CN114890428A - 一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂及其除杂方法 - Google Patents

一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂及其除杂方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114890428A
CN114890428A CN202210472531.5A CN202210472531A CN114890428A CN 114890428 A CN114890428 A CN 114890428A CN 202210472531 A CN202210472531 A CN 202210472531A CN 114890428 A CN114890428 A CN 114890428A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ternary
slagging agent
industrial silicon
slag former
impurities
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202210472531.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114890428B (zh
Inventor
罗大伟
陈江华
邓佳宝
荣科
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chengdu Univeristy of Technology
Original Assignee
Chengdu Univeristy of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chengdu Univeristy of Technology filed Critical Chengdu Univeristy of Technology
Priority to CN202210472531.5A priority Critical patent/CN114890428B/zh
Publication of CN114890428A publication Critical patent/CN114890428A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114890428B publication Critical patent/CN114890428B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/037—Purification
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/10—Process efficiency

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本发明公开了一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂及其除杂方法，属于工业硅提纯技术领域。所述三元造渣剂为SiO2‑Al2O3‑ZnO，其熔点为1305℃～1500℃。除杂方法为抬包中通入压缩气体，向工业硅熔体中加入三元造渣剂反应30～60min，杂质进入造渣剂中，冷却凝固后将硅熔体和造渣剂进行固相分离；或控制反应温度1700℃以上，杂质与三元造渣剂反应形成的化合物挥发溢出工业硅熔体。本发明精炼后在持续的高温不需要进一步进行硅熔体和熔渣的分离；本发明的三元造渣剂能够有效去除硅熔体中的杂质铁、铝、钙等杂质，而且不引入新的杂质，解决了现有工业硅生产对原料的依赖，该方法成本低、操作简单，节能环保，适用于工业化大规模生产。

