CN114792749A - 一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，GaN基发光二极管外延片包括多量子阱层，多量子阱层为量子阱层、量子阱帽层和量子垒层交替层叠的周期性结构；量子阱帽层包括依次层叠的BInGaN子层、复合子层及BGaN子层，复合子层为SiN层和BN层交替层叠的周期性结构，BInGaN子层、复合子层及BGaN子层的生长温度梯度升高，并且BInGaN子层的In组分含量渐变减少。本发明通过对多量子阱层中的帽层做了特殊设计，既很好的实现了保护量子阱In组分的目的，又有利于减少阱垒晶格失配，缓解量子阱垒界面处In的偏析，提升量子阱垒处的界面晶体质量，使得阱垒界面处更加陡峭，有利于波长均匀性的提升和获得更好的抗静电能力，并成功提升了发光二极管的发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域，特别涉及一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法。
背景技术
现阶段，GaN基发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)由于其高效、节能、环保等优势，得到了广泛应用。多量子阱结构作为蓝绿光发光二极管发光的核心区域，受到了广泛研究。多量子阱一般由InGaN量子阱层和GaN量子垒层交替层叠而成。而由于InGaN量子阱层和GaN量子垒层存在晶格常数不匹配，所以量子阱垒界面处产生很多缺陷。多量子阱中过多的缺陷会造成In偏析，非辐射复核大幅增加，从而影响了其发光效率。
为了提升多量子阱的晶体质量减少缺陷，量子垒层一般选择用相对较高的温度生长，但InGaN量子阱层在高温下容易发生分解，所以过高的量子垒生长温度会容易造成量子阱中In原子的脱附或者分解，影响量子阱层In的并入，进而降低发光效率。所以通常会在量子阱层和量子垒层中间插入一层相对低温的GaN帽层，作为量子阱保护层存在。
然而，低温GaN帽层的引入，虽然起到了保护量子阱中In组分，减少了In原子分解的目的。但是，低温又会使得氨的裂解不充分，造成N空位等缺陷，导致量子阱垒界面处产生更多缺陷，使得In的偏析更加严重，影响发光二极管的发光效率，进而影响发光二极管的发光亮度。
发明内容
基于此，本发明的目的是提供一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，旨在解决背景技术当中的至少一个技术问题。
根据本发明实施例当中的一种GaN基发光二极管外延片，包括多量子阱层，所述多量子阱层为量子阱层、量子阱帽层和量子垒层交替层叠的周期性结构；
其中，所述量子阱帽层包括依次层叠的BInGaN子层、复合子层及BGaN子层，所述复合子层为SiN层和BN层交替层叠的周期性结构，所述BInGaN子层、所述复合子层及所述BGaN子层的生长温度梯度升高，并且所述BInGaN子层的In组分含量渐变减少。
优选地，所述BInGaN子层、所述复合子层及所述BGaN子层生长时通入的H2量梯度增加。
优选地，所述BInGaN子层生长时不通入H2，所述复合子层生长时通入的H2量为1～3L，所述BGaN子层生长时通入的H2量为5～10L。
优选地，所述BInGaN子层的生长温度为750～800℃，所述复合子层的生长温度为800～850℃，所述BGaN子层的生长温度为850-900℃。
优选地，所述BInGaN子层中的In组分含量从0.05-0.2渐变减少为0，所述BInGaN子层中的B组分含量0.1-0.2。
优选地，所述SiN层中的Si组分含量为0.05-0.15，所述BN层中的B组分含量为0.05-0.15，所述复合子层的周期性结构的周期数为1-5。
优选地，所述BInGaN子层的厚度为1-2nm，所述复合子层的厚度为1-3nm，所述BGaN子层的厚度为3-5nm。
优选地，还包括衬底、GaN低温缓冲层、不掺杂的GaN层、N型掺杂GaN层、电子阻挡层和p型掺杂GaN层；
所述GaN低温缓冲层、所述不掺杂的GaN层、所述N型掺杂GaN层、所述多量子阱层、所述电子阻挡层和所述p型掺杂GaN层依次生长于所述衬底上。
