CN114823460A - 芯片转移模块以及芯片转移与固晶装置与方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种芯片转移模块以及芯片转移与固晶装置与方法。芯片转移模块包括承载本体、透光元件、第一气体导引结构以及第二气体导引结构。承载本体包括有第一容置空间以及第二容置空间。透光元件设置在承载本体的第一容置空间内。第一气体导引结构设置在承载本体内，且包括有从承载本体突出的多个吸气开口。第二气体导引结构设置在承载本体内，且包括有气体连通于承载本体的第二容置空间的至少一个进气开口。借此，当承载有多个芯片的转移基板通过多个吸气开口的抽气而被吸附在承载本体的底端上时，具有预定压力的气体可以通过进气开口而被导入承载本体的第二容置空间内，从而使得具有预定压力的气体平均地施压在转移基板的背面上。

Description

芯片转移模块以及芯片转移与固晶装置与方法
技术领域
本发明涉及一种转移模块以及转移与固晶装置及方法，特别是涉及一种芯片转移模块、一种使用芯片转移模块的芯片转移与固晶装置以及一种使用芯片转移模块的芯片转移与固晶方法。
背景技术
现有技术中，发光二极体芯片可以通过吸嘴的取放动作或是顶针的顶抵动作，以从一个承载体转移到另一个承载体上，然后再通过外部加热方式(例如回焊炉)将发光二极体芯片安装在电路基板上。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种芯片转移模块以及芯片转移与固晶装置与方法。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的一个技术方案是提供一种芯片转移模块，其包括：承载本体、透光元件、第一气体导引结构以及第二气体导引结构。承载本体包括有第一容置空间以及第二容置空间。透光元件设置在承载本体的第一容置空间内。第一气体导引结构设置在承载本体内，且第一气体导引结构包括有从承载本体突出的多个吸气开口。第二气体导引结构设置在承载本体内，且第二气体导引结构包括有气体连通于承载本体的第二容置空间的至少一个进气开口。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一个技术方案是提供一种芯片转移与固晶装置，其包括：基板承载模块、芯片转移模块以及激光产生模块。基板承载模块用于承载电路基板。芯片转移模块用于将多个芯片转移到电路基板上。激光产生模块用于将多个芯片固定在电路基板上。其中，芯片转移模块包括承载本体、透光元件、第一气体导引结构以及第二气体导引结构。承载本体包括有第一容置空间以及第二容置空间。透光元件设置在承载本体的第一容置空间内。第一气体导引结构设置在承载本体内，第一气体导引结构包括有从承载本体突出的多个吸气开口。第二气体导引结构设置在承载本体内，第二气体导引结构包括有气体连通于承载本体的第二容置空间的至少一个进气开口。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外再一个技术方案是提供一种芯片转移与固晶方法，其包括：提供正面承载有多个芯片的转移基板；移动转移基板，以将多个芯片分别放置在电路基板上；施加具有预定压力的气体于转移基板的背面，以使得多个芯片通过转移基板被气体施压而紧密接触电路基板；将多个芯片固定在电路基板上；以及，移除转移基板。
本发明的一个有益效果在于，本发明所提供的一种芯片转移与固晶装置及其芯片转移模块，其能通过“承载本体包括有第一容置空间以及第二容置空间”、“透光元件设置在承载本体的第一容置空间内”、“第一气体导引结构设置在承载本体内，且第一气体导引结构包括有从承载本体突出的多个吸气开口”以及“第二气体导引结构设置在承载本体内，且第二气体导引结构包括有气体连通于承载本体的第二容置空间的至少一个进气开口”的技术方案，以使得当承载有多个芯片的转移基板通过第一气体导引结构的多个吸气开口的抽气而被吸附在承载本体的底端上且封闭第二容置空间时，具有预定压力的气体可以通过第二气体导引结构的至少一个进气开口而被导入承载本体的第二容置空间内，从而使得具有预定压力的气体平均地施压在转移基板的背面上。
本发明的另外一个有益效果在于，本发明所提供的一种芯片转移与固晶方法，其能通过“提供正面承载有多个芯片的转移基板”、“移动转移基板，以将多个芯片分别放置在电路基板上”、“施加具有预定压力的气体于转移基板的背面，以使得多个芯片通过转移基板被气体施压而紧密接触电路基板”、“将多个芯片固定在电路基板上”以及“移除转移基板”的技术方案，以使得当承载有多个芯片的转移基板通过第一气体导引结构的多个吸气开口的抽气而被吸附在承载本体的底端上且封闭第二容置空间时，具有预定压力的气体可以通过第二气体导引结构的至少一个进气开口而被导入承载本体的第二容置空间内，从而使得具有预定压力的气体平均地施压在转移基板的背面上。
为使能进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的实施例。
图1为本发明第一实施例所提供的芯片转移模块的一个观看视角的立体分解示意图。
图2为本发明第一实施例所提供的芯片转移模块的一个观看视角的立体组合示意图。
图3为本发明第一实施例所提供的芯片转移模块的另外一个观看视角的立体分解示意图。
图4为本发明第一实施例所提供的芯片转移模块的另外一个观看视角的立体组合示意图。
图5为本发明第一实施例所提供的芯片转移模块沿图4的V-V剖面线的剖面示意图。
图6为本发明第一实施例所提供的芯片转移模块沿图4的VI-VI剖面线的剖面示意图。
图7为本发明第一实施例所提供的芯片转移模块的多个第一气体导引通道气体连通于抽气装置的功能方块图。
图8为本发明第一实施例所提供的芯片转移模块的第二气体导引结构气体连通于供气装置的功能方块图。
图9为本发明第二实施例所提供的芯片转移与固晶方法的流程图。
图10为本发明第二实施例所提供的芯片转移与固晶装置的示意图。
图11为本发明第二实施例所提供的芯片转移与固晶方法的步骤S102、S104与S106的示意图。
图12为本发明第二实施例所提供的芯片转移与固晶方法的步骤S108的示意图。
附图标记
D 芯片转移与固晶装置
M1 基板承载模块
M2 芯片转移模块
M3 激光产生模块
1 承载本体
1000 螺丝盲孔
1001 第一容置空间
1002 第二容置空间
2 透光元件
2000 裸露部分
3 第一气体导引结构
30 吸嘴
3000 吸气开口
3001 第一气体导引通道
4 第二气体导引结构
4000 进气开口
4001 第二气体导引通道
5 气体止泄结构
51 第一气体止泄环
52 第二气体止泄环
6 顶端压板
6000 螺丝通孔
6001 贯穿开口
T 螺丝
P 电路基板
S 转移基板
S1001 正面
S1002 背面
H 黏着层
C 芯片
B 导电焊接层
D1 抽气装置
D2 供气装置
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“芯片转移模块以及芯片转移与固晶装置与方法”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
第一实施例
参阅图1至图8所示，本发明第一实施例提供一种芯片转移模块M2，其包括：承载本体1、透光元件2、第一气体导引结构3以及第二气体导引结构4。
首先，结合图1、图3、图5与图6所示，承载本体1包括有第一容置空间1001以及第二容置空间1002。举例来说，第一容置空间1001以及第二容置空间1002可以分别形成在承载本体1的顶端与底端上，并且第一容置空间1001以及第二容置空间1002可以被透光元件2所分隔且互相不连通。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
再者，结合图2、图3、图5与图6所示，透光元件2设置在承载本体1的第一容置空间1001内，并且透光元件2具有对应于承载本体1的第二容置空间1002的裸露部分2000(也就是说，透光元件2的裸露部分2000相对于承载本体1的第二容置空间1002是裸露的，而不会被承载本体1的实体部分所遮蔽)。举例来说，透光元件2可以由任何透光材料(例如石英)所制成，并且透光元件2可以是无机透光材料、高分子透光材料或者透光复合材料。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
此外，结合图2、图5、图6与图7所示，第一气体导引结构3设置在承载本体1内，并且第一气体导引结构3包括有从承载本体1突出的多个吸气开口3000。举例来说，第一气体导引结构3包括从承载本体1的底端部分突出的多个吸嘴30，并且多个吸气开口3000分别设置在多个吸嘴30上。再者，第一气体导引结构3具有分别气体连通于多个吸气开口3000的多个第一气体导引通道3001(如图5所示)，并且多个第一气体导引通道3001可以气体连通于抽气装置D1(如图7所示)。借此，当抽气装置D1对多个第一气体导引通道3001进行抽气时，多个吸嘴30可以被用来吸取转移基板。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
另外，结合图4、图6与图8所示，第二气体导引结构4设置在承载本体1内，并且第二气体导引结构4包括有气体连通于承载本体1的第二容置空间1002的至少一个进气开口4000。举例来说，第二气体导引结构4具有气体连通于至少一个进气开口4000的至少一个第二气体导引通道4001，并且至少一个第二气体导引通道4001可以气体连通于供气装置D2。借此，当气体通过供气装置D2而被输入至少一个第二气体导引通道4001时，气体可以通过至少一个进气开口4000而被填充至承载本体1的第二容置空间1002内。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
举例来说，结合图1、图3、图5与图6所示，本发明第一实施例的芯片转移模块M2进一步包括气体止泄结构5，并且气体止泄结构5包括设置在承载本体1的第一容置空间1001内的第一气体止泄环51以及设置在承载本体1的底端上的第二气体止泄环52。更进一步来说，第一气体止泄环51(例如O型环)设置在承载本体1与透光元件2之间，以用于防止位于承载本体1的第二容置空间1002内的气体泄漏到承载本体1的第一容置空间1001内。另外，第二气体止泄环52(例如O型环)部分地从承载本体1的底端突出。然而，本发明不以上述所举的例子为限。
举例来说，结合图1、图3、图5与图6所示，本发明第一实施例的芯片转移模块M2进一步包括至少一个顶端压板6，并且顶端压板6可以通过多个螺丝T而固定在承载本体1的第一容置空间1001内，以用于顶抵透光元件2且对透光元件2施加预定压力(此时第一气体止泄环51会被透光元件2所压缩)。更进一步来说，承载本体1具有设置在第一容置空间1001内的多个螺丝盲孔1000，顶端压板6具有对应于多个螺丝盲孔1000的多个螺丝通孔6000，并且每一个螺丝T可以穿过相对应的螺丝通孔6000而通过相对应的螺丝盲孔1000连接于承载本体1，借此以将顶端压板6固定在承载本体1上。另外，顶端压板6具有对应于透光元件2的裸露部分2000的贯穿开口6001，以用于裸露透光元件2的裸露部分2000(也就是说，透光元件2的裸露部分2000相对于顶端压板6的贯穿开口6001是裸露的，而不会被顶端压板6的实体部分所遮蔽)。另外，当本发明使用能够相互配合的多个顶端压板6时，多个顶端压板6能够相互配合以提供对应于透光元件2的裸露部分2000的贯穿开口6001。
第二实施例
参阅图9至图12所示，本发明第二实施例提供一种芯片转移与固晶装置D以及一种芯片转移与固晶方法。