Description

一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂及其除杂方法
技术领域
本发明属于工业硅提纯技术领域，具体涉及一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂及其除杂方法。
背景技术
工业硅广泛应用于冶金、电子、化工等行业，其传统的生产方式是在矿热炉内以硅石和碳质还原剂冶炼制得。在冶炼过程中，随炉料带入炉内的其他元素在还原硅的同时也被还原，并且融入硅熔体，因此，工业硅中存在Al、Ca、Ti、C等多种杂质，这些杂质的存在严重影响工业硅的性能、使用和价值；同时，随着各行业的快速发展，对工业硅的产品质量也提出了更高的要求，市场竞争愈加激烈、因此对工业硅的提纯一直是材料工作者的研究热点。
其中，造渣剂精炼方法是一种相对耗时少，能耗低的冶金级硅提纯技术，往抬包中加入氧化钙、氧化硅、氧化铝、氧化镁、氟化钙等氧化物的组合成分或者含有上述氧化物的矿物原石，利用造渣剂将硅中的部分杂质去除，但是同样存在对于Fe、P等杂质的去除效果不理想，同时造渣精炼后硅与渣的分离难度较大影响硅的得率。
针对上述问题，公开号为CN109354025A的中国专利公开了公开了用于工业硅除杂提纯的复合造渣剂，所述复合造渣剂的组分按质量百分比计为：CaCO3为8～23％，BaO为42～60％，氧化剂为26～35％。虽然本发明通过优化各组分及配比提供的复合造渣剂，在造渣精炼提纯工业硅过程中，效果显著，可以将工业硅中的硼、铝、钙等杂质显著降低，且有效避免引入新的杂质，获得纯度较高的高品质的工业硅；操作工艺简单，对设备要求低，成本较低，能耗低，污染小，对环境友好，但是该造渣剂与工业硅原料按照1:15-5:1的配比混合，需要的造渣剂较多，且在1500-1650℃条件下进行造渣精炼2-8h，冷却后还要进行渣硅分离。因此，急需研究一种用量少、不引入新的杂质、除杂效果显著且高温精炼后不用进行硅渣分离的造渣剂。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种用量少、除杂效果显著的用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂。
本发明的另一目的在于提供此种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂除杂的方法，该方法除杂简单，节能环保。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂，所述三元造渣剂为SiO2-Al2O3-ZnO，其熔点为1305℃～1500℃。
进一步地，所述三元造渣剂的熔点为1305℃，三元造渣剂中SiO2、Al2O3与ZnO的重量比为40～55:5～15:40～55。
进一步地，所述三元造渣剂的熔点为1400℃，三元造渣剂中SiO2、Al2O3与ZnO的重量比为50～65:10～25:25～35。
进一步地，除杂的杂质为Fe、Al、Ca、P、As、Se、Te和Mg。
一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂除杂的方法，抬包中通入压缩气体，向工业硅熔体中加入三元造渣剂反应30～60min，杂质进入造渣剂中，冷却凝固后将硅熔体和造渣剂进行固相分离；或控制反应温度1700℃以上，杂质与三元造渣剂反应形成的化合物挥发溢出工业硅熔体。
进一步地，所述压缩气体为氩气。
进一步地，所述通入压缩气体的通气压力为0.2～0.3MPa，气体流量为800～1200L/h，通气时间为20～60min。
进一步地，所述加入三元造渣剂的质量为工业硅质量的5％～25％。
进一步地，所述三元造渣剂的加入方式为将三元造渣剂以预制渣的方式直接加入硅熔体中或将三元造渣剂粉末混合渣通过载气载入的方式加入硅熔体中。其中，预制渣的制作方式为三元造渣剂加热熔融后再冷却形成块状。
进一步地，所述固相分离的具体方法为：反应结束后，冷却凝固后采用敲打的方式进行分离硅熔体和含有杂质的三元造渣剂。
本发明的原理为：本发明采用含有氧化锌的三元造渣剂作为工业硅炉外精炼的除杂媒介，所述三元造渣剂为SiO2-Al2O3-ZnO，其熔点为1305℃～1500℃；工业硅中的杂质铁可以与造渣剂中的游离态锌发生反应，生成化合物，锌和铁的化合物包括FeZn13、FeZn10、Fe3Zn10，锌和钙的化合物包括CaZn2、CaZn5、CaZn11、Ca7Zn4、CaZn、CaZn13、锌和铝铁的化合物为Fe2Al2Znx，锌与其他杂质的化合物为Zn3P2、ZnO、ZnAs、ZnSe、ZnTe、MgZn2等。上述化合物为低熔点化合物，在工业硅炉外精炼的温度下1700℃左右时均会挥发而逸出工业硅熔体，从而达到去除的目的，或者进入造渣剂中，通过渣硅互不相容且密度不同的原理最后固相即可分离。
本发明具有以下优点：本发明公开了一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂及其除杂方法，该方法突破了现有技术通过控制生产原料中含量方法获得高品质硅的途径，由于硅在锌中的溶解度很低，锌在硅中的溶解度也很低，在常温下基本互不相容，采用三元造渣剂在炉外进行精炼，工业硅中的杂质铝、铁、钙等杂质与三元造渣剂液液接触，在二者界面处与硅熔体中的杂质发生反应形成多元的化合物，在压缩氩气的气体搅拌下，加强了硅渣界面的接触概率，同时杂质与渣中锌的亲和力大于杂质与硅的亲和力，因此，杂质可以不断地与熔渣中的锌化合，最终硅熔体中的杂质均以化合物的状态进入熔渣中，熔渣与硅熔体由于粘度和密度不同可以实现分离；或者在工业硅炉外精炼的温度下1700℃左右时均会挥发而逸出工业硅熔体，从而达到去除的目的。因此，本发明精炼后持续的高温不需要进一步进行硅熔体和熔渣的分离。本发明方法能够有效去除硅熔体中的杂质铁、铝、钙等杂质，而且不引入新的杂质，解决了现有工业硅生产对原料的依赖，该方法成本低、操作简单，节能环保，适用于工业化大规模生产。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步的描述，本发明的保护范围不局限于以下所述：
实施例1：
一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂，所述三元造渣剂为SiO2-Al2O3-ZnO，其熔点为1305℃，三元造渣剂中SiO2、Al2O3与ZnO的重量比为55:5:40。
实施例2：
一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂，所述三元造渣剂为SiO2-Al2O3-ZnO，其熔点为1400℃，三元造渣剂中SiO2、Al2O3与ZnO的重量比为65:10:25。
实施例3：
一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂，所述三元造渣剂为SiO2-Al2O3-ZnO，其熔点为1500℃，三元造渣剂中SiO2、Al2O3与ZnO的重量比为70:15:15。
实施例4：
一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂，所述三元造渣剂为SiO2-Al2O3-ZnO，其熔点为1545℃，三元造渣剂中SiO2、Al2O3与ZnO的重量比为90:3:2。
实施例5：一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂除杂的方法
抬包中通入压缩气体氩气，通入压缩气体的通气压力为0.2MPa，气体流量为800L/h，通气时间为20min，将实施例1制备的三元造渣剂以预制渣的方式直接加入硅熔体中反应30min，所述三元造渣剂的质量为工业硅质量的5％，杂质进入造渣剂中，反应结束后，冷却凝固后采用敲打的方式进行分离硅熔体和含有杂质的三元造渣剂。
实施例6：一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂除杂的方法
