CN114879009A - 电容测量装置及电容测量方法 - Google Patents

Abstract

一种电容测量装置及电容测量方法，配置为批量测试芯片的电容参数，所述电容测量装置包括：测量电路板，包括：测试工位，配置为安装所述待测芯片；以及参考电容，所述参考电容的第一端与安装在所述测试工位的待测芯片的第一管脚电连接于第一节点，所述参考电容的第二端配置为接收第一测量信号，所述安装在所述测试工位的待测芯片的第二管脚配置为接收第二测量信号，以及自动测试机，与所述测量电路板电连接，配置为提供所述第一测量信号和所述第二测量信号，并基于第一节点处的信号确定所述待测芯片的电容参数，其中，所述第一测量信号和第二测量信号均为正弦信号或余弦信号，其第一测量信号与所述第二测量信号的相位差为(2n+1)π,其中n为整数。

Description

电容测量装置及电容测量方法

技术领域

本公开涉及集成电路测试技术领域，具体而言，涉及一种电容测量装置及电容测量方法，特别涉及用于批量的芯片电容参数的测量电容测量装置及电容测量方法。

背景技术

电容器是一种可储存电能的元器件，简称为电容，通常用字母C表示。电容C的单位为法拉，用字母“F”表示，简称法。电容对交流信号的阻抗较小，可视为通路，对直流信号的阻抗很大，可视为断路。电容广泛应用于电路系统，例如芯片上。在芯片测试中，很多芯片的电容参数也是需要被测量的。

发明内容

本公开一些实施例提供一种电容测量装置，配置为批量测试芯片的电容参数，所述电容测量装置包括：

测量电路板，包括：

测试工位，配置为安装所述待测芯片；以及

参考电容，所述参考电容的第一端与安装在所述测试工位的待测芯片的第一管脚电连接于第一节点，所述参考电容的第二端配置为接收第一测量信号，所述安装在所述测试工位的待测芯片的第二管脚配置为接收第二测量信号，以及

自动测试机，与所述测量电路板电连接，配置为提供所述第一测量信号和所述第二测量信号，并基于第一节点处的信号确定所述待测芯片的电容参数，

其中，所述第一测量信号和第二测量信号均为正弦信号或余弦信号，其第一测量信号与所述第二测量信号的相位差为(2n+1)π,其中n为整数。

在一些实施例中，所述测量电路板还包括：

放大电路，与所述第一节点电连接，配置为接收所述第一节点的信号，并输出放大信号，

自动测试机，与所述测量电路板电连接，配置为接收检测所述放大信号并基于所述放大信号确定所述待测芯片的电容参数。

在一些实施例中，所述第一测量信号和第二测量信号中的至少一个的幅度是可调的，通过调整所述第一测量信号和第二测量信号中的至少一个的幅度直至所述放大信号小于或等于第一阈值，进而确定安装在所述测试工位的待测芯片的电容参数，所述待测芯片的电容参数C由以下公式确定：

C＝C_ref·V₂/V₁

其中，C_ref表示参考电容的电容参数，V₁表示第一测量信号的幅度，V₂表示第二测量信号的幅度。

在一些实施例中，所述放大电路包括运算放大器，所述运算放大器包括同向输入端、反向输入端以及输出端，所述同向输入端电连接所述第一节点，所述反向输入端经由第一电阻电连接至参考电压，所述输出端经由第二电阻电连接至所述反向输入端。

在一些实施例中，所述放大电路包括运算放大器，所述运算放大器包括同向输入端、反向输入端以及输出端，所述同向输入端电连接参考电压，所述反向输入端经由第三电阻电连接至第一节点，所述输出端经由第四电阻电连接至所述反向输入端。

