CN114907135A - 一种氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法。包括以下步骤：第一步，对氮化铝瓷片和铜片进行清洗；第二步，对清洗好的氮化铝瓷片进行等离子体溅射；第三步，对预处理过的氮化铝瓷片进行预氧化处理；第四步，对清洗过的铜片进行热氧化处理；第五步，将预氧化后的氮化铝瓷片和热氧化后的铜片进行烧结。第五步中，预氧化后的氮化铝瓷片和热氧化后的铜片之间涂覆有改性焊膏，该改性焊膏中含有负载氧化镍‑纳米银颗粒的改性填料、SAC305焊膏，制备得到的覆铜基板具有优异的剥离强度、导热性能。

Description

一种氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法

技术领域

本发明涉及覆铜基板技术领域，具体为一种氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法。

背景技术

氮化铝陶瓷具有优异的导电性，其热导率可达1500W/m·k-2000W/m·k，约为氧化铝的10倍，且热膨胀系数与硅接近，是取代氧化铝陶瓷的理想的基板材料之一。但是由于氮化铝和金属铜之间的界面润湿性差，结合强度低，并且氮化铝和铜的热膨胀系数相差较大，由此产生的巨大的热应力使得AlN-Cu的直接结合难以实现。现有的DBC法制备氮化铝覆铜陶瓷基板时，会产生大量气泡，存在于铜和氮化铝的界面处，导致基板剥离强度和导热性能大幅下降，良品率低。

为了解决上述问题，使得覆铜基板有良好的剥离强度和导热性能，本发明提供了一种氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：

一种氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法，包括如下步骤：

第一步，对氮化铝瓷片和铜片进行清洗；

第二步，对清洗好的氮化铝瓷片进行等离子体溅射，等离子源为氧气，氧气流量为30-70ml/min，得到预处理过的氮化铝瓷片；

第三步，对预处理过的氮化铝瓷片进行预氧化处理；

第四步，对清洗过的铜片进行热氧化处理；

第五步，在预氧化后的氮化铝瓷片一侧或两侧覆热氧化后的铜片，烧结，得到覆铜陶瓷基板。

较为优化地，第二步中，等离子体的射频功率为500-1000瓦，射频时间为1-5min。

较为优化地，氮化铝瓷片等离子体溅射到预氧化之间的时间间隔为0-60min。

较为优化地，第三步中，对氮化铝瓷片进行预氧化处理，气氛为空气气氛，氧化温度为1050-1150℃，氧化时间为120-240min。

较为优化地，第一步中，清洗后的铜片的表面粗糙度为0.1-0.3μm。

较为优化地，第四步中，对清洗过的铜片进行热氧化处理，在铜片表面引入了氧原子，铜片氧化面表面氧原子原子百分比为10-30％。

较为优化地，第五步中，烧结温度为1065-1083℃，烧结时间为5-40min。

较为优化地，第五步中，取负载氧化镍-纳米银颗粒的改性填料、SAC305焊膏，搅拌1-2h，得到改性焊膏，将改性焊膏涂覆在预氧化后的氮化铝瓷片上，引入水平的磁场，磁场强度为230-240mT，将涂有改性焊膏的氮化铝瓷片两侧覆热氧化后的铜片，进行烧结。

较为优化地，所述负载氧化镍-纳米银颗粒的改性填料的制备方法为：包括以下步骤：

S1：取氧化镍、吡咯烷酮、N,N－二甲基甲酰胺，搅拌30-40min，滴加硝酸银溶液，在60-66℃下搅拌1-1.5h，在25-27℃下搅拌1.5-2.5h，抽滤，洗涤，干燥，得到氧化镍-纳米银颗粒；

S2：取氮化硼纳米管、氧化石墨烯、去离子水，超声分散，搅拌均匀，干燥，加入去离子水、氧化镍-纳米银颗粒、盐酸多巴胺，加入三(羟甲基)氨基甲烷，调节pH为8，在30-32℃下搅拌55-65min，过滤，洗涤，干燥，得到，负载氧化镍-纳米银颗粒的改性填料。

与现有技术相比，本发明所达到的有益效果是：

(1)对氮化铝进行等离子体溅射处理，在氮化铝表面形成了氧化铝层，氮化硼纳米管和氧化铝在高温下会生成界面产物AlB，使氮化硼纳米管和氧化铝更好地键合在一起，可以提升覆铜基板之间的结合强度，解决氮化铝和金属铜之间的界面润湿性差，结合强度低的问题。本发明制备简单，操作步骤较少，易于工业生产，节约了时间、资源成本。

(2)氮化硼纳米管具有良好的抗拉强度，与氧化石墨烯复合，加入聚多巴胺，可以使得氮化硼纳米管在SAC305焊膏体系中分散地更均匀，同时氮化硼纳米管-氧化石墨烯具有优异的力学性能，导热性能。

氧化镍具有良好的绝缘性，在氧化镍上负载纳米银颗粒，并将其与氮化硼纳米管-氧化石墨烯复合，形成了导热网热网络，提高了覆铜基板的导热性能。

氧化镍-纳米银颗粒具有磁性，将其涂覆在氮化铝瓷片上，引入水平的磁场，使得磁性粒子分布更均匀，提高了覆铜基板的结合强度以及导热性能。

(3)对铜片进行清洗、热氧化处理，利于与氮化铝陶瓷结合，提升覆铜基板的结合强度。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1是本发明实施例1铜片热氧化后的SEM图；

图2是本发明实施例1铜片热氧化后的EDS图谱；

图3是本发明实施例1中氮化铝覆铜陶瓷基板的结构示意图；

附图标记：1-氮化铝瓷片，2-氧化铝层，3-铜片，4-共晶层。

具体实施方式

下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1

第一步，对氮化铝瓷片1和铜片3进行清洗，去除表面的脏污。

第二步，对洗好的氮化铝瓷片1进行预处理：洗好的氮化铝瓷片1用功率为700瓦的等离子体溅射5min。等离子源为氧气，氧气流量为50ml/min，在氮化铝表面形成一层富氧离子层。

第三步，对预处理过的氮化铝瓷片1进行预氧化处理，使得氮化铝表面生成一层氧化铝层3，将预处理好的氮化铝瓷片1放入马弗炉里进行氧化，氧化温度1100℃，氧化时间180min。

第四步，对清洗过的铜片3进行热氧化处理，使得铜片3表面生成一层氧化层。

第五步，将预氧化后的氮化铝瓷片1和热氧化后的铜片3在隧道炉里进行烧结，铜片和预氧化后的氮化铝烧结后形成了共晶层4，烧结温度为1070℃，烧结时间为20min，得到氮化铝覆铜陶瓷基板。

实施例2

第一步，对氮化铝瓷片和铜片进行清洗，去除表面的脏污。

第二步，对洗好的氮化铝瓷片进行预处理：洗好的氮化铝瓷片用功率为500瓦的等离子体溅射2min。等离子源为氧气，氧气流量为30ml/min，在氮化铝表面形成一层富氧离子层。

第三步，对预处理过的氮化铝瓷片进行预氧化处理，使得氮化铝表面生成一层氧化铝层，将预处理好的氮化铝瓷片放入马弗炉里进行氧化，氧化温度1050℃，氧化时间120min。

第四步，对清洗过的铜片进行热氧化处理，使得铜片表面生成一层氧化层。

第五步，将预氧化后的氮化铝瓷片和热氧化后的铜片在隧道炉里进行烧结，铜片和预氧化后的氮化铝烧结后形成了共晶层，烧结温度为1065℃，烧结时间为40min，得到氮化铝覆铜陶瓷基板。

实施例3

第一步，对氮化铝瓷片和铜片进行清洗，去除表面的脏污。

第二步，对洗好的氮化铝瓷片进行预处理：洗好的氮化铝瓷片用功率为1000瓦的等离子体溅射2min。等离子源为氧气，氧气流量为70ml/min，在氮化铝表面形成一层富氧离子层。

第三步，对预处理过的氮化铝瓷片进行预氧化处理，使得氮化铝表面生成一层氧化铝层：将预处理好的氮化铝瓷片放入马弗炉里进行氧化，氧化温度1150℃，氧化时间240min。

第四步，对清洗过的铜片进行热氧化处理，使得铜片表面生成一层氧化层。

第五步，将预氧化后的氮化铝瓷片和热氧化后的铜片在隧道炉里进行烧结，铜片和预氧化后的氮化铝烧结后形成了共晶层，烧结温度为1083℃，烧结时间为10min，得到氮化铝覆铜陶瓷基板。

实施例4

第一步，对氮化铝瓷片1和铜片3进行清洗，去除表面的脏污。

第二步，对洗好的氮化铝瓷片1进行预处理：洗好的氮化铝瓷片1用功率为700瓦的等离子体溅射5min。等离子源为氧气，氧气流量为50ml/min，在氮化铝表面形成一层富氧离子层。

第三步，对预处理过的氮化铝瓷片1进行预氧化处理，使得氮化铝表面生成一层氧化铝层2：将预处理好的氮化铝瓷片1放入马弗炉里进行氧化，氧化温度1100℃，氧化时间180min。

第四步，对清洗过的铜片3进行热氧化处理，使得铜片3表面生成一层氧化层。

第五步，

氧化镍的制备：

取20g六水硫酸镍、12g尿素、500ml去离子水，搅拌均匀，在87℃下反应46h，洗涤，干燥，在295℃下煅烧5h，得到氧化镍。

氧化镍-纳米银颗粒的制备：

取20g氧化镍、0.3g吡咯烷酮、200mlN,N－二甲基甲酰胺，搅拌35min，滴加10ml硝酸银溶液，在63℃下搅拌1.2h，在26℃下搅拌2h，抽滤，洗涤，干燥，得到氧化镍-纳米银颗粒。

氮化硼纳米管的制备：取30g氮化硼粉末、3g九水合硝酸铁，在氨气保护下，球磨145h，加热至1250℃，退火5h，得到氮化硼纳米管。

负载氧化镍-纳米银颗粒的改性填料的制备：

取1.2g氮化硼纳米管、0.5g氧化石墨烯、100ml去离子水，超声分散，搅拌均匀，干燥，加入150ml去离子水、1g氧化镍-纳米银颗粒、1g盐酸多巴胺，加入三(羟甲基)氨基甲烷，调节pH为8，在31℃下搅拌60min，过滤，洗涤，干燥，得到，负载氧化镍-纳米银颗粒的改性填料。

取2wt％负载氧化镍-纳米银颗粒的改性填料、SAC305焊膏，搅拌1.5h，得到改性焊膏，将改性焊膏涂覆在预氧化后的氮化铝瓷片1上，改性焊膏涂层的厚度为100μm，引入水平的磁场，磁场强度为235mT，在涂有改性焊膏的氮化铝瓷片1两侧覆热氧化后的铜片3，烧结。

实施例5

第一步，对氮化铝瓷片和铜片进行清洗，去除表面的脏污。

第二步，对洗好的氮化铝瓷片进行预处理：洗好的氮化铝瓷片用功率为700瓦的等离子体溅射5min。等离子源为氧气，氧气流量为50ml/min，在氮化铝表面形成一层富氧离子层。

第三步，对预处理过的氮化铝瓷片进行预氧化处理，使得氮化铝表面生成一层氧化铝层：将预处理好的氮化铝瓷片放入马弗炉里进行氧化，氧化温度1100℃，氧化时间180min。

第四步，对清洗过的铜片进行热氧化处理，使得铜片表面生成一层氧化层。

第五步，

氧化镍的制备：

取20g六水硫酸镍、12g尿素、500ml去离子水，搅拌均匀，在85℃下反应44h，洗涤，干燥，在290℃下煅烧4.5h，得到氧化镍。

氧化镍-纳米银颗粒的制备：

取20g氧化镍、0.3g吡咯烷酮、200mlN,N－二甲基甲酰胺，搅拌30min，滴加10ml硝酸银溶液，在60℃下搅拌1h，在25℃下搅拌1.5h，抽滤，洗涤，干燥，得到氧化镍-纳米银颗粒。

氮化硼纳米管的制备：取30g氮化硼粉末、3g九水合硝酸铁，在氨气保护下，球磨140h，加热至1200℃，退火4h，得到氮化硼纳米管。

负载氧化镍-纳米银颗粒的改性填料的制备：

取1.2g氮化硼纳米管、0.5g氧化石墨烯、100ml去离子水，超声分散，搅拌均匀，干燥，加入150ml去离子水、1g氧化镍-纳米银颗粒、1g盐酸多巴胺，加入三(羟甲基)氨基甲烷，调节pH为8，在30℃下搅拌55min，过滤，洗涤，干燥，得到，负载氧化镍-纳米银颗粒的改性填料。

取2wt％负载氧化镍-纳米银颗粒的改性填料、SAC305焊膏，搅拌1h，得到改性焊膏，将改性焊膏涂覆在预氧化后的氮化铝瓷片上，改性焊膏涂层的厚度为100μm，引入水平的磁场，磁场强度为230mT，在涂有改性焊膏的氮化铝瓷片两侧覆热氧化后的铜片，烧结。

实施例6

第一步，对氮化铝瓷片和铜片进行清洗，去除表面的脏污。

第二步，对洗好的氮化铝瓷片进行预处理：洗好的氮化铝瓷片用功率为700瓦的等离子体溅射5min。等离子源为氧气，氧气流量为50ml/min，在氮化铝表面形成一层富氧离子层。

第三步，对预处理过的氮化铝瓷片进行预氧化处理，使得氮化铝表面生成一层氧化铝层：将预处理过的氮化铝瓷片放入马弗炉里进行氧化，氧化温度1100℃，氧化时间180min。

第四步，对清洗过的铜片进行热氧化处理，使得铜片表面生成一层氧化层。

第五步，

氧化镍的制备：

取20g六水硫酸镍、12g尿素、500ml去离子水，搅拌均匀，在90℃下反应48h，洗涤，干燥，在300℃下煅烧5.5h，得到氧化镍。

氧化镍-纳米银颗粒的制备：

取20g氧化镍、0.3g吡咯烷酮、200mlN,N－二甲基甲酰胺，搅拌40min，滴加10ml硝酸银溶液，在66℃下搅拌1.5h，在27℃下搅拌2.5h，抽滤，洗涤，干燥，得到氧化镍-纳米银颗粒。

氮化硼纳米管的制备：取30g氮化硼粉末、3g九水合硝酸铁，在氨气保护下，球磨150h，加热至1300℃，退火5.5h，得到氮化硼纳米管。

负载氧化镍-纳米银颗粒的改性填料的制备：

取1.2g氮化硼纳米管、0.5g氧化石墨烯、100ml去离子水，超声分散，搅拌均匀，干燥，加入150ml去离子水、1g氧化镍-纳米银颗粒、1g盐酸多巴胺，加入三(羟甲基)氨基甲烷，调节pH为8，在32℃下搅拌65min，过滤，洗涤，干燥，得到，负载氧化镍-纳米银颗粒的改性填料。

取2wt％负载氧化镍-纳米银颗粒的改性填料、SAC305焊膏，搅拌2h，得到改性焊膏，将改性焊膏涂覆在预氧化后的氮化铝瓷片上，改性焊膏涂层的厚度为100μm，引入水平的磁场，磁场强度为240mT，在涂有改性焊膏的氮化铝瓷片两侧覆热氧化后的铜片，烧结。

实施例7：不添加氮化硼纳米管，其余与实施例4相同。

第一步，对氮化铝瓷片和铜片进行清洗，去除表面的脏污。

第二步，对洗好的氮化铝瓷片进行预处理：洗好的氮化铝瓷片用功率为700瓦的等离子体溅射5min。等离子源为氧气，氧气流量为50ml/min，在氮化铝表面形成一层富氧离子层。

第三步，对预处理过的氮化铝瓷片进行预氧化处理，使得氮化铝表面生成一层氧化铝层：将预处理好的氮化铝瓷片放入马弗炉里进行氧化，氧化温度1100℃，氧化时间180min。

第四步，对清洗过的铜片进行热氧化处理，使得铜片表面生成一层氧化层。

第五步，

氧化镍的制备：

取20g六水硫酸镍、10g尿素、500ml去离子水，搅拌均匀，在87℃下反应46h，洗涤，干燥，在295℃下煅烧5h，得到氧化镍。

氧化镍-纳米银颗粒的制备：

取20g氧化镍、0.3g吡咯烷酮、200mlN,N－二甲基甲酰胺，搅拌35min，滴加10ml硝酸银溶液，在63℃下搅拌1.2h，在26℃下搅拌2h，抽滤，洗涤，干燥，得到氧化镍-纳米银颗粒。

负载氧化镍-纳米银颗粒的改性填料的制备：

取0.7g氧化石墨烯、100ml去离子水，超声分散，搅拌均匀，干燥，加入150ml去离子水、1g氧化镍-纳米银颗粒、1g盐酸多巴胺，加入三(羟甲基)氨基甲烷，调节pH为8，在31℃下搅拌60min，过滤，洗涤，干燥，得到，负载氧化镍-纳米银颗粒的改性填料。

取2wt％负载氧化镍-纳米银颗粒的改性填料、SAC305焊膏，搅拌1.5h，得到改性焊膏，将改性焊膏涂覆在预氧化后的氮化铝瓷片上，改性焊膏涂层的厚度为100μm，引入水平的磁场，磁场强度为235mT，在涂有改性焊膏的氮化铝瓷片两侧覆热氧化后的铜片，烧结。

实施例8：不添加氧化镍-纳米银颗粒，其余与实施例4相同。

第一步，对氮化铝瓷片和铜片进行清洗，去除表面的脏污。

第二步，对洗好的氮化铝瓷片进行预处理：洗好的氮化铝瓷片用功率为700瓦的等离子体溅射5min。等离子源为氧气，氧气流量为50ml/min，在氮化铝表面形成一层富氧离子层。

第三步，对预处理过的氮化铝瓷片进行预氧化处理，使得氮化铝表面生成一层氧化铝层：将预处理好的氮化铝瓷片放入马弗炉里进行氧化，氧化温度1100℃，氧化时间180min。

第四步，对清洗过的铜片进行热氧化处理，使得铜片表面生成一层氧化层。

第五步，

氮化硼纳米管的制备：取30g氮化硼粉末、3g九水合硝酸铁，在氨气保护下，球磨145h，加热至1250℃，退火5h，得到氮化硼纳米管。

负载氧化镍-纳米银颗粒的改性填料的制备：

取1.2g氮化硼纳米管、0.5g氧化石墨烯、100ml去离子水，超声分散，搅拌均匀，干燥，加入150ml去离子水、1g盐酸多巴胺，加入三(羟甲基)氨基甲烷，调节pH为8，在31℃下搅拌60min，过滤，洗涤，干燥，得到，氮化硼纳米管-氧化石墨烯改性填料。

取2wt％氮化硼纳米管-氧化石墨烯改性填料、SAC305焊膏，搅拌1.5h，得到改性焊膏，将改性焊膏涂覆在预氧化后的氮化铝瓷片上，改性焊膏涂层的厚度为100μm，引入水平的磁场，磁场强度为235mT，在涂有改性焊膏的氮化铝瓷片两侧覆热氧化后的铜片，烧结。

实施例9：不引入磁场，其余与实施例4相同。

第一步，对氮化铝瓷片和铜片进行清洗，去除表面的脏污。

第二步，对洗好的氮化铝瓷片进行预处理：洗好的氮化铝瓷片用功率为700瓦的等离子体溅射5min。等离子源为氧气，氧气流量为50ml/min，在氮化铝表面形成一层富氧离子层。

第三步，对预处理过的氮化铝瓷片进行预氧化处理，使得氮化铝表面生成一层氧化铝层：将预处理好的氮化铝瓷片放入马弗炉里进行氧化，氧化温度1100℃，氧化时间180min。

第四步，对清洗过的铜片进行热氧化处理，使得铜片表面生成一层氧化层。

第五步，

氧化镍的制备：

取20g六水硫酸镍、12g尿素、500ml去离子水，搅拌均匀，在87℃下反应46h，洗涤，干燥，在295℃下煅烧5h，得到氧化镍。

氧化镍-纳米银颗粒的制备：

取20g氧化镍、0.3g吡咯烷酮、200mlN,N－二甲基甲酰胺，搅拌35min，滴加10ml硝酸银溶液，在63℃下搅拌1.2h，在26℃下搅拌2h，抽滤，洗涤，干燥，得到氧化镍-纳米银颗粒。

氮化硼纳米管的制备：取30g氮化硼粉末、3g九水合硝酸铁，在氨气保护下，球磨145h，加热至1250℃，退火5h，得到氮化硼纳米管。

负载氧化镍-纳米银颗粒的改性填料的制备：

取1.2g氮化硼纳米管、0.5g氧化石墨烯、100ml去离子水，超声分散，搅拌均匀，干燥，加入150ml去离子水、1g氧化镍-纳米银颗粒、1g盐酸多巴胺，加入三(羟甲基)氨基甲烷，调节pH为8，在31℃下搅拌60min，过滤，洗涤，干燥，得到，负载氧化镍-纳米银颗粒的改性填料。

取2wt％负载氧化镍-纳米银颗粒的改性填料、SAC305焊膏，搅拌1.5h，得到改性焊膏，将改性焊膏涂覆在预氧化后的氮化铝瓷片上，改性焊膏涂层的厚度为100μm，在涂有改性焊膏的氮化铝瓷片两侧覆热氧化后的铜片，烧结。

实验：

取实施例1-实施例9制备得到的覆铜基板进行性能测试，将氮化铝覆铜陶瓷基板制备成60mm×70mm的长方形，使用万能试验机，测试氮化铝陶瓷基板和铜片之间的剥离强度，采用导热系数测量仪检测器测试覆铜基板的导热性能，得到的结果如下表所示：

结论：由上表数据对比可知，由本发明方法制备得到的覆铜基板具有良好的剥离强度以及导热性能。实施例7，不添加氮化硼纳米管，覆铜基板的剥离强度大大下降。实施例8不添加氧化镍-纳米银颗粒，无法形成导热网络，覆铜基板的导热性能下降。实施例9，不引入磁场，磁性粒子不均匀，影响覆铜基板的性能。

最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

第一步，对氮化铝瓷片(1)和铜片(3)进行清洗；

第二步，对清洗好的氮化铝瓷片(1)进行等离子体溅射，等离子源为氧气，氧气流量为30-70ml/min，得到预处理过的氮化铝瓷片(1)；

第三步，对预处理过的氮化铝瓷片(1)进行预氧化处理；

第四步，对清洗过的铜片(3)进行热氧化处理；

第五步，在预氧化后的氮化铝瓷片(1)一侧或两侧覆热氧化后的铜片(3)，烧结，得到覆铜陶瓷基板。

2.根据权利要求1所述的一种氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法，其特征在于：第二步中，等离子体的射频功率为500-1000瓦，射频时间为1-5min。

3.根据权利要求1所述的一种氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法，其特征在于：氮化铝瓷片(1)等离子体溅射到预氧化之间的时间间隔为0-60min。

4.根据权利要求1所述的一种氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法，其特征在于：第三步中，对氮化铝瓷片(1)进行预氧化处理，气氛为空气气氛，氧化温度为1050-1150℃，氧化时间为120-240min。

5.根据权利要求1所述的一种氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法，其特征在于：第一步中，清洗后的铜片(3)的表面粗糙度为0.1-0.3μm。

6.根据权利要求1所述的一种氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法，其特征在于：第四步中，对清洗过的铜片(3)进行热氧化处理，在铜片(3)表面引入了氧原子，铜片(3)氧化面表面氧原子原子百分比为10-30％。

7.根据权利要求1所述的一种氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法，其特征在于：第五步中，烧结温度为1065-1083℃，烧结时间为5-40min。

8.根据权利要求1所述的一种氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法，其特征在于：第五步中，取负载氧化镍-纳米银颗粒的改性填料、SAC305焊膏，搅拌1-2h，得到改性焊膏，将改性焊膏涂覆在预氧化后的氮化铝瓷片(1)上，引入水平的磁场，磁场强度为230-240mT，将涂有改性焊膏的氮化铝瓷片(1)两侧覆热氧化后的铜片(3)，进行烧结。

9.根据权利要求8所述的一种氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法，其特征在于：所述负载氧化镍-纳米银颗粒的改性填料的制备方法为：包括以下步骤：

S1：取氧化镍、吡咯烷酮、N,N－二甲基甲酰胺，搅拌30-40min，滴加硝酸银溶液，在60-66℃下搅拌1-1.5h，在25-27℃下搅拌1.5-2.5h，抽滤，洗涤，干燥，得到氧化镍-纳米银颗粒；

S2：取氮化硼纳米管、氧化石墨烯、去离子水，超声分散，搅拌均匀，干燥，加入去离子水、氧化镍-纳米银颗粒、盐酸多巴胺，加入三(羟甲基)氨基甲烷，调节pH为8，在30-32℃下搅拌55-65min，过滤，洗涤，干燥，得到，负载氧化镍-纳米银颗粒的改性填料。

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