根据本发明实施例当中的一种GaN基发光二极管外延片的制备方法，用于制备上述的GaN基发光二极管外延片，所述制备方法包括：
周期性的交替生长量子阱层、量子阱帽层和量子垒层，以制备得到所述GaN基发光二极管外延片的多量子阱层；
其中，在生长所述量子阱层时，在纯N2作载气的气氛下，通入生长所述量子阱层所需的源，以生长所述量子阱层；
在生长所述量子阱帽层时，在纯N2作载气的气氛下，先通入生长BInGaN子层所需的源，以在所述量子阱层上生长所述BInGaN子层，然后在H2和N2作载气的气氛下，通入SiN层和BN层对应所需要的源，以在所述BInGaN子层上周期性的交替生长SiN层和BN层，以制备复合子层，最后在H2和N2作载气的气氛下，通入BGaN子层所需要的源，以在所述复合子层上生长BInGaN子层；
在生长所述量子垒层时，在H2和N2作载气的气氛下，通入生长所述量子垒层所需的源，以在所述量子阱帽层上生长所述量子垒层。
优选地，在周期性的交替生长量子阱层、量子阱帽层和量子垒层，以制备得到所述GaN基发光二极管外延片的多量子阱层之前，还包括：
提供一外延生长所需的衬底；
在所述衬底之上依次外延生长GaN低温缓冲层、不掺杂的GaN层及N型掺杂GaN层，所述多量子阱层生长于所述N型掺杂GaN层上；
在周期性的交替生长量子阱层、量子阱帽层和量子垒层，以制备得到所述GaN基发光二极管外延片的多量子阱层之后，还包括：
在所述多量子阱层上依次外延生长电子阻挡层和p型掺杂GaN层。
与现有技术相比：通过采用由BInGaN子层、复合子层及BGaN子层依次层叠而成的复合量子阱帽层，在量子阱层上先生长BInGaN子层，由于B原子较小，可以填补晶格间的空位，提升这一层晶体质量，减少缺陷的产生。同时In组分渐变降低，主要是为了和量子阱层更好的晶格匹配，形成In组分的平缓过渡，减少In的偏析。然后再在BInGaN子层上生长BN层和SiN层重复交叠的超晶格周期性结构(即复合子层)，晶格较小的SiN材料和BN材料对前面的位错和V型缺陷具有修复和屏蔽的作用，且对In组分的扩散有一定的阻断作用，同时BN和SiN异质结会产生二维电子气，有助于载流子迁移率的提升，从而促进量子阱内电子空穴对复合，提升发光效率；而这一段因为有了BInGaN子层的缓冲，生长温度选择升高，有助于晶格质量的提升。最后再在复合子层上生长BGaN子层，并再次升高生长温度，其本身具有很好的晶格质量，更趋向二维生长，平整度较高。
总体而言，本发明通过对多量子阱层中的帽层做了特殊设计，既很好的实现了保护量子阱In组分的目的，又有利于减少阱垒晶格失配，缓解量子阱垒界面处In的偏析，提升量子阱垒处的界面晶体质量，使得阱垒界面处更加陡峭，有利于波长均匀性的提升和获得更好的抗静电能力，并成功提升了发光二极管的发光效率，最终成功提升了发光二极管的发光亮度。
附图说明
图1为本发明实施例一当中的GaN基发光二极管外延片的结构示意图；
图2为本发明实施例一当中的多量子阱层的结构示意图；
图3为本发明实施例一当中的量子阱帽层的结构示意图。
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的若干实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
实施例1
请参阅图1-图3，所示为本发明实施例一中的GaN基发光二极管外延片，包括衬底1、以及依次外延生长于衬底1上的GaN低温缓冲层2、不掺杂的GaN层3、N型掺杂GaN层4、多量子阱层5、电子阻挡层6和p型掺杂GaN层7。
在本实施例当中，如图2所示，多量子阱层5为量子阱层51、量子阱帽层52和量子垒层53交替层叠的周期性结构。其中，量子阱层51可以为InGaN量子阱层，量子垒层53可以为GaN量子垒层。量子阱帽层52插入在量子阱层51和量子垒层53之间，主要用于保护量子阱In组分的目的、同时减少阱垒晶格缺陷。具体地，在本实施例当中，如图3所示，量子阱帽层52为复合量子阱帽层，包括依次层叠的BInGaN子层521、复合子层522及BGaN子层523，复合子层522为SiN层和BN层交替层叠的周期性结构。BInGaN子层521、复合子层522及BGaN子层523的生长温度梯度升高，具体地，在本实施例当中，BInGaN子层521的生长温度为750℃，复合子层522的生长温度为800℃，BGaN子层523的生长温度为850℃，并且BInGaN子层521的In组分含量渐变减少，具体地，BInGaN子层521中的In组分含量从0.05渐变减少为0，BInGaN子层521中的B组分含量为0.1。
本实施例，通过在量子阱层51上先低温生长一BInGaN子层521，由于B原子较小，可以填补晶格间的空位，提升这一层晶体质量，减少缺陷的产生。同时In组分渐变降低，主要是为了和量子阱层51更好的晶格匹配，形成In组分的平缓过渡，减少In的偏析。然后再在BInGaN子层521上生长BN层和SiN层重复交叠的超晶格周期性结构(即复合子层522)，晶格较小的SiN材料和BN材料对前面的位错和V型缺陷具有修复和屏蔽的作用，且对In组分的扩散有一定的阻断作用，同时BN和SiN异质结会产生二维电子气，有助于载流子迁移率的提升，从而促进量子阱内电子空穴对复合，提升发光效率；而这一层因为有了BInGaN子层521的缓冲，生长温度选择升高，有助于晶格质量的提升。最后再在复合子层522上生长BGaN子层523，并再次升高生长温度，其本身具有很好的晶格质量，平整度较高。
除此之外，在本实施例一些较佳实施情况当中，BInGaN子层521、复合子层522及BGaN子层523生长时通入的H2量梯度增加。更具体地，BInGaN子层521生长时不通入H2，复合子层522生长时通入的H2量为1L，BGaN子层523生长时通入的H2量为5L。在BInGaN子层521生长时不通入H2的目的在于：由于H2有一定的刻蚀作用，会影响量子阱中In的并入，从而引起发光效率下降。同时避免了H2与量子阱层51的直接接触造成的量子阱层51中的In组分的减少，影响发光二极管的发光效率。而在复合子层522生长时通入少量H2的目的在于：有助于晶格质量的提升，H2的刻蚀作用还可以防止In组分的扩散，减少In“团簇”。而在BGaN子层523生长时通入较多H2的目的在于，进一步提升晶格质量，更趋向二维生长。
除此之外，在本实施例一些情况当中，复合子层522的周期性结构的周期数为1-5，每个周期都是依次层叠生长SiN层和BN层，其中SiN层中的Si组分含量为0.05-0.15，BN层中的B组分含量为0.05-0.15。另外，BInGaN子层521的厚度为1-2nm，复合子层522的厚度为1-3nm，BGaN子层523的厚度为3-5nm。
另一方面，本实施例还提出一种GaN基发光二极管外延片的制备方法，用于制备本实施例当中的GaN基发光二极管外延片，所述制备方法包括如下步骤：
步骤S11：提供一外延生长所需的衬底，在1050～1200℃温度下，在H2气氛中下对衬底进行高温退火处理3～6min。
其中，衬底优选为蓝宝石衬底。
步骤202：在衬底上生长GaN低温缓冲层，生长温度为500℃～700℃，生长压力为200～400Torr。
示例性地，GaN低温缓冲层的厚度可以为10～30nm。
步骤203：在GaN低温缓冲层上生长不掺杂的GaN层，生长温度为1000～1150℃，压力为200～400Torr。
示例性地，不掺杂的GaN层的厚度约为1～5μm。
步骤204：在不掺杂的GaN层上生长N型掺杂GaN层，生长温度为1000～1150℃，生长压力为200～400Torr。
示例性地，N型掺杂GaN层为掺杂Si的GaN层，其厚度约为1～3μm。
步骤205：在N型掺杂GaN层上周期性的交替生长量子阱层、量子阱帽层和量子垒层，以在N型掺杂GaN层上生长多量子阱层。
其中，在生长所述量子阱层时，在纯N2作载气的气氛下，通入生长量子阱层所需的源，以生长量子阱层；在生长量子阱帽层时，不通入H2，在纯N2作载气的气氛下，生长温度750℃下，先通入生长BInGaN子层所需的源，并控制In组分的通入量渐变减少，以在量子阱层上生长BInGaN子层，然后通入1L的H2，生长温度提高至800℃，在H2和N2作载气的气氛下，通入SiN层和BN层对应所需要的源，以在BInGaN子层上周期性的交替生长SiN层和BN层，以制备复合子层，最后加大H2的通入量至5L，生长温度提高至850℃，在H2和N2作载气的气氛下，通入BGaN子层所需要的源，以在复合子层上生长BInGaN子层；在生长量子垒层时，在H2和N2作载气的气氛下，通入生长量子垒层所需的源，以在量子阱帽层上生长量子垒层。
示例性地，多量子阱层中的量子阱层的生长温度可以为700～800℃，多量子阱的周期可以为3～15层，生长压力为100～500Torr；每个周期量子阱层的厚度约为2～4nm；每个周期量子垒层的厚度为5～15nm，生长温度为850～950℃。
步骤206：在多量子阱层上生长电子阻挡层，生长温度为800～1000℃，生长压力为100～300Torr。
示例性地，所述电子阻挡层可以是GaN和ALGaN的超晶格结构；
步骤207：在电子阻挡层上生长P型掺杂GaN层，其生长温度约为800～1000℃，生长压力为100～300torr。
示例性地，所述P型掺杂GaN层可以为掺杂Mg的GaN层，厚度约为50～300nm。
实施例2
本发明实施例二也提出一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，本实施例当中的GaN基发光二极管外延片及其制备方法与实施例一当中的GaN基发光二极管外延片及其制备方法的不同之处在于：
BInGaN子层生长时依然不通入H2，复合子层生长时通入的H2量为2L，BGaN子层生长时通入的H2量为8L。
实施例3
本发明实施例三也提出一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，本实施例当中的GaN基发光二极管外延片及其制备方法与实施例一当中的GaN基发光二极管外延片及其制备方法的不同之处在于：
BInGaN子层生长时依然不通入H2，复合子层生长时通入的H2量为3L，BGaN子层生长时通入的H2量为10L。
实施例4
本发明实施例四也提出一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，本实施例当中的GaN基发光二极管外延片及其制备方法与实施例一当中的GaN基发光二极管外延片及其制备方法的不同之处在于：
BInGaN子层的生长温度为780℃，复合子层的生长温度为830℃，BGaN子层的生长温度为880℃。
实施例5
本发明实施例五也提出一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，本实施例当中的GaN基发光二极管外延片及其制备方法与实施例一当中的GaN基发光二极管外延片及其制备方法的不同之处在于：
BInGaN子层的生长温度为800℃，复合子层的生长温度为850℃，BGaN子层的生长温度为900℃。
实施例6
本发明实施例六也提出一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，本实施例当中的GaN基发光二极管外延片及其制备方法与实施例一当中的GaN基发光二极管外延片及其制备方法的不同之处在于：
BInGaN子层中的In组分含量从0.1渐变减少为0。
实施例7
本发明实施例七也提出一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，本实施例当中的GaN基发光二极管外延片及其制备方法与实施例一当中的GaN基发光二极管外延片及其制备方法的不同之处在于：
BInGaN子层中的In组分含量从0.2渐变减少为0。
实施例8
本发明实施例八也提出一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，本实施例当中的GaN基发光二极管外延片及其制备方法与实施例一当中的GaN基发光二极管外延片及其制备方法的不同之处在于：
BInGaN子层中的B组分含量0.2。
对比例1
其中，本发明对比例一也提出一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，本实施例当中的GaN基发光二极管外延片及其制备方法与实施例一当中的GaN基发光二极管外延片及其制备方法的不同之处在于：
对比例一当中的量子阱帽层的生长过程当中全程不通入H2。
对比例2
其中，本发明对比例二也提出一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，本实施例当中的GaN基发光二极管外延片及其制备方法与实施例一当中的GaN基发光二极管外延片及其制备方法的不同之处在于：
对比例一当中的量子阱帽层的生长过程当中全程通入8L的H2。
对比例3
其中，本发明对比例三也提出一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，本实施例当中的GaN基发光二极管外延片及其制备方法与实施例一当中的GaN基发光二极管外延片及其制备方法的不同之处在于：
BInGaN子层中的In组分含量固定为0.2，不渐变减少。
对比例4
其中，本发明对比例四也提出一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，本实施例当中的GaN基发光二极管外延片及其制备方法与实施例一当中的GaN基发光二极管外延片及其制备方法的不同之处在于：
对比例四当中的量子阱帽层为传统的低温GaN帽层。
请参阅下表1，所示为本发明上述实施例1～8及对比例1-4对应的参数。
表1
上表1中，“→”代表变化，例如0.05→0代表BInGaN子层中的In组分含量从0.05渐变减少至0，又如0→1→5代表量子阱帽层的H2通入量从不通入H2到通入1L H2再到通入5LH2。
在实际应用当中，分别采用本发明上述实施例1-8、及对照例1-4所对应的制备方法及参数制备得到对应的GaN基发光二极管外延片，并对各实例制备得到的GaN基发光二极管外延片进行发光亮度、波长均匀性以及抗静电(6KV)通过率测试，测试数据如下表2所示。需要说明的是，为了保证验证结果的可靠性，本发明上述实施例1-8、及对照例1-4对应制备外延片时除上述参数不同以外、其它都应当相同，例如除多量子阱层的其他层的制备工艺及参数都应当保持一致。
表2：
结合上述表1和表2的数据可以明显看出，本发明实施例采用的多层复合形式的量子阱帽层，发光亮度提升明显，波长均匀性明显提升，说明阱垒界面处的缺陷得到很大改善，同时抗静电能力也得到明显升高，说明本发明既很好的实现了保护量子阱In组分的目的，减少了量子阱内缺陷，减少了非辐射复合，保证发光效率，又有利于减少阱垒晶格失配，缓解量子阱垒界面处In的偏析，提升量子阱垒处的界面晶体质量，使得阱垒界面处更加陡峭，有利于波长均匀性的提升和获得更好的抗静电能力，并成功提升了发光二极管的发光亮度。
综上，本发明实施例当中的GaN基发光二极管外延片及其制备方法，通过采用由BInGaN子层、复合子层及BGaN子层依次层叠而成的复合量子阱帽层，在量子阱层上先生长BInGaN子层，由于B原子较小，可以填补晶格间的空位，提升这一层晶体质量，减少缺陷的产生。同时In组分渐变降低，主要是为了和量子阱层更好的晶格匹配，形成In组分的平缓过渡，减少In的偏析。然后再在BInGaN子层上生长BN层和SiN层重复交叠的超晶格周期性结构(即复合子层)，晶格较小的SiN材料和BN材料对前面的位错和V型缺陷具有修复和屏蔽的作用，且对In组分的扩散有一定的阻断作用，同时BN和SiN异质结会产生二维电子气，有助于载流子迁移率的提升，从而促进量子阱内电子空穴对复合，提升发光效率；而这一段因为有了BInGaN子层的缓冲，生长温度选择升高，有助于晶格质量的提升。最后再在复合子层上生长BGaN子层，并再次升高生长温度，其本身具有很好的晶格质量，更趋向二维生长，平整度较高。
总体而言，本发明通过对多量子阱层中的帽层做了特殊设计，既很好的实现了保护量子阱In组分的目的，又有利于减少阱垒晶格失配，缓解量子阱垒界面处In的偏析，提升量子阱垒处的界面晶体质量，使得阱垒界面处更加陡峭，有利于波长均匀性的提升和获得更好的抗静电能力，并成功提升了发光二极管的发光效率。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种GaN基发光二极管外延片，其特征在于，包括多量子阱层，所述多量子阱层为量子阱层、量子阱帽层和量子垒层交替层叠的周期性结构；
其中，所述量子阱帽层包括依次层叠的BInGaN子层、复合子层及BGaN子层，所述复合子层为SiN层和BN层交替层叠的周期性结构，所述BInGaN子层、所述复合子层及所述BGaN子层的生长温度梯度升高，并且所述BInGaN子层的In组分含量渐变减少。
2.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管外延片，其特征在于，所述BInGaN子层、所述复合子层及所述BGaN子层生长时通入的H2量梯度增加。
3.根据权利要求2所述的GaN基发光二极管外延片，其特征在于，所述BInGaN子层生长时不通入H2，所述复合子层生长时通入的H2量为1～3L，所述BGaN子层生长时通入的H2量为5～10L。
4.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管外延片，其特征在于，所述BInGaN子层的生长温度为750～800℃，所述复合子层的生长温度为800～850℃，所述BGaN子层的生长温度为850-900℃。
5.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管外延片，其特征在于，所述BInGaN子层中的In组分含量从0.05-0.2渐变减少为0，所述BInGaN子层中的B组分含量0.1-0.2。
6.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管外延片，其特征在于，所述SiN层中的Si组分含量为0.05-0.15，所述BN层中的B组分含量为0.05-0.15，所述复合子层的周期性结构的周期数为1-5。
7.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管外延片，其特征在于，所述BInGaN子层的厚度为1-2nm，所述复合子层的厚度为1-3nm，所述BGaN子层的厚度为3-5nm。
8.根据权利要求1-7任一项所述的GaN基发光二极管外延片，其特征在于，还包括衬底、GaN低温缓冲层、不掺杂的GaN层、N型掺杂GaN层、电子阻挡层和p型掺杂GaN层；
所述GaN低温缓冲层、所述不掺杂的GaN层、所述N型掺杂GaN层、所述多量子阱层、所述电子阻挡层和所述p型掺杂GaN层依次生长于所述衬底上。
9.一种GaN基发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1-8任一项所述的GaN基发光二极管外延片，所述制备方法包括：
周期性的交替生长量子阱层、量子阱帽层和量子垒层，以制备得到所述GaN基发光二极管外延片的多量子阱层；
其中，在生长所述量子阱层时，在纯N2作载气的气氛下，通入生长所述量子阱层所需的源，以生长所述量子阱层；
在生长所述量子阱帽层时，在纯N2作载气的气氛下，先通入生长BInGaN子层所需的源，以在所述量子阱层上生长所述BInGaN子层，然后在H2和N2作载气的气氛下，通入SiN层和BN层对应所需要的源，以在所述BInGaN子层上周期性的交替生长SiN层和BN层，以制备复合子层，最后在H2和N2作载气的气氛下，通入BGaN子层所需要的源，以在所述复合子层上生长BInGaN子层；
在生长所述量子垒层时，在H2和N2作载气的气氛下，通入生长所述量子垒层所需的源，以在所述量子阱帽层上生长所述量子垒层。
10.根据权利要求9所述的GaN基发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，在周期性的交替生长量子阱层、量子阱帽层和量子垒层，以制备得到所述GaN基发光二极管外延片的多量子阱层之前，还包括：
提供一外延生长所需的衬底；
在所述衬底之上依次外延生长GaN低温缓冲层、不掺杂的GaN层及N型掺杂GaN层，所述多量子阱层生长于所述N型掺杂GaN层上；
在周期性的交替生长量子阱层、量子阱帽层和量子垒层，以制备得到所述GaN基发光二极管外延片的多量子阱层之后，还包括：
在所述多量子阱层上依次外延生长电子阻挡层和p型掺杂GaN层。
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