在一些实施例中，所述电容测量装置还包括：

机械手，配置为将所述待测芯片安装至所述测试工位或自所述测试工位拆卸。

在一些实施例中，所述参考电容为可调节电容。

在一些实施例中，所述测试工位的数量为1个或更多个。

本公开一些实施例提供一种电容测量方法,采用前述权利要求中所述的电容测量装置，所述电容测量方法包括：

利用所述自动测试机同时向所述参考电容和安装在所述测试工位的待测芯片分别提供第一测量信号和第二测量信号；

调节所述第一测量信号和第二测量信号中的至少一个的幅度直至所述第一节点处的信号基本上为0；以及

基于所述参考电容的电容参数、第一测量信号和第二测量信号的幅度确定所述待测芯片的电容参数。

在一些实施例中，在利用所述自动测试机同时向所述参考电容和安装在所述测试工位的待测芯片分别提供第一测量信号和第二测量信号之前，所述电容测量方法还包括：

利用机械手将所述待测芯片安装至所述测试工位。

本公开实施例的上述方案与相关技术相比，至少具有以下有益效果：

采用自动测试机以及特定设计的测量电路板来批量测试芯片的电容参数，可以方便准确的测量芯片的电容参数，提高批量测试效率。

测量电路板上设置放大电路，以提高测量精度。

采用机械手执行待测芯片在测试工位上的安装和拆卸，提高测试效率。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1为本公开一些实施例提供的晶片的结构示意图；

图2为本公开一些实施例提供的测量电路板上的测试电路的电路图；

图3为本公开一些实施例提供的测量电路板上的测试电路的电路图；

图4为本公开一些实施例提供的测量电路板上的测试电路的电路图；

图5为本公开一些实施例提供的测量电路板上的测试电路的电路图；

图6为本公开一些实施例提供的测量电路板的结构示意图；

图7为本公开一些实施例提供的电容测量方法的流程图。

具体实施方式

为了使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本公开保护的范围。

在本公开实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本公开。在本公开实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义，“多种”一般包含至少两种。

应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

应当理解，尽管在本公开实施例中可能采用术语第一、第二、第三等来描述，但这些不应限于这些术语。这些术语仅用来将区分开。例如，在不脱离本公开实施例范围的情况下，第一也可以被称为第二，类似地，第二也可以被称为第一。

还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的商品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种商品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个”限定的要素，并不排除在包括所述要素的商品或者装置中还存在另外的相同要素。

相关技术中，通常采用万用表、LCR测试仪或网络分析仪来对芯片的电容参量进行测量。具体地，采用万用表或LCR测试仪测量芯片的电容参量时，将万用表功能旋转开关拧至电容(C)测量档或LCR测试仪设置为电容(C)测量，并选择合适的量程。将待测芯片的对应电容的管脚与万用表或LCR测试仪连接，然后直接读取屏幕上的电容值即可。利用网络分析仪测量芯片的电容参量时，首先将待测待测芯片的对应电容的管脚与网络分析仪连接，然后校准测量通路，采用两端口测试方法对待测芯片的对应电容的S参数进行测量，通过S参数，计算得到电容值。

上述方式均需要操作人员手动操作，不利于芯片的批量测试，且由于操作人员在执行电容测试时可能会存在人为因素的偏差，例如芯片的管脚与测量仪器的虚接等，上述测量方法测试效率低，且测量精度差。

为了克服上述问题，本公开提供一种电容测量装置，配置为批量测试芯片的电容参数，所述电容测量装置包括：测量电路板，包括：测试工位，配置为安装所述待测芯片；以及参考电容，所述参考电容的第一端与安装在所述测试工位的待测芯片的第一管脚电连接于第一节点，所述参考电容的第二端配置为接收第一测量信号，所述安装在所述测试工位的待测芯片的第二管脚配置为接收第二测量信号，以及自动测试机，与所述测量电路板电连接，配置为提供所述第一测量信号和所述第二测量信号并基于第一节点处的信号确定所述待测芯片的电容参数，其中，所述第一测量信号和第二测量信号均为正弦信号或余弦信号，其第一测量信号与所述第二测量信号的相位差为(2n+1)π,其中n为整数。

本公开采用自动测试机以及特定设计的测量电路板来批量测试芯片的电容参数，可以方便准确的测量芯片的电容参数，提高批量测试效率。

下面结合附图详细说明本公开的可选实施例。

图1为本公开一些实施例提供的电容测量装置的结构示意图，图2为本公开一些实施例提供的测量电路板上的测试电路的电路图。

如图1和图2所示，本公开一些实施例提供一种电容测量装置，配置为批量测试芯片的电容参数，所述电容测量装置100包括自动测试机10和设置在所述自动测试机10上的测量电路板20。

