CN114908317A - 一种tft-lcd金属边框处理工艺 - Google Patents
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- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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Abstract
本发明公开了一种TFT‑LCD金属边框处理工艺，包括以下步骤：S1.镀膜前对TFT‑LCD玻璃基板进行清洗处理；S2.清洗好的基板与掩膜板进行贴合定位在一起，掩膜板上对应基板的边缘设有缝隙；S3.将定位在一起的基板和掩膜板放入PVD机台进行镀膜处理，基板上通过缝隙镀制一圈金属线条。该TFT‑LCD金属边框处理工艺设计合理，通过掩膜板覆盖定位在TFT‑LCD基板上，通过掩膜板上的缝隙实现金属边框金属丝处理，工艺简单，成本低，制备的产能大，膜的稳定性能佳，并且对产品的触控效果有明显提升。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示屏技术领域，尤其是涉及一种TFT-LCD金属边框处理工艺。
背景技术
随着电子产的发展，网络的普及，消费者对电子产品的信号强度要求越来越高，目前主要是通过在屏幕的背面镀制一圈金属线条来实现信号增强功能；而对于TFT-LCDLCD产品不能直接镀制，工艺繁琐，成本高；以及TFT-LCDLCD产品镀膜ITO防静电膜厚，触控时静电消散需要时间恢复正常，等待的时间就对产品品质有影响。
发明内容
针对现有技术不足，本发明所要解决的技术问题是提供一种TFT-LCD金属边框处理工艺，以达到工艺简单，成本低的目的。
为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案为：
该TFT-LCD金属边框处理工艺，包括以下步骤：
S1.镀膜前对TFT-LCD玻璃基板进行清洗处理；
S2.清洗好的基板与掩膜板进行贴合定位在一起，掩膜板上对应基板的边缘设有缝隙；
S3.将定位在一起的基板和掩膜板放入PVD机台进行镀膜处理，基板上通过缝隙镀制一圈金属线条。
其中，
所述S1步骤前，对TFT-LCD玻璃基板研磨减薄处理。
所述S1步骤中，清洗的温度控制在50℃±20℃，清洗速度控制在6-12m/min。
所述S2步骤中，掩膜板的缝隙宽度控制在1.4-2mm。
所述S2步骤中，掩膜板表面进行喷涂处理。
所述S2步骤中，基板与掩膜板通过框体工装对应边缘将两者固定在一起。
所述S3步骤中，镀膜的功率控制在8-13KW。
所述S3步骤中，镀膜的温度控制在40-80℃。
所述S3步骤中，镀膜氩气控制在100-300sccm。
本发明与现有技术相比，具有以下优点：
该TFT-LCD金属边框处理工艺设计合理，通过掩膜板覆盖定位在TFT-LCD基板上，通过掩膜板上的缝隙实现金属边框金属丝处理，工艺简单，成本低，制备的产能大，膜的稳定性能佳，并且对产品的触控效果有明显提升。
附图说明
下面对本说明书各幅附图所表达的内容及图中的标记作简要说明：
图1为本发明掩膜板结构示意图。
图中：
1.掩膜板、101.缝隙。
具体实施方式
下面对照附图，通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
如图1所示，该TFT-LCD金属边框处理工艺，包括以下步骤：
对TFT-LCD玻璃基板研磨减薄处理，基板减薄后厚度为0.3mm-0.5mm，镀膜前对TFT-LCD玻璃基板进行清洗处理；进一步的，清洗的温度控制在50℃±20℃，清洗速度控制在6-12m/min。
清洗好的基板与掩膜板进行贴合定位在一起，掩膜板1上对应基板的边缘设有缝隙101；进一步的，对掩膜板表面进行喷涂特氟龙材料处理，防止板子对玻璃产生了划伤。
掩膜板的缝隙宽度控制在1.4-2mm，基板与掩膜板通过框体工装对应边缘将两者固定在一起；优选的，框体工装为带上下内翻边的定位板，定位基板与掩膜板边缘将其固定在一起。
将定位在一起的基板和掩膜板放入PVD机台进行镀膜处理，基板上通过缝隙镀制一圈金属线条，金属线条为NiV合金金属靶材；进一步的，PVD机台进行镀膜，对位是一共9个位置靶标，靶标的位置跟玻璃的靶标一一对比，玻璃在十字靶标对位后，十字靶标需要在掩膜板靶标内的±0.1mm以内。
进一步的，镀膜的功率控制在8-13KW；镀膜的温度控制在40-80℃；镀膜氩气控制在100-300sccm；镀膜工艺需要控制好功率和AR气含量保证镀膜电阻和膜层厚度；镀膜完成后对其检测，产品性能要保证在阻值7-100ohm、线条宽度精度±0.7mm、膜厚
以及附着力5B。通过PVD机台磁控溅射技术加工更简单、成本更低，制备的产能大，膜的稳定性能佳，对产品的触控效果有明显提升。
本发明TFT-LCD金属边框处理工艺设计合理，通过掩膜板覆盖定位在TFT-LCD基板上，通过掩膜板上的缝隙实现金属边框金属丝处理，工艺简单，成本低，制备的产能大，膜的稳定性能佳。
上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种TFT-LCD金属边框处理工艺，其特征在于：所述处理工艺包括以下步骤：
S1.镀膜前对TFT-LCD玻璃基板进行清洗处理；
S2.清洗好的基板与掩膜板进行贴合定位在一起，掩膜板上对应基板的边缘设有缝隙；
S3.将定位在一起的基板和掩膜板放入PVD机台进行镀膜处理，基板上通过缝隙镀制一圈金属线条。
2.如权利要求1所述TFT-LCD金属边框处理工艺，其特征在于：所述S1步骤前，对TFT-LCD玻璃基板研磨减薄处理。
3.如权利要求1所述TFT-LCD金属边框处理工艺，其特征在于：所述S1步骤中，清洗的温度控制在50℃±20℃，清洗速度控制在6-12m/min。
4.如权利要求1所述TFT-LCD金属边框处理工艺，其特征在于：所述S2步骤中，掩膜板的缝隙宽度控制在1.4-2mm。
5.如权利要求1所述TFT-LCD金属边框处理工艺，其特征在于：所述S2步骤中，掩膜板表面进行喷涂处理。
6.如权利要求1所述TFT-LCD金属边框处理工艺，其特征在于：所述S2步骤中，基板与掩膜板通过框体工装对应边缘将两者固定在一起。
7.如权利要求1所述TFT-LCD金属边框处理工艺，其特征在于：所述S3步骤中，镀膜的功率控制在8-13KW。
8.如权利要求1所述TFT-LCD金属边框处理工艺，其特征在于：所述S3步骤中，镀膜的温度控制在40-80℃。
9.如权利要求1所述TFT-LCD金属边框处理工艺，其特征在于：所述S3步骤中，镀膜氩气控制在100-300sccm。
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| CN202210758068.0A CN114908317A (zh) | 2022-06-29 | 2022-06-29 | 一种tft-lcd金属边框处理工艺 |
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| CN202210758068.0A Pending CN114908317A (zh) | 2022-06-29 | 2022-06-29 | 一种tft-lcd金属边框处理工艺 |
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| CN (1) | CN114908317A (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050003588A1 (en) * | 2003-07-01 | 2005-01-06 | Au Optronics Corp. | Method for patching up thin-film transistor circuits on a display panel by local thin-film deposition |
| CN101819362A (zh) * | 2009-02-27 | 2010-09-01 | 北京京东方光电科技有限公司 | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 |
| CN203128642U (zh) * | 2013-03-11 | 2013-08-14 | 钱超 | 用于oled镀膜的蒸镀罩 |
| CN107227439A (zh) * | 2017-08-03 | 2017-10-03 | 重庆永信科技有限公司 | Tft液晶基板金属边框局部镀膜工艺 |
| CN107337355A (zh) * | 2017-08-03 | 2017-11-10 | 重庆永信科技有限公司 | Tft基板镀膜方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050003588A1 (en) * | 2003-07-01 | 2005-01-06 | Au Optronics Corp. | Method for patching up thin-film transistor circuits on a display panel by local thin-film deposition |
| CN101819362A (zh) * | 2009-02-27 | 2010-09-01 | 北京京东方光电科技有限公司 | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 |
| CN203128642U (zh) * | 2013-03-11 | 2013-08-14 | 钱超 | 用于oled镀膜的蒸镀罩 |
| CN107227439A (zh) * | 2017-08-03 | 2017-10-03 | 重庆永信科技有限公司 | Tft液晶基板金属边框局部镀膜工艺 |
| CN107337355A (zh) * | 2017-08-03 | 2017-11-10 | 重庆永信科技有限公司 | Tft基板镀膜方法 |
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