CN114815020B - 一种高品质因数折射率传感器的设计方法及折射率传感器 - Google Patents

一种高品质因数折射率传感器的设计方法及折射率传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN114815020B
CN114815020B CN202210422403.XA CN202210422403A CN114815020B CN 114815020 B CN114815020 B CN 114815020B CN 202210422403 A CN202210422403 A CN 202210422403A CN 114815020 B CN114815020 B CN 114815020B
Authority
CN
China
Prior art keywords
refractive index
index sensor
axis
shaped metal
sio
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202210422403.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN114815020A (zh
Inventor
朱旭鹏
廖峻
张军
薛书文
李佳楠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lingnan Normal University
Original Assignee
Lingnan Normal University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lingnan Normal University filed Critical Lingnan Normal University
Priority to CN202210422403.XA priority Critical patent/CN114815020B/zh
Publication of CN114815020A publication Critical patent/CN114815020A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114815020B publication Critical patent/CN114815020B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/008—Surface plasmon devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/41—Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/0012—Optical design, e.g. procedures, algorithms, optimisation routines

Abstract

本发明公开了一种高品质因数折射率传感器的设计方法及折射率传感器，包括以下步骤：S1.在SiO2衬底上设计具有不对称特性的Z型金属结构单元，其固定参数为l0、l1、w0和w1；S2.参数Px和Py分别为金属结构阵列在x轴和y轴上的空间周期，电场E的极化方向平行于Z形结构的悬臂梁，即x偏振入射，入射光的传播方向垂直于SiO2衬底，即波矢量k的方向，本设计发明能显著提升折射率传感器，即Ratio型折射率传感器的RIS值和折射率敏感性品质因数FOM值，为不对称手性结构的椭圆偏振光轴长比特性利用提供了一种方法及利用上述方法制备的折射率传感器。

