CN114779508A - 显示装置及其制造方法、拼接显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种显示装置及其制造方法、拼接显示装置，方法包括：提供一显示面板和一绑定件，显示面板包括第一引脚，第一引脚包括第一金属层，第一金属层的表面设置有凹凸结构，绑定件包括第二引脚，第二引脚包括第二金属层，第二金属层的表面设置有凹凸结构，第一金属层的至少一种制备材料与第二金属层的至少一种制备材料不同；将第二引脚对准第一引脚，且将第一引脚的第一金属层与第二引脚的第二金属层共晶键合，得到显示装置。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置及其制造方法、拼接显示装置。
背景技术
窄边框显示装置是显示技术的研究热点之一，目前的窄边框技术主要采用各向异性导电胶将覆晶薄膜绑定于显示面板上，以制备得到窄边框显示装置。然而，各向异性导电胶绑定不利于显示装置的边框进一步变窄。
因此，如何使显示装置的边框进一步变窄是需要解决的技术问题。
发明内容
本申请的目的在于提供一种显示装置及其制造方法、拼接显示装置，以有利于显示装置的边框进一步地变窄，且有利于减少拼接显示装置的拼接缝。
为实现上述目的，技术方案如下：
本申请提供一种显示装置的制造方法，所述方法包括：
提供一显示面板和一绑定件，所述显示面板包括第一引脚，所述第一引脚包括第一金属层，所述第一金属层的表面设置有凹凸结构，所述绑定件包括第二引脚，所述第二引脚包括第二金属层，所述第二金属层的表面设置有凹凸结构，所述第一金属层的至少一种制备材料与所述第二金属层的至少一种制备材料不同；
将所述第二引脚对准所述第一引脚，且将所述第一引脚的所述第一金属层与所述第二引脚的所述第二金属层共晶键合，得到所述显示装置。
在上述显示装置的制造方法中，所述第一金属层表面上的凹凸结构包括多个第一凹部和多个第一凸部，相邻两个所述第一凹部限定出一个所述第一凸部；
所述第二金属层表面上的凹凸结构包括多个第二凹部和多个第二凸部，相邻两个所述第二凹部限定出一个所述第二凸部，所述第二凹部与所述第一凸部适配，所述第二凸部与所述第一凹部适配。
在上述显示装置的制造方法中，所述第一凸部在所述第一金属层的厚度方向上的截面为第一截面，所述第二凸部在所述第二金属层的厚度方向上的截面为第二截面，所述第一截面的形状选自三角形和梯形中的至少一种，所述第二截面的形状选自三角形和梯形中的至少一种。
在上述显示装置的制造方法中，所述第一凸部的高度和所述第一凹部的深度大于或等于20纳米且小于或等于50纳米，所述第二凸部的高度和所述第二凹部的深度大于或等于20纳米且小于或等于50纳米。
在上述显示装置的制造方法中，所述第一金属层的厚度大于或等于100纳米且小于或等于5微米，所述第二金属层的厚度大于或等于100纳米且小于或等于5微米。
在上述显示装置的制造方法中，所述共晶键合的条件包括：温度大于或等于100℃且小于或等于280℃，且压力大于或等于1MPa且小于或等于100MPa。
在上述显示装置的制造方法中，所述显示面板包括第一载板，所述第一引脚设置于所述第一载板上，所述第一引脚还包括第三金属层，所述第三金属层设置于所述第一金属层与所述第一载板之间，所述第三金属层与所述第一载板之间的附着力大于所述第一金属层与所述第一载板之间的附着力；
所述绑定件还包括第二载板，所述第二引脚设置于所述第二载板上，所述第二引脚还包括第四金属层，所述第四金属层设置于所述第二金属层与所述第二载板之间，所述第四金属层与所述第二载板之间的附着力大于所述第二金属层与第二载板之间的附着力。
在上述显示装置的制造方法中，所述显示面板具有显示区和绑定区，所述第一引脚设置于所述绑定区，所述绑定件靠近所述显示区的一端至所述显示面板绑定端的边缘的距离大于或等于50微米且小于或等于250微米。
本申请还提供一种显示装置，所述显示装置由上述方法制备得到。
本申请还提供一种拼接显示装置，所述拼接显示装置由至少两个上述显示装置拼接而成。
有益效果：本申请提供一种显示装置及其制造方法、拼接显示装置，显示面板上第一引脚的第一金属层与绑定件上第二引脚的第二金属层通过共晶键合，以使绑定件绑定于显示面板上，有利于显示装置的边框变窄的同时，提高绑定件绑定于显示面板上的抗拉拔力。而且，第一金属层的表面设置有凹凸结构，第二金属层的表面设置有凹凸结构，有利于增加第一金属层与第二金属层之间的接触面积，提高两者共晶键合后的键合强度，进而保证绑定件绑定于显示面板上的绑定效果，且有利于减少拼接显示装置的拼接缝。
附图说明
图1为制造本申请一实施例显示装置的流程示意图；
图2为本申请一实施例显示装置的显示面板的平面示意图；
图3为本申请一实施例显示装置的显示面板的截面示意图；
图4为本申请另一实施例显示装置的显示面板的截面示意图；
图5为本申请一实施例显示装置的绑定件的平面示意图；
图6为本申请一实施例显示装置的绑定件的截面示意图；
图7为制造本申请一实施例显示装置的过程示意图；
图8为本申请一实施例显示装置的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1，其为制造本申请一实施例显示装置的流程示意图。制造本申请一实施例显示装置的方法包括如下步骤：
S100：提供一显示面板和一绑定件，显示面板包括第一引脚，第一引脚包括第一金属层，第一金属层的表面设置有凹凸结构，绑定件包括第二引脚，第二引脚包括第二金属层，第二金属层的表面设置有凹凸结构。
如图2所示，显示面板10具有显示区10a和绑定区10b，绑定区10b位于显示区10a的一侧。显示面板10包括多个子像素和多个第一引脚101，多个子像素设置于显示面板10的显示区10a，多个第一引脚101在垂直于显示区10a指向绑定区10b的方向上并排地设置于显示面板10的绑定区10b。
每个第一引脚101的第一宽度x1和相邻两个第一引脚101之间的第一间距y1之和大于或等于50微米且小于或等于150微米。每个第一引脚101的第一宽度x1大于或等于30微米且小于或等于120微米。
如图3所示，其为本申请一实施例显示装置的显示面板的截面示意图。显示面板10可以为液晶显示面板，液晶显示面板包括阵列基板和彩膜基板，阵列基板与彩膜基板相对设置，且阵列基板与彩膜基板之间设置有液晶层，多个第一引脚101位于绑定区10b且设置于阵列基板上。
如图4所示，其为本申请另一实施例显示装置的显示面板的截面示意图。显示面板10可以为微型发光二极管显示面板或次毫米发光二极管显示面板。显示面板10包括第一基板、多个发光芯片以及多个第一引脚101，多个发光芯片位于显示区10a且设置于第一基板上，多个第一引脚101位于绑定区10b且设置于第一基板上。其中，第一基板可以为刚性基板，也可以为柔性基板；发光芯片包括多个无机发光二极管。
可以理解的是，显示面板10也可以为有机发光二极管显示面板。
请同时参阅图3和图4，第一引脚101包括第一键合层1011和第一导电层1012，第一导电层1012位于第一键合层1011与第一基板或阵列基板中的一者之间。
第一键合层1011包括第一金属层1013。第一金属层1013的厚度大于或等于100纳米且小于或等于5微米，例如为200纳米、400纳米、600纳米、800纳米、1000纳米、1500纳米、5000纳米、1微米以及2微米。第一金属层1013的制备材料选自Au、Al、Cu、Sn、In、Ti中的一种或多种。
第一金属层1013远离第一导电层1012的表面设置有凹凸结构。具体地，第一金属层1013表面上的凹凸结构包括多个第一凹部1013a和多个第一凸部1013b，相邻两个第一凹部1013a限定出一个第一凸部1013b。
其中，多个第一凹部1013a可以呈一维阵列排布，对应地，多个第一凸部1013b也呈一维阵列排布，此时，多个第一凸部1013b可以呈长条状。多个第一凹部1013a也可以呈二维阵列排布，对应地，多个第一凸部1013b也可以呈二维阵列排布，此时，多个第一凸部1013b可以呈棱台状或棱锥状。
第一凸部1013b的高度与第一凹部1013a的深度相等。第一凸部1013b的高度和第一凹部1013a的深度大于或等于20纳米且小于或等于50纳米，以保证第一金属层1013与下文中的第二金属层2033共晶键合时能更好地融为一体，且避免出现溢出金属的现象。例如，第一凸部1013b的高度为25纳米、35纳米、45纳米或者50纳米。
第一凸部1013b在第一金属层1013的厚度方向上的截面为第一截面，第一截面的形状选自三角形和梯形中的至少一种，有利于第一金属层1013的第一凸部1013b在共晶键合过程中发生塑性形变，降低共晶键合的温度，且提高共晶键合的质量。需要说明的是，第一截面的形状也可以为半圆形、矩形、T形或者其他形状。
第一导电层1012包括第三金属层1014和第五金属层1015，第五金属层1015位于第三金属层1014和第一金属层1013之间。
第三金属层1014与第一基板和阵列基板中任意一者的附着力大于第一金属层1013与第一基板以及阵列基板中任意一者的附着力；第三金属层1014与第一基板以及阵列基板中任意一者的附着力大于第五金属层1015与第一基板以及阵列基板中任意一者的附着力，以提高第一引脚101在第一基板或阵列基板上的附着力。另外，第五金属层1015的导电率大于第三金属层1014的导电率，以降低第一引脚101的阻抗。第五金属层1015的厚度大于第三金属层1014的厚度，以进一步地降低第一引脚101的阻抗。
具体地，第一金属层1013的制备材料为In，第三金属层1014的制备材料为Mo，第五金属层1015的制备材料为Cu。
请参阅图5，其为本申请一实施例显示装置的绑定件的平面示意图。绑定件20为覆晶薄膜。可以理解的是，绑定件20也可以为柔性印刷电路板。
绑定件20包括第二载板201、驱动芯片202以及多个第二引脚203，多个第二引脚203位于驱动芯片202的一侧，驱动芯片202设置于第二载板201上，多个第二引脚203并排设置于第二载板201上。其中，第二载板201为柔性基板。
每个第二引脚203的第二宽度x2和相邻两个第二引脚203之间的第二间距y2之和等于每个第一引脚101的第一宽度x1和相邻两个第一引脚101之间的第一间距y1之和。每个第二引脚203的第二宽度x2小于或等于每个第一引脚101的第一宽度x1。其中，每个第二引脚203的第二宽度x2大于或等于30微米且小于或等于120微米。
请参阅图6，其为本申请一实施例显示装置的绑定件的截面示意图。第二引脚203包括第二键合层2031和第二导电层2032，第二导电层2032位于第二载板201与第二键合层2031之间。
第二键合层2031包括第二金属层2033，第一金属层1013的至少一种制备材料与第二金属层2033的至少一种制备材料不同，以降低第一金属层1013与第二金属层2033共晶键合过程中所需的温度。第二金属层2033的厚度大于或等于100纳米且小于或等于5微米，例如为200纳米、400纳米、600纳米、800纳米、1000纳米。第二金属层2033的制备材料选自Au、Al、Cu、Sn、In、Ti中的一种或多种。
第二金属层2033的表面设置有凹凸结构。具体地，第二金属层2033表面上的凹凸结构包括多个第二凹部2033a和多个第二凸部2033b，相邻两个第二凹部2033a限定出一个第二凸部2033b，第二凹部2033a与第一凸部1013b适配，第二凸部2033b与第一凹部1013a适配，以有利于第二金属层2033与第一金属层1013在共晶键合过程中更好地相互融合。
多个第二凹部2033a呈一维阵列排布，对应地，多个第二凸部2033b也呈一维阵列排布。多个第二凹部2033a也可以呈二维阵列排布，多个第二凸部2033b也可以呈二维阵列排布。
第二凸部2033b的高度和第二凹部2033a的深度大于或等于20纳米且小于或等于50纳米，以进一步地保证第一金属层1013与第二金属层2033共晶键合时能更好地融为一体，且避免出现溢出金属的现象。
第二凸部2033b在第二金属层2033的厚度方向上的截面为第二截面，第二截面的形状选自三角形和梯形中的至少一种，有利于第二金属层2033的第二凸部2033b在共晶键合过程中发生塑性形变，进一步地降低共晶键合的温度，且提高共晶键合的质量。需要说明的是，第二截面的形状也可以为半圆形、矩形、T形或者其他形状。
第二导电层2032包括第四金属层2034和第六金属层2035，第六金属层2035位于第四金属层2034和第二金属层2033之间。
第四金属层2034与第二载板201之间的附着力大于第二金属层2033与第二载板201之间的附着力；第四金属层2034与第二载板201之间的附着力大于第六金属层2035与第二载板201之间的附着力，以提高第二引脚203在第二载板201上的附着力。另外，第六金属层2035的导电率大于第四金属层2034的导电率，以降低第二引脚203的阻抗。第六金属层2035的厚度大于第四金属层2034的厚度，以进一步地降低第二引脚203的阻抗。
具体地，第二金属层2033的制备材料为Sn，第四金属层2034的制备材料为Mo，第六金属层2035的制备材料为Al。
需要说明的是，第一键合层1011的形成方法为，通过对第一导电层1012进行清洁和活化处理后，采用物理溅射沉积、磁控溅射、蒸镀等在绑定区10b形成覆盖第一导电层1012的金属层，对金属层进行图案化后，采用离子刻蚀、激光刻蚀或化学镀的方式对图案化金属层进行处理，得到包括凹凸结构的第一金属层1013。第二键合层2031的形成方法与第一键合层1011的形成方法可以相同，此处不再赘述。
S101：将第二引脚对准第一引脚，且将第一引脚的第一金属层与第二引脚的第二金属层共晶键合，得到显示装置。
具体地，将显示面板10放置于加热板50上，将绑定件20的第二引脚203与显示面板10的第一引脚101一对一地对准，第二引脚203的第二金属层2033的凹凸结构与第一引脚101的第一金属层1013的凹凸结构相互咬合，将缓冲构件30设置于绑定件20远离显示面板10的表面上，压头40对缓冲构件30施加压力的同时起到加热作用，如图7所示；在温度大于或等于100℃且小于或等于280℃且压力大于或等于1MPa且小于或等于100MPa的条件下，共晶键合的时间大于或等于10分钟且小于或等于60分钟，第二金属层2033与第一金属层1013发生塑性形变，第二金属层2033与第一金属层1013融为一体而形成共晶键合层60，将绑定件20的自由端弯折至显示面板10的背面，得到显示装置70，如图8所示。
其中，绑定件20靠近显示区10a的一端至显示面板10绑定端的边缘的距离D大于或等于50微米且小于或等于250微米，例如为100微米、150微米、200微米、250微米。
相较于传统技术中通过各向异性导电胶将绑定件绑定于显示面板时，绑定件靠近显示区的一端至显示面板绑定端的边缘的距离大于或等于350微米，本申请通过金属共晶键合，能显著地减小绑定件靠近显示区的一端至显示面板绑定端的边缘的距离，有利于显示装置实现窄边框。而且，相较于金属焊接会存在绑定件与显示面板之间的抗拉拔力不够的问题，本申请通过金属共晶键合后，显示面板与绑定件之间的抗拉拔力大于或等于800N，显著地提高显示面板与绑定件之间的抗拉拔力。
本申请提供一种显示装置，显示装置由上述显示装置的制造方法制备得到。
本申请还提供一种拼接显示装置，拼接显示装置由上述显示装置的制造方法制备的至少两个显示装置拼接而成。
由于上述显示装置的制造方法制备的显示装置具有窄边框，本申请拼接显示装置之间的拼接缝也能减小。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示装置的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一显示面板和一绑定件，所述显示面板包括第一引脚，所述第一引脚包括第一金属层，所述第一金属层的表面设置有凹凸结构，所述绑定件包括第二引脚，所述第二引脚包括第二金属层，所述第二金属层的表面设置有凹凸结构，所述第一金属层的至少一种制备材料与所述第二金属层的至少一种制备材料不同；
将所述第二引脚对准所述第一引脚，且将所述第一引脚的所述第一金属层与所述第二引脚的所述第二金属层共晶键合，得到所述显示装置。
2.根据权利要求1所述显示装置的制造方法，其特征在于，所述第一金属层表面上的凹凸结构包括多个第一凹部和多个第一凸部，相邻两个所述第一凹部限定出一个所述第一凸部；
所述第二金属层表面上的凹凸结构包括多个第二凹部和多个第二凸部，相邻两个所述第二凹部限定出一个所述第二凸部，所述第二凹部与所述第一凸部适配，所述第二凸部与所述第一凹部适配。
3.根据权利要求2所述显示装置的制造方法，其特征在于，所述第一凸部在所述第一金属层的厚度方向上的截面为第一截面，所述第二凸部在所述第二金属层的厚度方向上的截面为第二截面，所述第一截面的形状选自三角形和梯形中的至少一种，所述第二截面的形状选自三角形和梯形中的至少一种。
4.根据权利要求2所述显示装置的制造方法，其特征在于，所述第一凸部的高度和所述第一凹部的深度大于或等于20纳米且小于或等于50纳米，所述第二凸部的高度和所述第二凹部的深度大于或等于20纳米且小于或等于50纳米。
5.根据权利要求1-4任一项所述显示装置的制造方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度大于或等于100纳米且小于或等于5微米，所述第二金属层的厚度大于或等于100纳米且小于或等于5微米。
6.根据权利要求1-4任一项所述显示装置的制造方法，其特征在于，所述共晶键合的条件包括：温度大于或等于100℃且小于或等于280℃，且压力大于或等于1MPa且小于或等于100MPa。
7.根据权利要求1所述显示装置的制造方法，其特征在于，所述显示面板包括第一载板，所述第一引脚设置于所述第一载板上，所述第一引脚还包括第三金属层，所述第三金属层设置于所述第一金属层与所述第一载板之间，所述第三金属层与所述第一载板之间的附着力大于所述第一金属层与所述第一载板之间的附着力；
所述绑定件还包括第二载板，所述第二引脚设置于所述第二载板上，所述第二引脚还包括第四金属层，所述第四金属层设置于所述第二金属层与所述第二载板之间，所述第四金属层与所述第二载板之间的附着力大于所述第二金属层与第二载板之间的附着力。
8.根据权利要求1所述显示装置的制造方法，其特征在于，所述显示面板具有显示区和绑定区，所述第一引脚设置于所述绑定区，所述绑定件靠近所述显示区的一端至所述显示面板绑定端的边缘的距离大于或等于50微米且小于或等于250微米。
9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置由权利要求1-8任一项所述显示装置的制造方法制备得到。
10.一种拼接显示装置，其特征在于，所述拼接显示装置由至少两个权利要求9所述显示装置拼接而成。
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