料。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述TFT器件还包括有源层，所述有源层设置于所述衬底、所述遮光层远离所述衬底一侧，所述有源层的制备材料为透明铟镓锌氧化物材料。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述遮蔽保护层与所述阳极同层设置。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述遮蔽保护层设置于所述钝化层远离所述衬底的一侧表面。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述遮蔽保护层的制备材料包括钼、铝、钛中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述遮蔽保护层的厚度范围为20纳米至200纳米。
有益效果：通过设置遮蔽保护层，遮蔽保护层包括本体部、本体部延伸形成的延伸部，所述延伸部至少覆盖一光栅缝隙设置，遮蔽所述光栅缝隙，缓解现有显示面板存在有重影现象的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有显示面板的俯视示意图；
图2是现显示面板A-A处的截面示意图；
图3是本申请提供的显示面板的俯视示意图；
图4是本申请提供的显示面板B-B处的截面示意图；
图5是本申请提供的显示面板的另一截面示意图；
图6是本申请提供的显示面板制备方法的流程示意图。
附图标记说明：
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
请参阅图3、图4，本申请提供的显示面板包括衬底10、TFT器件5、平坦层100、发光器件、遮蔽保护层110，所述TFT器件5设置于所述衬底10上方，所述TFT器件5包括设置于所述衬底10上方的遮光层20、设置于所述遮光层20远离所述衬底一侧的栅极层60、源漏极层80、设置于源漏极层80上的钝化层90，所述源漏极层80包括源极801、漏极802，所述源漏极层80设置于所述栅极层60、所述遮光层20远离所述衬底一侧，所述平坦层100设置于所述钝化层90上，所述发光器件包括阳极120，所述阳极120设置于所述平坦层100上，在所述源极801远离所述衬底一侧设置有一贯穿所述平坦层100、所述钝化层90的过孔，所述遮蔽保护层110包括本体部1101、与所述本体部1101相连的延伸部1102，所述本体部1101设置于所述过孔内，且所述本体部1101覆盖所述源极801设置，所述遮蔽保护层110的制备材料为遮光材料，其中，在所述显示面板的厚度方向上，所述遮光层20、所述栅极层60、所述源漏极层80之间形成有多个光栅缝隙6，所述延伸部1102至少覆盖一所述光栅缝隙6设置。
其中，所述阳极120与所述源极801可以通过所述过孔电连接；进一步的，所述源极801远离所述衬底10的一侧表面设置有所述本体部1101，所述本体部1101的一端与所述阳极120连接，所述本体部1101的相对另一端与所述源极801连接。
其中，所述遮光层20、所述栅极层60、所述源漏极层80之间形成有多个光栅缝隙6，光栅缝隙6容易产生重影现象。
其中，通过设置延伸部1102进一步增加对光栅缝隙6的覆盖面积，可减小遮光层20、栅极层60、源漏极层80金属走线之间光栅缝隙6处的衍射，提高显示效果。
其中，所述TFT器件5还包括缓冲层30、栅绝缘层50、层间绝缘层70，所述缓冲层30设置于所述衬底10、所述遮光层20上，所述栅绝缘层50设置于所述有源层40上，所述层间绝缘层70设置于所述栅极层60、所述缓冲层30上。
其中，所述平坦层100上还设置有像素定义层160。
可以理解的是，通过遮挡所述光栅缝隙6能有效缓解重影现象的发生；进一步的，所述本体部1101设置于所述过孔内且覆盖所述源极801设置，通过使所述本体部1101延伸至光栅缝隙6处，并至少遮挡一光栅缝隙6，即可起到减少重影现象的发生。
本申请通过使本体部1101延伸形成延伸部1102，所述延伸部1102至少覆盖一光栅缝隙6设置，遮蔽所述光栅缝隙6，缓解现有显示面板存在有重影现象的技术问题。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
在一种实施例中，所述遮蔽保护层110可以设置于所述源极801、所述钝化层90上。
在另一种实施例中，请参阅图2，所述遮蔽保护层110还可以设置于所述源极801、所述平坦层100上。
在一种实施例中，所述显示面板还包括沿第一方向设置的数据线4、沿第二方向设置的扫描线3，所述本体部1101沿第二方向的宽度与所述延伸部1102沿第二方向的宽度相同。
其中，所述显示面板包括多个呈规则排布的像素单元，任一所述像素单元设置于相邻数据线4、相邻扫描线3之间。
其中，沿第一方向，所述延伸部1102的长度与所述本体部1101的长度也可以相同。
其中，所述像素单元包括三个不同颜色的子像素单元，所述子像素单元包括发光区域1，相邻所述子像素单元之间包括间隔区域2。
其中，沿第二方向，所述发光区域1的宽度可以为51.5微米，所述间隔区域2的宽度可以为14微米。
可以理解的是，所述延伸部1102相当于所述本体部1101在宽度不变的情况下，朝着所述第一方向延伸得到。
在本实施例中，使延伸部1102的宽度或长度与本体部1101相同，简化所述延伸部1102的制备工艺，降低了成本。
在一种实施例中，请参阅图4，所述遮蔽保护层110设置于所述钝化层90远离所述衬底10的一侧表面。
在一种实施例中，请参阅图5，所述遮蔽保护层110在所述衬底10的正投影覆盖所述TFT器件5在所述衬底10的正投影。
其中，所述遮蔽保护层110在所述衬底10上的正投影可以与所述TFT器件5在所述衬底10上的正投影完全重合。
可以理解的是，所述TFT器件5的遮光层20、栅极层60、源漏极层80的金属走线之间存在多个光栅缝隙6，将所述TFT器件5完全覆盖，则完全遮蔽了TFT器件5存在的所有光栅缝隙6，进一步提升了减少重影现象的效果。
在本实施例中，沿着显示面板的厚度方向，所述遮蔽保护层110覆盖所述TFT器件5设置，完全遮蔽了TFT器件5内存在的光栅缝隙6，减少了重影现象。
在一种实施例中，请参阅图5，所述遮蔽保护层110与所述阳极120同层设置。
在一种实施例中，所述延伸部1102在所述衬底10上的正投影与所述数据线4或所述扫描线3在所述衬底10上的正投影存在重叠区域。
其中，所述数据线4和所述扫描线3与所述金属走线之间也存在光栅缝隙6。
可以理解的是，本体部1101及延伸部1102不仅可以沿着第一方向延伸，也可沿着第二方向延伸，破环纵向走线的周期结构，减弱了光栅效应。
在本实施例中，通过延伸部1102进一步向第一方向、第二方向延伸，使延伸部1102覆盖部分所述数据线4、所述扫描线3设置，进一步对数据线4、扫描线3周围存在的光栅缝隙6进行遮蔽，从而减弱了光栅效应。
在一种实施例中，所述TFT器件5与所述发光器件错位设置，所述发光器件还包括设置于所述阳极120远离所述衬底一侧的发光层130、设置于所述发光层130远离所述衬底一侧的阴极140，所述阳极120、所述阴极140的制备材料均为透明材料。
其中，所述阳极120为单层结构，所述阳极120的制备材料可以为氧化铟锡。
其中，所述显示面板可以为双面显示面板。
其中，在所述发光器件的远离所述衬底一侧、下方两侧均未设置反射层或半反半透层。
可以理解的是，所述TFT器件5与所述发光器件错位设置，所述TFT器件5不会遮挡所述发光器件的衬底10一侧发出的光线。
在本实施例中，所述双面显示面板的光栅效应较单侧显示面板更严重，通过遮蔽保护层110的结构设计，减弱了光栅效应，进一步减弱了透明显示的重影现象。
在一种实施例中，所述TFT器件5还包括有源层40，所述有源层40设置于所述衬底10、所述遮光层20远离所述衬底一侧，所述有源层40的制备材料为透明铟镓锌氧化物材料。
在一种实施例中，所述遮光层20、所述栅极层60、所述源漏极层80的制备材料均为遮光材料。
在一种实施例中，所述遮蔽保护层110的制备材料与所述源漏极层80的制备材料相同。
其中，所述遮蔽保护层110可以与所述源漏极层80同一步工序制备得到。
在本实施例中，也能通过简化遮蔽保护层110的制备工序，降低显示面板的制备成本。
在一种实施例中，所述遮蔽保护层110的制备材料包括钼、铝、钛中的至少一种。
其中，所述遮蔽保护层110还可以包括其他不透光金属材料。
其中，所述本体部1101的导电性能可以大于所述延伸部1102的导电性能。
可以理解的是，所述本体部1101需要保证一定的导电性能，因此，所述本体部1101的导电性能可以大于所述源极801或所述阳极120的导电性能。
在本实施例中，通过对所述遮蔽保护层110制备材料的限定，使遮蔽保护层110在具备遮光性能的同时，还具备一定的导电性能，提高了显示面板的稳定性。
在一种实施例中，所述遮蔽保护层110的厚度范围为20纳米至200纳米。
在一种实施例中，所述延伸部1102呈网格状结构。
其中，所述延伸部1102可以包括挡光部分、镂空部分。
其中，所述挡光部分与所述光栅缝隙6对应设置；进一步的，在显示面板的厚度方向上，所述挡光部分覆盖所述光栅缝隙6设置。
其中，所述镂空部分可以与所述遮光层20、所述栅极层60、所述源漏极层80的金属走线对应设置。
需要注意的是，挡光部分遮盖的光栅缝隙6在衬底10上正投影的范围极小，对显示面板的透过率影响极小。
在本实施例中，通过将所述延伸部1102设置为网格状结构，不仅起到对光栅缝隙6遮挡，从而减弱重影现象的技术效果；同时，还通过镂空部的设置，降低了对显示面板透过率的影响。
在一种实施例中，所述显示面板还包括面阴极140搭接区，在所述面阴极140搭接区，所述阴极140与所述遮蔽保护层110接触设置。
具体的，所述遮蔽保护层还包括位于面阴极搭接区的辅助电极部，所述辅助电极部与所述本体部、所述延伸部间隔设置，所述辅助电极部用于与阴极搭接，从而降低阴极阻抗。
其中，所述阴极140与所述遮蔽保护层110可以呈面接触设置。
可以理解的是，所述遮蔽保护层110与所述阴极140呈并联设置，能降低所述阴极140的电阻，进一步减少显示面板阴极140信号传输的损失，提升所述显示面板的稳定性。
在一种实施例中，所述遮蔽保护层110在所述面阴极140搭接区可以呈异形结构设置。
在本实施例中，所述异形结构可以增加与所述阴极140的接触面积，降低接触阻抗，进一步降低了所述阴极140的电阻。
请参阅图6，本申请公开的显示面板制备方法，包括：
S1：提供一阵列基板，所述阵列基板包括源漏极层80、设置于所述源漏极层80上的钝化层90；
S2：在所述阵列基板上制备得到平坦层100，形成一贯穿平坦层100、钝化层90的过孔；
S3：在所述钝化层90远离所述衬底10的一侧制备得到遮蔽保护层110，所述遮蔽保护层110至少覆盖一光栅缝隙6设置；
S4：在所述平坦层100远离所述衬底一侧制备得到阳极120、发光层130、阴极140、封装层150。
其中，所述阵列基板包括遮光层20、栅极层60、源漏极层80，遮光层20、栅极层60、源漏极层80的金属走线之间形成有多个光栅缝隙6。
其中，所述遮蔽保护层110包括本体部1101和延伸部1102，本体部1101位于所述过孔内，且覆盖所述源极801设置，延伸部1102与所述本体部1101连接，其中，所述遮蔽保护层110至少覆盖一光栅缝隙6设置。
其中，所述阵列基板包括源漏极层80、设置于所述源漏极层80上的钝化层90。
其中，所述过孔位于所述源极801远离所述衬底一侧。
本申请还提出了一种显示装置、一种显示模组，所述显示模组和所述显示装置均包括上述显示面板，此处不再赘述。
本实施例提供的显示面板包括衬底、TFT器件、平坦层、发光器件、遮蔽保护层，所述TFT器件设置于所述衬底上方，所述TFT器件包括设置于所述衬底上方的遮光层、设置于所述遮光层远离所述衬底一侧的栅极层、源漏极层、设置于源漏极层上的钝化层，所述源漏极层包括源极、漏极，所述源漏极层设置于所述栅极层、所述遮光层远离所述衬底一侧，所述平坦层设置于所述钝化层上，所述发光器件包括阳极，所述阳极设置于所述平坦层上，在所述源极远离所述衬底一侧设置有一贯穿所述平坦层、所述钝化层的过孔，所述阳极与所述源极通过所述过孔电连接，所述遮蔽保护层包括本体部、与所述本体部相连的延伸部，所述本体部设置于所述过孔内，且所述本体部覆盖所述源极设置，所述遮蔽保护层的制备材料为遮光材料，其中，在所述显示面板的厚度方向上，所述遮光层、所述栅极层、所述源漏极层之间形成有多个光栅缝隙，所述延伸部至少覆盖一所述光栅缝隙设置；通过使本体部延伸形成延伸部，所述延伸部至少覆盖一光栅缝隙设置，遮蔽所述光栅缝隙，缓解现有显示面板存在有重影现象的技术问题。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板、一种显示面板制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底；
TFT器件，所述TFT器件设置于所述衬底上方，所述TFT器件包括设置于所述衬底上方的遮光层、设置于所述遮光层远离所述衬底一侧的栅极层、源漏极层、设置于源漏极层上的钝化层，所述源漏极层包括源极、漏极，所述源漏极层设置于所述栅极层、所述遮光层远离所述衬底一侧；
平坦层，所述平坦层设置于所述钝化层上；
发光器件，所述发光器件包括阳极，所述阳极设置于所述平坦层上，在所述源极远离所述衬底一侧设置有一贯穿所述平坦层、所述钝化层的过孔，所述阳极与所述源极通过所述过孔电连接；以及
遮蔽保护层，所述遮蔽保护层包括本体部、与所述本体部相连的延伸部，所述本体部设置于所述过孔内，且所述本体部覆盖所述源极；
其中，在所述显示面板的厚度方向上，所述遮光层、所述栅极层、所述源漏极层之间形成有多个光栅缝隙，所述延伸部至少覆盖一所述光栅缝隙。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括沿第一方向设置的数据线、沿第二方向设置的扫描线，所述本体部的宽度与所述延伸部的宽度相同。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述遮蔽保护层在所述衬底的正投影覆盖所述TFT器件在所述衬底的正投影。
4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述延伸部在所述衬底上的正投影与所述数据线或所述扫描线在所述衬底上的正投影存在重叠区域。
5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述TFT器件与所述发光器件错位设置，所述发光器件还包括设置于所述阳极远离所述衬底一侧的发光层、设置于所述发光层远离所述衬底一侧的阴极，所述阳极、所述阴极的制备材料均为透明材料。
6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述TFT器件还包括有源层，所述有源层设置于所述衬底、所述遮光层远离所述衬底一侧，所述有源层的制备材料为透明铟镓锌氧化物材料。
7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述遮蔽保护层与所述阳极同层设置。
8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述遮蔽保护层设置于所述钝化层远离所述衬底的一侧表面。
9.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述遮蔽保护层的制备材料包括钼、铝、钛中的至少一种。
10.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述遮蔽保护层的厚度范围为20纳米至200纳米。
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