如图9所示，本发明第二实施例所提供的一种芯片转移与固晶方法包括：首先，提供正面S1001承载有多个芯片C的转移基板S(步骤S100)；接着，吸附且移动转移基板S，以将多个芯片C分别放置在电路基板P上(步骤S102)；然后，施加具有预定压力的气体于转移基板S的背面S1002，以使得多个芯片C通过“转移基板S被气体施压”而紧密接触电路基板P(步骤S104)；接下来，将多个芯片C固定在电路基板P上(步骤S106)；然后，移除转移基板S(步骤S108)。值得注意的是，在步骤S102之前，多个芯片C的多个导电接点会分别对应于位于电路基板P的多个导电焊接层B(例如锡球或者锡膏)。在步骤S102之中，“将多个芯片C分别放置在电路基板P上”的步骤属于“多个芯片C对于电路基板P的多个导电焊接层B的第一阶段压合”。在步骤S104之中，“施加具有预定压力的气体于转移基板S的背面S1002”的步骤属于“多个芯片C对于电路基板P的多个导电焊接层B的第二阶段压合”。借此，多个芯片C能够紧密接触电路基板P的多个导电焊接层B(也就是说，每一个芯片C的导电接点能够无缝隙地紧靠在电路基板P的多个导电焊接层B上)，借此以提升芯片C与电路基板P之间的电连接效果。
如图10所示，本发明第二实施例所提供的一种芯片转移与固晶装置D包括：基板承载模块M1、芯片转移模块M2以及激光产生模块M3。基板承载模块M1能用于承载电路基板P，芯片转移模块M2能用于将多个芯片C转移到电路基板P上，并且激光产生模块M3能用于将多个芯片C固定在电路基板P上。此外，芯片转移模块M2包括承载本体1、透光元件2、第一气体导引结构3以及第二气体导引结构4。
举例来说，结合图9与图10所示，多个芯片C可以被黏附在转移基板S的黏着层H上，并且电路基板P可以通过基板承载模块M1而被承载。另外，承载有多个芯片C的转移基板S可以通过芯片转移模块M2的第一气体导引结构3的抽气而被第一气体导引结构3所吸附。更进一步来说，通过第一气体导引结构3的多个吸气开口3000的抽气，以使得承载有多个芯片C的转移基板S可以被吸附在承载本体1的底端上且封闭第二容置空间1002。值得注意的是，当承载有多个芯片C的转移基板S通过第一气体导引结构3的多个吸气开口3000的抽气而被吸附在承载本体1的底端上且封闭第二容置空间1002时，第二气体止泄环52被设置在承载本体1与转移基板S之间，能够用于防止位于承载本体1的第二容置空间1002内的气体泄漏到承载本体1的外部。
举例来说，结合图9与图11所示，在步骤S104中，具有预定压力的气体可以通过芯片转移模块M2的第二气体导引结构4被导入并且被施加在转移基板S的背面S1002。更进一步来说，当承载有多个芯片C的转移基板S通过“第一气体导引结构3的多个吸气开口3000的抽气”而被吸附在承载本体1的底端上且封闭第二容置空间1002时，具有预定压力的气体可以通过“第二气体导引结构4的至少一个进气开口4000”而被导入至承载本体1的第二容置空间1002内，以使得具有预定压力的气体能够平均地施压在转移基板S的背面S1002上，进而使得多个芯片C能够通过“转移基板S被气体平均地施压”而紧密接触电路基板P(也就是说，每一个芯片C的导电接点能够无缝隙地紧靠在电路基板P的多个导电焊接层B上)，借此以提升芯片C与电路基板P之间的电连接效果(提升产品良率)。
举例来说，结合图9与图11所示，在步骤S106中，多个芯片C可以通过激光产生模块M3的照射而固定在电路基板P上。更进一步来说，当激光产生模块M3所产生的激光光束能依序穿过透光元件2、转移基板S(透光基板)以及芯片C而投射在位于芯片C与电路基板P之间的多个导电焊接层B上时，多个导电焊接层B能通过激光产生模块M3所产生的激光光束的照射而被固化，借此以将多个芯片C固定在电路基板P上。
举例来说，结合图9与图12所示，在步骤S108中，转移基板S可以通过芯片转移模块M2的承载而脱离已固定在电路基板P上的多个芯片C。更进一步来说，当多个芯片C通过激光产生模块M3所产生的激光光束的照射而被固定在电路基板P上后，由于多个导电焊接层B提供给芯片C的“结合力”(或者是多个导电焊接层B与芯片C之间的“结合力”)会大于转移基板S的黏着层H提供给芯片C的“黏着力”(或者是转移基板S的黏着层H与芯片C之间的“黏着力”)，所以转移基板S可以通过芯片转移模块M2的承载而脱离已固定在电路基板P上的多个芯片C。
实施例的有益效果
本发明的一个有益效果在于，本发明所提供的一种芯片转移与固晶装置D及其芯片转移模块M2，其能通过“承载本体1包括有第一容置空间1001以及第二容置空间1002”、“透光元件2设置在承载本体1的第一容置空间1001内”、“第一气体导引结构3设置在承载本体1内，且第一气体导引结构3包括有从承载本体1突出的多个吸气开口3000”以及“第二气体导引结构4设置在承载本体1内，且第二气体导引结构4包括有气体连通于承载本体1的第二容置空间1002的至少一个进气开口4000”的技术方案，以使得当承载有多个芯片C的转移基板S通过第一气体导引结构3的多个吸气开口3000的抽气而被吸附在承载本体1的底端上且封闭第二容置空间1002时，具有预定压力的气体可以通过第二气体导引结构4的至少一个进气开口4000而被导入承载本体1的第二容置空间1002内，从而使得具有预定压力的气体平均地施压在转移基板S的背面S1002上。因此，多个芯片C能够通过“转移基板S被气体平均地施压”而紧密接触电路基板P，借此以提升芯片C与电路基板P之间的电连接效果。
本发明的另外一个有益效果在于，本发明所提供的一种芯片转移与固晶方法，其能通过“提供正面S1001承载有多个芯片C的转移基板S”、“移动转移基板S，以将多个芯片C分别放置在电路基板P上”、“施加具有预定压力的气体于转移基板S的背面S1002，以使得多个芯片C通过转移基板S被气体施压而紧密接触电路基板P”、“将多个芯片C固定在电路基板P上”以及“移除转移基板S”的技术方案，以使得当承载有多个芯片C的转移基板S通过第一气体导引结构3的多个吸气开口3000的抽气而被吸附在承载本体1的底端上且封闭第二容置空间1002时，具有预定压力的气体可以通过第二气体导引结构4的至少一个进气开口4000而被导入承载本体1的第二容置空间1002内，从而使得具有预定压力的气体平均地施压在转移基板S的背面S1002上。因此，多个芯片C能够通过“转移基板S被气体平均地施压”而紧密接触电路基板P，借此以提升芯片C与电路基板P之间的电连接效果。
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此限制本发明的权利要求书的范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求书的范围内。

Claims (10)

1.一种芯片转移模块，其用于承载包括有多个芯片的转移基板，其特征在于，所述芯片转移模块包括：
承载本体，所述承载本体包括有第一容置空间以及第二容置空间；
透光元件，所述透光元件设置在所述承载本体的所述第一容置空间内；
第一气体导引结构，所述第一气体导引结构设置在所述承载本体内，所述第一气体导引结构包括有从所述承载本体突出的多个吸气开口；以及第二气体导引结构，所述第二气体导引结构设置在所述承载本体内，所述第二气体导引结构包括有气体连通于所述承载本体的所述第二容置空间的至少一个进气开口。
2.根据权利要求1所述的芯片转移模块，其特征在于，
其中，所述第一容置空间以及所述第二容置空间分别形成在所述承载本体的顶端与底端上，且所述第一容置空间以及所述第二容置空间被所述透光元件所分隔且互相不连通；
其中，所述第一气体导引结构具有分别气体连通于多个所述吸气开口的多个第一气体导引通道，且多个所述第一气体导引通道气体连通于抽气装置；
其中，所述第二气体导引结构具有气体连通于至少一个进气开口的至少一个第二气体导引通道，且所述至少一个第二气体导引通道气体连通于供气装置。
3.根据权利要求1所述的芯片转移模块，其特征在于，进一步包括：气体止泄结构，所述气体止泄结构包括设置在所述承载本体的所述第一容置空间内的第一气体止泄环以及设置在所述承载本体的底端上的第二气体止泄环；
其中，所述第一气体止泄环设置在所述承载本体与所述透光元件之间，
以用于防止位于所述承载本体的所述第二容置空间内的气体泄漏到所述承载本体的所述第一容置空间内；
其中，所述第二气体止泄环部分地从所述承载本体的所述底端突出。
4.根据权利要求1所述的芯片转移模块，其特征在于，进一步包括：至少一个顶端压板以及多个螺丝；
其中，所述顶端压板通过多个所述螺丝而固定在所述承载本体的所述第一容置空间内，以用于顶抵所述透光元件且对所述透光元件施加预定压力；
其中，所述透光元件具有对应于所述承载本体的所述第二容置空间的裸露部分，且所述顶端压板提供对应于所述透光元件的所述裸露部分的贯穿开口。
5.根据权利要求1所述的芯片转移模块，其特征在于，其中，所述第一气体导引结构包括从所述承载本体的底端部分突出的多个吸嘴，且多个所述吸气开口分别设置在多个所述吸嘴上。
6.一种芯片转移与固晶方法，其特征在于，其包括：
提供正面承载有多个芯片的转移基板；
移动所述转移基板，以将多个所述芯片分别放置在电路基板上；
施加具有预定压力的气体于所述转移基板的背面，以使得多个所述芯片通过所述转移基板被所述气体施压而紧密接触所述电路基板；
将多个所述芯片固定在所述电路基板上；以及
移除所述转移基板。
7.根据权利要求6所述的芯片转移与固晶方法，其特征在于，其中，承载有多个所述芯片的所述转移基板通过芯片转移模块的第一气体导引结构的抽气而被吸附，且具有所述预定压力的所述气体通过所述芯片转移模块的第二气体导引结构被导入并且被施加在所述转移基板的背面。
8.根据权利要求7所述的芯片转移与固晶方法，其特征在于，其中，多个所述芯片通过激光产生模块所产生的光源的照射而被固定在所述电路基板上，且所述转移基板通过所述芯片转移模块的承载而脱离已固定在所述电路基板上的多个所述芯片。
9.一种芯片转移与固晶装置，其特征在于，其包括：
基板承载模块，所述基板承载模块用于承载电路基板；
芯片转移模块，所述芯片转移模块用于将多个芯片转移到所述电路基板上；以及
激光产生模块，所述激光产生模块用于将多个所述芯片固定在所述电路基板上；
其中，所述芯片转移模块包括：
承载本体，所述承载本体包括有第一容置空间以及第二容置空间；
透光元件，所述透光元件设置在所述承载本体的所述第一容置空间内；
第一气体导引结构，所述第一气体导引结构设置在所述承载本体内，所述第一气体导引结构包括有从所述承载本体突出的多个吸气开口；以及第二气体导引结构，所述第二气体导引结构设置在所述承载本体内，所述第二气体导引结构包括有气体连通于所述承载本体的所述第二容置空间的至少一个进气开口。
10.根据权利要求9所述的芯片转移与固晶装置，其特征在于，进一步包括：抽气装置以及供气装置；
其中，所述第一气体导引结构具有分别气体连通于多个所述吸气开口的多个第一气体导引通道，且多个所述第一气体导引通道气体连通于所述抽气装置；
其中，所述第二气体导引结构具有气体连通于至少一个进气开口的至少一个第二气体导引通道，且所述至少一个第二气体导引通道气体连通于所述供气装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018061896A1 (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 東レエンジニアリング株式会社 転写方法、実装方法、転写装置、及び実装装置
JP6926018B2 (ja) * 2018-03-28 2021-08-25 東レエンジニアリング株式会社 転写基板ならびにこれを用いた実装方法および画像表示装置の製造方法
TW202008558A (zh) * 2018-07-23 2020-02-16 飛傳科技股份有限公司 晶片轉移之方法及其晶片轉移系統
TWI690980B (zh) * 2018-12-07 2020-04-11 台灣愛司帝科技股份有限公司 晶片移轉方法及晶片移轉設備
TWM603193U (zh) * 2020-07-29 2020-10-21 宸榤精機股份有限公司 具有高吸附性的晶片加熱用吸附式治具

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