测试系统100包括自动测试机10(ATE，Automatic Test Equipment)，例如为集成电路自动测试机。自动测试机例如用于检测集成电路，例如为芯片的性能及功能，其顶面上设置有多个连接部，用于与测量电路板20连接，为测量电路板20提供测试机资源，即各种信号。

测量电路板20设置在自动测试机10的顶面上，与自动测试机连接。用于接收自动测试机的资源对待测的集成电路，例如芯片进行测试，测量电路板20例如为PCB板。在一些实施例中，自动测试机10还可以包括加强板40，支撑并固定所述测量电路板20，使得测试板20的整体强度增强，不易发生形变。如图1所示，在执行集成电路测试时，加强板40位于测量电路板20和自动测试机10之间。

测量电路板20远离自动测试机10的一侧上设置有测试工位22，测试工位22例如包括夹具，用于固定连接待测芯片30，夹具上具有连接待测芯片30的接口。

测量电路板20包括基板21以及设置在基板上的测试工位22，测试工位22例如设置在基板21远离所述自动测试机10的一侧，测试工位21用于安装待测芯片30，当待测芯片30装入测试工位21时，待测芯片30接入测试电路板20上的测试电路中。在一些实施例中，测试电路可以设置在测量电路板20靠近所述自动测试机10的一侧。

测试电路包括参考电容C_ref，所述参考电容的第一端与安装在所述测试工位22的待测芯片30的等效电容C的第一端连接于第一节点，即参考电容的第一端与安装在所述测试工位的待测芯片30的第一管脚电连接于第一节点A，参考电容的第二端配置为接收第一测量信号IS1。安装在所述测试工位22的待测芯片30的等效电容C的第二端，即安装在所述测试工位的待测芯片30的第二管脚配置为接收第二测量信号IS2。所述第一测量信号IS1和第二测量信号IS2均为正弦信号或余弦信号，其第一测量信号IS1与所述第二测量信号IS2的相位差为(2n+1)π,其中n为整数。

自动测试机10与测量电路板20电连接，配置为提供所述第一测量信号IS1和所述第二测量信号IS2并基于第一节点A处的信号确定所述待测芯片30的电容参数C，本公开中，C既表示安装在所述测试工位22的待测芯片30的等效电容，又表示安装在所述测试工位22的待测芯片30的电容参量。C_ref既表示参考电容，又表示参考电容的电容参量。

采用如上所述自动测试机以及特定设计的测量电路板来批量测试芯片的电容参数，可以方便准确的测量芯片的电容参数，并提高批量测试效率。具体地，第一测量信号IS1和第二测量信号IS2例如均正弦信号或余弦信号，两者的相位差例如为π,第一测量信号IS1和第二测量信号IS2周期相同，符号相反。且第一测量信号IS1和第二测量信号IS2中的至少一个的幅度是可调的，通过调整第一测量信号IS1和第二测量信号IS2中的至少一个的幅度使得第一节点A处的信号基本上为0，此时可以确定待测芯片30的电容参数C。所述待测芯片的电容参数C由以下公式确定：

C＝C_ref·V₂/V₁

其中，C_ref表示参考电容的电容参数，V₁表示第一测量信号的幅度，V₂表示第二测量信号的幅度，其中C_ref已知的，V₁和V₂是由自动测试机10确定的，亦是已知的。

图3为本公开一些实施例提供的测量电路板上的测试电路的电路图。其与图2中所示的测量电路板上的测试电路基本相同，不同之处，在于测量电路板20还包括放大电路23，放大电路23与所述第一节点A电连接，配置为接收所述第一节点A的信号，并对于第一节点A的信号放大，进而输出放大信号AS。该些实施例中，自动测试机10与所述测量电路板20电连接，配置为接收并检测所述放大信号AS并基于所述放大信号AS确定所述待测芯片30的电容参数C。

在图2所示的测试电路中，对于第一节点A处的信号直接测量其是否基本为0可能不太精确，在实际测试中，通常可能会将第一节点A处的信号的测得的幅值小于或等于一预定值，例如为100mv时，则认定第一节点A处的信号基本为0。

而在图3所示的测试电路中，通过增设放大电路，对第一节点A的信号进行放大，例如为放大100倍。利用放大信号AS执行检测，可以更好的提高测量精度。具体地，所述第一测量信号IS1和第二测量信号中IS2的至少一个的幅度是可调的，通过调整所述第一测量信号IS1和第二测量信号IS2中的至少一个的幅度直至所述放大信号AS小于或等于第一阈值，进而确定安装在所述测试工位的待测芯片30的电容参数。