Description

一种高品质因数折射率传感器的设计方法及折射率传感器
技术领域
本发明涉及光学传感器技术领域，更具体地，涉及一种高品质因数折射率传感器的设计方法及折射率传感器。
背景技术
局域在金属纳米结构与介质环境界面上的消逝波，被称为局域表面等离激元振荡，在能量捕获、亚波长光学成像、化学传感器、电子器件等方面有着广泛的应用。由于金属纳米结构具有极大的电场增强因子和其光学性质对结构大小、形状、组分及周围介质环境高灵敏特性，从而可以通过合理的设计实现生物分子检测和医学诊断。折射率传感器是LSPR效应在传感和检测领域的一个重要应用。然而，用于监测折射率变化的传统光学谱线由于金属纳米结构本身较大的辐射损失有一个很大的谱线线宽(半峰宽)，导致此类折射率传感器的折射率敏感品质因数(FOM)很低，限制了其快速发展。因此，金属纳米结构中表面等离激元模式相干耦合所形成的Fano共振效应由于其窄线宽的特性(即Fano型折射率传感器)，在折射率传感领域得到了广泛的应用和研究。
如何进一步提高折射率传感器的传感灵敏度(RIS，定义为每个折射率单位(RIU)的共振波长位移(Δλ)，RIS＝Δλ/Δn)和传感品质因数FOM(定义为折射率灵敏度与谱线宽度的比值，FOM＝RIS/FWHM)是折射率传感领域的主要研究方向。目前，领域内有两种提高折射率传感器的RIS和FOM的传统方法。第一类是不断优化Fano结构(Fano型折射率传感器)，使其谱线特性变窄，但这种操作有一定的挑战和局限性。第二类是采取不同的谱线特征以增加折射率传感器的RIS和FOM，比如差分光谱。例如，Fainman等人提出将不同入射角的纳米结构阵列获得的两个透射光谱进行差分，通过跟踪差分曲线上的零点进行折射率传感。Vavassori等人通过引入透射光偏振椭圆度与具有光谱依赖性零点波长来监测折射率的变化。Fischer等人利用手性等离激元结构的圆二色性光谱实现了高质量的折射率变化检测。这些研究虽然使等离激元结构折射率传感器具有较高的RIS值和FOM值，但在应用场景中普遍存在一定的局限性。因此，亟需设计新的具有高RIS值和FOM值的折射率传感器。
发明内容
本发明的目的是为了克服Fano型折射率传感器RIS和FOM值不高的问题，提出一种高品质因数折射率传感器的设计方法(Ratio型折射率传感器)。
本发明上述目的是通过以下技术方案予以实现的：包括以下步骤：
S1.在石英(SiO2)衬底上制备具有不对称特性的固定参数为l0、l1、w0和w1的Z型结构单元；
S2.数组参数Px和Py分别为x轴和y轴上的结构阵列周期，电场E的极化方向平行于Z型结构的悬臂梁(即x偏振入射)，入射光的传播方向垂直于SiO2衬底。
优选地，S1所述的Z型结构的固定结构参数l0＝l1＝400nm,w0＝w1＝100nm。
优选地，S2所述的数组结构周期Px＝Py＝800nm。
优选地，在不对称的Z型结构单元旁边设置一根金(Au)纳米棒，Au纳米棒的长度和宽度分别用l2和w2表示，形成一个具有旋转对称的AZ-l2型结构，AZ-l2型结构组件之间的耦合间隙为g；
优选地，在旋转对称的AZ-l2型结构单元旁边再设置一根金(Au)纳米棒，Au纳米棒的长度和宽度分别用l3和w3表示，形成一个具有旋转对称的AZ-l2-l3型结构，AZ-l2-l3型结构所有组件之间的耦合间隙为g；
优选地，所述的Z型、AZ-l2型、AZ-l2-l3型结构单元所有组件之间的耦合间隙g＝20nm。
一种折射率传感器，由上述方法制备所到。
本发明利用手性结构阵列在不同波长下的透射椭圆偏振光的轴长比曲线特性对折射率变化的响应来制备折射率传感器。通过计算不同手性结构(Z型、AZ-l2和AZ-l2-l3)在x和y方向上的透射光相位差和透射椭圆偏振光长轴角度(长轴与x轴夹角)的对应关系，可得到相应结构阵列透射椭圆偏振光的轴长比曲线和不同位置的椭圆偏振态。相位差的最大位置(对应不同的共振倾角位置)对应较大的轴长比，说明手性结构阵列对入射光偏振态的影响较小，即手性结构阵列的极化转换能力较差。相位急剧变化的位置(即透射椭圆偏振光状态变化的位置)在轴长比曲线上有一个非常窄的线形，作为折射率传感器的传感特征，也是本发明的核心依据。AZ-l2-l3结构阵列在特定位置的轴长比曲线、相位差曲线和主角度曲线的形状比较复杂，这是Fano共振和晶格模式共同作用的结果，其设计目的在于同一手性等离激元阵列中同时构建两个传感器的传感特征用于性能比较。本发明提出的手性等离激元结构阵列具有高RIS值、FOM值和Q值，有望替代传统的Fano型折射率传感器。
附图说明
图1为本发明手性等离激元结构阵列的结构示意图。
图2为AZ-l2-l3手性结构的轴长比曲线。
具体实施方式
下面结合说明书附图和具体实施例进一步说明本发明的内容，但不应理解为对本发明的限制。在不背离本发明精神和实质的情况下，对本发明方法、步骤或条件所作的简单修改或替换，均属于本发明的范围；若未特别指明，实施例中所用的技术手段为本领域技术人员所熟知的常规手段。
实施例1
一种高品质因数折射率传感器的设计方法：包括以下步骤：
S1.在SiO2衬底上设计具有不对称的固定参数为l0＝l1＝400nm,w0＝w1＝100nm的Z型结构单元；
S2.x轴和y轴上的结构阵列周期Px＝Py＝800nm，电场E的极化方向平行于Z形结构的悬臂梁，入射光的传播方向垂直于SiO2衬底。
计算得知，Z型结构单元Ratio型折射率传感器的RIS＝760.2nm/RIU，FOM＝93.64。
实施例2
一种高品质因数折射率传感器的设计方法：包括以下步骤：
S1.在SiO2衬底上设计具有不对称的固定参数为l0＝l1＝400nm,w0＝w1＝100nm的Z形结构单元；
S2.x轴和y轴上的数组结构周期Px＝Py＝800nm，电场E的极化方向平行于Z型结构的悬臂梁，入射光的传播方向垂直于SiO2衬底。
S3.在不对称的Z型结构单元旁边设置一根Au纳米棒，Au纳米棒的长度l2＝330nm和宽度w2＝100nm，形成一个具有旋转对称的AZ-l2型结构，AZ-l2型结构所有组件之间的耦合间隙为g＝20nm；
计算得知，AZ-l2型结构单元Ratio型折射率传感器的RIS＝760.2nm/RIU，FOM＝22.6。
实施例3
一种高品质因数折射率传感器的设计方法：包括以下步骤：
S1.在SiO2衬底上设计具有不对称的固定参数为l0＝l1＝400nm,w0＝w1＝100nm的Z型结构单元；
S2.x轴和y轴上的结构阵列周期Px＝Py＝800nm，电场E的极化方向平行于Z形结构的悬臂梁，入射光的传播方向垂直于SiO2衬底。
S3.在不对称的Z型结构单元旁边设置两根Au纳米棒，第一根Au纳米棒的长度l2＝330nm和宽度w2＝100nm，第二根Au纳米棒的长度l3＝230nm和宽度w3＝100nm，形成一个具有旋转不对称的AZ-l2-l3型结构，AZ-l2-l3型结构所有组件之间的耦合间隙为g＝20nm；
计算AZ-l2-l3型手性结构在x和y方向上的透射光相位差和透射椭圆偏振光长轴角度(长轴与x轴夹角)的对应关系，可得到AZ-l2-l3结构阵列透射椭圆偏振光不同位置的椭圆偏振态。AZ-l2-l3结构阵列在1160nm的轴长比曲线的形状较为复杂，这是Fano共振和晶格模式共同作用的结果，AZ-l2-l3结构阵列在1160nm左右处既具有Fano型折射率传感器的特性，也具有Ratio型折射率传感器的特性。当介质环境折射率线性增加时，Fano型折射率传感器和Ratio型折射率传感器的传感特性也线性增大。Ratio型折射率传感器的RIS达到556.9nm/RIU，是Fano型折射率传感器(423.7nm/RIU)的1.314倍。当n＝1时，Ratio型折射率传感器的FOM值高达60，特征曲线的质量因数Q达到120.6，分别是优化后的Fano型折射率传感器对应值的2.92倍和2.14倍。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (2)

