CN114873693A - 一种双层Ti/Sb-SnO2电极的制备方法 - Google Patents
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- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 177
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 97
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 97
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 57
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 56
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 45
- GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N antimony tin Chemical compound [Sn].[Sb] GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 31
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 22
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 22
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 20
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 16
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 16
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 16
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 15
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910017835 Sb—Sn Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 11
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 238000003837 high-temperature calcination Methods 0.000 claims description 9
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 7
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 claims description 6
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 claims description 6
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 claims description 5
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 5
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 5
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 claims description 5
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 claims description 5
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims description 2
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 abstract description 13
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 abstract description 5
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 16
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 10
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 7
- 239000002957 persistent organic pollutant Substances 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000004502 linear sweep voltammetry Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000001828 Gelatine Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N SnO2 Inorganic materials O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXLJGBGJDROPKW-UHFFFAOYSA-N antimony;oxotin Chemical compound [Sb].[Sn]=O XXLJGBGJDROPKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000003651 drinking water Substances 0.000 description 1
- 235000020188 drinking water Nutrition 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- ZDYUUBIMAGBMPY-UHFFFAOYSA-N oxalic acid;hydrate Chemical compound O.OC(=O)C(O)=O ZDYUUBIMAGBMPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000010865 sewage Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001075 voltammogram Methods 0.000 description 1
- 238000004065 wastewater treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003911 water pollution Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/46—Treatment of water, waste water, or sewage by electrochemical methods
- C02F1/461—Treatment of water, waste water, or sewage by electrochemical methods by electrolysis
- C02F1/46104—Devices therefor; Their operating or servicing
- C02F1/46109—Electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/46—Treatment of water, waste water, or sewage by electrochemical methods
- C02F1/461—Treatment of water, waste water, or sewage by electrochemical methods by electrolysis
- C02F1/46104—Devices therefor; Their operating or servicing
- C02F1/46109—Electrodes
- C02F2001/46133—Electrodes characterised by the material
- C02F2001/46138—Electrodes comprising a substrate and a coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2101/00—Nature of the contaminant
- C02F2101/30—Organic compounds
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02W—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO WASTEWATER TREATMENT OR WASTE MANAGEMENT
- Y02W10/00—Technologies for wastewater treatment
- Y02W10/30—Wastewater or sewage treatment systems using renewable energies
- Y02W10/37—Wastewater or sewage treatment systems using renewable energies using solar energy
Abstract
本发明公开了一种双层Ti/Sb‑SnO2电极的制备方法，属于电催化氧化技术领域。此电极的制备方法包括：首先将钛基体经打磨、超声清洗、碱洗和酸洗预处理后形成均匀的灰色麻面，然后将预处理后的钛基体通过电沉积的方式得到单层Ti/Sb‑SnO2，再以单层Sb‑SnO2为中间层，通过电沉积的方式在中间层的基础上制备出Sb‑SnO2活性层，从而得到具有双层结构的Ti/Sb‑SnO2电极。本发明通过结构改性的方式制备出具有中间层结构的双层Ti/Sb‑SnO2电极，与浸渍涂覆法所制备的Ti/Sb‑SnO2电极以及电沉积法制备的单层Ti/Sb‑SnO2电极相比，这种具备双层结构的Ti/Sb‑SnO2电极的催化效率和服役寿命都得到了显著提高。
Description
技术领域
本发明涉及电催化氧化技术领域，具体涉及一种双层Ti/Sb-SnO2电极的制备方法。
背景技术
随着世界经济的快速发展以及周边自然环境的快速变化，全世界范围内对水的需求也急剧增加。水污染问题不仅对我国造成了大量的经济损失，并且对人民群众日常饮用水安全以及农作物的安全带来了巨大影响，所以对污水中有机污染物的处理显得极为重要。
在众多废水处理技术中，高级氧化技术以其效率高、兼容性强和成本低等优点得到工业领域的广泛使用，并迅速发展。在高级氧化技术领域，电催化氧化技术已经成为高级氧化技术研究领域的一个热点。
电催化阳极材料是电催化氧化技术中最为重要的一环。阳极材料将直接决定氧化过程的差异以及最终氧化产物的不同。其中，DSA电极(Dimensionally Stable Anode)以其尺寸稳定、工作寿命长、电催化性能高且成本较低等优点得到各领域的广泛使用。在众多种类的DSA电极中，Ti/Sb-SnO2电极被证实可有效降解各类有机污染物，特别是对于有毒有机物以及一些较难降解的有机物具备优良的降解效果；同时，Ti/Sb-SnO2电极还具备制作条件简单、成本较低以及高析氧电位等优点。因此，在电催化阳极材料领域，对Ti/Sb-SnO2电极的进一步深入研究有着十分重要的意义。
目前，Ti/Sb-SnO2电极的制备技术存在多种方式。通过传统浸渍涂覆法所制备的电极降解效率低，并且电极表面容易产生龟裂，服役寿命短。电沉积技术具备操作方法简单、成本低廉等优点，目前被广泛应用于Ti/Sb-SnO2电极的制备领域，且使用电沉积法制备的电极表面没有龟裂产生，电极的稳定性较好。但是，目前使用电沉积技术制备出的Ti/Sb-SnO2电极的电催化降解效率较低，且电极的服役寿命有限，限制了其在工业领域得到进一步应用。
发明内容
本发明要解决的技术问题是电极表面容易产生龟裂，服役寿命短，电催化降解效率较低。针对现有技术中的问题，提供了一种双层Ti/Sb-SnO2电极的制备方法，本发明通过以单层Ti/Sb-SnO2涂层为中间层，在中间层的基础上，通过电沉积技术制备出具备双层结构的Ti/Sb-SnO2电极，与浸渍涂覆法所制备的Ti/Sb-SnO2电极以及单层Ti/Sb-SnO2电极相比，这种具备双层结构的Ti/Sb-SnO2电极的催化效率和服役寿命都得到了明显提高，本方法试验参数可控，制备过程环保，制备表面性能优异，可适用于工业批量生产，具有广阔的应用前景。
为实现以上技术目的，本发明的技术方案是：
一种双层Ti/Sb-SnO2电极的制备方法，包括如下步骤：
步骤一、将未经过处理的钛片通过表面预处理得到钛基体，使得所述钛基体表面具有无氧化膜网格状微观结构，预处理采用先碱洗后酸洗的方式，碱洗的溶液为10％～15％wt NaOH水溶液、温度为80～90℃、时间为2h；酸洗的溶液为10％～13％wt草酸水溶液、温度为80～90℃、时间为3h；
步骤二、对所述钛基体进行超声清洗和干燥后备用，超声清洗时间为10min；
步骤三、在20～40℃温度下，将作为阳极的锡金属板和作为阴极的所述钛基体浸入Sb3+和Sn2+电镀液中沉积30～80min，阳极和阴极通过直流电源连通，直流电源施加的电流密度为5～25mA/cm2，使得保留有无氧化膜的网格状微观结构的钛基体表面生成锡锑复合预镀层，得到锡锑复合镀层钛基体；
步骤四、对步骤三中所述锡锑复合镀层钛基体进行高温煅烧后获得单层Ti/Sb-SnO2电极；
步骤五、在20～40℃温度下，将作为阳极的锡金属板和作为阴极的所述单层Ti/Sb-SnO2电极浸入Sb3+以及Sn2+电镀液中沉积30～80min，阳极和阴极通过直流电源连通，直流电源施加的电流密度为5～25mA/cm2，使得所述单层Ti/Sb-SnO2电极表面生成新的锡锑复合活性层，得到双层Ti/Sb-SnO2/Sb-Sn电极；
步骤六、对步骤五中所述双层Ti/Sb-SnO2/Sb-Sn电极进行高温煅烧获得双层Ti/Sb-SnO2电极。
优选的，步骤一中所述钛基体的预处理方法还包括如下步骤：
步骤①、对所述钛片进行打磨处理；
步骤②、对步骤一中所述碱洗以及酸洗后的钛基体进行冲洗处理。
优选的，步骤①中打磨处理方法为：依次使用200#砂纸、300#砂纸、400#砂纸、800#砂纸、900#砂纸、1000#砂纸、1100#砂纸、1200#砂纸对所述钛片表面进行打磨。
优选的，步骤②中冲洗处理方法为：室温下，使用蒸馏水对目标基体进行清洗3～5min。
优选的，步骤三中Sb3+以及Sn2+电镀液的制备方法为：室温下将CH4O3S溶液、C2H6O6S2Sn溶液、HCl溶液、SbCl粉末、对苯二酚粉末、明胶粉末溶于100-200ml去离子水中，其中，所述Sb3+和所述Sn2+的含量比为1：20。优选的，
步骤四中所述高温煅烧方法为：将所述锡锑复合镀层钛基体使用去离子水进行一次清洗1～2min，再使用压缩空气对清洗后的锡锑复合镀层钛基体吹扫1～3min，将所述吹扫后锡锑复合镀层钛基体置于45℃干燥箱中干燥5～10min，再将所述锡锑复合镀层钛基体置于温度为500～800℃马弗炉中保温10h。
优选的，步骤五中所述Sb3+以及Sn2+电镀液的制备方法为室温下将CH4O3S溶液、C2H6O6S2Sn溶液、HCl溶液、SbCl3粉末、对苯二酚粉末、明胶粉末、溶于100-200ml去离子水中，其中，所述Sb3+和所述Sn2+的含量比为1：20。
优选的，步骤六中所述高温煅烧方法为将所述双层Ti/Sb-SnO2/Sb-Sn电极使用去离子水进行一次清洗1～2min，再使用压缩空气对清洗后的目标电极吹扫1～3min，将所述吹扫后的双层电极置于45℃干燥箱中干燥5～10min，再将所述双层Ti/Sb-SnO2/Sb-Sn电极置于温度为300～800℃马弗炉中保温10h。
优选的，所述步骤二中，在不使用时，所述钛基体保存在2％～5％wt的草酸水溶液中。
由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：
本发明的具有双层结构的Ti/Sb-SnO2电极具备较高的析氧电位以及对有机污染物良好的降解性能，且电极的加速寿命得到明显提高，这种中间层结构能够有效保护钛基体，使得钛基体不易被氧化，同时具备小孔结构的活性层能够为有机污染物的降解提供更大的反应场所，从而有效提高电极的催化降解能力。
附图说明
图1是实施例1、对比例1～2中所制备的电极的扫描电镜图像(SEM)；
图2是实施例1、对比例1～2中所制备的电极的线性扫描伏安曲线图；
图3是实施例1、对比例1～2中所制备的电极的加速寿命时间柱状图；
图4是实施例1、对比例1～2中所制备的电极对苯甲酸的降解率随时间的变化曲线图；
具体实施方式
下面通过实施例对本发明进一步说明，实施例只用于解释本发明，不会对本发明构成任何的限定。
实施例1
一种双层Ti/Sb-SnO2电极的制备方法，包括如下步骤：
步骤一、将TA2钛片，尺寸为2cm×3cm，厚0.2mm经过表面预处理得到钛基体TA2，使得所述钛基体表面具有无氧化膜网格状微观结构，预处理采用先碱洗后酸洗的方式，碱洗的溶液为15％wt NaOH水溶液、温度为85℃、时间为2h；酸洗的溶液为12％wt草酸水溶液、温度为85℃、时间为3h；
具体的，步骤一中钛基体TA2的预处理方法还包括如下步骤：
步骤①对TA2钛片进行打磨处理，具体的，依次使用200#砂纸、300#砂纸、400#砂纸、800#砂纸、900#砂纸、1000#砂纸、1100#砂纸、1200#砂纸对所述未处理钛片表面进行打磨，得到平滑、光亮的钛基体TA2表面；
步骤②室温下，对碱洗以及酸洗后的钛基体TA2使用蒸馏水对目标基体进行清洗3min。
步骤二、对步骤一中的钛基体TA2超声清洗和干燥后备用、超声清洗时间为10min，再使用去离子水对钛基体TA2进行二次清洗，使用压缩空气对二次清洗后的钛基体TA2吹扫2min，使钛基体TA2的表面洁净和干燥；
步骤三、在30℃温度下，将作为阳极的4cm×4cm，厚1mm锡金属板和作为阴极的钛基体TA2浸入Sb3+和Sn2+电镀液中沉积40min，其中，所述阳极和所述阴极通过直流电源连通，所述直流电源施加的电流密度为20mA/cm2，使得保留有无氧化膜网格状微观结构的所述钛基体表面生成锡锑复合预镀层，得到锡锑复合镀层钛基体。
具体的，Sb3+以及Sn2+电镀液的制备方法为室温下将10ml浓度为99％的CH4O3S溶液、12ml浓度为50％的C2H6O6S2Sn溶液、5ml浓度为98％的HCl溶液、0.1g SbCl粉末、0.2g对苯二酚粉末、0.4g明胶粉末溶于173ml去离子水中。
步骤四、对步骤三中的锡锑复合镀层钛基体进行高温煅烧获得单层Ti/Sb-SnO2电极；其中，所述单层Ti/Sb-SnO2电极的表面具有厚度均匀且致密的表面结构。
具体的，高温煅烧方法为：先将步骤三中的锡锑复合镀层钛基体使用去离子水进行一次清洗1min，再使用压缩空气对清洗后的锡锑复合镀层钛基体吹扫1min，将所述吹扫后锡锑复合镀层钛基体置于45℃干燥箱中干燥10min，再将锡锑复合镀层钛基体置于温度为500℃马弗炉中退火10h
步骤五、在30℃温度下，将作为阳极的锡金属板和作为阴极的所述单层Ti/Sb-SnO2电极浸入Sb3+以及Sn2+电镀液中沉积20min，其中，所述阳极和所述阴极通过直流电源连通，所述直流电源施加的电流密度为30mA/cm2，使得所述单层Ti/Sb-SnO2电极表面生成新的锡锑复合活性层，得到双层Ti/Sb-SnO2/Sb-Sn电极。
步骤六、对步骤五中双层Ti/Sb-SnO2/Sb-Sn电极进行高温煅烧获得双层Ti/Sb-SnO2电极；其中，所述双层Ti/Sb-SnO2电极具有厚度均匀且呈现多孔球状的表面结构。
具体的，高温煅烧方法为：先将步骤五中双层Ti/Sb-SnO2/Sb-Sn电极使用去离子水进行一次清洗1min，再使用压缩空气对清洗后的目标电极吹扫1min，将所述吹扫后电极置于45℃干燥箱中干燥10min，再将所述双层Ti/Sb-SnO2/Sb-Sn电极置于温度为600℃马弗炉中退火10h。
对比例1
浸渍涂覆法所制备的Ti/Sb-SnO2电极的制备方法，包括如下步骤：
步骤一、将未经过处理的TA2钛片，尺寸为2cm×3cm，厚0.2mm经过表面预处理得到钛基体TA2，使得所述钛基体表面具有无氧化膜网格状微观结构，预处理采用碱洗以及酸洗的方式，碱洗的溶液为15％wt NaOH水溶液、温度为85℃、时间为2h，酸洗的溶液为12％wt草酸水溶液、温度为85℃、时间为3h；
具体的，步骤一中钛基体TA2的预处理方法还包括如下步骤：
步骤①对TA2钛片进行打磨处理，具体的，依次使用200#砂纸、300#砂纸、400#砂纸、800#砂纸、900#砂纸、1000#砂纸、1100#砂纸、1200#砂纸对所述未处理钛片表面进行打磨，得到平滑、光亮的钛基体TA2表面；
步骤②室温下，对碱洗以及酸洗后的钛基体TA2使用蒸馏水对目标基体进行清洗3min。
步骤二、对步骤一中的钛基体TA2超声清洗并干燥、超声清洗时间为10min，再使用去离子水对钛基体TA2进行二次清洗，使用压缩空气对二次清洗后的钛基体TA2吹扫2min，使钛基体TA2的表面洁净和干燥；
步骤三、在室温下，将步骤二中钛基体TA2置于中间层涂覆液中浸泡10s，然后于100℃烘箱中干燥5min，再放入马弗炉中于600℃煅烧烧8min，浸泡-干燥-煅烧反复操作4次，最后在马弗炉中于600℃退火1h，得到沉积有Sb-SnO2氧化物中间层的钛基体；
具体的，步骤三中涂覆液制备方法为：将2g SnCl4·5H2O粉末和0.2gSbCl3粉末溶解于8mL异丙醇中，并加入2.5mL浓盐酸。
对比例2
一种单层Ti/Sb-SnO2电极的制备方法，包括如下步骤：
步骤一、将TA2钛片，尺寸为2cm×3cm，厚0.2mm经过表面预处理得到钛基体TA2，使得所述钛基体表面具有无氧化膜网格状微观结构，预处理采用先碱洗后酸洗的方式，碱洗的溶液为15％wt NaOH水溶液、温度为85℃、时间为2h；酸洗的溶液为12％wt草酸水溶液、温度为85℃、时间为3h；
具体的，步骤一中钛基体TA2的预处理方法还包括如下步骤：
步骤①对TA2钛片进行打磨处理，具体的，依次使用200#砂纸、300#砂纸、400#砂纸、800#砂纸、900#砂纸、1000#砂纸、1100#砂纸、1200#砂纸对所述钛片表面进行打磨，得到平滑、光亮的钛基体TA2表面；
步骤②室温下，对碱洗以及酸洗后的钛基体TA2使用蒸馏水对目标基体进行清洗3min。
步骤二、对步骤一中的钛基体TA2超声清洗并干燥、超声清洗时间为10min，再使用去离子水对钛基体TA2进行二次清洗，使用压缩空气对二次清洗后的钛基体TA2吹扫2min，使钛基体TA2的表面洁净和干燥；
步骤三、在30℃温度下，将作为阳极的4cm×4cm，厚1mm锡金属板和作为阴极的钛基体TA2浸入Sb3+以及Sn2+电镀液中沉积40min，其中，所述阳极和所述阴极通过直流电源连通，所述直流电源施加的电流密度为30mA/cm2，使得保留有无氧化膜网格状微观结构的所述钛基体表面生成复合预镀层，得到锡锑复合镀层钛基体。
具体的，Sb3+以及Sn2+电镀液的制备方法为室温下将10ml浓度为99％的CH4O3S溶液、12ml浓度为50％的C2H6O6S2Sn溶液、5ml浓度为98％的HCl溶液、0.1gSbCl3粉末、0.2g对苯二酚粉末、0.4g明胶粉末、溶于173ml去离子水中。
步骤四、对步骤三中所述锡锑复合镀层钛基体进行高温煅烧获得单层Ti/Sb-SnO2电极；
具体的，高温煅烧方法为：先将步骤三中锡锑复合镀层钛基体使用去离子水进行一次清洗1min，再使用压缩空气对清洗后的锡锑复合镀层钛基体吹扫1min，将所述吹扫后的锡锑复合镀层钛基体置于45℃干燥箱中干燥10min，再将锡锑复合镀层钛基体置于温度为600℃马弗炉中退火10h。
性能测试
1、电化学测试-线性扫描伏安法
采用辰华电化学工作站对实施例1中形成的双层Ti/Sb-SnO2和对比例1～2中形成的锡锑氧化物涂层表面进行测试，测试时设置参数如下：扫描速度为20mV/S，扫描电压范围为0～5V。结果如表1所示，线性扫描伏安法的示意图如图2所示。
表1
| 析氧电位(V) | |
| 实施例1 | 2.34 |
| 对比例1 | 1.61 |
| 对比例2 | 2.15 |
从表1的数据可以看出，相比于传统浸渍涂覆法所制备的Sb-SnO2涂层，采用直流电沉积技术制备的Ti/Sb-SnO2电极具备更高的析氧电位，其中，使用本发明方法所制备的双层Ti/Sb-SnO2电极的析氧电位最高，说明本发明方法所制备的双层电极具备更优良的电催化性能。
2、加速寿命测试
通过可调的直流稳压电源进行实验测试以及电压的数据采集工作。使用实例1、对比例2以及对比例3作为阳极，同样尺寸的钛片作为阴极，电解质为0.25mol/L Na2SO4溶液，电源的阳极电流密度保持在100mA/cm2，电位数值会随着时间的增长而逐渐增大，当电压比初始电压增加5V时说明电极已失活，则此时间为电极的加速寿命时间，实验结果如图3所示，从图中可以看出电沉积法制备的双层Ti/Sb-SnO2电极的加速寿命可达到8h，分别是电沉积法所制备的单层Ti/Sb-SnO2电极的4倍以及浸渍涂覆法制备的单层Ti/Sb-SnO2电极的8倍，说明本发明方法所制备的电极拥有良好的稳定性和服役性能。
3、催化性能测试-苯甲酸电催化降解测试
使用实例1、对比例2以及对比例3作为阳极，以同样尺寸大小的钛片作为阴极，实验在100mg/L的苯甲酸溶液中进行，在实验中通过磁力搅拌器对苯甲酸溶液进行匀速搅拌，其中转速控制在500rpm,电镀温度保持在20℃，使用可调的直流稳压电源将电流密度控制在40mA/cm2。每隔一段时间抽取目标水样，随后通过高效液相色谱仪对目标水样进行浓度监测，以获取不同时间段的苯甲酸浓度，苯甲酸的降解率随时间变化如图4所示，从图4中可看出同等时间下电沉积法制备的双层Ti/Sb-SnO2电极的降解率达到99％，远高于其余两组电极，说明本发明方法所制备的双层Ti/Sb-SnO2电极具备优良的电催化降解效率。
材料表征
如图1(a)示出了使用浸渍涂覆法所制备的Ti/Sb-SnO2的表面形貌，该电极表面呈现龟裂泥泞状；在电极的使用过程中，这些泥泞状的裂纹将导致内部的Ti基体受到外界液体的侵蚀而发生钝化，钝化膜将降低电极在使用过程中的导电性和稳定性。
如图1(b)示出了使用直流电沉积技术所制备的单层Ti/Sb-SnO2的表面形貌，该电极表面呈现层状且均匀分布的氧化物结构，表面的孔洞、裂纹数量相对较少，从而有助于电极稳定性的提高。
如图1(c)示出了使用直流电沉积技术所制备的双层Ti/Sb-SnO2的表面形貌，该电极表面呈现球状且均匀分布的氧化物结构，这些球状结构为有机污染物的吸附和羟基自由基的生成提供了更多的活性位点，从而在保证电极稳定性的前提下提高了电极对有机污染物的电催化降解效率。
本发明首先用氢氧化钠、草酸对钛基体进行碱洗和蚀刻处理，获得易镀的钛基体；随后通过直流电沉积技术在钛基体上制备出单层锡锑预镀层，经过煅烧后形成单层Ti/Sb-SnO2电极，这种中间层结构为之后活性层的沉积过程提供了一个稳定的模板，同时保证双层Ti/Sb-SnO2电极具备可靠的服役性能；最后在单层Ti/Sb-SnO2电极的基础上，通过改变直流电源的电流密度，经过沉积、煅烧后形成双层Ti/Sb-SnO2电极，此时电极表面的氧化物结构呈球状分布且排列均匀，这种球状结构为电极表面提供了更多的电催化反应通道，从而有助于提高电极对有机污染物的电催化降解效率。本发明将中间层的引入与表面结构调控的方式相结合，采用直流电沉积技术制备出的双层Ti/Sb-SnO2电极的析氧电位达到2.34V，加速寿命达到了8h，10h后对苯甲酸的降解效率可达到99％，此Ti/Sb-SnO2电极的制备方法简单，处理过程易于实现，其稳定性和电催化降解性能都得到了一定程度的保障。
虽然已经对本发明的具体实施方案进行了描述，但是本发明的许多其他形式和改变对本领域技术人员而言是显而易见的。应理解所附权利要求和本发明通常涵盖本发明真实精神和范围内的所有这些明显的形式和改变。
Claims (9)
1.一种双层Ti/Sb-SnO2电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、将未经过处理的钛片通过表面预处理得到钛基体，使得所述钛基体表面具有无氧化膜网格状微观结构，预处理采用先碱洗后酸洗的方式，碱洗的溶液为10％～15％wtNaOH水溶液、温度为80～90℃、时间为2h；酸洗的溶液为10％～13％wt草酸水溶液、温度为80～90℃、时间为3h；
步骤二、对所述钛基体进行超声清洗和干燥后备用，超声清洗时间为10min；
步骤三、在20～40℃温度下，将作为阳极的锡金属板和作为阴极的所述钛基体浸入Sb3+和Sn2+电镀液中沉积30～80min，阳极和阴极通过直流电源连通，直流电源施加的电流密度为5～25mA/cm2，使得保留有无氧化膜的网格状微观结构的钛基体表面生成锡锑复合预镀层，得到锡锑复合镀层钛基体；
步骤四、对步骤三中所述锡锑复合镀层钛基体进行高温煅烧后获得单层Ti/Sb-SnO2电极；
步骤五、在20～40℃温度下，将作为阳极的锡金属板和作为阴极的所述单层Ti/Sb-SnO2电极浸入Sb3+以及Sn2+电镀液中沉积30～80min，阳极和阴极通过直流电源连通，直流电源施加的电流密度为5～25mA/cm2，使得所述单层Ti/Sb-SnO2电极表面生成新的锡锑复合活性层，得到双层Ti/Sb-SnO2/Sb-Sn电极；
步骤六、对步骤五中所述双层Ti/Sb-SnO2/Sb-Sn电极进行高温煅烧获得双层Ti/Sb-SnO2电极。
2.根据权利要求1所述的双层Ti/Sb-SnO2电极的制备方法，其特征在于，步骤一中所述钛基体的预处理方法还包括如下步骤：
步骤①、对所述钛片进行打磨处理；
步骤②、对步骤一中所述碱洗以及酸洗后的钛基体进行冲洗处理。
3.根据权利要求2所述的双层Ti/Sb-SnO2电极的制备方法，其特征在于，步骤①中打磨处理方法为：依次使用200#砂纸、300#砂纸、400#砂纸、800#砂纸、900#砂纸、1000#砂纸、1100#砂纸、1200#砂纸对所述钛片表面进行打磨。
4.根据权利要求2所述的双层Ti/Sb-SnO2电极的制备方法，其特征在于，步骤②中冲洗处理方法为：室温下，使用蒸馏水对目标基体进行清洗3～5min。
5.根据权利要求1所述的双层Ti/Sb-SnO2电极的制备方法，其特征在于，步骤三中Sb3+以及Sn2+电镀液的制备方法为：室温下将CH4O3S溶液、C2H6O6S2Sn溶液、HCl溶液、SbCl粉末、对苯二酚粉末、明胶粉末溶于100-200ml去离子水中，其中，所述Sb3+和所述Sn2+的含量比为1：20。
6.根据权利要求1所述的双层Ti/Sb-SnO2电极的制备方法，其特征在于，步骤四中所述高温煅烧方法为：将所述锡锑复合镀层钛基体使用去离子水进行一次清洗1～2min，再使用压缩空气对清洗后的锡锑复合镀层钛基体吹扫1～3min，将所述吹扫后锡锑复合镀层钛基体置于45℃干燥箱中干燥5～10min，再将所述锡锑复合镀层钛基体置于温度为500～800℃马弗炉中保温10h。
7.根据权利要求1所述的双层Ti/Sb-SnO2电极的制备方法，其特征在于，步骤五中所述Sb3+以及Sn2+电镀液的制备方法为室温下将CH4O3S溶液、C2H6O6S2Sn溶液、HCl溶液、SbCl3粉末、对苯二酚粉末、明胶粉末、溶于100-200ml去离子水中，其中，所述Sb3+和所述Sn2+的含量比为1：20。
8.根据权利要求1所述的双层Ti/Sb-SnO2电极的制备方法，其特征在于，步骤六中所述高温煅烧方法为将所述双层Ti/Sb-SnO2/Sb-Sn电极使用去离子水进行一次清洗1～2min，再使用压缩空气对清洗后的目标电极吹扫1～3min，将所述吹扫后的双层电极置于45℃干燥箱中干燥5～10min，再将所述双层Ti/Sb-SnO2/Sb-Sn电极置于温度为300～800℃马弗炉中保温10h。
9.根据权利要求1所述的双层Ti/Sb-SnO2电极的制备方法，其特征在于，所述步骤二中，在不使用时，所述钛基体保存在2％～5％wt的草酸水溶液中。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210578494.6A CN114873693A (zh) | 2022-05-25 | 2022-05-25 | 一种双层Ti/Sb-SnO2电极的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210578494.6A CN114873693A (zh) | 2022-05-25 | 2022-05-25 | 一种双层Ti/Sb-SnO2电极的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114873693A true CN114873693A (zh) | 2022-08-09 |
Family
ID=82677558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210578494.6A Pending CN114873693A (zh) | 2022-05-25 | 2022-05-25 | 一种双层Ti/Sb-SnO2电极的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114873693A (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN103014755A (zh) * | 2012-12-20 | 2013-04-03 | 西安交通大学 | 一种长寿命钛基电极的制备方法 |
| WO2014165912A1 (en) * | 2013-04-10 | 2014-10-16 | Murdoch University | Coated composite anodes |
| CN105776431A (zh) * | 2016-05-05 | 2016-07-20 | 哈尔滨工程大学 | 一种电催化电极的制备及应用方法 |
| US20210009446A1 (en) * | 2019-07-10 | 2021-01-14 | Tongji University | Electrochemical Membrane Module for Selectively Removing Pollutants and Preparation Method Thereof |
-
2022
- 2022-05-25 CN CN202210578494.6A patent/CN114873693A/zh active Pending
Patent Citations (4)
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