CN114907147A - 一种魔晶石陶瓷加工工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种魔晶石陶瓷加工工艺，包括：将悬浮剂放入洁净的搅拌容器中，搅拌均匀，再加入干粒，并混合搅拌均匀，得到混合剂，备用；所述悬浮剂与干粒比重占比为3:1；在坯体表面布施一层不透水底釉，并进入喷墨机内；在坯体表面采用喷墨打印；打印后，在180℃～200℃下进行干燥；在喷墨打印后的陶瓷表面淋上悬浮剂和干粒的混合剂，在60℃～80℃下干燥；烧制、抛光，得到魔晶石陶瓷。通过上述方案，本发明具有工艺简单、耐磨性强等优点，在陶瓷加工技术领域具有很高的实用价值和推广价值。
Description
技术领域
本发明涉及陶瓷加工技术领域，尤其是一种魔晶石陶瓷加工工艺。
背景技术
魔晶石是一种新型装饰瓷砖，其具有防水性能好、防滑耐磨、强度高等特性，其在灯光照射下有金属光泽。目前，现有技术中的瓷砖的强度不高，且抗划(擦)能力较弱，随着瓷砖使用年限的推移，其容易出现划(擦)痕。另外，尖锐物品也很容易造成瓷砖的表面磨损。
在“专利申请号为：202010779197.9、名称为：一种具有金属光泽的瓷砖生产工艺及瓷砖和金属干粒釉料”的中国发明专利中，其采用如下工艺：制备金属干粒；制备金属干粒与悬浮剂的釉料；布施金属干粒釉料；布施保护釉；烧制、抛光即得具有金属光泽的瓷砖。其将金属干粒釉布施在砖坯上，再布施保护釉。该技术在干燥、喷水后的砖坯上施加金属干粒釉料，使得色泽较差；并且，金属干粒釉料的防滑性较差，易变褪色，不耐磨等问题。
另外，在“专利申请号为：201910716581.1、名称为：干粒釉及具有白色悬浮絮状物干粒陶瓷砖及其制备方法”的中国发明专利中，其采用如下工艺：制备坯体、施面釉、喷墨打印图案；在坯体上淋干粒釉；将坯体烧成、抛光，但是，干粒釉中含有熔点高于烧制温度的金属，那么，烧制后就需要采用抛光过程，其增加了工序工作量，并且光滑程度较低。
再如“专利申请号为：202110815919.6、名称为：一种干粒悬浮釉及制备方法、在制备高透明瓷砖中的用途”的中国发明专利，其将干粒悬浮釉布施于瓷砖的表面后，经烧制，进行全抛光处理。由此可见，该技术与专利申请号为201910716581.1的发明专利技术相似，同样存在光滑程度较低的问题。
发明内容
针对上述问题，本发明的目的在于提供一种魔晶石陶瓷加工工艺，本发明采用的技术方案如下：
一种魔晶石陶瓷加工工艺，其包括：
步骤S1，将悬浮剂放入洁净的搅拌容器中，搅拌均匀，再加入干粒，并混合搅拌均匀，得到混合剂，备用；所述悬浮剂与干粒比重占比为3:1；
步骤S2，在坯体表面布施一层不透水底釉，并进入喷墨机内；
步骤S3，在步骤S2的坯体表面采用喷墨打印；打印后，在180℃～200℃下进行干燥；
步骤S4，在喷墨打印后的陶瓷表面淋上步骤S1中的悬浮剂和干粒的混合剂，在60℃～80℃下干燥；
步骤S5，烧制、抛光，得到魔晶石陶瓷。
优选地，所述干粒包括为熔块粒。
进一步地，所述不透水底釉的布施的比重为1.85g/cm3。
进一步地，所述悬浮剂和干粒的混合剂的布施的比重为1.2g/cm3，流速为35～45S。
优选地，所述干粒在添加前经过40目的筛网过滤，且步骤S4中多余悬浮剂和干粒的混合剂的回釉经30-40目的筛网过滤。
进一步地，所述干燥在釉线干燥器内进行。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
(1)本发明巧妙地将悬浮剂与干粒进行混合，其好处在于，提高粘性和釉面强度；在悬浮剂和干粒的混合剂烧氧化，排水不易被烟气吸走干粒，成品整个釉面的干粒贴粘度分布均匀；
(2)本发明通过对坯体表面布施一层不透水底釉，并进行喷墨打印，在釉线干燥器内进行180℃～200℃下的干燥，其好处在于，减少釉坯含水率，便于在上面施加悬浮剂干粒的混合剂，使其有机结合彻底；
(3)本发明在干燥后的陶瓷表面淋上悬浮剂和干粒的混合剂，在60℃～80℃条件下进行干燥，其好处在于，进一步地减少釉坯含水率，便于烧成氧化；
综上所述，本发明具有工艺简单、耐磨性强等优点，在陶瓷加工技术领域具有很高的实用价值和推广价值。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需使用的附图作简单介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对保护范围的限定，对于本领域技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更为清楚，下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明，本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
实施例
如图1所示，本实施例提供了一种魔晶石陶瓷加工工艺，其包括：
第一步，将悬浮剂放入洁净的搅拌容器中，搅拌均匀，以防止放时间长了沉淀。在干粒加入前，经过40目的筛网过滤；再加入干粒，并混合搅拌均匀，得到混合剂。搅拌时要按圈搅拌，防止边角有结块现象。其中，悬浮剂与干粒比重占比为3:1。在本实施例中，干粒包括为熔块粒。
第二步，在坯体表面布施一层不透水底釉，并进入喷墨机内。在此，不透水底釉的布施的比重为1.85g/cm3。
第三步，在坯体表面采用喷墨打印；打印后，在180℃～200℃下进行干燥。
第四步，在喷墨打印后的陶瓷表面淋上悬浮剂和干粒的混合剂，在60℃～80℃下干燥；该悬浮剂和干粒的混合剂的布施的比重为1.2g/cm3，流速为35～45S。另外，本实施例中多余悬浮剂和干粒的混合剂的回釉经30-40目的筛网过滤。在本实施例中，每间隔24小时需要清洗一次淋干粒设备，以防止有结块现象。
第五步，烧制、抛光，得到魔晶石陶瓷。
在本实施例中，特进行以下魔晶石陶瓷试验检测，由四川省陶瓷产品质量监督检测站出具的检验报告(编号为No2022024W)，具体内容如下：
从上述试验可以看出，本技术的魔晶石陶瓷样品所检指标符合GB/T4100-2015附录H的要求，且放射性指标符合GB6566-2010建筑装饰材料A类的要求。
上述实施例仅为本发明的优选实施例，并非对本发明保护范围的限制，但凡采用本发明的设计原理，以及在此基础上进行非创造性劳动而作出的变化，均应属于本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种魔晶石陶瓷加工工艺，其特征在于，包括：
步骤S1，将悬浮剂放入洁净的搅拌容器中，搅拌均匀，再加入干粒，并混合搅拌均匀，得到混合剂，备用；所述悬浮剂与干粒比重占比为3:1；
步骤S2，在坯体表面布施一层不透水底釉，并进入喷墨机内；
步骤S3，在步骤S2的坯体表面采用喷墨打印；打印后，在180℃～200℃下进行干燥；
步骤S4，在喷墨打印后的陶瓷表面淋上步骤S1中的悬浮剂和干粒的混合剂，在60℃～80℃下干燥；
步骤S5，烧制、抛光，得到魔晶石陶瓷。
2.根据权利要求1所述的一种魔晶石陶瓷加工工艺，其特征在于，所述干粒包括为熔块粒。
3.根据权利要求2或3所述的一种魔晶石陶瓷加工工艺，其特征在于，所述不透水底釉的布施的比重为1.85g/cm3。
4.根据权利要求1所述的一种魔晶石陶瓷加工工艺，其特征在于，所述悬浮剂和干粒的混合剂的布施的比重为1.2g/cm3，流速为35～45S。
5.根据权利要求1所述的一种魔晶石陶瓷加工工艺，其特征在于，所述干粒在添加前经过40目的筛网过滤，且步骤S4中多余悬浮剂和干粒的混合剂的回釉经30-40目的筛网过滤。
6.根据权利要求1或2或4或5所述的一种魔晶石陶瓷加工工艺，其特征在于，所述干燥在釉线干燥器内进行。
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