在实际测试中，通常可能会将放大信号AS的测得的幅值小于或等于一预定值，即第一阈值M，例如为100mV时，则认定第一节点A处的信号基本为0。此时，第一节点A处的信号的幅值为M/n,其中n为放大电路的放大倍数，M为第一阈值。例如第一阈值M为100mV，放大电路的放大倍数为100呗，此时第一节点A处的信号的幅值最大为1mV。采用该些实施例，第一节点A处的信号更加接近0，测试精度更高。

在一些实施例中，开始测量时给入的所述第一测量信号IS1和第二测量信号中IS2的幅度可以相同，也可以不同。第一测量信号IS1和第二测量信号中IS2中一个的幅度是可调的，另一的幅度是固定的，或者两个幅度都是可调的。

例如，在开始测量时，给入的所述第一测量信号IS1和第二测量信号中IS2的幅度相同，符号相反，两者均为正弦信号或余弦信号，两者的相位相差π。然后实时监控第一节点A处的信号或放大信号AS，以监控放大信号AS，所述第一测量信号IS1的幅度固定，第二测量信号中IS2的幅度可调节为例，逐渐调整第二测量信号中IS2的幅度，例如增大或减小，直至放大信号AS的幅值小于或等于第一阈值M，此时可是认定第一节点A处的信号基本为0，记录此时第二测量信号中IS2的幅度，利用前述的计算公式确定所述待测芯片30的电容参数C，即

C＝C_ref·V₂/V₁

其中，C_ref表示参考电容的电容参数，V₁表示第一测量信号的幅度，V₂表示第二测量信号的幅度。

图4为本公开一些实施例提供的测量电路板上的测试电路的电路图。如图4所示，所述放大电路23包括运算放大器Amp，所述运算放大器包括同向输入端、反向输入端以及输出端。所述同向输入端电连接所述第一节点A，所述反向输入端经由第一电阻R₁电连接至参考电压，例如为接地电压，例如为0V，所述输出端经由第二电阻R₂电连接至所述反向输入端。在图4所示的测试电路中，放大信号AS与第一节点A处的信号S的值具有如下关系：

AS＝S·(R₁+R₂)/R₁

其中，R₁既表示第一电阻，还表示第一电阻的电阻值，R₂既表示第二电阻，还表示第二电阻的电阻值。

通过合理设置第一电阻R₁和第二电阻R₂的电阻值，可以确定放大电路23的放大倍数n。在一些实施例中，n例如大于等于50，例如为100、200等，如此设置，可以更加精确的调整所述第一测量信号IS1和第二测量信号中IS2中的至少一个的幅度使得第一节点A处的信号S的幅值基本为0，进而实现对待测芯片30的电容参数C的精确地测量。

图5为本公开一些实施例提供的测量电路板上的测试电路的电路图。如图5所示，所述放大电路23包括运算放大器Amp，所述运算放大器包括同向输入端、反向输入端以及输出端。所述同向输入端电连接参考电压，例如为接地电压，例如为0V，所述反向输入端经由第三电阻R₃电连接至第一节点A，所述输出端经由第四电阻R₄电连接至所述反向输入端。在图5所示的测试电路中，放大信号AS与第一节点A处的信号S的值具有如下关系：

AS＝-S·R₄/R₃

其中，R₃既表示第三电阻，还表示第三电阻的电阻值，R₄既表示第四电阻，还表示第四电阻的电阻值。

通过合理设置第三电阻R₃和第四电阻R₄的电阻值，可以确定放大电路23的放大倍数n。在一些实施例中，n例如大于等于50，例如为100、200等，如此设置，可以更加精确的调整所述第一测量信号IS1和第二测量信号中IS2中的至少一个的幅度使得第一节点A处的信号S的幅值基本为0，进而实现对待测芯片30的电容参数C的精确地测量。

在一些实施中，所述电容测量装置还包括机械手，机械手配置为将所述待测芯片30安装至所述测试工位22或自所述测试工位22拆卸。如此设置，可以实现待测芯片30的自动化装载以及自动化电容参数测试。避免了操作人员手工操作造成的偏差，实现标准化测试，提高了测试效率。

在一些实施例中，放大电路23还可以采用其他放大电路，只要可以将第一节点A处的信号放大即可。

在一些实施例中，参考电容的电容参数C_ref已知的，对于批量测量的芯片，参考电容C_ref的选取可以根据该批次芯片标定的电容参数确定。例如，参考电容C_ref可以选取为与该批次芯片标定的电容参数属于同一量级，例如该批次芯片标定的电容参数80mF，可以选择电容参数为100mF的参考电容。在一些实施例中，参考电容C_ref可以为选取与该批次芯片标定的电容参数相同。在这种情况下，第一测量信号IS1和第二测量信号IS2初始给出的信号的幅值可以相同。

在一些实施例中，所述参考电容为可调节电容，采用该种方式可以使得同一测量电路板可以应用于不同型号芯片的电容参数测量。避免了针对不同型号的芯片需要更换测量电路板的问题。例如，在利用同一测量电路板进行不同型号的芯片进行测试的过程中，在对第一型号的芯片进行电容参数的测试时，根据第一型号的芯片标定的电容参数调整可调节电容至第一参考电容值，在对第二型号的芯片进行电容参数的测试时，根据第二型号的芯片标定的电容参数调整可调节电容至第二参考电容值。

图6为本公开一些实施例提供的测量电路板的结构示意图。如图6所示，测量电路板20包括基板21以及设置在基板上的测试工位22，所述测试工位的数量为1个或更多个。如图6所示，测试工位22例如为4个，测量电路板20同时包括1套或更多套测试电路，例如为4套，分别对应上述测试工位。如此设置，可以使得多各芯片同步进行电容参数的测试，进一步提高测试效率。在一些实施例中，测试电路与测试工位可以分别设置在基板21的两侧，使得基板21上的布局更加合理，例如可以设置更多的测试工位。

图7为本公开一些实施例提供的电容测量方法的流程图，如图7所示，本公开一些实施例提供一种电容测量方法,采用前述实施例中所述的电容测量装置100，所述电容测量方法包括以下步骤：

S71：利用所述自动测试机同时向所述参考电容和安装在所述测试工位的待测芯片分别提供第一测量信号和第二测量信号。

具体地，利用所述自动测试机同时向测试电路提供第一测量信号IS1和第二测量信号IS2，即向所述参考电容C_ref和安装在所述测试工位22的待测芯片30分别提供第一测量信号IS1和第二测量信号IS2。所述第一测量信号IS1和第二测量信号IS2均为正弦信号或余弦信号，其第一测量信号IS1与所述第二测量信号IS2的相位差为(2n+1)π,其中n为整数。两者的幅值可以相等，也可以不相等，两者的符号相反。

S73：调节所述第一测量信号和第二测量信号中的至少一个的幅度直至所述第一节点处的信号基本上为0。

实时监控第一节点A处的信号，调节所述第一测量信号IS1和第二测量信号IS2中的至少一个的幅度直至所述第一节点A处的信号S基本上为0。在一些实施例中，测试电路包括放大电路，放大电路可以放大第一节点A处的信号S得到放大信号AS，此时可以实时监控放大电路输出的放大信号，调节所述第一测量信号IS1和第二测量信号IS2中的至少一个的幅度直至所放大信号AS基本上为0。

S75：基于所述参考电容的电容参数、第一测量信号和第二测量信号的幅度确定所述待测芯片的电容参数。

自动测试机10给出所述待测芯片的电容参数的测量结果，所述待测芯片的电容参数C由以下公式确定：

C＝C_ref·V₂/V₁

其中，C_ref表示参考电容的电容参数，V₁表示第一测量信号的幅度，V₂表示第二测量信号的幅度，其中C_ref已知的，V₁和V₂是由自动测试机10确定的，亦是已知的。

在一些实施例中，如图7所示，在利用所述自动测试机同时向所述参考电容和安装在所述测试工位的待测芯片分别提供第一测量信号和第二测量信号之前，所述电容测量方法还包括：

S70：利用机械手将所述待测芯片安装至所述测试工位。

测量电路板20上的测试工位22的数量为多个，可以采用机械手臂同时将多个待测芯片30装载至测试工位22，以对多个待测芯片30同时执行电容参数测试，提高测试效率。

在一些实施实施例中，在利用所述自动测试机同时向所述参考电容和安装在所述测试工位的待测芯片分别提供第一测量信号和第二测量信号之后，所述电容测量方法还包括：

S77：利用机械手将测试完的芯片自所述测试工位拆卸下来。

测量电路板20上的测试工位22的数量为多个，可以采用机械手臂同时将多个测试完的芯片30自测试工位22拆卸下来。

在一些实施例中，步骤S70-S77依次循环执行，完成批量的芯片电容参数的测试。

附图中的流程图和框图，图示了按照本公开各种实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段、或代码的一部分，该模块、程序段、或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个接连地表示的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。

最后应说明的是：本说明书中各个实施例采用举例的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的系统或装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

以上实施例仅用以说明本公开的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本公开进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本公开各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种电容测量装置，配置为批量测试芯片的电容参数，其特征在于，所述电容测量装置包括：

测量电路板，包括：

测试工位，配置为安装所述待测芯片；以及

参考电容，所述参考电容的第一端与安装在所述测试工位的待测芯片的第一管脚电连接于第一节点，所述参考电容的第二端配置为接收第一测量信号，所述安装在所述测试工位的待测芯片的第二管脚配置为接收第二测量信号，以及

自动测试机，与所述测量电路板电连接，配置为提供所述第一测量信号和所述第二测量信号，并基于第一节点处的信号确定所述待测芯片的电容参数，

其中，所述第一测量信号和第二测量信号均为正弦信号或余弦信号，其第一测量信号与所述第二测量信号的相位差为(2n+1)π,其中n为整数。

2.根据权利要求1所述的电容测量装置，其中，所述测量电路板还包括：

放大电路，与所述第一节点电连接，配置为接收所述第一节点的信号，并输出放大信号，

自动测试机，与所述测量电路板电连接，配置为接收检测所述放大信号并基于所述放大信号确定所述待测芯片的电容参数。

3.根据权利要求2所述的电容测量装置，其中，所述第一测量信号和第二测量信号中的至少一个的幅度是可调的，通过调整所述第一测量信号和第二测量信号中的至少一个的幅度直至所述放大信号小于或等于第一阈值，进而确定安装在所述测试工位的待测芯片的电容参数，所述待测芯片的电容参数C由以下公式确定：

C＝C_ref·V₂/V₁

其中，C_ref表示参考电容的电容参数，V₁表示第一测量信号的幅度，V₂表示第二测量信号的幅度。

4.根据权利要求2或3所述的电容测量装置，其中，所述放大电路包括运算放大器，所述运算放大器包括同向输入端、反向输入端以及输出端，所述同向输入端电连接所述第一节点，所述反向输入端经由第一电阻电连接至参考电压，所述输出端经由第二电阻电连接至所述反向输入端。

5.根据权利要求2或3所述的电容测量装置，其中，所述放大电路包括运算放大器，所述运算放大器包括同向输入端、反向输入端以及输出端，所述同向输入端电连接参考电压，所述反向输入端经由第三电阻电连接至第一节点，所述输出端经由第四电阻电连接至所述反向输入端。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的电容测量装置，其中，所述电容测量装置还包括：

机械手，配置为将所述待测芯片安装至所述测试工位或自所述测试工位拆卸。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的电容测量装置，其中，所述参考电容为可调节电容。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的电容测量装置，其中，所述测试工位的数量为1个或更多个。

9.一种电容测量方法,采用权利要求1至8中任一项所述的电容测量装置，所述电容测量方法包括：

利用所述自动测试机同时向所述参考电容和安装在所述测试工位的待测芯片分别提供第一测量信号和第二测量信号；

调节所述第一测量信号和第二测量信号中的至少一个的幅度直至所述第一节点处的信号基本上为0；以及

基于所述参考电容的电容参数、第一测量信号和第二测量信号的幅度确定所述待测芯片的电容参数。

10.根据权利要求9所述的电容测量方法，在利用所述自动测试机同时向所述参考电容和安装在所述测试工位的待测芯片分别提供第一测量信号和第二测量信号之前，所述电容测量方法还包括：

利用机械手将所述待测芯片安装至所述测试工位。

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