抬包中通入压缩气体氩气，通入压缩气体的通气压力为0.3MPa，气体流量为1200L/h，通气时间为30min，将实施例2制备的三元造渣剂粉末混合渣通过载气载入的方式加入硅熔体中反应40min，所述加入三元造渣剂的质量为工业硅质量的10％，控制反应温度1700℃以上，杂质与三元造渣剂反应形成的化合物挥发溢出工业硅熔体。
实施例7：一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂除杂的方法
抬包中通入压缩气体氩气，通入压缩气体的通气压力为0.25MPa，气体流量为1000L/h，通气时间为50min，将实施例3制备的三元造渣剂粉末混合渣通过载气载入的方式加入硅熔体中反应50min，所述加入三元造渣剂的质量为工业硅质量的15％，控制反应温度1700℃以上，杂质与三元造渣剂反应形成的化合物挥发溢出工业硅熔体。
实施例8：一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂除杂的方法
抬包中通入压缩气体氩气，通入压缩气体的通气压力为0.2MPa，气体流量为1100L/h，通气时间为60min，将实施例4制备的三元造渣剂粉末混合渣通过载气载入的方式加入硅熔体中反应60min，所述加入三元造渣剂的质量为工业硅质量的20％，控制反应温度1700℃以上，杂质与三元造渣剂反应形成的化合物挥发溢出工业硅熔体。
以下通过实验说明本发明的有益效果：
对硅熔体精炼前后的杂质含量进行检测，杂质包括：铁、铝、钙、磷、硼和镁。具体的精炼方法为：
抬包中通入压缩气体氩气，通气压力0.2MPa、气体流量800L/h，通气时间为20min～60min，向工业硅熔体中加入三元造渣剂，反应时间30min，控制反应温度1700℃以上，杂质与三元造渣剂反应形成的化合物挥发溢出工业硅熔体。
实例1：通气时间20min，静置反应30min，加入实施例1制备的三元造渣剂，三元造渣剂为粉末混合渣，通过载气载入的方式一次性快速加入硅熔体中，加入三元造渣剂的质量为工业硅质量的5％。
实例2：通气时间20min，静置反应30min，加入实施例2制备的三元造渣剂，三元造渣剂为粉末混合渣，通过载气载入的方式一次性快速加入硅熔体中，加入三元造渣剂的质量为工业硅质量的5％。
实例3：通气时间20min，静置反应30min，加入实施例3制备的三元造渣剂，三元造渣剂为粉末混合渣，通过载气载入的方式一次性快速加入硅熔体中，加入三元造渣剂的质量为工业硅质量的5％。
实例4：通气时间20min，静置反应30min，加入实施例4制备的三元造渣剂，三元造渣剂为粉末混合渣，通过载气载入的方式一次性快速加入硅熔体中，加入三元造渣剂的质量为工业硅质量的5％。
实例5：通气时间20min，静置反应30min，加入实施例1制备的三元造渣剂，三元造渣剂为粉末混合渣，通过载气载入的方式一次性快速加入硅熔体中，加入三元造渣剂的质量为工业硅质量的10％。
实例6：通气时间20min，静置反应30min，加入实施例1制备的三元造渣剂，三元造渣剂为粉末混合渣，通过载气载入的方式一次性快速加入硅熔体中，加入三元造渣剂的质量为工业硅质量的15％。
实例7：通气时间20min，静置反应30min，加入实施例1制备的三元造渣剂，三元造渣剂以预制渣状的方式一次性快速硅熔体中，加入三元造渣剂的质量为工业硅质量的20％。
实例8：通气时间20min，静置反应30min，加入实施例1制备的三元造渣剂，三元造渣剂为粉末混合渣，通过载气载入的方式一次性快速加入硅熔体中，加入三元造渣剂的质量为工业硅质量的20％。
对比例：抬包中通入压缩气体氩气，通气压力0.2MPa、气体流量800L/h，通气时间20min，静置30min，不加本发明的三元造渣剂。
实验结果如表1所示：
表1各实例硅熔体中杂质含量
Figure BDA0003623424820000051
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂，其特征在于，所述三元造渣剂为SiO2-Al2O3-ZnO，其熔点为1305℃～1500℃。
2.根据权利要求1所述的一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂，其特征在于，所述三元造渣剂的熔点为1305℃，三元造渣剂中SiO2、Al2O3与ZnO的重量比为40～55:5～15:40～55。
3.根据权利要求1所述的一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂，其特征在于，所述三元造渣剂的熔点为1400℃，三元造渣剂中SiO2、Al2O3与ZnO的重量比为50～65:10～25:25～35。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂，其特征在于，除杂的杂质为Fe、Al、Ca、P、As、Se、Te和Mg。
5.根据权利要求1所述的一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂除杂的方法，其特征在于，抬包中通入压缩气体，向工业硅熔体中加入三元造渣剂反应30～60min，杂质进入造渣剂中，冷却凝固后将硅熔体和造渣剂进行固相分离；或控制反应温度1700℃以上，杂质与三元造渣剂反应形成的化合物挥发溢出工业硅熔体。
6.根据权利要求5所述的一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂除杂的方法，其特征在于，所述压缩气体为氩气。
7.根据权利要求5所述的一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂除杂的方法，其特征在于，所述通入压缩气体的通气压力为0.2～0.3MPa，气体流量为800～1200 L/h，通气时间为20～60min。
8.根据权利要求5所述的一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂除杂的方法，其特征在于，所述加入三元造渣剂的质量为工业硅质量的5%～25%。
9.根据权利要求5所述的一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂除杂的方法，其特征在于，所述三元造渣剂的加入方式为将三元造渣剂以预制渣的方式直接加入硅熔体中或将三元造渣剂粉末混合渣通过载气载入的方式加入硅熔体中。
10.根据权利要求5所述的一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂除杂的方法，其特征在于，所述固相分离的具体方法为：反应结束后，冷却凝固后采用敲打的方式进行分离硅熔体和含有杂质的三元造渣剂。
CN202210472531.5A 2022-04-29 2022-04-29 一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂及其除杂方法 Active CN114890428B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210472531.5A CN114890428B (zh) 2022-04-29 2022-04-29 一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂及其除杂方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210472531.5A CN114890428B (zh) 2022-04-29 2022-04-29 一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂及其除杂方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114890428A true CN114890428A (zh) 2022-08-12
CN114890428B CN114890428B (zh) 2023-05-09