1.一种高品质因数折射率传感器的设计方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1. 在SiO2衬底上设计具有不对称特性的Z型金属结构单元，所述Z型金属结构单元由两条平行于x轴设置的悬臂梁以及连接两个所述悬臂梁且平行于y轴的连接部组成，其固定参数为l 0 、l 1 、w 0 和w 1 ，其中l 0 分别是两条悬臂梁的臂长，l 1 是连接部的长度，w 0 分别是两条悬梁臂的宽度，w 1 是连接部的宽度，且l 0 = l 1 =300~500nm, w 0 = w 1 =50~150nm；
S2.参数P x 和P y 分别为Z型金属结构单元阵列在x轴和y轴上的空间周期，电场E的极化方向平行于Z型金属结构单元的悬臂梁，即x偏振入射，入射光的传播方向垂直于SiO2衬底，即波矢量k的方向，且P x =P y =500~1000 nm；
S3. 在步骤S1所述的Z型金属结构单元一侧设置1~2根Au纳米棒，形成具有旋转不对称的AZ-l 2 型结构或AZ-l 2 -l 3 型结构，AZ-l 2 型结构或AZ-l 2 -l 3 型结构之间的耦合间隙g=10~30nm。
2.一种折射率传感器，其特征在于：由上述权利要求1所述方法制备所得。
CN202210422403.XA 2022-04-21 2022-04-21 一种高品质因数折射率传感器的设计方法及折射率传感器 Active CN114815020B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210422403.XA CN114815020B (zh) 2022-04-21 2022-04-21 一种高品质因数折射率传感器的设计方法及折射率传感器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210422403.XA CN114815020B (zh) 2022-04-21 2022-04-21 一种高品质因数折射率传感器的设计方法及折射率传感器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114815020A CN114815020A (zh) 2022-07-29
CN114815020B true CN114815020B (zh) 2023-09-22

Family

ID=82506139

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210422403.XA Active CN114815020B (zh) 2022-04-21 2022-04-21 一种高品质因数折射率传感器的设计方法及折射率传感器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114815020B (zh)

Citations (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005321233A (ja) * 2004-05-06 2005-11-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光学異性体センサー及び測定方法
JP2007093289A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Atago:Kk 偏光状態測定装置、円二色性測定装置及びその方法
JP2008232717A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Canon Inc 標的物質の検出装置及び検出方法
JP2009210495A (ja) * 2008-03-06 2009-09-17 Tohoku Univ 円二色性を持つ媒体測定表面プラズモン共鳴センサー、円二色性測定法及び測定装置
CN102879336A (zh) * 2012-09-25 2013-01-16 江南大学 一种汞离子的等离子手性适配体传感器的制备方法
CN202903747U (zh) * 2012-05-04 2013-04-24 中国石油天然气股份有限公司 储罐底板缺陷平板导波在线检测用传感器携带装置
WO2013179960A1 (ja) * 2012-05-28 2013-12-05 Jnc株式会社 光学的に等方性の液晶媒体及び光素子
CN105452805A (zh) * 2013-05-02 2016-03-30 059312N.B.有限公司 周期性传感器阵列
CN106257692A (zh) * 2016-07-29 2016-12-28 东南大学 一种偏振敏感型光电探测器
CN106395738A (zh) * 2016-11-10 2017-02-15 陕西师范大学 一种圆二色性可调的手性纳米结构及其制备方法
CN107036971A (zh) * 2016-11-14 2017-08-11 四川大学 手性传感元件、设备，手性表征方法，浓度表征方法
KR20180101778A (ko) * 2017-03-06 2018-09-14 한국해양대학교 산학협력단 2차원 나노소재를 이용한 고민감성 화학센서 및 그 제조방법
CN108760646A (zh) * 2018-06-22 2018-11-06 西安科锐盛创新科技有限公司 手性传感器件及流体手性检测系统
CN109154566A (zh) * 2016-05-17 2019-01-04 福莱森斯有限公司 生物传感器和使用其分析样品的方法
CN110026325A (zh) * 2019-03-26 2019-07-19 岭南师范学院 一种单晶颗粒薄膜及其气体传感器的制备方法
CN110082385A (zh) * 2019-04-28 2019-08-02 陕西师范大学 一种实现圆二色性的微纳金属结构及其应用
CN110836862A (zh) * 2019-11-18 2020-02-25 南开大学 太赫兹手性超表面偏振传感器及其传感方法
CN111201234A (zh) * 2017-07-17 2020-05-26 南京瑞捷医药科技有限公司 新型化合物及其作为acc抑制剂的用途
CN111433590A (zh) * 2017-12-07 2020-07-17 横河电机株式会社 分光分析装置
CN111879728A (zh) * 2020-07-15 2020-11-03 常州机电职业技术学院 一种提高折射率传感器件品质因数的结构及测试方法
CN111896479A (zh) * 2020-09-07 2020-11-06 北京邮电大学 太赫兹手性鉴别器件及圆极化选择器
CN112014351A (zh) * 2020-09-01 2020-12-01 刘翡琼 一种液体折射率测量装置及系统
CN112098366A (zh) * 2020-07-27 2020-12-18 桂林电子科技大学 一种实现三个Fano共振的内嵌双U型折射率传感器
WO2021056137A1 (zh) * 2019-09-23 2021-04-01 国家纳米科学中心 一种手性等离激元纳米结构及其在圆偏振发光体系的应用
CN213580667U (zh) * 2020-06-29 2021-06-29 胡宝晶 一种基于等离激元诱导透明的新型超灵敏折射率传感器
CN113533300A (zh) * 2021-07-22 2021-10-22 岭南师范学院 一种石墨烯等离激元气体传感器及其制作方法
KR20210156191A (ko) * 2020-06-17 2021-12-24 포항공과대학교 산학협력단 센서 및 센서 장치
CN114235712A (zh) * 2021-12-08 2022-03-25 大连海事大学 一种基于手性金属纳米结构阵列的单分子传感器

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9575212B2 (en) * 2013-02-26 2017-02-21 California Institute Of Technology Chiral polymers for the self-assembly of photonic crystals
US10313622B2 (en) * 2016-04-06 2019-06-04 Kla-Tencor Corporation Dual-column-parallel CCD sensor and inspection systems using a sensor
US20200025610A1 (en) * 2018-03-22 2020-01-23 Purdue Research Foundation Sensor for hyperspectral imaging based on a metasurface-integrated light detector array

Patent Citations (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005321233A (ja) * 2004-05-06 2005-11-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光学異性体センサー及び測定方法
JP2007093289A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Atago:Kk 偏光状態測定装置、円二色性測定装置及びその方法
JP2008232717A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Canon Inc 標的物質の検出装置及び検出方法
JP2009210495A (ja) * 2008-03-06 2009-09-17 Tohoku Univ 円二色性を持つ媒体測定表面プラズモン共鳴センサー、円二色性測定法及び測定装置
CN202903747U (zh) * 2012-05-04 2013-04-24 中国石油天然气股份有限公司 储罐底板缺陷平板导波在线检测用传感器携带装置
WO2013179960A1 (ja) * 2012-05-28 2013-12-05 Jnc株式会社 光学的に等方性の液晶媒体及び光素子
CN102879336A (zh) * 2012-09-25 2013-01-16 江南大学 一种汞离子的等离子手性适配体传感器的制备方法
CN105452805A (zh) * 2013-05-02 2016-03-30 059312N.B.有限公司 周期性传感器阵列
CN109154566A (zh) * 2016-05-17 2019-01-04 福莱森斯有限公司 生物传感器和使用其分析样品的方法
CN106257692A (zh) * 2016-07-29 2016-12-28 东南大学 一种偏振敏感型光电探测器
CN106395738A (zh) * 2016-11-10 2017-02-15 陕西师范大学 一种圆二色性可调的手性纳米结构及其制备方法
CN107036971A (zh) * 2016-11-14 2017-08-11 四川大学 手性传感元件、设备，手性表征方法，浓度表征方法
KR20180101778A (ko) * 2017-03-06 2018-09-14 한국해양대학교 산학협력단 2차원 나노소재를 이용한 고민감성 화학센서 및 그 제조방법
CN111201234A (zh) * 2017-07-17 2020-05-26 南京瑞捷医药科技有限公司 新型化合物及其作为acc抑制剂的用途
CN111433590A (zh) * 2017-12-07 2020-07-17 横河电机株式会社 分光分析装置
CN108760646A (zh) * 2018-06-22 2018-11-06 西安科锐盛创新科技有限公司 手性传感器件及流体手性检测系统
CN110026325A (zh) * 2019-03-26 2019-07-19 岭南师范学院 一种单晶颗粒薄膜及其气体传感器的制备方法
CN110082385A (zh) * 2019-04-28 2019-08-02 陕西师范大学 一种实现圆二色性的微纳金属结构及其应用
WO2021056137A1 (zh) * 2019-09-23 2021-04-01 国家纳米科学中心 一种手性等离激元纳米结构及其在圆偏振发光体系的应用
CN110836862A (zh) * 2019-11-18 2020-02-25 南开大学 太赫兹手性超表面偏振传感器及其传感方法
KR20210156191A (ko) * 2020-06-17 2021-12-24 포항공과대학교 산학협력단 센서 및 센서 장치
CN213580667U (zh) * 2020-06-29 2021-06-29 胡宝晶 一种基于等离激元诱导透明的新型超灵敏折射率传感器
CN111879728A (zh) * 2020-07-15 2020-11-03 常州机电职业技术学院 一种提高折射率传感器件品质因数的结构及测试方法
CN112098366A (zh) * 2020-07-27 2020-12-18 桂林电子科技大学 一种实现三个Fano共振的内嵌双U型折射率传感器
CN112014351A (zh) * 2020-09-01 2020-12-01 刘翡琼 一种液体折射率测量装置及系统
CN111896479A (zh) * 2020-09-07 2020-11-06 北京邮电大学 太赫兹手性鉴别器件及圆极化选择器
CN113533300A (zh) * 2021-07-22 2021-10-22 岭南师范学院 一种石墨烯等离激元气体传感器及其制作方法
CN114235712A (zh) * 2021-12-08 2022-03-25 大连海事大学 一种基于手性金属纳米结构阵列的单分子传感器

Non-Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BO Liu 等.Metal-substrate-enhanced magnetic dipole resonance in metamaterials for high performance refractive index sensing.Optical Material Express.2018,1-9. *
Near-field coupling derived plasmon-induced transparency and Fano dip in symmetry-broken terahertz metamaterials by the "sketch and peel" lithography process;zhu xupeng 等;Microlelctronic Engineering;1-7 *
Plasmonic refractive index sensing using strongly coupled metal nanoantennas: nonlocal limitations;Hancong Wang;Scientific Reports;1-8 *
光学手性超构材料圆二向色性研究;刘荣玉;中国优秀硕士学位论文全文数据库工程科技Ⅰ辑;B020-859 *
手性等离激元纳米结构制备及其应用;陈佳琪 等;成都大学学报;285-292 *
手性等离激元超表面圆二向色性光谱传感特性研究;李继武;王春;邴丕彬;蒋海涛;;量子电子学报(第03期);4-13 *
表面等离激元耦合体系及其光谱增强应用;朱旭鹏 等;物理学报;147304-1-147304-20 *
金纳米复合材料的光电化学传感器及其应用;靳浪平;哈丽旦・居马汗;蒋中英;;化学与生物工程(第01期);7-12,31 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN114815020A (zh) 2022-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Liu et al. Surface plasmon resonance sensor based on photonic crystal fiber with indium tin oxide film
Hajshahvaladi et al. A high-sensitivity refractive index biosensor based on Si nanorings coupled to plasmonic nanohole arrays for glucose detection in water solution
Islam et al. Design and numerical analysis of a gold-coated photonic crystal fiber based refractive index sensor
Liu et al. A square-lattice D-shaped photonic crystal fiber sensor based on SPR to detect analytes with large refractive indexes
CN112432715A (zh) 一种基于spr的d型光子晶体光纤温度传感装置及方法
Nasirifar et al. Surface plasmon resonance biosensor using inverted graded index optical fiber
CN112268873A (zh) 一种基于双芯双侧抛型pcf-spr传感器
Yan et al. Effective excitation of bulk plasmon-polaritons in hyperbolic metamaterials for high-sensitivity refractive index sensing
Yin et al. Highly sensitive fiber SPR sensor based on InSe nanosheets
Chauhan et al. Fiber optic plasmonic sensors based on theoretical analysis: a review
CN112432925B (zh) 基于spr的d型光子晶体光纤折射率传感器装置及方法
Guo et al. High resolution and stability self-reference plasmonic sensor with metallic grating on multilayered dielectric cavity substrate
CN112432924B (zh) 基于spr的方孔光子晶体光纤折射率传感装置
Haque et al. Numerical analysis of a metal-insulator-metal waveguide-integrated magnetic field sensor operating at sub-wavelength scales
CN114815020B (zh) 一种高品质因数折射率传感器的设计方法及折射率传感器
Gupta et al. Plasmonics-Based Optical Sensors and Detectors
Wang et al. Modeling of Au-nanowire waveguide for plasmonic sensing in liquids
Wang et al. Low-loss broadband transverse electric pass hybrid plasmonic fiber polarizers using metallic nanomaterials
Gamal et al. Plasmonic dual D-shaped PCF sensor for low refractive index applications
CN113916839B (zh) 基于双导模共振效应的海水温盐传感器、测量系统及方法
CN112432923B (zh) 三角形气孔的d型光子晶体光纤折射率传感器装置及方法
LIU et al. High-sensitivity surface plasmon resonance sensor based on the ten-fold eccentric core quasi-D-shaped photonic quasi-crystal fiber coated with indium tin oxide
Ullah et al. Dual-Side Polished Surface Plasmon Resonance–Based Photonic Crystal Fiber for Refractive Index Sensing and Polarization Filtering
Bing et al. A plasmonic sensor based on D-shaped dual-core microchannel photonic crystal fiber
Islam et al. Design and analysis of a highly sensitive SPR based PCF biosensor with double step dual peak shift sensitivity

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant