CN114823649A - 发光面板的成型方法、发光面板以及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种发光面板的成型方法、发光面板以及显示装置,发光面板的成型方法包括:在驱动背板上成型导电胶层,导电胶层包括与驱动背板层叠设置的第一胶层本体以及设置于第一胶层本体内的导电粒子;对第一胶层本体削减厚度处理形成第二胶层本体,以使导电粒子在背离驱动背板的一侧至少部分凸出于第二胶层本体;将微发光器件转移至第二胶层本体背离驱动背板的一侧并使得微发光器件的电极与导电粒子接触;压持微发光器件,以使得微发光器件的电极通过导电粒子与驱动背板电联接且微发光器件的外延层与第二胶层本体之间形成有间隙。本发明能够减小对微发光器件外延层和/或驱动背板的损害,提高屏体集成良率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种发光面板的成型方法、发光面板以及显示装置。
背景技术
微发光器件(Micro LED)技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的LED阵列,微发光器件凭借其极高的发光效率和极长的显示寿命,有望领军下一代显示技术。
目前,微发光器件通常需要由其他的基板上转移至相应的驱动背板上并与驱动背板连接,以形成发光面板,因此,驱动背板上用于与微发光器件连接的材料选择较为关键。合金焊接存在高温工艺带来的副作用,采用导电胶层连接为较好的选择,但是已有的发光面板的成型方法中,微发光器件在转移至驱动背板时,其非电极区域抵压在导电胶层,导致胶液无法迅速流动出去,故微发光器件在与驱动背板电联接时,存在压力大,损失微发光器件的外延层和/或驱动背板的问题,屏体集成良率低。
发明内容
本发明实施例提供一种发光面板的成型方法、发光面板以及显示装置,发光面板的成型方法能够满足微发光器件的转移及与驱动背板之间的电联接需求,且能够避免微发光器件的外延层与胶层本体接触,减小对微发光器件的外延层和/或驱动背板的损害,提高屏体集成良率。
一方面,根据本发明实施例提出了一种发光面板的成型方法,包括:
在驱动背板上成型导电胶层,导电胶层包括与驱动背板层叠设置的第一胶层本体以及设置于第一胶层本体内的导电粒子;
对第一胶层本体削减厚度处理形成第二胶层本体,以使导电粒子在背离驱动背板的一侧至少部分凸出于第二胶层本体;
将微发光器件转移至第二胶层本体背离驱动背板的一侧并使得微发光器件的电极与导电粒子接触;
压持微发光器件,以使得微发光器件的电极通过导电粒子与驱动背板电联接且微发光器件的外延层与第二胶层本体之间形成有间隙。
根据本发明实施例的一个方面,对第一胶层本体削减厚度处理形成第二胶层本体,以使导电粒子在背离驱动背板的一侧至少部分凸出于第二胶层本体的步骤,包括:
将形成有导电胶层的驱动背板整体放置于等离子处理设备;
在第一预设条件下采用等离子轰击工艺对第一胶层本体削减厚度处理形成第二胶层本体,以使得第二胶层本体的厚度大于等于0.3um并小于1um,且导电粒子在背离驱动背板的一侧至少部分凸出于第二胶层本体。
根据本发明实施例的一个方面,第一预设条件包括形成有导电胶层的驱动背板整体所处环境的第一温度、真空度、等离子流量以及等离子轰击功率中的至少一者。
根据本发明实施例的一个方面,第一预设条件包括第一温度,第一温度的取值范围为大于60℃~130℃;
和/或,第一预设条件包括真空度,真空度的取值范围为100mTorr~1Torr;
和/或,第一预设条件包括等离子流量,等离子流量的取值范围为200SCCM~400SCCM;
和/或,第一预设条件包括等离子轰击功率,等离子轰击功率的取值范围为400W~900W。
根据本发明实施例的一个方面,压持微发光器件的步骤包括:
对微发光器件进行预压,使得微发光器件的电极与导电粒子接触并定位;
在第二预设条件下对预压后的微发光器件进行本压,以使得第二胶层本体熔融且与电极接触的导电粒子形变并与驱动背板接触。
根据本发明实施例的一个方面,第二预设条件包括驱动背板、第二胶层本体以及微发光器件整体所处环境的第二温度以及微发光器件所受到的压力中的至少一者。
根据本发明实施例的一个方面,第二预设条件包括驱动背板、第二胶层本体以及微发光器件整体所处的第二温度,第二温度的取值范围为190℃~230℃,和/或,第二预设条件包括微发光器件所受到的压力,压力大于等于70MPa。
根据本发明实施例的一个方面,所述导电粒子形变后的径向尺寸与所述导电粒子原始状态下的径向尺寸比值的取值范围为5%~80%。。
根据本发明实施例的一个方面,在驱动背板上成型导电胶层的步骤包括:在驱动背板上粘接异方性导电胶膜,以形成导电胶层。
根据本发明实施例的一个方面,在驱动背板上涂敷混合有导电粒子的胶液并固化形成导电胶层。
另一方面,根据本发明实施例提出了一种发光面板,包括:驱动背板;导电胶层,层叠设置于驱动背板,导电胶层包括第二胶层本体以及设置于第二胶层本体的导电粒子;微发光器件,设置于第二胶层本体背离驱动背板的一侧,微发光器件包括相互连接的电极以及外延层,电极抵压于导电粒子并通过导电粒子与驱动背板电联接,外延层与第二胶层本体之间形成有间隙。
根据本发明实施例的另一个方面,第二胶层本体的厚度大于等于0.3um并小于1um。
根据本发明实施例的另一个方面,微发光器件的电极在驱动背板上的正投影覆盖导电粒子在驱动背板上的正投影。
又一方面,根据本发明实施例提出了一种显示装置,包括上述的发光面板。
根据本发明实施例提供的发光面板的成型方法、发光面板以及显示装置,发光面板的成型方法包括在驱动背板上成型导电胶层,然后对导电胶层的第一胶层本体削减厚度处理形成第二胶层本体,使得导电胶层的导电粒子能够显露出来,在将微发光器件转移时其电极可以直接与导电粒子接触。且在对微发光器件施力压持时,能够保持微发光器件的外延层与第二胶层本体之间形成有间隙,避免微发光器件的外延层与第二胶层本体接触,减小对微发光器件的外延层和/或驱动背板的损害,满足微发光器件与驱动背板电联接的基础上,提高屏体集成良率,优化所成型的发光面板的性能。
附图说明
下面将参考附图来描述本发明示例性实施例的特征、优点和技术效果。
图1是本发明一个实施例的发光面板的成型方法的流程示意图;
图2至图5是本发明一个实施例的发光面板的成型方法各步骤对应的结构示意图;
图6是本发明另一个实施例的发光面板的成型方法的流程示意图;
图7是本发明又一个实施例的发光面板的成型方法的流程示意图;
图8是本发明一个实施例的发光面板的结构示意图。
其中:
10-驱动背板;11-背板本体;12-驱动电路;
20-导电胶层;21-第一胶层本体;22-导电粒子;21a-第二胶层本体;
30-微发光器件;31-外延层;32-电极;
40-黑矩阵层;
50-封装层。
在附图中,相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中,提出了许多具体细节,以便提供对本发明的全面理解。但是,对于本领域技术人员来说很明显的是,本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明的更好的理解。在附图和下面的描述中,至少部分的公知结构和技术没有被示出,以便避免对本发明造成不必要的模糊;并且,为了清晰,可能夸大了部分结构的尺寸。此外,下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。
下述描述中出现的方位词均为图中示出的方向,并不是对本发明的真发光面板的成型方法、发光面板以及显示装置的具体结构进行限定。
采用微发光器件的发光面板在成型时,通常需要将微发光器件由其他的基板上转移至相应的驱动背板上并与驱动背板连接。驱动背板上用于与微发光器件连接的材料选择较为关键,通常采用导电胶层将驱动背板与微发光器件的位置固定并电联接。然而,已有的发光面板的成型方法中,微发光器件在转移至驱动背板时,其非电极区域或者说外延层也是抵压在导电胶层,导致在对转移后的微发光器件进行压持使其与驱动背板电联接时,存在压力大,易出现损失微发光器件的外延层和/或驱动背板的无机/有机膜层受损的问题,屏体集成良率低。
因此,基于上述技术问题,本发明实施例提供一种新的发光面板的成型方法,发光面板的成型方法能够满足微发光器件的转移及与驱动背板之间的电联接需求,利于发光面板的成型,且能够避免微发光器件的外延层与胶层本体接触,减小对微发光器件外延层和/或驱动背板的损害,提高屏体集成良率。
为了更好地理解本发明,下面结合图1至图8根据本发明实施例的发光面板的成型方法、发光面板以及显示装置进行详细描述。
如图1至图5所示,图1示出了本发明一个实施例的发光面板的成型方法的流程示意图,图2至图5示出了本发明一个实施例的发光面板的成型方法各步骤对应的结构示意图。本发明实施例提供的发光面板的成型方法,包括:
S100、如图2所示,在驱动背板10上成型导电胶层20,导电胶层20包括与驱动背板10层叠设置的第一胶层本体21以及设置于第一胶层本体21内的导电粒子22;
S200、如图3所示,对第一胶层本体21削减厚度处理形成第二胶层本体21a,以使导电粒子22在背离驱动背板10的一侧至少部分凸出于第二胶层本体21a;
S300、如图4所示,将微发光器件30转移至第二胶层本体21a背离驱动背板10的一侧并使得微发光器件30的电极32与导电粒子22接触;
S400、如图5所示,压持微发光器件30,以使得微发光器件30的电极32通过导电粒子22与驱动背板10电联接且微发光器件30的外延层31与第二胶层本体21a之间形成有间隙。
本发明实施例提供的发光面板的成型方法,包括在驱动背板10上成型导电胶层20,然后对导电胶层20的第一胶层本体21削减厚度处理形成第二胶层本体21a,使得导电胶层20的导电粒子22能够显露出来,在将微发光器件30转移时其电极32可以直接与导电粒子22接触,且在对微发光器件30施力时,能够保持微发光器件30的外延层31与第二胶层本体21a之间形成有间隙,避免微发光器件30的外延层31与第二胶层本体21a接触,减小对微发光器件30的外延层31和/或驱动背板10的损害,满足微发光器件30与驱动背板10电联接的基础上,提高屏体集成良率,优化所成型的发光面板的性能。
作为一种可选地实施方式,本发明实施例提供的发光面板的成型方法,步骤S100包括:在驱动背板10上粘接异方性导电胶膜(Anisotropic Conductive Film,ACF),以形成导电胶层20。
可选地,在步骤S100中,提供的驱动背板10包括背板本体11以及设置于驱动背板10上的驱动电路12,驱动电路12具有用于与微发光器件30的电极32电联接的接线端子。在驱动背板10上形成的导电胶层20覆盖用于与电极32电联接的接线端子。
如图6所示,图6示出了本发明另一个实施例的发光面板的成型方法的流程示意图。在一些可选地实施例中,步骤S200包括:
S210、将形成有导电胶层20的驱动背板10整体放置于等离子处理设备;
S220、在第一预设条件下采用等离子轰击工艺对第一胶层本体21削减厚度处理形成第二胶层本体21a,以使得第二胶层本体21a的厚度大于等于0.3um并小于1um,且导电粒子22在背离驱动背板10的一侧至少部分凸出于第二胶层本体21a。可选地,第二胶层本体21a的厚度可以为0.3um至1um之间的任意数值,包括0.3um端值,例如器可以为0.5um、0.7um等。
通过采用等离子轰击工艺能够利于第一胶层本体21厚度的去除,使得导电粒子22显露于剩余的第二胶层本体21a,保证在执行步骤S300以及步骤S400时,微发光器件30的电极32能够与导电粒子22接触且外延层31始终保持与第二胶层本体21a之间形成有间隙,也就是说微发光器件30的非电极区域不会接触到第二胶层本体21a,在执行步骤S400时,第二胶层本体21a具有更大的流动空间,且压力集中在微发光器件30的电极32区域,微发光器件30与导电胶层20整体的接触面积小了,可以减小步骤S400中,压持微发光器件30所用的压力,对微发光器件30以及驱动背板10也是非常有利的。
在一些可选地实施例中,在步骤S220中,等离子轰击工艺通入的气体可以为氧气(O2)、氩气(Ar)或者二者的混合气体。
作为一种可选地实施方式,在步骤S220中,第一预设条件包括形成有导电胶层20的驱动背板10整体所处环境的第一温度、真空度、等离子流量以及等离子轰击功率中的至少一者。
通过限定第一预设条件包括形成有导电胶层20的驱动背板10整体所处环境的第一温度、真空度、等离子流量以及等离子轰击功率中的至少一者,能够更利于对第一胶层本体21的厚度去除,保证在执行步骤S300以及S400时,微发光器件30的外延层31与第二胶层本体21a之间的间隔需求。
在一些可选地实施例中,在步骤S220中,第一预设条件包括形成有导电胶层20的驱动背板10整体所处环境的第一温度,第一温度可以为60℃~130℃之间的任意数值,包括60℃、130℃两个端值。
在一些可选地实施例中,在步骤S220中,第一预设条件包括形成有导电胶层20的驱动背板10整体所处环境的真空度,所述真空度的取值范围为100mTorr~1Torr之间的任意数值,包括100mTorr、1Torr两个端值。
作为一种可选地实施方式,在步骤S220中,第一预设条件可以包括等离子流量,例如可以通过进入等离子处理设备中用于提供等离子的O2的流量表征,等离子流量的取值范围可以为200SCCM~400SCCM之间的任意数值,包括200SCCM、400SCCM两个端值。
在一些可选地实施例中,第一预设条件包括等离子轰击功率,等离子轰击功率的取值范围为400W~900W之间的任意数值,包括400W、900W两个端值。
第一预设条件采用上述条件中的至少一者,能够更好的保证对第一胶层本体21厚度的去除要求,同时还能够避免对导电粒子22的性能产生影响,保证微发光器件30的电极32与驱动背板10之间的电联接需求。
如图7所示,图7示出了本发明又一个实施例的发光面板的成型方法的流程示意图。作为一种可选地实施方式,本发明实施例提供的发光面板的成型方法,其步骤S400包括:
S410、对微发光器件30进行预压,使得微发光器件30的电极32与导电粒子22接触并定位;
S420、在第二预设条件下对预压后的微发光器件30进行本压,以使得第二胶层本体21a熔融且与电极32接触的导电粒子22形变并与驱动背板10接触。
通过限定步骤S400采用预压以及本压的作用方式,能够保证对微发光器件30的定位,同时能够使得在执行步骤S420时,第二胶层本体21a能够受热熔融,利于微发光器件30的电极32与驱动背板10的接线端子电联接。
在一些可选地实施例中,在步骤S420中,第二预设条件包括驱动背板10、第二胶层本体21a以及微发光器件30整体所处环境的第二温度以及微发光器件30所受到的压力中的至少一者。第二预设条件采用上述参数限定,能够有效的保证微发光器件30与驱动背板10之间的电联接需求。
作为一种可选地实施方式,在步骤S420中,第二预设条件包括驱动背板10、第二胶层本体21a以及微发光器件30整体所处的第二温度,第二温度的取值范围为190℃~230℃之间的任意数值,包括190℃、230℃两个端值。第二温度采用上述数值范围,利于第二胶层本体21a的熔融,使得导电粒子22能够有效与驱动背板10接触并电联接。
在一些可选地实施例中,在步骤S420中,第二预设条件包括微发光器件30所受到的压力,压力大于等于70MPa,通过限定第二预设条件包括微发光器件30所受到的压力,同样能够保证导电粒子22有效的形变并与驱动背板10接触并电联接。
在一些可选地实施例中,本发明实施提供的发光面板的成型方法,导电粒子22形变后的径向尺寸与导电粒子22原始状态下径向尺寸的比值的取值范围为5%~80%之间的任意数值,包括5%、80%两个端值;导电粒子22形变后的径向尺寸与导电粒子22原始状态下径向尺寸的比值进一步可选为60%。导电粒子22形变量与其原始状态下的比值采用上述设置,能够增加导电粒子22与微发光器件30以及驱动背板10之间的接触强度,保证电性连接需求。需要说明是,上述提及的原始状态下的径向尺寸指的是导电粒子22的直径尺寸,形变后的径向尺寸指的是导电粒子22受到压力发生形变时沿所述压力方向上的尺寸。
作为一种可选地实施方式,本发明实施例提供的发光面板的成型方法,在第二预设条件下对预压后的微发光器件30进行本压的步骤之后,步骤S400还可以包括在对本压后的导电胶层20进行冷却处理,使得熔融状态下的第二胶层本体21a重新冷却并固化。
可以理解的是,本发明上述各实施例提供的发光面板的成型方法,在步骤S100中,均是采用在驱动背板10上粘接异方性导电胶膜,以形成导电胶层20的实施方式进行举例说明,作为一种可选地实施方式,在步骤S100中,也可以通过在驱动背板10上涂敷混合有导电粒子22的胶液并固化形成导电胶层20。
如图8所示,图8示出了本发明一个实施例的发光面板的结构示意图。另一方面,本发明实施例还提供一种发光面板,可以采用上述各实施例提供的发光面板成型方法成型。发光面板包括驱动背板10、导电胶层20以及微发光器件30。导电胶层20层叠设置于驱动背板10,导电胶层20包括第二胶层本体21a以及设置于第二胶层本体21a的导电粒子22。微发光器件30设置于第二胶层本体21a背离驱动背板10的一侧,微发光器件30包括相互连接的电极32以及外延层31,电极32抵压于导电粒子22并通过导电粒子22与驱动背板10电联接,外延层31与第二胶层本体21a之间形成有间隙。
本发明实施例提供的发光面板,由于其可以采用上述各实施例提供的发光面板的成型方法成型,微发光器件30与驱动背板10之间的电联接强度高,且转移后的微发光器件30的外延层31与第二胶层本体21a之间形成有间隙,避免微发光器件30的外延层31与第二胶层本体21a接触,减小对外延层31和/或驱动背板10的损害,满足微发光器件30与驱动背板10电联接的基础上,提高屏体集成良率,优化发光面板的性能。
可选地,本发明实施例提供的发光面板,第二胶层本体21a的厚度大于等于0.3um并小于1um。以进一步保证微发光器件30的外延层31与第二胶层本体21a之间的间隙形成需求。
作为一种可选地实施方式,微发光器件30的电极32在驱动背板10上的正投影覆盖导电粒子22在驱动背板10上的正投影。通过上述设置,能够使得导电粒子22排布与微发光器件30的电极32一一对应,优化微发光器件30与驱动背板之间的电性连接需求,且能够减小电极32与微发光器件30的外延层31的接触概率。
可选地,发光面板还包括层叠设置于第二胶层本体21a上并将各微发光器件30分隔的黑矩阵层40以及覆盖微发光器件30以及黑矩阵层40设置的封装层50,黑矩阵层40能够避免微发光器件30之间的光线相互串扰,封装层50能够对微发光器件30进行防护。
又一方面,本发明实施例还提供一种显示装置,包括上述各实施例的发光面板。发光面板可以直接作为显示装置的显示面板。在另一些实施例中,发光面板可以作为显示装置的直下式背光源,即发光面板为背光面板。显示装置还可以包括显示面板。显示面板包括显示区,发光面板的出光面可以和显示面板的显示区对应,满足显示装置的显示需求。
在另一些实施例中,发光面板可以为单一色发光面板,显示装置可以包括位于发光面板出光面一侧的彩色滤光片及功能元件,将发光面板发出的单一色的光透过彩色滤光片对应区域后呈现预定色彩的光线,以满足显示需求。可选地,所提及的功能器件可以为偏光片、能够对光线进行聚光的层结构等,具体可以根据显示装置的显示需求进行设定,使得显示装置的性能更加优化。
虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述,但在不脱离本发明的范围的情况下,可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是,只要不存在结构冲突,各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本发明并不局限于文中公开的特定实施例,而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。
Claims (10)
1.一种发光面板的成型方法,其特征在于,包括:
在驱动背板上成型导电胶层,所述导电胶层包括与所述驱动背板层叠设置的第一胶层本体以及设置于所述第一胶层本体内的导电粒子;
对所述第一胶层本体削减厚度处理形成第二胶层本体,以使所述导电粒子在背离所述驱动背板的一侧至少部分凸出于所述第二胶层本体;
将微发光器件转移至所述第二胶层本体背离所述驱动背板的一侧并使得所述微发光器件的电极与所述导电粒子接触;
压持所述微发光器件,以使得所述微发光器件的所述电极通过所述导电粒子与所述驱动背板电联接且所述微发光器件的外延层与所述第二胶层本体之间形成有间隙。
2.根据权利要求1所述的发光面板的成型方法,其特征在于,所述对所述第一胶层本体削减厚度处理形成第二胶层本体,以使所述导电粒子在背离所述驱动背板的一侧至少部分凸出于所述第二胶层本体的步骤,包括:
将形成有所述导电胶层的所述驱动背板整体放置于等离子处理设备;
在第一预设条件下采用等离子轰击工艺对所述第一胶层本体削减厚度处理形成所述第二胶层本体,以使得所述第二胶层本体的厚度大于等于0.3um并小于1um,且所述导电粒子在背离所述驱动背板的一侧至少部分凸出于所述第二胶层本体。
3.根据权利要求2所述的发光面板的成型方法,其特征在于,所述第一预设条件包括形成有所述导电胶层的所述驱动背板整体所处环境的第一温度、真空度、等离子流量以及等离子轰击功率中的至少一者。
4.根据权利要求3所述的发光面板的成型方法,其特征在于,所述第一预设条件包括所述第一温度,所述第一温度的取值范围为60℃~130℃;
和/或,所述第一预设条件包括所述真空度,所述真空度的取值范围为100mTorr~1Torr;
和/或,所述第一预设条件包括所述等离子流量,所述等离子流量的取值范围为200SCCM~400SCCM;
和/或,所述第一预设条件包括所述等离子轰击功率,所述等离子轰击功率的取值范围为400W~900W。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的发光面板的成型方法,其特征在于,所述压持所述微发光器件的步骤包括:
对所述微发光器件进行预压,使得所述微发光器件的所述电极与所述导电粒子接触并定位;
在第二预设条件下对预压后的所述微发光器件进行本压,以使得所述第二胶层本体熔融且与所述电极接触的所述导电粒子形变并与所述驱动背板接触。
6.根据权利要求5所述的发光面板的成型方法,其特征在于,所述第二预设条件包括所述驱动背板、所述第二胶层本体以及所述微发光器件整体所处环境的第二温度以及所述微发光器件所受到的压力中的至少一者;
优选地,所述第二预设条件包括所述驱动背板、所述第二胶层本体以及所述微发光器件整体所处的所述第二温度,所述第二温度的取值范围为190℃~230℃,和/或,所述第二预设条件包括所述微发光器件所受到的所述压力,所述压力大于等于70MPa。
7.根据权利要求5所述的发光面板的成型方法,其特征在于,所述导电粒子形变后的径向尺寸与所述导电粒子原始状态下的径向尺寸比值的取值范围为5%~80%。
8.根据权利要求1至4任意一项所述的发光面板的成型方法,其特征在于,所述在驱动背板上成型导电胶层的步骤包括:
在所述驱动背板上粘接异方性导电胶膜,以形成所述导电胶层;
或者,在所述驱动背板上涂敷混合有所述导电粒子的胶液并固化形成所述导电胶层。
9.一种发光面板,其特征在于,包括:
驱动背板;
导电胶层,层叠设置于所述驱动背板,所述导电胶层包括第二胶层本体以及设置于所述第二胶层本体的导电粒子;
微发光器件,设置于所述第二胶层本体背离所述驱动背板的一侧,所述微发光器件包括相互连接的电极以及外延层,所述电极抵压于所述导电粒子并通过所述导电粒子与所述驱动背板电联接,所述外延层与所述第二胶层本体之间形成有间隙。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的发光面板。
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CN202110121875.7A CN114823649A (zh) | 2021-01-28 | 2021-01-28 | 发光面板的成型方法、发光面板以及显示装置 |
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CN202110121875.7A CN114823649A (zh) | 2021-01-28 | 2021-01-28 | 发光面板的成型方法、发光面板以及显示装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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TWI830537B (zh) * | 2022-12-12 | 2024-01-21 | 英特盛科技股份有限公司 | 一種適形化兼具光學電性調整保護之拉伸封裝結構設計 |
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2021
- 2021-01-28 CN CN202110121875.7A patent/CN114823649A/zh active Pending
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TWI830537B (zh) * | 2022-12-12 | 2024-01-21 | 英特盛科技股份有限公司 | 一種適形化兼具光學電性調整保護之拉伸封裝結構設計 |
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