Family

ID=82720644

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210472531.5A Active CN114890428B (zh) 2022-04-29 2022-04-29 一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂及其除杂方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114890428B (zh)

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101319365A (zh) * 2008-06-19 2008-12-10 浙江碧晶科技有限公司 一种硅晶体的生产方法
WO2010046751A2 (en) * 2008-10-20 2010-04-29 Sunlit S.R.L. Method for the production of polycrystalline silicon
CN101941700A (zh) * 2010-09-15 2011-01-12 陈应天 一种从工业硅中去除硼杂质的方法
CN102001661A (zh) * 2010-11-22 2011-04-06 东海晶澳太阳能科技有限公司 一种冶金硅造渣除硼提纯方法
CN102464318A (zh) * 2010-11-04 2012-05-23 刘春霞 一种生产太阳能级多晶硅的方法
CN102583389A (zh) * 2012-03-05 2012-07-18 昆明理工大学 一种炉外精炼提纯工业硅的方法
CN103539357A (zh) * 2013-08-27 2014-01-29 中国科学院过程工程研究所 一种硅渣微晶玻璃及其制备方法
WO2014045252A1 (fr) * 2012-09-24 2014-03-27 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de formation d'une couche de silicium epitaxiee
CN105329901A (zh) * 2015-10-22 2016-02-17 昆明理工大学 一种向硅酸钙中添加锌化合物去除工业硅中杂质硼的方法
CN105948057A (zh) * 2016-04-21 2016-09-21 中国科学院过程工程研究所 一种硅纳米颗粒及其制备方法和应用
CN109231216A (zh) * 2018-11-19 2019-01-18 成都斯力康科技股份有限公司 工业硅炉外提纯精炼工艺
CN111676374A (zh) * 2020-05-19 2020-09-18 方喜 一种铜冶炼烟尘及含铅二次物料清洁生产方法
CN112867692A (zh) * 2018-10-23 2021-05-28 斯科奥有限公司 高纯度的硅和氧化铝的联合生产

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101319365A (zh) * 2008-06-19 2008-12-10 浙江碧晶科技有限公司 一种硅晶体的生产方法
WO2010046751A2 (en) * 2008-10-20 2010-04-29 Sunlit S.R.L. Method for the production of polycrystalline silicon
CN101941700A (zh) * 2010-09-15 2011-01-12 陈应天 一种从工业硅中去除硼杂质的方法
CN102464318A (zh) * 2010-11-04 2012-05-23 刘春霞 一种生产太阳能级多晶硅的方法
CN102001661A (zh) * 2010-11-22 2011-04-06 东海晶澳太阳能科技有限公司 一种冶金硅造渣除硼提纯方法
CN102583389A (zh) * 2012-03-05 2012-07-18 昆明理工大学 一种炉外精炼提纯工业硅的方法
WO2014045252A1 (fr) * 2012-09-24 2014-03-27 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de formation d'une couche de silicium epitaxiee
CN103539357A (zh) * 2013-08-27 2014-01-29 中国科学院过程工程研究所 一种硅渣微晶玻璃及其制备方法
CN105329901A (zh) * 2015-10-22 2016-02-17 昆明理工大学 一种向硅酸钙中添加锌化合物去除工业硅中杂质硼的方法
CN105948057A (zh) * 2016-04-21 2016-09-21 中国科学院过程工程研究所 一种硅纳米颗粒及其制备方法和应用
CN112867692A (zh) * 2018-10-23 2021-05-28 斯科奥有限公司 高纯度的硅和氧化铝的联合生产
CN109231216A (zh) * 2018-11-19 2019-01-18 成都斯力康科技股份有限公司 工业硅炉外提纯精炼工艺
CN111676374A (zh) * 2020-05-19 2020-09-18 方喜 一种铜冶炼烟尘及含铅二次物料清洁生产方法

Non-Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"硅酸盐通报第33卷第1～12期总目次" *
MA, J ET AL.: "Heat-resistant, strong alumina-modified silica aerogel fabricated by impregnating silicon oxycarbide aerogel with boehmite sol" *
刘兵发: "晶体硅太阳能电池梯度减反射膜及硅锭中晶体缺陷的研究" *
张少卿等: "碳化硅颗粒增强铝基复合材料的无压浸渗反应机理探讨" *
张红梅;尹云华;: "太阳能电池的研究现状与发展趋势" *
李勇辉;明大增;李志祥;王智娟;杜璐杉;: "以二氧化硅为硅源制备纯硅的方法", 化工生产与技术 *
陆海飞: "工业硅中杂质P的强化析出及湿法去除研究" *

Also Published As

Publication number Publication date
CN114890428B (zh) 2023-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1926062B (zh) 从硅中除去硼的方法
CN101555013A (zh) 一种工业硅的精炼提纯方法
CN102583389A (zh) 一种炉外精炼提纯工业硅的方法
CN104073641A (zh) 从失效汽车催化剂中回收贵金属的方法
CN101712474B (zh) 采用析释提纯技术的太阳能级高纯硅的制备方法
CN109628761B (zh) 一种利用高锑二次烟尘脱砷生产锑白的方法
CN109609769B (zh) 采用富氧熔炼炉直接生产阳极板的工艺
CN1081245C (zh) 一种高导电率含硼铝合金的制造技术
CN101837348A (zh) 一种将硅与杂质进行分离的方法
CN101423221A (zh) 采用粉末冶金的硅真空熔炼提纯方法
CN113088716A (zh) 一种电渣重熔用超低氧渣系及其制备方法
CN112899495A (zh) 一种从阳极炉中高效深度去除粗铜中砷锑的方法
CN114890428B (zh) 一种用于工业硅炉外精炼的三元造渣剂及其除杂方法
CN108950143B (zh) 一种黄磷冶炼副产品磷铁的综合利用方法
CN115896603A (zh) 一种铁-铜-稀土中间合金及其制备方法
US20210331929A1 (en) Device and method for producing high-purity industrial silicon
CN1216162C (zh) 一种锑冶炼火法精炼除砷除硒方法
CN114735938A (zh) 用电磁感应炉制备微晶玻璃的方法
CN110467185B (zh) 一种硅材料除磷提纯添加剂以及提纯方法
CN110482556B (zh) 一种用于硅材料低温精炼除硼的造渣剂及其使用方法
CN112938983A (zh) 一种基于晶体硅切割废料制备的再生硅及其制备方法
CN113502377B (zh) 钢包顶渣快速还原剂及其制备方法和使用方法
CN101037207A (zh) 高纯镁橄榄石晶体材料的工业化生产方法
CN115198105B (zh) 一种废杂铜生产高纯低氧铜杆工艺中去除碲的方法
CN114735708B (zh) 一种制备低铁铝钙含量硅的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant